1.本发明涉及电子部件、电路板装置和制造电子部件的方法。
背景技术：
：：2.为了减小电子部件的安装面积并要求减小电子器件的尺寸，通常在设置有内部电极的元件主体上形成外部电极。外部电极通过焊接连接到电路板，使得电子部件安装在电路板上。3.外部电极不仅可以形成在元件主体的安装面上，还可以形成在元件主体的侧面和上表面上。在这种构造中，湿焊料会沿着外部电极的侧面向上移动到外部电极的上表面，并增加电路板的高度。4.为了防止湿焊料沿着端子电极的侧面向上移动(焊料的润润)并到达端子电极的上表面，jp‑2014‑53599a公开了一种构造，其中形成在电子部件的侧面上的第一端子电极和第二端子电极的侧面部分被氧化膜覆盖。技术实现要素：5.然而，如果端子电极的侧面部分被氧化膜覆盖，并提供了过量的焊料，则从安装面扩散到不希望的方向的焊料数量可增加，并且这可能阻碍高密度地安装多个电子部件。此外，在允许焊料润湿外部电极的整个表面的典型构造中，焊料会沿着外部电极的侧面向上润湿并且到达外部电极的上表面。结果，其上安装有多个元件的电路板最终高度可能比最初设计的高度大。6.因此，本发明的目的是提供一种电子部件，该电子部件能够在调节从安装面扩散的焊料量的同时，防止焊料润湿到与安装面相对的面。本发明的另一个目的是提供一种制造此类电子部件的方法。本发明的另一个目的是提供一种电路板装置，该电路板装置能够在调节从安装面扩散的焊料量的同时，防止焊料润湿到与安装面相对的面。7.根据本发明的第一方面，提供了一种电子部件，其包括元件主体和至少一个外部电极。元件主体包括电介质体和内部电极。每个外部电极包括基底层、镀层和覆盖层。基底层形成在元件主体的多个面上，并连接至内部电极并包含金属。镀层形成在基底层的安装面上和内部电极连接到的基底层的侧面上。覆盖层形成在基底层的与安装面相对的面的至少一部分上。覆盖层与镀层相比较少被焊料润湿。8.基底层可以形成在元件主体的侧面上，并从侧面延伸到元件主体的前表面和后表面以及上表面和下表面。安装面可以位于元件主体的下表面下方。覆盖层可以设置在基底层的上表面上。镀层可以形成在基底层的前表面和后表面上。9.覆盖层可以包括基底层的金属的氧化膜。10.基底层可以包括与金属共存的第一共材。覆盖层可以包括第二共材。11.在基底层中包括的第一共材和在覆盖层中包括的第二共材可以具有相同的组成。12.第一共材可以是包括电介质的陶瓷氧化物。第二共材也可以是包括电介质的陶瓷氧化物。13.覆盖层可以是包括树脂的抗蚀剂膜。14.基底层可以包括玻璃成分。15.覆盖层可以包括玻璃相，该玻璃相具有与基底层中包括的玻璃成分的组成相同的组成。16.基底层中的金属可以是包含选自cu、fe、zn、al和ni中的至少一种的金属或合金。17.镀层可以包括ni镀层和形成在ni镀层上的sn镀层。18.覆盖层可以以带状图案设置在基底层的与基底层的安装面相对的面上，使得带状图案沿着与基底层的侧面、前表面和后表面接触的基底层的边缘连续。19.基底层可以在基底层的棱部上具有倒角表面。覆盖层的端部的至少一部分可以沿着基底层的倒角表面延伸。20.由与外部电极的安装面相对的面和在覆盖层的端部与基底层的侧面接触的位置处的倒角表面的切线所形成的角度可以大于45度。21.内部电极可以包括至少一个第一内部电极层和至少一个第二内部电极层。元件主体可以包括层叠体，其中第一内部电极层和第二内部电极层以交替的方式层叠，电介质(层)介于其间。上述至少一个外部电极可以包括设置在层叠体的相对的侧面上的第一外部电极和第二外部电极。第一内部电极层可以连接至第一外部电极。第二内部电极层可以连接至第二外部电极。22.根据本发明的第二方面，提供了一种电路板装置，其包括电路板和安装在电路板上的任何的上述电子部件。电子部件经由粘附至镀层的安装面的焊料层连接至电路板，焊料层润湿至外部电极的侧面。23.根据本发明的第三方面，提供了一种制造电子部件的方法。该方法包括：形成包括电介质和内部电极的元件主体，将包含金属的电极材料施加到元件主体的侧面和元件主体的侧面的周围表面，烧结电极材料以在元件主体的侧面和元件主体的侧面的周围表面上形成包含金属的基底层，形成覆盖基底层的表面的覆盖层，从基底层的安装面和侧面去除覆盖层，同时将覆盖层留在与基底层的安装面相对的面上，以及在基底层的安装面和侧面上形成镀层。覆盖层通过焊料的润湿性比镀层少。24.形成覆盖基底层的表面的覆盖层的步骤可以包括氧化金属以在基底层的表面上形成金属的氧化膜。25.电极材料可以包括玻璃成分。26.形成覆盖基底层的表面的覆盖层的步骤可以包括：当烧结电极材料时，使由玻璃成分组成的玻璃相在基底层的表面上表面化。27.从基底层的安装面和侧面去除覆盖层的步骤可以包括对存在于基底层的安装面上的覆盖层进行喷砂处理。28.根据本发明的一个方面，能够在调节扩散出安装面的焊料量的同时，防止焊料润湿至与安装面相对的面。附图说明29.图1是示出根据本发明的第一实施例的多层陶瓷电容器的构造的透视图。30.图2是图1中所示多层陶瓷电容器沿纵向截取的截面图。31.图3是示出根据本发明的第二实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的流程图。32.图4a是用于描述根据第二实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的截面图。33.图4b是用于描述根据第二实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的另一截面图。34.图4c是用于描述根据第二实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的另一截面图。35.图4d是用于描述根据第二实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的另一截面图。36.图4e是用于描述根据第二实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的另一截面图。37.图4f是用于描述根据第二实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的另一截面图。38.图4g是用于描述根据第二实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的另一截面图。39.图4h是用于描述根据第二实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的另一截面图。40.图4i是用于描述根据第二实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的另一截面图。41.图4j是用于描述根据第二实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的另一截面图。42.图5a是示出图4i的处理的示例的平面图。43.图5b是示出沿纵向截取的图5a的过程的截面图。44.图6a是示出根据本发明的第三实施例的多层陶瓷电容器的覆盖层的端部的示例性构造的截面图。45.图6b是示出根据第三实施例的多层陶瓷电容器的基底层和覆盖层的端部之间的界面的示例性构造的截面图。46.图7a是示出根据本发明的第四实施例的电路板装置的构造的截面图，其中多层陶瓷电容器安装在电路板上。47.图7b是示出其上安装根据第一比较例的多层陶瓷电容器的电路板的构造的截面图。48.图7c是示出其上安装根据第二比较例的多层陶瓷电容器的电路板的构造的截面图。49.图8是示出根据本发明的第五实施例的多层陶瓷电容器的构造的平面图。50.图9是示出根据本发明的第六实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的流程图。51.图10是示出根据本发明的第七实施例的电子部件的构造的透视图。52.图11是示出根据本发明的第八实施例的电子部件的构造的透视图。具体实施方式53.在下文中，将参考附图详细描述本发明的一些实施例。应当注意，以下实施例不用于限制本发明，并且并非实施例中描述的特征的所有组合在本发明的构造中都是必要的。可以根据应用本发明的设备的规格和各种条件(使用设备的条件和/或环境)来适当地修改或改变实施例的构造。本发明的技术范围由权利要求书限定，并且不受以下各个实施例的限制。此外，为了便于理解每个特征和结构，在以下描述中提及的附图中所示的特征和结构可以在其比例、形状等方面不同于实际的特征和结构。54.第一实施例55.图1是示出根据本发明的第一实施例的多层陶瓷电容器1a的结构的透视图。图2是图1中所示的多层陶瓷电容器1a沿纵向截取的截面图。56.参考图1和图2，多层陶瓷电容器1a包括元件主体(元件组件)2和两个外部电极(外部电极)6a和6b。元件主体2包括层叠体2a、下覆盖层5a和上覆盖层5b。层叠体2a包括内部电极层3a和3b以及电介质层4。57.下覆盖层5a被设置为位于层叠体2a下方的层，而上覆盖层5b被设置为在层叠体2a的顶部的层。内部电极层3a和3b以交替的方式堆叠，并且各电介质层4介于它们之间。元件主体2可以具有大致长方体的形状。类似地，层叠体2a可以具有大致长方体的形状。元件主体2可以沿着其棱线(ridgeline)形成倒角。在下面的描述中，可以将元件主体2的两个侧面彼此相对的方向称为纵向dl，可以将元件主体2的前表面和后表面彼此相对的方向称为横向dw，并且将元件主体2的上表面和下表面彼此相对的方向称为堆叠方向ds。58.外部电极6a和6b设置在元件主体2的相对的侧面上，使外部电极6a与外部电极6b隔开(分离)。外部电极6a和6b中的每一个存在于元件主体2的相关联的侧面上，并且从元件主体2的侧面延伸到元件主体2的前表面、后表面、上表面和下表面。外部电极6a具有与外部电极6b相同的构造。59.内部电极层3a和3b布置在层叠体2a内沿纵向dl的不同的位置。具体地，内部电极层3a可以设置成比内部电极层3b更靠近元件主体2的左侧面，并且内部电极层3b可以设置成比内部电极层3a更靠近元件主体2的相对侧面(右侧面)。内部电极层3a的端部在元件主体2的纵向dl的一个侧面处被引到电介质层4的端部，并连接至外部电极6a。内部电极层3b的端部在元件主体2的纵向dl的另一侧面处被引出到电介质层4的相对端部，并连接至外部电极6b。60.另一方面，在与元件主体2的侧面彼此相对的方向(纵向dl)正交的方向(横向dw)中，内部电极层3a、3b的端部被电介质层4覆盖。在横向dw中，内部电极层3a的端部的位置可以与内部电极层3b的端部的位置对齐。61.在一个示例中，多层陶瓷电容器1a的外部尺寸可以满足以下条件：长度大于宽度，并且宽度大于高度；或者长度大于宽度，并且宽度大于等于高度。例如，多层陶瓷电容器1a可以具有1.0mm的高度、0.5mm的宽度和0.15mm的高度，或者具有1.0mm的长度、0.5mm的宽度和0.5mm的高度。内部电极层3a和3b以及电介质层4可以各自在堆叠方向ds上具有从0.05μm至5μm范围内的厚度。例如，内部电极层3a的厚度为0.3μm，内部电极层3b的厚度为0.3μm，电介质层4的厚度为0.3μm。62.用于内部电极层3a和3b的材料可以例如从金属中选择，诸如铜(cu)、镍(ni)、钛(ti)、银(ag)、金(au)、铂(pt)、钯(pd)、钽(ta)和钨(w)，或者可以是包括这些金属中的任何一种的合金。63.用于电介质层4的材料可以包括例如具有钙钛矿结构的陶瓷材料作为主要成分。包括50at％或更多的主要成分就足够了。用于电介质层4的陶瓷材料可以选自例如钛酸钡、钛酸锶、钛酸钙、钛酸镁、钛酸锶钡、钛酸钡钙、锆酸钙、锆酸钡、锆钛酸钙(calciumtitanatezirconate)、氧化钛等。64.下覆盖层5a和上覆盖层5b的材料的主要成分例如可以是陶瓷材料。如果下覆盖层5a和上覆盖层5b的主要成分是陶瓷材料，则下覆盖层5a和上覆盖层5b的陶瓷材料的主要成分可以与电介质层4的陶瓷材料的主要成分相同。65.外部电极6a和6b中的每一个包括形成在元件主体2上的基底层(底层)7和形成在基底层7上的镀层9。外部电极6a和6b中的每一个具有安装面m1、侧面m2和上表面m3。安装面m1是面向将要安装多层陶瓷电容器1a的电路板的表面。安装面m1位于元件主体2的下表面下方。上表面m3是与安装面m1相对的面。66.外部电极6a、6b中的每一个外部电极的除安装面m1及侧面m2之外的表面(上表面m3)由覆盖层8覆盖。镀层9形成在外部电极6a和6b中的每一个外部电极的基底层7的安装面m1和侧面m2上。应当注意，镀层9不仅可以设置在元件主体2的基底层7的安装面m1和侧面m2上，而且可以设置在元件主体2的基底层7的前表面m4和后表面m4上。在安装面m1、侧面m2以及前表面m4和后表面m4处，外部电极6a和6b中每一个外部电极的厚度例如在10μm至40μm的范围内。67.基底层7的导电材料可以包括作为主要成分的金属或合金，该金属或合金包含例如选自cu、铁(fe)、锌(zn)、铝(al)、ni、pt、pd、ag、au和锡(sn)中的至少一种。基底层7中的每一个可以包括共材的颗粒。当共材的颗粒以岛的形式混合地存在于每一个基底层7中时，共材能够减小元件主体2的热膨胀系数与基底层7的热膨胀系数之间的差异，并且能够减轻施加在基底层7上的应力。共材例如是作为电介质层4的主要成分的陶瓷成分。基底层7中的每一个可以包括玻璃成分。当玻璃成分混合存在于每一个基底层7中时，玻璃成分能够例如增加基底层7的致密化。该玻璃成分例如是钡(ba)、锶(sr)、钙(ca)、zn、al、硅(si)、硼(b)等的氧化物。68.覆盖层8形成在外部电极6a和6b中每一个外部电极的基底层7的上表面m3上。覆盖层8包括由基底层7中的金属的氧化产生的氧化膜和由基底层7的共材制成的暴露于基底层7的表面的表面层。基底层7的氧化膜和基底层7的共材共存于每个覆盖层8的表面中。用于覆盖层8的材料包括用作基底层7的导电材料的金属的氧化膜。用于覆盖层8的材料可以进一步包括基底层7的共材。氧化膜具有例如从0.05μm至3μm的厚度。氧化膜的成分是例如氧化镍或氧化铜。基底层7中的共材例如是作为电介质层4的主要成分的陶瓷氧化物，并且该陶瓷氧化物的主要成分是钛酸钡。金属的氧化膜和共材共存于每个覆盖层8的表面中，并且因此湿焊料不容易移动到覆盖层8的表面上。69.基底层7和覆盖层8中的每一个可以包括元件主体2中所包括的金属成分。该金属成分例如是mg。该金属成分还可以另外包含少量的ni、cr、sr、al、na或fe。在该构造中，基底层7和覆盖层8中的每一个可以包括例如包含mg、ni或o的化合物，作为用作基底层7的导电材料的金属、元件主体2中包括的金属和氧的化合物。70.用于镀层9的材料例如包括作为主要成分的金属，诸如cu、ni、al、zn或sn，或者这些金属中的两种或更多种的合金。每个镀层9可以是由单个金属成分制成的镀层，或者可以具有包括多种不同金属成分的多层结构。如图2中所示，例如，每个镀层9可以具有三层结构，该三层结构由形成在基底层7上的cu镀层9a、形成在cu镀层9a上的ni镀层9b和形成在ni镀层9b上的sn镀层9c组成。cu镀层9a能够提高镀层9与基底层7的粘附性(adhesiveness)。ni镀层9b能够提高焊接期间的外部电极6a、6b的热阻。sn镀层9c能够提高焊料在镀层9上的润湿性。镀层9形成在每个基底层7的一部分上，并且与内部电极层电连续。此外，每个镀层9可以经由焊料与电路板上的端子电连续。当基底层7的金属成分是cu时，可以不形成cu镀层9a。如果不形成cu镀层9a，则每个镀层9可以具有由ni镀层9b和形成在ni镀层9b上的sn镀层9c组成的两层结构。71.根据上述第一实施例，外部电极6a和6b中每一个外部电极的上表面m3用覆盖层8覆盖，并且镀层9形成在每个外部电极6a和6b的安装面m1和侧面m2上。该构造允许焊料润湿到每个外部电极6a和6b的侧面m2，同时防止焊料润湿到每个外部电极6a和6b的上表面m3。因此，即使提供了过量的焊料，上述构造也能够避免安装在电路板上的多层陶瓷电容器1a的高度的任何增加，同时防止焊料扩散出多层陶瓷电容器1a的安装区域(或减少焊料扩散出电容器1a的安装区域的量)。因此，能够在防止安装电子部件的电路板的高度大于设计值的同时，高密度地将多个电子部件安装在电路板上。此外，元件主体2的上表面上的覆盖层，能够减轻从上方施加的机械应力(如果有的话)，并且能够避免元件主体2中的任何裂纹、破裂或碎裂。72.第二实施例73.图3是示出根据本发明的第二实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的流程图。图4a至图4h、图4i和图4j是示出根据第二实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的一系列截面图。应当注意，在图4c至图4h、图4i和图4j中，为了便于说明，仅示出了两个内部电极层3a和两个内部电极层3b，并经由电介质层4以交替方式堆叠。74.在图3的步骤s1中，将用作分散剂和成形助剂的有机粘合剂和有机溶剂添加到电介质材料粉末中，粉碎并混合以产生泥浆。电介质材料粉末包括例如陶瓷粉末。电介质材料粉末可以包括添加剂。添加剂是例如mg、mn、v、cr、y、sm、eu、gd、tb、dy、ho、er、tm、yb、co、ni、li、b、na、k或si的氧化物或玻璃。有机粘合剂是例如聚乙烯醇缩丁醛树脂或聚乙烯醇缩醛树脂。有机溶剂是例如乙醇或甲苯。75.接下来，如图3的步骤s2中所示和图4a中所示，将包括陶瓷粉末的浆料以片状形式施加到载体膜上，并干燥以制造生片24。载体膜例如是聚对苯二甲酸乙二酯(pet)膜。可以通过刮刀刮涂、模具涂布、凹版涂布等来施加浆料。重复步骤s2以制备多个生片24。76.接下来，如图3的步骤s3中所示以及图4b中所示，将成为内部电极的导电膏以预定的图案施加到在步骤s1制备的生片中将形成如图1中所示的内部电极层3a和3b的那些生片24中的每一个生片上，以在生片24上形成多个内部电极图案23。在步骤s3中，可以在单个生片24上形成多个内部电极图案23，使得内部电极图案23在生片24的纵向方向上彼此分离。用于内部电极的导电膏包括用作内部电极层3a和3b的材料的金属粉末。例如，如果用作内部电极层3a和3b的材料的金属是ni，则用于内部电极的导电膏包括ni粉末。用于内部电极的导电膏包括粘合剂、溶剂和助剂。用于内部电极的导电膏可以包括作为电介质层4的主要成分的陶瓷材料作为共材。用于内部电极的导电膏可以通过丝网印刷、喷墨印刷、凹版印刷等来施加。77.接下来，如图3的步骤s4中所示和图4c中所示，通过以预定顺序堆叠其上形成有内部电极图案23的生片24和其上未形成内部电极图案的生片24a来制造多层块25(生片24的块)。未形成内部电极图案23的生片24a用作外层。在步骤s4中，其上具有内部电极图案23的生片24被分为两组，即，其上具有内部电极图案23a的生片24和其上具有内部电极图案23b的生片24。然后，其上具有内部电极图案23a的生片24和具有内部电极图案23b的生片24在层叠方向上交替地堆叠，使得在生片24上的内部电极图案23a和在下一个或相邻的生片24上的内部电极图案23b在生片24的纵向方向上交替地移位。另外，在生片块25中限定了三种类型的部分。具体地，在生片块25中限定了在堆叠方向上仅堆叠内部电极图案23a的部分、在堆叠方向上内部电极图案23a和23b以交替方式堆叠的部分，以及在堆叠方向上仅堆叠内部电极图案23b的部分。78.接下来，如图3的步骤s5中所示以及图4d中所示，对在图3的步骤s4的成形过程中获得的层叠块25进行压制，使得生片24压接。压制层叠块25可以通过例如将层叠块25夹在树脂膜之间，并对层叠块25进行流体静压来进行。79.接下来，如图3的步骤s6中所示和图4e中所示，对压制的层叠块25进行切割，使得块25被分离成多个元件主体，每个元件主体具有长方体形状。每个元件主体都有六个表面。如多条垂直虚线27所示，在堆叠方向上仅存在内部电极图案23a的部分和在堆叠方向上仅存在内部电极图案23b的部分处执行层叠块25的切割。层叠块25可以例如通过刀片切割等进行切割。所得的元件主体2在图4f中示出。80.如图4f所示，在每个单独的元件主体2中，内部电极层3a和3b交替地堆叠，电介质层4插入其间。内部电极层3a暴露在元件主体2的一个侧面上，内部电极层3b暴露在元件主体2的另一侧面上。81.接下来，如图3的步骤s7所示，去除在图3的步骤s6中获得的每个元件主体2中包括的粘合剂。为了去除粘合剂，例如在大约350℃的n2气氛中加热元件主体。82.接下来，如图3的步骤s8所示，将用于基底层(底层)7的导电膏施加到在图5的步骤s7中从其去除了粘合剂的每个元件主体2的两个侧面以及施加到元件主体2的与这两个侧面接触的其余四个表面的那些边缘。然后，将导电膏干燥。用于基底层的导电膏包括用作基底层7的导电材料的金属的粉末或填料。例如，如果用作基底层7的导电材料的金属是ni，则用于基底层的导电膏包括ni粉末或ni填料。用于基底层的导电膏包括例如作为共材的陶瓷成分，该陶瓷成分是电介质层4的主要成分。例如，以钛酸钡为主要成分的陶瓷氧化物颗粒(d‑50的粒径为0.8μm至4μm)被作为共材混合到用于基底层的导电膏中。用于基底层的导电膏还包括粘合剂和溶剂。83.接下来，如图3的步骤s9中所示和图4g中所示，对在图3的步骤s8中施加了用于基底层的导电膏的元件主体2进行烧结处理，使得在每个元件主体2中内部电极层3a和3b与电介质层4集成在一起，并且基底层7被形成并与元件主体2集成。元件本体2例如在1000至1350℃的温度范围内的烧成炉中烧结10分钟至2小时。如果在内部电极层3a和3b中使用诸如ni或cu的基底金属，则可以在烧成炉内侧保持还原气氛的情况下烧结元件主体2，以防止内部电极层3a、3b的氧化。84.接下来，如图3的步骤s10中所示以及图4h中所示，暴露于每个基底层7的表面的金属被氧化，使得在每个基底层7的表面上形成包括该金属的氧化膜的覆盖层8。覆盖层8可以包括基底层7的共材。在暴露于每个基底层7的表面的金属的氧化中，可以在例如n2气体气氛中、600℃至1000℃的温度范围内执行再氧化过程。可以在再氧化过程中将氧添加到气氛气体中，使得暴露于每个基底层7的表面的金属的氧化膜形成为足够的厚度。85.接下来，如图3的步骤s11中所示以及图4i中所示，执行镀覆之前的处理。具体地，通过喷砂(抛光)从每个基底层7的安装面m1、侧面m2、前表面m4和后表面m4去除氧化膜，使得基底层7中包括的金属在基底层7的安装面m1、侧面m2、前表面m4和后表面m4处暴露。在喷砂过程中，如图5a所示，将元件主体2放置在喷砂处理设备内的基板31上，使得每个元件主体2的安装面m1朝上，并且上表面m3与基板31接触。然后，喷砂介质直接从上方投射到元件主体2上。从上方直接投射的喷砂介质到达每个元件主体2的侧面、前表面和后表面，但没有到达上表面m3。因此，可以从每个基底层7的安装面m1、侧面m2、前表面m4和后表面m4去除基底层7上的氧化膜，而在基底层7的上表面m3上保留氧化膜。86.接下来，如图3的步骤s12中所示以及图4j中所示，在每个基底层7的安装面m1和侧面m2上形成镀层9。例如，可以通过依次执行cu镀覆、ni镀覆和sn镀覆，来形成每个镀层9。在该镀覆过程中，可以将从基底层7的安装面m1和侧面m2去除了氧化膜的元件主体2与镀液一起放入桶中。然后，桶可以利用向其供应的电力而旋转。由此，可以在每个元件主体2的基底层7上形成镀层9。在该镀覆过程中，由于在基底层7的上表面m3上存在氧化膜，所以在元件主体2的上表面m3上的基底层7上没有形成镀层。87.图5a是示出图4i的过程的示例的平面图。图5b是示出沿纵向截取的图5a的过程的截面图。88.如图5a和图5b中所示，多个元件主体2布置在基板31上。在每个元件主体2中，在每个基底层7的表面上形成氧化膜。当将元件主体2布置在基板31上时，每个元件主体2的上表面m3经由固定带32固定至基板31，使得元件主体2的安装面m1朝向上方。然后，喷砂介质34从位于元件主体2正上方的喷嘴33投射到元件主体2上。喷砂介质34例如是锆石颗粒或氧化铝颗粒。89.在喷砂过程中用于投射喷砂介质的条件可以包括投射速度、投射量和投射区域。通过调节喷砂介质34的压力和路径来设置投射速度。通过调节介质循环和投射时间来设置投射量。通过调节喷嘴形状和元件主体2与喷嘴33之间的距离来设定投射区域。90.从喷嘴33投射的喷砂介质34到达每个元件主体2的相对的侧面、前表面和后表面。因此，基底层7上的氧化膜被从每个元件主体2的安装面m1、两个侧面m2、前表面m4和后表面m4去除，同时，氧化膜保留在基底层7的上表面m3上。从每个基底层7的安装面m1、侧面m2、前表面m4和后表面m4喷砂(抛光)氧化膜的量可以设定在允许在基底层7的安装面m1、侧面m2、前表面m4和后表面m4上形成镀层9的范围内。91.根据上述第二实施例，通过喷砂处理从外部电极6a和6b的安装面m1、侧面m2、前表面m4和后表面m4去除基底层7上的氧化膜。由此，能够在外部电极6a和6b的安装面m1、侧面m2、前表面m4和后表面m4上选择性地且有效地形成镀层9，而外部电极6a和6b的上表面m3保持由覆盖层8覆盖。因此，上述制造方法能够防止制造处理的数量增加，并且能够防止其上安装有电子部件的电路板高度大于设计值。此外，能够高密度地将多个电子部件安装在电路板上。92.在上述制造方法中，喷砂过程用于从外部电极6a和6b的安装面m1、侧面m2、前表面m4和后表面m4去除覆盖层8，但是本发明不限于这种制造方法。代替喷砂过程，可以使用各向同性干法刻蚀(例如等离子体刻蚀)，或者可以使用化学抛光(例如湿法刻蚀)。93.第三实施例94.图6a是示出根据本发明的第三实施例的多层陶瓷电容器的覆盖层的端部的示例性构造的截面图。95.参考图6a，基底层7在基底层7的棱部上包括倒角表面7c。基底层7的倒角表面7c可以具有通过切掉基底层7的棱部而获得的形状，或可以具有弯曲的形状。例如，基底层7的倒角表面7c的曲率半径可以在1μm至50μm的范围内。96.在图6a中，覆盖层8的端部的至少一部分沿着基底层7的倒角表面7c延伸。这种构造能够防止湿焊料到达基底层7的上表面m3，同时确保湿焊料到达并覆盖从基层7的侧面m2到覆盖层8的左端的足够区域。97.在覆盖层8的左端与基底层7的侧面m2接触的位置处，由外部电极6a的上表面m3和倒角表面7c的切线所形成的角度θ可以大于45度。这种构造能够有效地防止焊料从侧面m2到达上表面m3。角度θ可以通过在图5a和5b所示的喷砂过程中调节用于投射喷砂介质的条件来控制。98.图6b是示出根据第三实施例的多层陶瓷电容器的基底层7与覆盖层8的端部之间的界面的示例性构造的截面图。图6b沿着与基底层7的侧面m2平行的平面截取。99.参考图6b，波纹8c形成在基底层7的倒角表面7c上的覆盖层8的端部处。这些波纹8c是由于图5b所示的已经到达元件主体2的侧面m2的喷砂介质34的变化而产生的。通过在喷砂过程期间改变喷砂机喷嘴33的位置来控制喷砂介质34中的上述变化，覆盖层8的端部的波纹8c的高度差th的范围可以被限制在例如0.1μm至10μm的范围内。这使得任何裂纹几乎不可能线性延伸，即使焊料已润湿至覆盖层8的端部。100.根据上述第三实施例，覆盖层8的端部沿着基底层7的倒角表面7c定位。这种构造能够确保足够的区域被焊料润湿，并且能够防止焊料从多层陶瓷电容器1a的安装区域向外扩散。101.第四实施例102.图7a是示出根据本发明的第四实施例的电路板装置的构造的截面图。电路板装置包括电路板41，并且多层陶瓷电容器1a安装在电路板41上。103.参考图7a，接地电极42a和42b形成在电路板41上。多层陶瓷电容器1a经由分别粘附在外部电极6a和6b的锡镀层9c和9c上的焊料层43a和43b连接至接地电极42a和42b。每个外部电极6a和6b的上表面m3用覆盖层8覆盖。在每个外部电极6a和6b的安装面m1和侧面m2上形成镀层9a至9c。当通过焊接将多层陶瓷电容器1a安装到电路板41上时，该构造允许焊料润湿并被每个外部电极6a和6b的侧面m2、前表面m4和后表面m4吸收，同时防止焊料润湿到每个外部电极6a和6b的上表面m3。因此，即使将过量的焊料供应到接地电极42a和42b上，也能够防止焊料从接地电极42a和42b向外扩散，同时防止其上安装了多层陶瓷电容器1a的电路板41的高度大于设计值。多个电容器1a可以类似的方式安装在同一电路板上。因此，上述构造能够减小安装在电路板41上的电子部件1a之间的间距，并增加安装的电子部件1a的密度，同时抑制安装在电路板41上的电子部件1a之间的短路。104.在该构造中，湿焊料可以向上移动以掩盖sn镀层9c。因此，与在外部电极6a、6b的侧面m2上形成覆盖层8的构造相比，能够增加吸收焊料的面积。105.此外，随着湿焊料向上移动至外部电极6a和6b的侧面m2，多层陶瓷电容器1a能在外部电极6a和6b的安装面m1和侧面m2处被支撑在电路板41上。因此，与仅在外部电极6a和6b的安装面m1处将多层陶瓷电容器1a支撑在电路板41上的装置相比，能够提高多层陶瓷电容器1a的安装强度。因此，即使将电路板41用作车载电路板并且电路板41在车辆行驶期间经历振动等，多层陶瓷电容器1a也能够抵抗振动并且不会从电路板41掉落。106.此外，从上方施加到元件主体2上的任何应力都能被外部电极6a和6b的上表面m3上的基底层7和覆盖层8吸收。因此，本实施例的构造能够减小在元件主体2中出现任何裂纹的可能性。107.根据上述第四实施例，覆盖层8设置在外部电极6a和6b的上表面m3上，同时允许焊料润湿外部电极6a和6b的安装面m1和侧面m2。因此，能够提高电路板41上的电子部件1a的安装密度，同时提高安装在电路板41上的多层陶瓷电容器1a的可靠性。108.第一比较例109.图7b是示出其中根据第一比较例的多层陶瓷电容器1a'安装在电路板41上的电路板装置的构造的截面图。110.参考图7b，多层陶瓷电容器1a'包括外部电极6a'和6b'，分别代替图7a所示的外部电极6a和6b。外部电极6a'和6b'中的每一个包括覆盖层8'、cu镀层9a'、ni镀层9b'和sn镀层9c'以分别代替图7a中所示的覆盖层8、cu镀层9a、ni镀层9b和sn镀层9c。111.外部电极6a'、6b'的除安装面m1以外的表面(侧面m2和上表面m3)用覆盖层8'覆盖。在外部电极6a'和6b'的基底层7的安装面m1上形成有cu镀层9a'、ni镀层9b'和sn镀层9c'。112.接地电极42a'和42b'形成在电路板41上。多层陶瓷电容器1a'经由粘附在外部电极6a'和6b'的sn镀层9c'上的焊料层43a'和43b'连接至接地电极42a'和42b'。由于外部电极6a'和6b'的侧面m2用覆盖层8'覆盖，所以没有焊料润湿到外部电极6a'和6b'的侧面m2。因此，如果提供过量的焊料，则焊料层43a'和43b'从安装面m1扩散到电路板41上，并且这可能妨碍电子部件1a'在电路板41上的高密度安装。113.第二比较例114.图7c是示出根据第二比较例的多层陶瓷电容器1a”安装在电路板41上的电路板装置的构造的截面图。115.参考图7c，多层陶瓷电容器1a”包括外部电极6a”和6b”，分别代替图7a中所示的外部电极6a和6b。外部电极6a'和6b'中的每一个包括cu镀层9a'、ni镀层9b”和sn镀层9c”，代替图7a中所示的覆盖层8、cu镀层9a、ni镀层9b和sn镀层9c。116.在外部电极6a”和6b”的基底层7的安装面m1、侧面m2和上表面m3上形成cu镀层9a”、ni镀层9b”和sn镀层9c”。117.多层陶瓷电容器1a”经由粘附在外部电极6a”和6b”的sn镀层9c”和9c”上的焊料层43a”和43b”连接至接地电极42a和42b。在该构造中，焊料经由外部电极6a”和6b”的侧面m2和m2润湿到上表面m3，并且形成从外部电极6a'和6b'的上表面m3和m3凸出的焊料层43a”和43b”。因此，其中多层陶瓷电容器1a”安装在电路板41上的电路板装置的高度会大于最初设计的高度。118.第五实施例119.图8是示出根据本发明的第五实施例的朝向覆盖层8a和8b看的多层陶瓷电容器1b的构造的平面图。120.参考图8，代替图1中所示的覆盖层8，多层陶瓷电容器1b包括覆盖层8a和8b。多层陶瓷电容器1b可以具有类似于图1中所示的多层陶瓷电容器1a的构造的构造，只是多层陶瓷电容器1b包括覆盖层8a和8b，来代替图1中所示的覆盖层8。覆盖层8a和8b位于包括边界区域的各个部分，在边界区域处，在外部电极6a和6b的上表面m3和m3上，覆盖层8a和8b的端部与基底层7a的侧面m2和基底层7b的侧面m2接触。例如，覆盖层8a和8b中的每一个可以形成为带状图案(u形)，其沿每个外部电极6a和6b的上表面m3的三侧上的外周(outerperipheries)连续，使得覆盖层8a和8b中的每一个覆盖每个外部电极6a和6b的上表面m3的端部。每个外部电极6a和6b的上表面m3的外周包括与侧面m2接触的一侧(边缘)，与前表面m4接触的一侧和与后表面m4接触的一侧。当从上方观看该构造时，覆盖层8a和8b中的每一个具有带有一个开口侧的长方形。121.在分别在外部电极6a和6b的上表面m3和m3上形成覆盖层8a和8b的过程中，在外部电极6a的上表面m3和外部电极6b的上表面m3上的覆盖层8a和8b的内部区域可以用抗蚀剂膜覆盖，然后，可以通过结合图5a和图5b描述的方法对外部电极6a和6b的上表面m3和m3进行喷砂处理。122.根据上述第五实施例，覆盖层8a和8b分别形成在外部电极6a的上表面m3和外部电极6b的上表面m3上，并且镀层9和镀层9分别形成在外部电极6a的安装面m1和侧面m2上以及外部电极6b的安装面m1和侧面m2上。因此，防止安装在电路板上的多层陶瓷电容器1b的高度的任何增加，同时，能够在防止焊料从多层陶瓷电容器1b的安装区域向外扩散。电子部件能够高密度地安装在电路板上，同时保持其中将电子部件安装在电路板上的电路板装置的高度不大于设计高度。123.在上述实施例中，覆盖层8(8a、8b)中的每一个包括用作基底层7(7a、7b)的导电材料的金属的氧化膜。或者，覆盖层8(8a、8b)可以包括与基底层7(7a、7b)中包括的玻璃成分的组成相同的组成的玻璃相。124.第六实施例125.图9是示出根据本发明的第六实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的流程图。应当注意，结合图3描述的方法形成的覆盖层8包括用作基底层7的导电材料的金属的氧化膜，并且图9的方法形成的覆盖层8包括与基底层7中包括的玻璃成分的组成相同的组成的玻璃相。126.图9的步骤s21至步骤s27分别类似于图3的步骤s1至步骤s7。具体地，步骤s21至步骤s27以与步骤s1至步骤s7类似的方式，制成已从中去除粘合剂的元件主体2。元件主体2具有六个表面。127.接下来，如图9的步骤s28所示，烧结在图9的步骤s27中已去除了粘合剂的元件主体2，以将内部电极层3a和3b与电介质层4集成在一起。例如，在温度范围为1000℃至1350℃的烧成炉中将元件主体2烧结十分钟至两个小时。如果在内部电极层3a和3b中使用诸如ni或cu的基底金属，则可以在烧成炉中烧结元件主体2，同时烧成炉内部保持在还原气氛中，以防止内部电极层3a和3b的氧化。128.在步骤s28之后，如图9的步骤s29所指示，将用于基底层的导电膏施加到元件主体2的两个相对的侧面以及与该两个侧面相邻的其余四个表面的边缘部分，然后干燥用于基底层的导电膏。用于基底层的导电膏包括用作基底层7的导电材料的金属的粉末或填料。例如，如果用作基底层7的导电材料的金属是cu，则用于基底层的导电膏包括cu粉末或cu填料。用于基底层的导电膏包括用于玻璃的烧结助剂(例如，sio2等)。用于玻璃的烧结助剂的量可以在例如11wt％至13wt％的范围内。129.接下来，对已施加用于基底层的导电膏的元件主体2进行烧结，以形成与元件主体2成一体的基底层7。例如，在850℃的烧成炉中烧结元件主体2至少15分钟。在该条件下烧结的每个基底层7的表面上，形成与基底层7表面所含的玻璃成分的组成相同的玻璃相，从而在基底层7上形成覆盖层8。在安装期间，每个基底层7的玻璃相已被表面化的表面不会被电镀或焊接。应注意的是，随着烧结温度越高，烧结时间越长，或者随着玻璃的烧结助剂的量越大，玻璃相更容易表面化到基底层7的表面上。因此，能够通过调节玻璃的烧结温度、烧结时间和烧结助剂的量来控制玻璃相的厚度。130.接下来，如图9的步骤s30和步骤s31中所示，通过与图3的步骤s11和步骤s12的处理类似的执行镀覆之前的处理和随后的镀覆过程。131.根据上述第六实施例，形成了包括玻璃相的覆盖层8，该玻璃相的组成与基底层7中包括的玻璃成分的组成相同，并且其余的构造可以与第一至第五实施例的构造类似。这种覆盖层8还能够防止焊料润湿到外部电极6a和6b的被覆盖层8覆盖的那些表面。132.第七实施例133.图10是示出根据本发明的第七实施例的电子部件61的构造的透视图。在第七实施例中，将描述片式电感器61作为电子部件的示例。134.参考图10，片式电感器61包括元件主体62和外部电极66a和66b。元件主体62包括线圈图案63、内部电极层63a和63b以及磁性材料64。元件主体62可以具有大致长方体的形状。外部电极66a和66b位于元件主体62的相对的侧面上，使得外部电极66a与外部电极66b分离。外部电极66a和66b中的每一个存在于元件主体62的相关联的侧面上，并且从侧面m2延伸到元件主体62的前表面、后表面、上表面和下表面。135.线圈图案63以及内部电极层63a和63b被磁性材料64覆盖。然而，内部电极层63a的一端在元件主体62的一个侧面处从磁性材料64中拉出，并连接至外部电极66a。内部电极层63b的一端在元件主体62的另一侧面处从磁性材料64拉出，并连接至外部电极66b。136.线圈图案63以及内部电极层63a和63b的材料可以例如选自金属，诸如cu、ni、ti、ag、au、pt、pd、ta和w，或者可以是包括这些金属中的任何一种金属的合金。磁性材料64例如是铁氧体。137.外部电极66a和66b中的每一个包括基底层(底层)67和镀层69。外部电极66a和66b中的每一个具有安装面m1、侧面m2、上表面m3、前表面m4和后表面m4。安装面m1是面对要在其上安装片式电感器61的电路板的表面。上表面m3是与安装面m1相对的面。138.用于基底层67的导电材料可以包括金属或合金作为主要成分，该金属或合金包含例如选自cu、fe、zn、al、ni、pt、pd、ag、au和sn中的至少一种。每个基底层67包括共材。共材是例如作为磁性材料64的主要成分的陶瓷成分。每个基底层67可以包括玻璃成分。玻璃成分是例如ba、sr、ca、zn、al、si、b等的氧化物。139.除了安装面m1、侧面m2、前表面m4和后表面m4之外，外部电极66a和66b中的每一个外部电极的表面(上表面m3)用覆盖层68覆盖。覆盖层68可以包括用作基底层67的导电材料的金属的氧化膜或包括与基底层67中包括的玻璃成分的组成相同的组成的玻璃相。镀层69形成在外部电极66a和66b中的每一个外部电极中的基底层67的安装面m1、侧面m2、前表面m4和后表面m4上。140.根据上述第七实施例，覆盖层68设置在片式电感器61的外部电极66a和66b的上表面m3上。这使得能够防止安装在电路板上的片式电感器61的高度增加，同时防止焊料扩散出片式电感器61的安装区域。141.第八实施例142.图11是示出根据本发明的第八实施例的电子部件71的构造的透视图。图11示出作为电子部件的示例的片式电阻器71。143.参考图11，片式电阻器71包括元件主体72、外部电极76a和76b以及保护膜75。元件主体72包括电阻器主体73、内部电极层73b和基板74。元件主体72可具有大致长方体的形状。外部电极76a和76b位于元件主体72的相对的侧面上，使得外部电极76a和76b彼此分离。外部电极76a和76b中的每一个存在于元件主体72的相关联的侧面上，并从侧面延伸到元件主体72的上表面和下表面上。144.电阻器主体73和内部电极层73b设置在基板74上并用保护膜75覆盖。电阻器主体73的一端与基板74上的内部电极层73b连接。内部电极层73b延伸到元件主体72的侧面中的一个侧面上，并连接至外部电极76b。应当注意，另一个内部电极层(未示出)连接至电阻器主体73的另一端并延伸到元件主体72的另一个侧面，使得该内部电极层连接至外部电极76a。145.电阻器主体73的材料可以例如选自金属，诸如ag和pd，或者可以是包括这些金属中的任何一种金属的合金。可替代地，用于电阻器主体73的材料可以是金属氧化物，诸如氧化钌。用于内部电极层73b的材料可以选自金属，例如cu、ni、ti、ag、au、pt、pd、ta和w等，或者可以是包括这些金属中的任何一种金属的合金。用于基板74的材料例如是陶瓷氧化物，诸如氧化铝。用于保护膜75的材料例如是玻璃或树脂。146.外部电极76a和76b中的每一个包括基底层77和镀层79。外部电极76a和76b中的每一个具有安装面m1、侧面m2和上表面m3。安装面m1是面向要在其上安装片式电阻器71的电路板的表面。上表面m3是与安装面m1相对的面。147.用于基底层77的导电材料可以包括金属或合金作为主要成分，该金属或合金包含例如选自cu、fe、zn、al、ni、pt、pd、ag、au和sn中的至少一种。每个基底层77包括共材。共材例如是陶瓷成分，其是基板74的主要成分。基底层77可以包括玻璃成分。该玻璃成分是例如ba、sr、ca、zn、al、si、b等的氧化物。148.除了安装面m1和侧面m2之外，外部电极76a和76b中每一个外部电极的表面(上表面m3)用覆盖层78覆盖。覆盖层78中的每一个可以包括用作基底层77的导电材料的金属的氧化膜，或者包括与基底层77中包括的玻璃成分的组成相同的组成的玻璃相。在外部电极76a和76b中每一个外部电极的基底层77的安装面m1和侧面m2上形成镀层79。149.根据上述第八实施例，覆盖层78设置在片式电阻器71的外部电极76a和76b的上表面m3上。这使得能够防止安装在电路板上的片式电阻器71的高度增加，同时防止焊料扩散出片式电阻器71的安装区域。150.在上述实施例中，在外部电极的上表面上设置覆盖层，以防止焊料润湿到外部电极的上表面。可替代地，可以在每个外部电极的上表面上设置比在每个外部电极上的镀层更难被焊料润湿(lesswettable)的覆盖层。焊料的润湿性可以根据例如接触角来确定。在上述替代构造中，在覆盖层上焊料的接触角大于在镀层上焊料的接触角。接触角例如可以如下进行测量。将物品浸入熔融焊料浴中，并且然后从焊料浴中提起。随后，检查物品的垂直于待观察表面的横截面，并测量焊料与该表面接触的角度作为接触角。151.在前述实施例中，双端子元件被用作电子部件的示例。可替代地，具有三个或更多端子的电子部件，例如晶体管或变压器，可以用作电子部件。152.每个覆盖层8可以由包括树脂的抗蚀剂膜构成，来代替前述实施例中描述的材料。当使用抗蚀剂膜作为覆盖层8时，可以将覆盖层8形成为期望的厚度。153.本技术基于并要求2020年6月1日提交的日本专利申请no.2020‑95333的优先权，其全部内容通过引用合并于此。当前第1页12当前第1页12
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：：2.为了减小电子部件的安装面积并要求减小电子器件的尺寸，通常在设置有内部电极的元件主体上形成外部电极。外部电极通过焊接连接到电路板，使得电子部件安装在电路板上。3.外部电极不仅可以形成在元件主体的安装面上，还可以形成在元件主体的侧面和上表面上。在这种构造中，湿焊料会沿着外部电极的侧面向上移动到外部电极的上表面，并增加电路板的高度。4.为了防止湿焊料沿着端子电极的侧面向上移动(焊料的润润)并到达端子电极的上表面，jp‑2014‑53599a公开了一种构造，其中形成在电子部件的侧面上的第一端子电极和第二端子电极的侧面部分被氧化膜覆盖。技术实现要素：5.然而，如果端子电极的侧面部分被氧化膜覆盖，并提供了过量的焊料，则从安装面扩散到不希望的方向的焊料数量可增加，并且这可能阻碍高密度地安装多个电子部件。此外，在允许焊料润湿外部电极的整个表面的典型构造中，焊料会沿着外部电极的侧面向上润湿并且到达外部电极的上表面。结果，其上安装有多个元件的电路板最终高度可能比最初设计的高度大。6.因此，本发明的目的是提供一种电子部件，该电子部件能够在调节从安装面扩散的焊料量的同时，防止焊料润湿到与安装面相对的面。本发明的另一个目的是提供一种制造此类电子部件的方法。本发明的另一个目的是提供一种电路板装置，该电路板装置能够在调节从安装面扩散的焊料量的同时，防止焊料润湿到与安装面相对的面。7.根据本发明的第一方面，提供了一种电子部件，其包括元件主体和至少一个外部电极。元件主体包括电介质体和内部电极。每个外部电极包括基底层、镀层和覆盖层。基底层形成在元件主体的多个面上，并连接至内部电极并包含金属。镀层形成在基底层的安装面上和内部电极连接到的基底层的侧面上。覆盖层形成在基底层的与安装面相对的面的至少一部分上。覆盖层与镀层相比较少被焊料润湿。8.基底层可以形成在元件主体的侧面上，并从侧面延伸到元件主体的前表面和后表面以及上表面和下表面。安装面可以位于元件主体的下表面下方。覆盖层可以设置在基底层的上表面上。镀层可以形成在基底层的前表面和后表面上。9.覆盖层可以包括基底层的金属的氧化膜。10.基底层可以包括与金属共存的第一共材。覆盖层可以包括第二共材。11.在基底层中包括的第一共材和在覆盖层中包括的第二共材可以具有相同的组成。12.第一共材可以是包括电介质的陶瓷氧化物。第二共材也可以是包括电介质的陶瓷氧化物。13.覆盖层可以是包括树脂的抗蚀剂膜。14.基底层可以包括玻璃成分。15.覆盖层可以包括玻璃相，该玻璃相具有与基底层中包括的玻璃成分的组成相同的组成。16.基底层中的金属可以是包含选自cu、fe、zn、al和ni中的至少一种的金属或合金。17.镀层可以包括ni镀层和形成在ni镀层上的sn镀层。18.覆盖层可以以带状图案设置在基底层的与基底层的安装面相对的面上，使得带状图案沿着与基底层的侧面、前表面和后表面接触的基底层的边缘连续。19.基底层可以在基底层的棱部上具有倒角表面。覆盖层的端部的至少一部分可以沿着基底层的倒角表面延伸。20.由与外部电极的安装面相对的面和在覆盖层的端部与基底层的侧面接触的位置处的倒角表面的切线所形成的角度可以大于45度。21.内部电极可以包括至少一个第一内部电极层和至少一个第二内部电极层。元件主体可以包括层叠体，其中第一内部电极层和第二内部电极层以交替的方式层叠，电介质(层)介于其间。上述至少一个外部电极可以包括设置在层叠体的相对的侧面上的第一外部电极和第二外部电极。第一内部电极层可以连接至第一外部电极。第二内部电极层可以连接至第二外部电极。22.根据本发明的第二方面，提供了一种电路板装置，其包括电路板和安装在电路板上的任何的上述电子部件。电子部件经由粘附至镀层的安装面的焊料层连接至电路板，焊料层润湿至外部电极的侧面。23.根据本发明的第三方面，提供了一种制造电子部件的方法。该方法包括：形成包括电介质和内部电极的元件主体，将包含金属的电极材料施加到元件主体的侧面和元件主体的侧面的周围表面，烧结电极材料以在元件主体的侧面和元件主体的侧面的周围表面上形成包含金属的基底层，形成覆盖基底层的表面的覆盖层，从基底层的安装面和侧面去除覆盖层，同时将覆盖层留在与基底层的安装面相对的面上，以及在基底层的安装面和侧面上形成镀层。覆盖层通过焊料的润湿性比镀层少。24.形成覆盖基底层的表面的覆盖层的步骤可以包括氧化金属以在基底层的表面上形成金属的氧化膜。25.电极材料可以包括玻璃成分。26.形成覆盖基底层的表面的覆盖层的步骤可以包括：当烧结电极材料时，使由玻璃成分组成的玻璃相在基底层的表面上表面化。27.从基底层的安装面和侧面去除覆盖层的步骤可以包括对存在于基底层的安装面上的覆盖层进行喷砂处理。28.根据本发明的一个方面，能够在调节扩散出安装面的焊料量的同时，防止焊料润湿至与安装面相对的面。附图说明29.图1是示出根据本发明的第一实施例的多层陶瓷电容器的构造的透视图。30.图2是图1中所示多层陶瓷电容器沿纵向截取的截面图。31.图3是示出根据本发明的第二实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的流程图。32.图4a是用于描述根据第二实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的截面图。33.图4b是用于描述根据第二实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的另一截面图。34.图4c是用于描述根据第二实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的另一截面图。35.图4d是用于描述根据第二实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的另一截面图。36.图4e是用于描述根据第二实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的另一截面图。37.图4f是用于描述根据第二实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的另一截面图。38.图4g是用于描述根据第二实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的另一截面图。39.图4h是用于描述根据第二实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的另一截面图。40.图4i是用于描述根据第二实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的另一截面图。41.图4j是用于描述根据第二实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的另一截面图。42.图5a是示出图4i的处理的示例的平面图。43.图5b是示出沿纵向截取的图5a的过程的截面图。44.图6a是示出根据本发明的第三实施例的多层陶瓷电容器的覆盖层的端部的示例性构造的截面图。45.图6b是示出根据第三实施例的多层陶瓷电容器的基底层和覆盖层的端部之间的界面的示例性构造的截面图。46.图7a是示出根据本发明的第四实施例的电路板装置的构造的截面图，其中多层陶瓷电容器安装在电路板上。47.图7b是示出其上安装根据第一比较例的多层陶瓷电容器的电路板的构造的截面图。48.图7c是示出其上安装根据第二比较例的多层陶瓷电容器的电路板的构造的截面图。49.图8是示出根据本发明的第五实施例的多层陶瓷电容器的构造的平面图。50.图9是示出根据本发明的第六实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的流程图。51.图10是示出根据本发明的第七实施例的电子部件的构造的透视图。52.图11是示出根据本发明的第八实施例的电子部件的构造的透视图。具体实施方式53.在下文中，将参考附图详细描述本发明的一些实施例。应当注意，以下实施例不用于限制本发明，并且并非实施例中描述的特征的所有组合在本发明的构造中都是必要的。可以根据应用本发明的设备的规格和各种条件(使用设备的条件和/或环境)来适当地修改或改变实施例的构造。本发明的技术范围由权利要求书限定，并且不受以下各个实施例的限制。此外，为了便于理解每个特征和结构，在以下描述中提及的附图中所示的特征和结构可以在其比例、形状等方面不同于实际的特征和结构。54.第一实施例55.图1是示出根据本发明的第一实施例的多层陶瓷电容器1a的结构的透视图。图2是图1中所示的多层陶瓷电容器1a沿纵向截取的截面图。56.参考图1和图2，多层陶瓷电容器1a包括元件主体(元件组件)2和两个外部电极(外部电极)6a和6b。元件主体2包括层叠体2a、下覆盖层5a和上覆盖层5b。层叠体2a包括内部电极层3a和3b以及电介质层4。57.下覆盖层5a被设置为位于层叠体2a下方的层，而上覆盖层5b被设置为在层叠体2a的顶部的层。内部电极层3a和3b以交替的方式堆叠，并且各电介质层4介于它们之间。元件主体2可以具有大致长方体的形状。类似地，层叠体2a可以具有大致长方体的形状。元件主体2可以沿着其棱线(ridgeline)形成倒角。在下面的描述中，可以将元件主体2的两个侧面彼此相对的方向称为纵向dl，可以将元件主体2的前表面和后表面彼此相对的方向称为横向dw，并且将元件主体2的上表面和下表面彼此相对的方向称为堆叠方向ds。58.外部电极6a和6b设置在元件主体2的相对的侧面上，使外部电极6a与外部电极6b隔开(分离)。外部电极6a和6b中的每一个存在于元件主体2的相关联的侧面上，并且从元件主体2的侧面延伸到元件主体2的前表面、后表面、上表面和下表面。外部电极6a具有与外部电极6b相同的构造。59.内部电极层3a和3b布置在层叠体2a内沿纵向dl的不同的位置。具体地，内部电极层3a可以设置成比内部电极层3b更靠近元件主体2的左侧面，并且内部电极层3b可以设置成比内部电极层3a更靠近元件主体2的相对侧面(右侧面)。内部电极层3a的端部在元件主体2的纵向dl的一个侧面处被引到电介质层4的端部，并连接至外部电极6a。内部电极层3b的端部在元件主体2的纵向dl的另一侧面处被引出到电介质层4的相对端部，并连接至外部电极6b。60.另一方面，在与元件主体2的侧面彼此相对的方向(纵向dl)正交的方向(横向dw)中，内部电极层3a、3b的端部被电介质层4覆盖。在横向dw中，内部电极层3a的端部的位置可以与内部电极层3b的端部的位置对齐。61.在一个示例中，多层陶瓷电容器1a的外部尺寸可以满足以下条件：长度大于宽度，并且宽度大于高度；或者长度大于宽度，并且宽度大于等于高度。例如，多层陶瓷电容器1a可以具有1.0mm的高度、0.5mm的宽度和0.15mm的高度，或者具有1.0mm的长度、0.5mm的宽度和0.5mm的高度。内部电极层3a和3b以及电介质层4可以各自在堆叠方向ds上具有从0.05μm至5μm范围内的厚度。例如，内部电极层3a的厚度为0.3μm，内部电极层3b的厚度为0.3μm，电介质层4的厚度为0.3μm。62.用于内部电极层3a和3b的材料可以例如从金属中选择，诸如铜(cu)、镍(ni)、钛(ti)、银(ag)、金(au)、铂(pt)、钯(pd)、钽(ta)和钨(w)，或者可以是包括这些金属中的任何一种的合金。63.用于电介质层4的材料可以包括例如具有钙钛矿结构的陶瓷材料作为主要成分。包括50at％或更多的主要成分就足够了。用于电介质层4的陶瓷材料可以选自例如钛酸钡、钛酸锶、钛酸钙、钛酸镁、钛酸锶钡、钛酸钡钙、锆酸钙、锆酸钡、锆钛酸钙(calciumtitanatezirconate)、氧化钛等。64.下覆盖层5a和上覆盖层5b的材料的主要成分例如可以是陶瓷材料。如果下覆盖层5a和上覆盖层5b的主要成分是陶瓷材料，则下覆盖层5a和上覆盖层5b的陶瓷材料的主要成分可以与电介质层4的陶瓷材料的主要成分相同。65.外部电极6a和6b中的每一个包括形成在元件主体2上的基底层(底层)7和形成在基底层7上的镀层9。外部电极6a和6b中的每一个具有安装面m1、侧面m2和上表面m3。安装面m1是面向将要安装多层陶瓷电容器1a的电路板的表面。安装面m1位于元件主体2的下表面下方。上表面m3是与安装面m1相对的面。66.外部电极6a、6b中的每一个外部电极的除安装面m1及侧面m2之外的表面(上表面m3)由覆盖层8覆盖。镀层9形成在外部电极6a和6b中的每一个外部电极的基底层7的安装面m1和侧面m2上。应当注意，镀层9不仅可以设置在元件主体2的基底层7的安装面m1和侧面m2上，而且可以设置在元件主体2的基底层7的前表面m4和后表面m4上。在安装面m1、侧面m2以及前表面m4和后表面m4处，外部电极6a和6b中每一个外部电极的厚度例如在10μm至40μm的范围内。67.基底层7的导电材料可以包括作为主要成分的金属或合金，该金属或合金包含例如选自cu、铁(fe)、锌(zn)、铝(al)、ni、pt、pd、ag、au和锡(sn)中的至少一种。基底层7中的每一个可以包括共材的颗粒。当共材的颗粒以岛的形式混合地存在于每一个基底层7中时，共材能够减小元件主体2的热膨胀系数与基底层7的热膨胀系数之间的差异，并且能够减轻施加在基底层7上的应力。共材例如是作为电介质层4的主要成分的陶瓷成分。基底层7中的每一个可以包括玻璃成分。当玻璃成分混合存在于每一个基底层7中时，玻璃成分能够例如增加基底层7的致密化。该玻璃成分例如是钡(ba)、锶(sr)、钙(ca)、zn、al、硅(si)、硼(b)等的氧化物。68.覆盖层8形成在外部电极6a和6b中每一个外部电极的基底层7的上表面m3上。覆盖层8包括由基底层7中的金属的氧化产生的氧化膜和由基底层7的共材制成的暴露于基底层7的表面的表面层。基底层7的氧化膜和基底层7的共材共存于每个覆盖层8的表面中。用于覆盖层8的材料包括用作基底层7的导电材料的金属的氧化膜。用于覆盖层8的材料可以进一步包括基底层7的共材。氧化膜具有例如从0.05μm至3μm的厚度。氧化膜的成分是例如氧化镍或氧化铜。基底层7中的共材例如是作为电介质层4的主要成分的陶瓷氧化物，并且该陶瓷氧化物的主要成分是钛酸钡。金属的氧化膜和共材共存于每个覆盖层8的表面中，并且因此湿焊料不容易移动到覆盖层8的表面上。69.基底层7和覆盖层8中的每一个可以包括元件主体2中所包括的金属成分。该金属成分例如是mg。该金属成分还可以另外包含少量的ni、cr、sr、al、na或fe。在该构造中，基底层7和覆盖层8中的每一个可以包括例如包含mg、ni或o的化合物，作为用作基底层7的导电材料的金属、元件主体2中包括的金属和氧的化合物。70.用于镀层9的材料例如包括作为主要成分的金属，诸如cu、ni、al、zn或sn，或者这些金属中的两种或更多种的合金。每个镀层9可以是由单个金属成分制成的镀层，或者可以具有包括多种不同金属成分的多层结构。如图2中所示，例如，每个镀层9可以具有三层结构，该三层结构由形成在基底层7上的cu镀层9a、形成在cu镀层9a上的ni镀层9b和形成在ni镀层9b上的sn镀层9c组成。cu镀层9a能够提高镀层9与基底层7的粘附性(adhesiveness)。ni镀层9b能够提高焊接期间的外部电极6a、6b的热阻。sn镀层9c能够提高焊料在镀层9上的润湿性。镀层9形成在每个基底层7的一部分上，并且与内部电极层电连续。此外，每个镀层9可以经由焊料与电路板上的端子电连续。当基底层7的金属成分是cu时，可以不形成cu镀层9a。如果不形成cu镀层9a，则每个镀层9可以具有由ni镀层9b和形成在ni镀层9b上的sn镀层9c组成的两层结构。71.根据上述第一实施例，外部电极6a和6b中每一个外部电极的上表面m3用覆盖层8覆盖，并且镀层9形成在每个外部电极6a和6b的安装面m1和侧面m2上。该构造允许焊料润湿到每个外部电极6a和6b的侧面m2，同时防止焊料润湿到每个外部电极6a和6b的上表面m3。因此，即使提供了过量的焊料，上述构造也能够避免安装在电路板上的多层陶瓷电容器1a的高度的任何增加，同时防止焊料扩散出多层陶瓷电容器1a的安装区域(或减少焊料扩散出电容器1a的安装区域的量)。因此，能够在防止安装电子部件的电路板的高度大于设计值的同时，高密度地将多个电子部件安装在电路板上。此外，元件主体2的上表面上的覆盖层，能够减轻从上方施加的机械应力(如果有的话)，并且能够避免元件主体2中的任何裂纹、破裂或碎裂。72.第二实施例73.图3是示出根据本发明的第二实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的流程图。图4a至图4h、图4i和图4j是示出根据第二实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的一系列截面图。应当注意，在图4c至图4h、图4i和图4j中，为了便于说明，仅示出了两个内部电极层3a和两个内部电极层3b，并经由电介质层4以交替方式堆叠。74.在图3的步骤s1中，将用作分散剂和成形助剂的有机粘合剂和有机溶剂添加到电介质材料粉末中，粉碎并混合以产生泥浆。电介质材料粉末包括例如陶瓷粉末。电介质材料粉末可以包括添加剂。添加剂是例如mg、mn、v、cr、y、sm、eu、gd、tb、dy、ho、er、tm、yb、co、ni、li、b、na、k或si的氧化物或玻璃。有机粘合剂是例如聚乙烯醇缩丁醛树脂或聚乙烯醇缩醛树脂。有机溶剂是例如乙醇或甲苯。75.接下来，如图3的步骤s2中所示和图4a中所示，将包括陶瓷粉末的浆料以片状形式施加到载体膜上，并干燥以制造生片24。载体膜例如是聚对苯二甲酸乙二酯(pet)膜。可以通过刮刀刮涂、模具涂布、凹版涂布等来施加浆料。重复步骤s2以制备多个生片24。76.接下来，如图3的步骤s3中所示以及图4b中所示，将成为内部电极的导电膏以预定的图案施加到在步骤s1制备的生片中将形成如图1中所示的内部电极层3a和3b的那些生片24中的每一个生片上，以在生片24上形成多个内部电极图案23。在步骤s3中，可以在单个生片24上形成多个内部电极图案23，使得内部电极图案23在生片24的纵向方向上彼此分离。用于内部电极的导电膏包括用作内部电极层3a和3b的材料的金属粉末。例如，如果用作内部电极层3a和3b的材料的金属是ni，则用于内部电极的导电膏包括ni粉末。用于内部电极的导电膏包括粘合剂、溶剂和助剂。用于内部电极的导电膏可以包括作为电介质层4的主要成分的陶瓷材料作为共材。用于内部电极的导电膏可以通过丝网印刷、喷墨印刷、凹版印刷等来施加。77.接下来，如图3的步骤s4中所示和图4c中所示，通过以预定顺序堆叠其上形成有内部电极图案23的生片24和其上未形成内部电极图案的生片24a来制造多层块25(生片24的块)。未形成内部电极图案23的生片24a用作外层。在步骤s4中，其上具有内部电极图案23的生片24被分为两组，即，其上具有内部电极图案23a的生片24和其上具有内部电极图案23b的生片24。然后，其上具有内部电极图案23a的生片24和具有内部电极图案23b的生片24在层叠方向上交替地堆叠，使得在生片24上的内部电极图案23a和在下一个或相邻的生片24上的内部电极图案23b在生片24的纵向方向上交替地移位。另外，在生片块25中限定了三种类型的部分。具体地，在生片块25中限定了在堆叠方向上仅堆叠内部电极图案23a的部分、在堆叠方向上内部电极图案23a和23b以交替方式堆叠的部分，以及在堆叠方向上仅堆叠内部电极图案23b的部分。78.接下来，如图3的步骤s5中所示以及图4d中所示，对在图3的步骤s4的成形过程中获得的层叠块25进行压制，使得生片24压接。压制层叠块25可以通过例如将层叠块25夹在树脂膜之间，并对层叠块25进行流体静压来进行。79.接下来，如图3的步骤s6中所示和图4e中所示，对压制的层叠块25进行切割，使得块25被分离成多个元件主体，每个元件主体具有长方体形状。每个元件主体都有六个表面。如多条垂直虚线27所示，在堆叠方向上仅存在内部电极图案23a的部分和在堆叠方向上仅存在内部电极图案23b的部分处执行层叠块25的切割。层叠块25可以例如通过刀片切割等进行切割。所得的元件主体2在图4f中示出。80.如图4f所示，在每个单独的元件主体2中，内部电极层3a和3b交替地堆叠，电介质层4插入其间。内部电极层3a暴露在元件主体2的一个侧面上，内部电极层3b暴露在元件主体2的另一侧面上。81.接下来，如图3的步骤s7所示，去除在图3的步骤s6中获得的每个元件主体2中包括的粘合剂。为了去除粘合剂，例如在大约350℃的n2气氛中加热元件主体。82.接下来，如图3的步骤s8所示，将用于基底层(底层)7的导电膏施加到在图5的步骤s7中从其去除了粘合剂的每个元件主体2的两个侧面以及施加到元件主体2的与这两个侧面接触的其余四个表面的那些边缘。然后，将导电膏干燥。用于基底层的导电膏包括用作基底层7的导电材料的金属的粉末或填料。例如，如果用作基底层7的导电材料的金属是ni，则用于基底层的导电膏包括ni粉末或ni填料。用于基底层的导电膏包括例如作为共材的陶瓷成分，该陶瓷成分是电介质层4的主要成分。例如，以钛酸钡为主要成分的陶瓷氧化物颗粒(d‑50的粒径为0.8μm至4μm)被作为共材混合到用于基底层的导电膏中。用于基底层的导电膏还包括粘合剂和溶剂。83.接下来，如图3的步骤s9中所示和图4g中所示，对在图3的步骤s8中施加了用于基底层的导电膏的元件主体2进行烧结处理，使得在每个元件主体2中内部电极层3a和3b与电介质层4集成在一起，并且基底层7被形成并与元件主体2集成。元件本体2例如在1000至1350℃的温度范围内的烧成炉中烧结10分钟至2小时。如果在内部电极层3a和3b中使用诸如ni或cu的基底金属，则可以在烧成炉内侧保持还原气氛的情况下烧结元件主体2，以防止内部电极层3a、3b的氧化。84.接下来，如图3的步骤s10中所示以及图4h中所示，暴露于每个基底层7的表面的金属被氧化，使得在每个基底层7的表面上形成包括该金属的氧化膜的覆盖层8。覆盖层8可以包括基底层7的共材。在暴露于每个基底层7的表面的金属的氧化中，可以在例如n2气体气氛中、600℃至1000℃的温度范围内执行再氧化过程。可以在再氧化过程中将氧添加到气氛气体中，使得暴露于每个基底层7的表面的金属的氧化膜形成为足够的厚度。85.接下来，如图3的步骤s11中所示以及图4i中所示，执行镀覆之前的处理。具体地，通过喷砂(抛光)从每个基底层7的安装面m1、侧面m2、前表面m4和后表面m4去除氧化膜，使得基底层7中包括的金属在基底层7的安装面m1、侧面m2、前表面m4和后表面m4处暴露。在喷砂过程中，如图5a所示，将元件主体2放置在喷砂处理设备内的基板31上，使得每个元件主体2的安装面m1朝上，并且上表面m3与基板31接触。然后，喷砂介质直接从上方投射到元件主体2上。从上方直接投射的喷砂介质到达每个元件主体2的侧面、前表面和后表面，但没有到达上表面m3。因此，可以从每个基底层7的安装面m1、侧面m2、前表面m4和后表面m4去除基底层7上的氧化膜，而在基底层7的上表面m3上保留氧化膜。86.接下来，如图3的步骤s12中所示以及图4j中所示，在每个基底层7的安装面m1和侧面m2上形成镀层9。例如，可以通过依次执行cu镀覆、ni镀覆和sn镀覆，来形成每个镀层9。在该镀覆过程中，可以将从基底层7的安装面m1和侧面m2去除了氧化膜的元件主体2与镀液一起放入桶中。然后，桶可以利用向其供应的电力而旋转。由此，可以在每个元件主体2的基底层7上形成镀层9。在该镀覆过程中，由于在基底层7的上表面m3上存在氧化膜，所以在元件主体2的上表面m3上的基底层7上没有形成镀层。87.图5a是示出图4i的过程的示例的平面图。图5b是示出沿纵向截取的图5a的过程的截面图。88.如图5a和图5b中所示，多个元件主体2布置在基板31上。在每个元件主体2中，在每个基底层7的表面上形成氧化膜。当将元件主体2布置在基板31上时，每个元件主体2的上表面m3经由固定带32固定至基板31，使得元件主体2的安装面m1朝向上方。然后，喷砂介质34从位于元件主体2正上方的喷嘴33投射到元件主体2上。喷砂介质34例如是锆石颗粒或氧化铝颗粒。89.在喷砂过程中用于投射喷砂介质的条件可以包括投射速度、投射量和投射区域。通过调节喷砂介质34的压力和路径来设置投射速度。通过调节介质循环和投射时间来设置投射量。通过调节喷嘴形状和元件主体2与喷嘴33之间的距离来设定投射区域。90.从喷嘴33投射的喷砂介质34到达每个元件主体2的相对的侧面、前表面和后表面。因此，基底层7上的氧化膜被从每个元件主体2的安装面m1、两个侧面m2、前表面m4和后表面m4去除，同时，氧化膜保留在基底层7的上表面m3上。从每个基底层7的安装面m1、侧面m2、前表面m4和后表面m4喷砂(抛光)氧化膜的量可以设定在允许在基底层7的安装面m1、侧面m2、前表面m4和后表面m4上形成镀层9的范围内。91.根据上述第二实施例，通过喷砂处理从外部电极6a和6b的安装面m1、侧面m2、前表面m4和后表面m4去除基底层7上的氧化膜。由此，能够在外部电极6a和6b的安装面m1、侧面m2、前表面m4和后表面m4上选择性地且有效地形成镀层9，而外部电极6a和6b的上表面m3保持由覆盖层8覆盖。因此，上述制造方法能够防止制造处理的数量增加，并且能够防止其上安装有电子部件的电路板高度大于设计值。此外，能够高密度地将多个电子部件安装在电路板上。92.在上述制造方法中，喷砂过程用于从外部电极6a和6b的安装面m1、侧面m2、前表面m4和后表面m4去除覆盖层8，但是本发明不限于这种制造方法。代替喷砂过程，可以使用各向同性干法刻蚀(例如等离子体刻蚀)，或者可以使用化学抛光(例如湿法刻蚀)。93.第三实施例94.图6a是示出根据本发明的第三实施例的多层陶瓷电容器的覆盖层的端部的示例性构造的截面图。95.参考图6a，基底层7在基底层7的棱部上包括倒角表面7c。基底层7的倒角表面7c可以具有通过切掉基底层7的棱部而获得的形状，或可以具有弯曲的形状。例如，基底层7的倒角表面7c的曲率半径可以在1μm至50μm的范围内。96.在图6a中，覆盖层8的端部的至少一部分沿着基底层7的倒角表面7c延伸。这种构造能够防止湿焊料到达基底层7的上表面m3，同时确保湿焊料到达并覆盖从基层7的侧面m2到覆盖层8的左端的足够区域。97.在覆盖层8的左端与基底层7的侧面m2接触的位置处，由外部电极6a的上表面m3和倒角表面7c的切线所形成的角度θ可以大于45度。这种构造能够有效地防止焊料从侧面m2到达上表面m3。角度θ可以通过在图5a和5b所示的喷砂过程中调节用于投射喷砂介质的条件来控制。98.图6b是示出根据第三实施例的多层陶瓷电容器的基底层7与覆盖层8的端部之间的界面的示例性构造的截面图。图6b沿着与基底层7的侧面m2平行的平面截取。99.参考图6b，波纹8c形成在基底层7的倒角表面7c上的覆盖层8的端部处。这些波纹8c是由于图5b所示的已经到达元件主体2的侧面m2的喷砂介质34的变化而产生的。通过在喷砂过程期间改变喷砂机喷嘴33的位置来控制喷砂介质34中的上述变化，覆盖层8的端部的波纹8c的高度差th的范围可以被限制在例如0.1μm至10μm的范围内。这使得任何裂纹几乎不可能线性延伸，即使焊料已润湿至覆盖层8的端部。100.根据上述第三实施例，覆盖层8的端部沿着基底层7的倒角表面7c定位。这种构造能够确保足够的区域被焊料润湿，并且能够防止焊料从多层陶瓷电容器1a的安装区域向外扩散。101.第四实施例102.图7a是示出根据本发明的第四实施例的电路板装置的构造的截面图。电路板装置包括电路板41，并且多层陶瓷电容器1a安装在电路板41上。103.参考图7a，接地电极42a和42b形成在电路板41上。多层陶瓷电容器1a经由分别粘附在外部电极6a和6b的锡镀层9c和9c上的焊料层43a和43b连接至接地电极42a和42b。每个外部电极6a和6b的上表面m3用覆盖层8覆盖。在每个外部电极6a和6b的安装面m1和侧面m2上形成镀层9a至9c。当通过焊接将多层陶瓷电容器1a安装到电路板41上时，该构造允许焊料润湿并被每个外部电极6a和6b的侧面m2、前表面m4和后表面m4吸收，同时防止焊料润湿到每个外部电极6a和6b的上表面m3。因此，即使将过量的焊料供应到接地电极42a和42b上，也能够防止焊料从接地电极42a和42b向外扩散，同时防止其上安装了多层陶瓷电容器1a的电路板41的高度大于设计值。多个电容器1a可以类似的方式安装在同一电路板上。因此，上述构造能够减小安装在电路板41上的电子部件1a之间的间距，并增加安装的电子部件1a的密度，同时抑制安装在电路板41上的电子部件1a之间的短路。104.在该构造中，湿焊料可以向上移动以掩盖sn镀层9c。因此，与在外部电极6a、6b的侧面m2上形成覆盖层8的构造相比，能够增加吸收焊料的面积。105.此外，随着湿焊料向上移动至外部电极6a和6b的侧面m2，多层陶瓷电容器1a能在外部电极6a和6b的安装面m1和侧面m2处被支撑在电路板41上。因此，与仅在外部电极6a和6b的安装面m1处将多层陶瓷电容器1a支撑在电路板41上的装置相比，能够提高多层陶瓷电容器1a的安装强度。因此，即使将电路板41用作车载电路板并且电路板41在车辆行驶期间经历振动等，多层陶瓷电容器1a也能够抵抗振动并且不会从电路板41掉落。106.此外，从上方施加到元件主体2上的任何应力都能被外部电极6a和6b的上表面m3上的基底层7和覆盖层8吸收。因此，本实施例的构造能够减小在元件主体2中出现任何裂纹的可能性。107.根据上述第四实施例，覆盖层8设置在外部电极6a和6b的上表面m3上，同时允许焊料润湿外部电极6a和6b的安装面m1和侧面m2。因此，能够提高电路板41上的电子部件1a的安装密度，同时提高安装在电路板41上的多层陶瓷电容器1a的可靠性。108.第一比较例109.图7b是示出其中根据第一比较例的多层陶瓷电容器1a'安装在电路板41上的电路板装置的构造的截面图。110.参考图7b，多层陶瓷电容器1a'包括外部电极6a'和6b'，分别代替图7a所示的外部电极6a和6b。外部电极6a'和6b'中的每一个包括覆盖层8'、cu镀层9a'、ni镀层9b'和sn镀层9c'以分别代替图7a中所示的覆盖层8、cu镀层9a、ni镀层9b和sn镀层9c。111.外部电极6a'、6b'的除安装面m1以外的表面(侧面m2和上表面m3)用覆盖层8'覆盖。在外部电极6a'和6b'的基底层7的安装面m1上形成有cu镀层9a'、ni镀层9b'和sn镀层9c'。112.接地电极42a'和42b'形成在电路板41上。多层陶瓷电容器1a'经由粘附在外部电极6a'和6b'的sn镀层9c'上的焊料层43a'和43b'连接至接地电极42a'和42b'。由于外部电极6a'和6b'的侧面m2用覆盖层8'覆盖，所以没有焊料润湿到外部电极6a'和6b'的侧面m2。因此，如果提供过量的焊料，则焊料层43a'和43b'从安装面m1扩散到电路板41上，并且这可能妨碍电子部件1a'在电路板41上的高密度安装。113.第二比较例114.图7c是示出根据第二比较例的多层陶瓷电容器1a”安装在电路板41上的电路板装置的构造的截面图。115.参考图7c，多层陶瓷电容器1a”包括外部电极6a”和6b”，分别代替图7a中所示的外部电极6a和6b。外部电极6a'和6b'中的每一个包括cu镀层9a'、ni镀层9b”和sn镀层9c”，代替图7a中所示的覆盖层8、cu镀层9a、ni镀层9b和sn镀层9c。116.在外部电极6a”和6b”的基底层7的安装面m1、侧面m2和上表面m3上形成cu镀层9a”、ni镀层9b”和sn镀层9c”。117.多层陶瓷电容器1a”经由粘附在外部电极6a”和6b”的sn镀层9c”和9c”上的焊料层43a”和43b”连接至接地电极42a和42b。在该构造中，焊料经由外部电极6a”和6b”的侧面m2和m2润湿到上表面m3，并且形成从外部电极6a'和6b'的上表面m3和m3凸出的焊料层43a”和43b”。因此，其中多层陶瓷电容器1a”安装在电路板41上的电路板装置的高度会大于最初设计的高度。118.第五实施例119.图8是示出根据本发明的第五实施例的朝向覆盖层8a和8b看的多层陶瓷电容器1b的构造的平面图。120.参考图8，代替图1中所示的覆盖层8，多层陶瓷电容器1b包括覆盖层8a和8b。多层陶瓷电容器1b可以具有类似于图1中所示的多层陶瓷电容器1a的构造的构造，只是多层陶瓷电容器1b包括覆盖层8a和8b，来代替图1中所示的覆盖层8。覆盖层8a和8b位于包括边界区域的各个部分，在边界区域处，在外部电极6a和6b的上表面m3和m3上，覆盖层8a和8b的端部与基底层7a的侧面m2和基底层7b的侧面m2接触。例如，覆盖层8a和8b中的每一个可以形成为带状图案(u形)，其沿每个外部电极6a和6b的上表面m3的三侧上的外周(outerperipheries)连续，使得覆盖层8a和8b中的每一个覆盖每个外部电极6a和6b的上表面m3的端部。每个外部电极6a和6b的上表面m3的外周包括与侧面m2接触的一侧(边缘)，与前表面m4接触的一侧和与后表面m4接触的一侧。当从上方观看该构造时，覆盖层8a和8b中的每一个具有带有一个开口侧的长方形。121.在分别在外部电极6a和6b的上表面m3和m3上形成覆盖层8a和8b的过程中，在外部电极6a的上表面m3和外部电极6b的上表面m3上的覆盖层8a和8b的内部区域可以用抗蚀剂膜覆盖，然后，可以通过结合图5a和图5b描述的方法对外部电极6a和6b的上表面m3和m3进行喷砂处理。122.根据上述第五实施例，覆盖层8a和8b分别形成在外部电极6a的上表面m3和外部电极6b的上表面m3上，并且镀层9和镀层9分别形成在外部电极6a的安装面m1和侧面m2上以及外部电极6b的安装面m1和侧面m2上。因此，防止安装在电路板上的多层陶瓷电容器1b的高度的任何增加，同时，能够在防止焊料从多层陶瓷电容器1b的安装区域向外扩散。电子部件能够高密度地安装在电路板上，同时保持其中将电子部件安装在电路板上的电路板装置的高度不大于设计高度。123.在上述实施例中，覆盖层8(8a、8b)中的每一个包括用作基底层7(7a、7b)的导电材料的金属的氧化膜。或者，覆盖层8(8a、8b)可以包括与基底层7(7a、7b)中包括的玻璃成分的组成相同的组成的玻璃相。124.第六实施例125.图9是示出根据本发明的第六实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的流程图。应当注意，结合图3描述的方法形成的覆盖层8包括用作基底层7的导电材料的金属的氧化膜，并且图9的方法形成的覆盖层8包括与基底层7中包括的玻璃成分的组成相同的组成的玻璃相。126.图9的步骤s21至步骤s27分别类似于图3的步骤s1至步骤s7。具体地，步骤s21至步骤s27以与步骤s1至步骤s7类似的方式，制成已从中去除粘合剂的元件主体2。元件主体2具有六个表面。127.接下来，如图9的步骤s28所示，烧结在图9的步骤s27中已去除了粘合剂的元件主体2，以将内部电极层3a和3b与电介质层4集成在一起。例如，在温度范围为1000℃至1350℃的烧成炉中将元件主体2烧结十分钟至两个小时。如果在内部电极层3a和3b中使用诸如ni或cu的基底金属，则可以在烧成炉中烧结元件主体2，同时烧成炉内部保持在还原气氛中，以防止内部电极层3a和3b的氧化。128.在步骤s28之后，如图9的步骤s29所指示，将用于基底层的导电膏施加到元件主体2的两个相对的侧面以及与该两个侧面相邻的其余四个表面的边缘部分，然后干燥用于基底层的导电膏。用于基底层的导电膏包括用作基底层7的导电材料的金属的粉末或填料。例如，如果用作基底层7的导电材料的金属是cu，则用于基底层的导电膏包括cu粉末或cu填料。用于基底层的导电膏包括用于玻璃的烧结助剂(例如，sio2等)。用于玻璃的烧结助剂的量可以在例如11wt％至13wt％的范围内。129.接下来，对已施加用于基底层的导电膏的元件主体2进行烧结，以形成与元件主体2成一体的基底层7。例如，在850℃的烧成炉中烧结元件主体2至少15分钟。在该条件下烧结的每个基底层7的表面上，形成与基底层7表面所含的玻璃成分的组成相同的玻璃相，从而在基底层7上形成覆盖层8。在安装期间，每个基底层7的玻璃相已被表面化的表面不会被电镀或焊接。应注意的是，随着烧结温度越高，烧结时间越长，或者随着玻璃的烧结助剂的量越大，玻璃相更容易表面化到基底层7的表面上。因此，能够通过调节玻璃的烧结温度、烧结时间和烧结助剂的量来控制玻璃相的厚度。130.接下来，如图9的步骤s30和步骤s31中所示，通过与图3的步骤s11和步骤s12的处理类似的执行镀覆之前的处理和随后的镀覆过程。131.根据上述第六实施例，形成了包括玻璃相的覆盖层8，该玻璃相的组成与基底层7中包括的玻璃成分的组成相同，并且其余的构造可以与第一至第五实施例的构造类似。这种覆盖层8还能够防止焊料润湿到外部电极6a和6b的被覆盖层8覆盖的那些表面。132.第七实施例133.图10是示出根据本发明的第七实施例的电子部件61的构造的透视图。在第七实施例中，将描述片式电感器61作为电子部件的示例。134.参考图10，片式电感器61包括元件主体62和外部电极66a和66b。元件主体62包括线圈图案63、内部电极层63a和63b以及磁性材料64。元件主体62可以具有大致长方体的形状。外部电极66a和66b位于元件主体62的相对的侧面上，使得外部电极66a与外部电极66b分离。外部电极66a和66b中的每一个存在于元件主体62的相关联的侧面上，并且从侧面m2延伸到元件主体62的前表面、后表面、上表面和下表面。135.线圈图案63以及内部电极层63a和63b被磁性材料64覆盖。然而，内部电极层63a的一端在元件主体62的一个侧面处从磁性材料64中拉出，并连接至外部电极66a。内部电极层63b的一端在元件主体62的另一侧面处从磁性材料64拉出，并连接至外部电极66b。136.线圈图案63以及内部电极层63a和63b的材料可以例如选自金属，诸如cu、ni、ti、ag、au、pt、pd、ta和w，或者可以是包括这些金属中的任何一种金属的合金。磁性材料64例如是铁氧体。137.外部电极66a和66b中的每一个包括基底层(底层)67和镀层69。外部电极66a和66b中的每一个具有安装面m1、侧面m2、上表面m3、前表面m4和后表面m4。安装面m1是面对要在其上安装片式电感器61的电路板的表面。上表面m3是与安装面m1相对的面。138.用于基底层67的导电材料可以包括金属或合金作为主要成分，该金属或合金包含例如选自cu、fe、zn、al、ni、pt、pd、ag、au和sn中的至少一种。每个基底层67包括共材。共材是例如作为磁性材料64的主要成分的陶瓷成分。每个基底层67可以包括玻璃成分。玻璃成分是例如ba、sr、ca、zn、al、si、b等的氧化物。139.除了安装面m1、侧面m2、前表面m4和后表面m4之外，外部电极66a和66b中的每一个外部电极的表面(上表面m3)用覆盖层68覆盖。覆盖层68可以包括用作基底层67的导电材料的金属的氧化膜或包括与基底层67中包括的玻璃成分的组成相同的组成的玻璃相。镀层69形成在外部电极66a和66b中的每一个外部电极中的基底层67的安装面m1、侧面m2、前表面m4和后表面m4上。140.根据上述第七实施例，覆盖层68设置在片式电感器61的外部电极66a和66b的上表面m3上。这使得能够防止安装在电路板上的片式电感器61的高度增加，同时防止焊料扩散出片式电感器61的安装区域。141.第八实施例142.图11是示出根据本发明的第八实施例的电子部件71的构造的透视图。图11示出作为电子部件的示例的片式电阻器71。143.参考图11，片式电阻器71包括元件主体72、外部电极76a和76b以及保护膜75。元件主体72包括电阻器主体73、内部电极层73b和基板74。元件主体72可具有大致长方体的形状。外部电极76a和76b位于元件主体72的相对的侧面上，使得外部电极76a和76b彼此分离。外部电极76a和76b中的每一个存在于元件主体72的相关联的侧面上，并从侧面延伸到元件主体72的上表面和下表面上。144.电阻器主体73和内部电极层73b设置在基板74上并用保护膜75覆盖。电阻器主体73的一端与基板74上的内部电极层73b连接。内部电极层73b延伸到元件主体72的侧面中的一个侧面上，并连接至外部电极76b。应当注意，另一个内部电极层(未示出)连接至电阻器主体73的另一端并延伸到元件主体72的另一个侧面，使得该内部电极层连接至外部电极76a。145.电阻器主体73的材料可以例如选自金属，诸如ag和pd，或者可以是包括这些金属中的任何一种金属的合金。可替代地，用于电阻器主体73的材料可以是金属氧化物，诸如氧化钌。用于内部电极层73b的材料可以选自金属，例如cu、ni、ti、ag、au、pt、pd、ta和w等，或者可以是包括这些金属中的任何一种金属的合金。用于基板74的材料例如是陶瓷氧化物，诸如氧化铝。用于保护膜75的材料例如是玻璃或树脂。146.外部电极76a和76b中的每一个包括基底层77和镀层79。外部电极76a和76b中的每一个具有安装面m1、侧面m2和上表面m3。安装面m1是面向要在其上安装片式电阻器71的电路板的表面。上表面m3是与安装面m1相对的面。147.用于基底层77的导电材料可以包括金属或合金作为主要成分，该金属或合金包含例如选自cu、fe、zn、al、ni、pt、pd、ag、au和sn中的至少一种。每个基底层77包括共材。共材例如是陶瓷成分，其是基板74的主要成分。基底层77可以包括玻璃成分。该玻璃成分是例如ba、sr、ca、zn、al、si、b等的氧化物。148.除了安装面m1和侧面m2之外，外部电极76a和76b中每一个外部电极的表面(上表面m3)用覆盖层78覆盖。覆盖层78中的每一个可以包括用作基底层77的导电材料的金属的氧化膜，或者包括与基底层77中包括的玻璃成分的组成相同的组成的玻璃相。在外部电极76a和76b中每一个外部电极的基底层77的安装面m1和侧面m2上形成镀层79。149.根据上述第八实施例，覆盖层78设置在片式电阻器71的外部电极76a和76b的上表面m3上。这使得能够防止安装在电路板上的片式电阻器71的高度增加，同时防止焊料扩散出片式电阻器71的安装区域。150.在上述实施例中，在外部电极的上表面上设置覆盖层，以防止焊料润湿到外部电极的上表面。可替代地，可以在每个外部电极的上表面上设置比在每个外部电极上的镀层更难被焊料润湿(lesswettable)的覆盖层。焊料的润湿性可以根据例如接触角来确定。在上述替代构造中，在覆盖层上焊料的接触角大于在镀层上焊料的接触角。接触角例如可以如下进行测量。将物品浸入熔融焊料浴中，并且然后从焊料浴中提起。随后，检查物品的垂直于待观察表面的横截面，并测量焊料与该表面接触的角度作为接触角。151.在前述实施例中，双端子元件被用作电子部件的示例。可替代地，具有三个或更多端子的电子部件，例如晶体管或变压器，可以用作电子部件。152.每个覆盖层8可以由包括树脂的抗蚀剂膜构成，来代替前述实施例中描述的材料。当使用抗蚀剂膜作为覆盖层8时，可以将覆盖层8形成为期望的厚度。153.本技术基于并要求2020年6月1日提交的日本专利申请no.2020‑95333的优先权，其全部内容通过引用合并于此。当前第1页12当前第1页12
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