一种半导体晶圆溢流超声清洗装置的制作方法

1.本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种半导体晶圆溢流超声清洗装置。


背景技术：

2.晶圆清洗工艺在半导体制造过程中及其重要，几乎每道工艺流程都会用到清洗，作用不同清洗的溶剂会有差异。
3.半导体晶圆清洗主要是脱除附着在晶圆表面的杂质离子，如：有机物、无机金属离子及颗粒物等，常规使用湿法清洗，其原理是使用化学酸、碱试剂与晶圆表面杂质离子发生络合反应或生成溶于水的物质，用高纯水流动带出，以达到去除晶圆表面杂质的目的；随着工艺的进步，对晶圆电性的要求越来越严格，则相应的对晶圆清洗的洁净度的要求越来越高，之前水阻高于12mω/cm即可满足要求，现在宜要满足出水》16mω/cm，现有工艺为了达到此要求纯靠高纯水流水冲到此阻值，往往需要很大的水流量及超过40分钟的工时，有时可能还不能满足要求需延长时间或者返清洗，这样不仅会浪费大量的纯水，且生产周期较长，浪费较为严重。


技术实现要素：

4.（一）要解决的技术问题本发明的目的是提供一种半导体晶圆溢流超声清洗装置，用以解决现有的清洗装置清洗效果不佳，且浪费严重的缺陷。
5.（二）发明内容为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：一种半导体晶圆溢流超声清洗装置，包括清洗箱、超声器和底板，所述清洗箱的一侧贯穿有进水孔，所述清洗箱的一端贯穿有排水孔，所述清洗箱顶端的一侧设置有溢流排水口，所述清洗箱的内壁上涂覆有防腐层，所述清洗箱内部的底端安装有超声器。
6.所述超声器的顶端安装有振子，所述清洗箱的内壁上设置有安装结构，所述清洗箱的内部安装有底板。
7.所述底板的内部贯穿有通孔二，所述底板的上方设置清洁结构，所述清洗箱内部一端的一侧设置有通孔一。
8.优选的，所述清洗箱的内部设置有两个隔板，所述清洗箱内部通过隔板分为三部分。
9.优选的，所述清洁结构包括清洁框、清洁刷一以及清洁刷二，所述清洁框设置于清洗箱的内部，所述清洁框的两侧固定有清洁刷一，所述清洁框的两端固定有清洁刷二。将清洁框放置清洗箱内部，通过清洁刷一和清洁刷二可对清洗箱内壁进行清洁，提高清洁的便捷性。
10.优选的，所述清洁刷一和清洁刷二均与清洗箱的内壁紧密贴合，所述清洁框俯视为矩形空腔设置。通过空腔设置能够避免影响该清洗装置正常使用时，通过清洁刷一和清
洁刷二与清洗箱的内壁贴合，能够提高对清洗箱内壁的清洗效果。
11.优选的，所述安装结构包括定位板、弹簧、卡扣、卡槽以及插杆，所述定位板固定与清洗箱内壁的底部，所述定位板的内部贯穿有插杆，且插杆顶端与底板的底端固定连接，所述定位板内部的两侧设置有弹簧，且弹簧的一侧安装有卡扣，所述插杆的两侧嵌设有卡槽。后期在底板安装后，通过卡扣与卡槽的配合下，能够将底板稳固安装在清洗箱的内部，提高底板后期的使用性。
12.优选的，所述定位板的中间位置处纵向贯穿有与插杆相适配的卡接孔，所述定位板在清洗箱的内部设置有若干个。底板通过插杆与定位板相互卡接，能够使底板在清洗箱内部安装后的水平度，避免因出现偏移，影响使用。
13.优选的，所述卡扣的直径小于卡槽的直径，所述卡扣通过弹簧与卡槽构成卡接结构。在插杆插入至定位板内部后，卡扣通过弹簧与卡槽卡接，通过卡接对插杆与定位板之间进行固定。
14.优选的，所述进水孔在清洗箱的一侧设置有两个，所述排水孔在清洗箱的一端设置有三个。
15.优选的，所述振子在超声器顶端安装有多个，多个所述振子之间呈矩形阵列设置。通过多个振子，能够提高对半导体晶圆的清洗效果。
16.（三）有益效果本发明提供的半导体晶圆溢流超声清洗装置，其优点在于：通过设置有振子和超声器，在振子和超声器震动去除晶片表面杂质，相较只用纯水流动带出效果更好，所需时间更短，节约了用水量且缩短了生产周期提高产能。
17.通过设置有清洁结构，清洁框放置到清洗箱内部，清洁刷一和清洁刷二之间紧密贴合，通过将清洁框上下移动，能够通过清洁刷一和清洁刷二对清洗箱的内壁进行清洁，尽量避免借助工具对清洗箱内部清洁耗费较长时长。
18.通过设置有安装结构，底板安装后，插杆插入至定位板内部，随后卡扣通过弹簧向外延伸，卡扣与卡槽卡接，通过卡扣、卡槽和插杆共同的作用下，能够对底板进行固定，提高底板安装的稳定性。
19.通过设置有底板和通孔二，能够保证了溢流出水的均匀性以保证质量，且防止局部水压过大导致破片，造成后期实用性不佳。
附图说明
20.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
21.图1为本发明的正视剖面结构示意图。
22.图2为本发明的清洗箱立体结构示意图。
23.图3为本发明的清洁框局部立体结构示意图。
24.图4为本发明的图1正视剖面结构示意图。
25.图5为本发明的底板立体结构示意图。
26.图6为本发明的超声器立体结构示意图。
27.图中的附图标记说明：1、清洗箱；2、清洁结构；201、清洁框；202、清洁刷一；203、清洁刷二；3、安装结构；301、定位板；302、弹簧；303、卡扣；304、卡槽；305、插杆；4、超声器；5、防腐层；6、底板；7、进水孔；8、溢流排水口；9、排水孔；10、通孔一；11、通孔二；12、振子。
具体实施方式
28.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
29.在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
30.实施例一请参阅图1-6，本发明提供的一种半导体晶圆溢流超声清洗装置，包括清洗箱1、超声器4和底板6，清洗箱1的一侧贯穿有进水孔7，清洗箱1的内部设置有两个隔板，清洗箱1内部通过隔板分为三部分，清洗箱1的一端贯穿有排水孔9，进水孔7在清洗箱1的一侧设置有两个，排水孔9在清洗箱1的一端设置有三个，清洗箱1顶端的一侧设置有溢流排水口8，清洗箱1的内壁上涂覆有防腐层5，清洗箱1内部的底端安装有超声器4，超声器4的顶端安装有振子12，振子12在超声器4顶端安装有多个，多个振子12之间呈矩形阵列设置，清洗箱1的内壁上设置有安装结构3，清洗箱1的内部安装有底板6，底板6的内部贯穿有通孔二11，底板6的上方设置清洁结构2，清洗箱1内部一端的一侧设置有通孔一10。
31.基于实施例1的一种半导体晶圆溢流超声清洗装置工作原理是：使用时，清洗箱1通过进水孔7与外部排水管连接，外部的纯水进入清洗箱1内部，后期筒外接的控制箱，启动超声器4，超声器4在运作时，出现震动现象，随后将半导体晶圆放置到清洗箱1内部最右侧，随后进行清洗，通过超声将细小颗粒及杂质从晶圆表面脱附，尽快溶于纯水或通过流动的纯水带出，当清洗箱1最右侧液体达到合适高度时，流入至中间区域，随后流入至最左侧，水分继续增加时，通过溢流排水口8流出。
32.实施例二本实施例还包括：清洁结构2包括清洁框201、清洁刷一202以及清洁刷二203，清洁框201设置于清洗箱1的内部，清洁框201的两侧固定有清洁刷一202，清洁框201的两端固定有清洁刷二203，清洁刷一202和清洁刷二203均与清洗箱1的内壁紧密贴合，清洁框201俯视为矩形空腔设置。
33.本实施例中，当需要对清洗箱1内部清理时，借助工具将清洁框201上移，在清洁框201上移时，由清洁刷一202和清洁刷二203于清洗箱1内壁贴合，在清洁框201上下移动时，通过清洁刷一202和清洁刷二203对清洗箱1的内壁进行清洗。
34.实施例三
本实施例还包括：安装结构3包括定位板301、弹簧302、卡扣303、卡槽304以及插杆305，定位板301固定与清洗箱1内壁的底部，定位板301的内部贯穿有插杆305，且插杆305顶端与底板6的底端固定连接，定位板301内部的两侧设置有弹簧302，且弹簧302的一侧安装有卡扣303，插杆305的两侧嵌设有卡槽304，定位板301的中间位置处纵向贯穿有与插杆305相适配的卡接孔，定位板301在清洗箱1的内部设置有若干个，卡扣303的直径小于卡槽304的直径，卡扣303通过弹簧302与卡槽304构成卡接结构。
35.本实施例中，在底板6安装时，将底板6放置清洗箱1的内部，并且插杆305与定位板301中间的卡接槽对应，插杆305插入其内部，在抽入时插杆305对卡扣303做功，弹簧302受到挤压，当插杆305安装至合适位置处时，卡扣303在弹簧302的作用下向外延伸，卡扣303与卡槽304卡接即可。
36.在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
37.以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。
38.最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。