一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制 一种秧草收获机用电力驱动行走机构

液晶显示装置的制作方法

2022-04-02 05:35:11 来源:中国专利 TAG:


1.本发明的实施方式涉及液晶显示装置。


背景技术:

2.作为显示装置的一例,已知液晶显示装置(参照专利文献1~4)。例如,液晶显示装置具备包含像素电极及共通电极的第1基板、对置于第1基板的第2基板、以及配置在这些基板之间的液晶层。
3.为了提高具有高精细度的像素的液晶显示装置的显示品质,需要微细形状的像素电极及共通电极。但是,像素电极及共通电极的l/s(line and space)存在加工技术上的极限,所以有无法实现所希望的形状的情况。
4.现有技术文献
5.专利文献
6.专利文献1:日本特开2011-186010号公报
7.专利文献2:日本特开2012-68432号公报
8.专利文献3:日本特开2015-90435号公报
9.专利文献4:日本特开2016-14779号公报


技术实现要素:

10.发明要解决的问题
11.本公开的目的之一在于,提供能够提高显示品质的液晶显示装置。
12.用来解决问题的手段
13.一实施方式的液晶显示装置具备第1基板、对置于上述第1基板的第2基板、以及配置在上述第1基板与上述第2基板之间的液晶层。上述第1基板具备在第1方向上延伸的扫描线、在与上述第1方向交叉的第2方向上延伸的信号线、包含第1像素电极及第2像素电极的多个像素电极、以及配置在上述多个像素电极与上述液晶层之间的共通电极。上述共通电极具有沿上述第1方向或上述第2方向的某一方延伸的多个副电极。上述多个副电极分别具备具有比上述扫描线或上述信号线宽的宽度的第1部分、和具有比上述第1部分窄且比上述扫描线或上述信号线宽的宽度的第2部分。上述第1部分及上述第2部分在上述多个副电极的延伸方向上交替地配置。
14.发明效果
15.根据本发明,能够提供能够提高显示品质的液晶显示装置。
附图说明
16.图1是表示第1实施方式的液晶显示装置的一例的图。
17.图2是第1实施方式的液晶显示装置的概略剖面图。
18.图3是表示能够对第1实施方式的显示装置应用的像素布局的一例的概略平面图。
19.图4是第1实施方式中的像素电极、第2共通电极以及金属层的概略平面图。
20.图5是第1实施方式中的第1共通电极的概略平面图。
21.图6是表示使第1实施方式中的像素电极、第1共通电极、第2共通电极以及金属层重合了的状态的概略平面图。
22.图7是表示在图6所示的结构下将透射率分布进行模拟的结果的图。
23.图8是表示比较例的显示装置的结构的概略平面图。
24.图9是表示在图8所示的结构下将透射率分布进行模拟的结果的图。
25.图10是第2实施方式中的像素电极及金属层的概略平面图。
26.图11是表示使第2实施方式中的像素电极、第1共通电极、第2共通电极以及金属层重合了的状态的概略平面图。
27.图12是表示在图11所示的结构下将透射率分布进行模拟的结果的图。
28.图13是第3实施方式中的第1共通电极的概略平面图。
29.图14是表示使第3实施方式中的像素电极、第1共通电极、第2共通电极以及金属层重合了的状态的概略平面图。
30.图15是表示在图14所示的结构下将透射率分布进行模拟的结果的图。
31.图16是第4实施方式的显示装置的概略剖面图。
32.图17是第4实施方式中的像素电极、第2共通电极以及金属层的概略平面图。
33.图18是第4实施方式中的第1共通电极的概略平面图。
34.图19是表示使第4实施方式中的像素电极、第1共通电极、第2共通电极以及金属层重合了的状态的概略平面图。
35.图20是表示在图19所示的结构下将透射率分布进行模拟的结果的图。
36.图21是用于对比较例及各实施方式的透射率进行比较的表。
具体实施方式
37.参照附图说明几个实施方式。
38.另外,公开内容不过是一例,关于本领域技术人员对于在保持发明主旨基础上的适当变更而容易地想到的,当然包含在本发明的范围中。此外,附图为了使说明更明确而有与实际形态相比示意性表示的情况,但不过是一例,并不限定本发明的解释。各图中,对于连续配置的相同或类似的要素有省略标记的情况。此外,在本说明书和各图中,对于发挥与针对在先附图描述过的构成要素相同或类似的功能的构成要素附加同一参照标记,有省略重复的详细说明的情况。
39.各实施方式中,公开具备液晶层的液晶显示装置。但是,各实施方式并不妨碍针对具备其他种类的显示元件的显示装置应用各实施方式所公开的各技术思想。作为具备其他种类的显示元件的显示装置,例如可以举出具有有机电致发光(el)显示元件、发光二极管(led)显示元件的自发光型显示装置、具有电泳元件的电子书型显示装置、应用了微机电系统(mems)的显示装置、或者应用了电致变色的显示装置等。
40.[第1实施方式]
[0041]
图1是表示液晶显示装置1(以下称作显示装置1)的一例的图。如图示那样定义x方向、y方向以及z方向。这些x、y、z方向例如相互正交,但也可以以90
°
以外的角度相交。本实
施方式中,将与z方向平行地观察显示装置1称作平面视。
[0042]
显示装置1具备显示面板pnl、电子部件ct和柔性电路基板fpc。显示面板pnl具备第1基板sub1(阵列基板)、对置于第1基板sub1的第2基板sub2(对置基板)、以及配置在这些基板sub1、sub2之间的液晶层lc。
[0043]
显示面板pnl具有对图像进行显示的显示区域da和显示区域da周围的周边区域sa。第1基板sub1具有从第2基板sub2突出的安装区域ma。安装区域ma包含在周边区域sa中。
[0044]
进而,显示面板pnl具备多个扫描线g、多个信号线s、第1扫描驱动器gd1和第2扫描驱动器gd2。多个扫描线g在显示区域da中在x方向上延伸且在y方向上排列。多个信号线s在显示区域da中在y方向上延伸且在x方向上排列。多个扫描线g分别连接于扫描驱动器gd1、gd2中的某一方。另外,也可以连接于扫描驱动器gd1、gd2双方。
[0045]
在由相邻的2条扫描线g和相邻的2条信号线s所划分出的区域中形成有副像素sp。由显示色不同的多个副像素sp构成作为彩色图像显示的最小单位的1个像素px。
[0046]
副像素sp包括开关元件sw和与开关元件sw连接的像素电极pe。开关元件sw当扫描信号被供给到与副像素sp对应的扫描线g时对像素电极pe施加与该副像素sp对应的信号线s的电压(像素电压)。像素电极pe在与被施加了共通电压的共通电极ce之间产生电场。例如,共通电极ce在多个副像素sp中延伸。各副像素sp中的电场作用于液晶层lc从而在显示区域da中显示图像。
[0047]
电子部件ct及柔性电路基板fpc安装在安装区域ma。表示在显示区域da中显示的影像的影像数据经由柔性电路基板fpc而被向电子部件ct供给。电子部件ct将与所供给的影像数据对应的电压向各信号线s供给。电子部件ct作为对显示装置1进行控制的控制器发挥功能。
[0048]
图2是显示区域da中的显示装置1的概略剖面图。第1基板sub1具备第1绝缘基板10、第1~第6绝缘层11~16、第1取向膜17、滤色器层cf、扫描线g、信号线s、像素电极pe、共通电极ce、开关元件sw和金属层ml。开关元件sw具备半导体层sc和中继电极re。
[0049]
在图2的例子中,共通电极ce包括位于像素电极pe与液晶层lc之间的第1共通电极ce1、以及位于像素电极pe下方(第1绝缘基板10侧)的第2共通电极ce2。
[0050]
第1绝缘层11覆盖第1绝缘基板10的上表面。半导体层sc配置在第1绝缘层11之上。第2绝缘层12覆盖半导体层sc及第1绝缘层11。扫描线g配置在第2绝缘层12之上。第3绝缘层13覆盖扫描线g及第2绝缘层12。信号线s及中继电极re配置在第3绝缘层13之上。滤色器层cf覆盖信号线s、中继电极re及第3绝缘层13。第4绝缘层14覆盖滤色器层cf。
[0051]
第2共通电极ce2配置在第4绝缘层14之上。金属层ml配置在第2共通电极ce2之上,与扫描线g及信号线s对置。第5绝缘层15覆盖第2共通电极ce2及金属层ml。像素电极pe配置在第5绝缘层15之上,与第2共通电极ce2对置。第6绝缘层16覆盖像素电极pe。第1共通电极ce1配置在第6绝缘层16之上,与像素电极pe对置。第1取向膜17覆盖第1共通电极ce1。
[0052]
信号线s经由将各绝缘层12、13贯通的第1接触孔ch1而与半导体层sc接触。中继电极re经由将各绝缘层12、13贯通的第2接触孔ch2而与半导体层sc接触。扫描线g在接触孔ch1、ch2之间与半导体层sc对置。第1共通电极ce1经由将各绝缘层15、16贯通的第3接触孔ch3而与第2共通电极ce2接触。像素电极pe经由将各绝缘层14、15及滤色器层cf贯通的第4接触孔ch4而与中继电极re接触。
[0053]
第2基板sub2具备第2绝缘基板20、遮光层21、外覆层22和第2取向膜23。遮光层21配置在第2绝缘基板20的下表面。外覆层22覆盖遮光层21及第2绝缘基板20的下表面。第2取向膜23覆盖外覆层22。在第1取向膜17与第2取向膜23之间配置有液晶层lc。
[0054]
作为各绝缘基板10、20,能够使用玻璃基板或树脂基板。作为各绝缘层11~13、15、16,例如能够适当地采用sio那样的氧化膜或sin那样的氮化膜。第4绝缘层14例如由有机材料形成,比其他绝缘层11~13、15、16厚,将起因于开关元件sw等而产生的凹凸平坦化。作为像素电极pe及共通电极ce,能够使用ito(indium tin oxide)等透明导电材料。对于扫描线g、信号线s、中继电极re以及金属层ml,能够采用各种金属的单层构造或层叠构造。第1取向膜17及第2取向膜23例如能够由聚酰亚胺形成。
[0055]
在图2的例子中,在第1基板sub1与第2基板sub2之间配置有间隔件ps。间隔件ps例如从第2基板sub2朝向第1基板sub1突出,其前端与第1基板sub1接触。间隔件ps与遮光层21对置。这样的间隔件ps在显示区域da中配置有多个。也可以存在前端不与第1基板sub1接触的间隔件ps。
[0056]
显示面板pnl还具备第1偏光板pl1、第2偏光板pl2。第1偏光板pl1粘接于第1绝缘基板10。第2偏光板pl2粘接于第2绝缘基板20。例如,第1偏光板pl1和第2偏光板pl2的偏光轴相互正交。
[0057]
另外,显示面板pnl的构造不限于图2的例子。例如,共通电极ce也可以不具备第2共通电极ce2。此外,金属层ml也可以配置在第4绝缘层14与第2共通电极ce2之间、第1共通电极ce1与第1取向膜17之间、或者第1共通电极ce1与第6绝缘层16之间。
[0058]
图3是表示能够应用于显示装置1的像素布局的一例的概略平面图。该图的例子中,像素px具备红色的副像素sp(r)、绿色的副像素sp(g)和蓝色的副像素sp(b)。在x方向上,副像素sp(r)、sp(g)、sp(b)依次配置。在y方向上,副像素sp(r)、sp(g)、sp(b)连续地配置。
[0059]
上述的滤色器层cf包括与红色的副像素sp(r)重叠的红色的滤色器cfr、与绿色的副像素sp(g)重叠的绿色的滤色器cfg、和与蓝色的副像素spb重叠的蓝色的滤色器cfb。这些滤色器cfr、cfg、cfb是在y方向上较长的形状,在x方向上依次排列。间隔件ps例如配置在蓝色的副像素sp(b)的边界,但不限于该例。
[0060]
另外,像素px也可以包括白色的副像素sp等红、绿、蓝以外的颜色的副像素。此外,像素px也可以具备多个相同颜色的副像素sp。像素px中包含的各副像素sp的尺寸例如相同,但也可以互不相同。
[0061]
图4是本实施方式中的像素电极pe、第2共通电极ce2以及金属层ml的概略平面图。金属层ml例如是在相邻的副像素sp之间穿过的格子状。像素电极pe(带斜线的区域)不与金属层ml重叠。但是,像素电极pe的周缘部可以与金属层ml重叠。第2共通电极ce2与多个副像素sp的像素电极pe重叠。
[0062]
图5是本实施方式中的第1共通电极ce1的概略平面图。第1共通电极ce1具有多个副电极se。多个副电极se分别隔开一定的间隔而在x方向上排列,在沿y方向排列的多个副像素sp中连续地延伸。例如,在图5中的位于左侧的副电极se与图5中的位于中央的副电极se之间设有间隙sl。即,多个副电极se分别形成为带状。多个副电极se例如在平面视图中形成为与信号线s重叠,从显示区域da的y方向上的一端向另一端延伸。作为其他例子,可以
是,多个副电极se在平面视图中形成为与扫描线g重叠,从显示区域da的y方向上的一端向另一端延伸。
[0063]
各副电极se通过上述的第3接触孔ch3而与第2共通电极ce2连接。例如,第3接触孔ch3如图5所示那样在副电极se处设置在x方向上的宽度(第1宽度)最宽的位置。作为其他例子,可以是,各副电极se在周边区域sa中与第2共通电极ce2、其他被施加共通电压的布线连接。
[0064]
各副电极se具有包括形成有上述第3接触孔ch3的、x方向上的宽度最宽的位置的多个部分p1、以及将多个部分p1连接的多个部分p2。在图5的例子中,部分p1配置成,与在x方向上排列的2个副像素sp以及在y方向上排列的2个副像素sp重叠,第3接触孔ch3位于这4个副像素sp的中心。部分p2位于多个部分p1间。部分p2具有比形成第3接触孔ch3的位置窄、并且比信号线s的x方向的宽度宽的宽度(第2宽度)。
[0065]
部分p1和部分p2在y方向上交替地排列。在图5中的左侧及右侧的副电极se处,部分p2位于上段及中段的副像素sp之间。在图5中的中央的副电极se处,部分p2位于中段及下段的副像素sp之间。即,部分p1和部分p2在x方向上也交替地排列。例如,在图5中的上段及中段的副像素sp之间,中央的副电极se的部分p1以被左侧及右侧的副电极se的部分p2夹着的方式配置。
[0066]
在观察显示区域da的更大的范围的情况下,部分p1和部分p2以交错状配置。此外,各副电极se间的间隙sl在沿y方向排列的多个副像素sp中连续地延伸。各副电极se的部分p1间的x方向上的间隙sl具有第1间隔。各副电极se的部分p1与部分p2之间的x方向上的间隙sl具有比第1间隔大的第2间隔。
[0067]
部分p1至少具有第1边e1和第2边e2。第1边e1相对于y方向顺时针地以角度θ1倾斜。第2边e2相对于y方向逆时针地以角度θ1倾斜。角度θ1是锐角,例如是15
°
以下。如图5所示,例如,第1边e1和第2边e2在y方向上相邻地连接,与在y方向上相邻的各个副像素sp重叠。此外,各副电极se的向相同方向倾斜的边在各副像素sp中重叠。例如,在图5中的左侧上段的副像素sp中,间隙sl沿相对于y方向顺时针地以角度θ1倾斜的方向延伸。另一方面,在图5中的左侧中段的副像素sp中,间隙sl沿相对于y方向逆时针地以角度θ1倾斜的方向延伸。换言之,图5中,间隙sl在y方向上之字形地延伸。这样,通过以使间隙sl之字形地延伸的方式形成副电极se,能够实现近似的多域(multidomain)的像素布局。
[0068]
部分p2至少具有第3边e3。第3边e3在y方向上延伸。如图5所示,例如第3边e3与在y方向上相邻的副像素sp重叠。在图5中,部分p2还具有第4边e4和第5边e5。第4边e4相对于y方向顺时针地以角度θ2倾斜。第5边e5相对于y方向逆时针地以角度θ2倾斜。角度θ2是锐角,比角度θ1大,例如是15
°
以上90
°
以下。第3边e3位于第4边e4与第5边e5之间,将第4边e4与第5边e5连接。此外,第4边e4及第5边e5分别将向相同方向倾斜的第1边e1及第2边e2连接。
[0069]
图6是表示使像素电极pe、第1共通电极ce1、第2共通电极ce2以及金属层ml重合了的状态的概略平面图。加点的区域是被施加共通电压的区域,加斜线的区域是经由信号线s被施加像素电压的区域。
[0070]
副电极se的部分p1与像素电极pe(第1像素电极)重叠。部分p1的第1边e1与像素电极pe(第1像素电极)重叠。部分p1的第2边e2与其他像素电极pe(第2像素电极)重叠。此外,部分p2也与像素电极pe(第1像素电极)重叠,进而,还与其他像素电极pe(第2像素电极)重
叠。
[0071]
从其他观点而言,多个副电极se之间的间隙sl与多个像素电极pe重叠。
[0072]
上述的遮光层21具有与各像素电极pe重叠的开口ap。在图6的例子中,开口ap与部分p1或部分p2重叠,与间隙sl也重叠。
[0073]
金属层ml及位于其下方的第2共通电极ce2在沿y方向排列的像素电极pe之间与副电极se及间隙sl重叠。这些金属层ml及第2共通电极ce2与第1共通电极ce1为相同电位。
[0074]
上述的第1取向膜17以及第2取向膜23将液晶层lc中包含的液晶分子lm在初始取向方向al上取向。本实施方式中的初始取向方向al与y方向平行。此外,本实施方式中的液晶分子lm的介电常数各向异性为正(正型)。因此,在像素电极pe及共通电极ce(ce1、ce2)之间施加电压的情况下,相对于由此产生的电场的方向以使长轴平行(或与等位线正交)的方式使液晶分子lm旋转的力起作用。
[0075]
在例如着眼于图6中的左上的像素电极pe时,在部分p1的第1边e1中,液晶分子lm向逆时针的第1旋转方向r1旋转。特别是,在由部分p1和部分p2构成的角部c,使液晶分子lm向第1旋转方向r1旋转的力较强地起作用,所以部分p1中的取向稳定。另外,在部分p2,一部分液晶分子lm向与第1旋转方向r1相反的第2旋转方向r2旋转。
[0076]
图7是表示在图6所示的结构下将在像素电极pe与共通电极ce之间形成了5v的电位差的情况下的透射率分布进行了模拟的结果的图。越白的部分透射率越高,越黑的部分透射率越低。该图中,还表示了开口ap的范围。
[0077]
在与开口ap重叠的区域中,在第1边e1,液晶分子lm向同一方向稳定地旋转从而透射率高。另外,在第2边e2,液晶分子lm也向同一方向稳定地旋转从而透射率高。
[0078]
另外,在部分p2的第3边e3,有可能液晶分子lm的旋转方向不一致而透射率下降。但是,这样的区域从开口ap偏离,几乎不对显示品质带来影响。
[0079]
这里,说明与本实施方式比较的比较例。
[0080]
图8是表示比较例的显示装置的结构的概略平面图。图9是表示在图8所示的结构下对在像素电极pe与共通电极ce之间形成了5v的电位差的情况下的透射率分布进行了模拟的结果的图。
[0081]
该比较例中,第1共通电极ce1按每个像素电极pe而具有狭缝slt。狭缝slt是与间隙sl类似的形状。
[0082]
该情况下,在狭缝slt的y方向上的中间部分,与图6的例子相同地,液晶分子lm向同一方向旋转。但是,在狭缝slt的y方向上的两端部,液晶分子lm向相反方向旋转。在这样向相反方向旋转的液晶分子lm之间的区域d中,液晶分子lm的旋转被抑制。
[0083]
图9中,也由于在区域d中液晶分子lm的旋转被抑制,所以在该区域d中透射率显著降低。区域d与开口ap也重叠。因而,显示装置的透射率降低,由此图像的亮度也降低,所以显示品质降低。
[0084]
相对于此,在图6所示的本实施方式的结构下,在y方向上排列的多个像素电极pe中形成有间隙sl。由此,在开口ap内及其附近难以产生低透射率(低亮度)的区域。
[0085]
进而,本实施方式中,间隙sl在与部分p2对应的位置具有第2间隔,所以如上述那样第1边e1及第2边e2处的取向稳定,能够进一步提高透射率。
[0086]
此外,本实施方式中,滤色器层cf配置于第1基板sub1。由此,在发生了第1基板
sub1与第2基板sub2的偏移的情况下也难以产生相邻的副像素sp的混色。
[0087]
进而,在x方向及y方向上都在副像素sp之间配置有金属层ml。由此,相邻的副像素sp的混色进一步被抑制。
[0088]
假如将在图6中被施加像素电压的区域(带斜线的区域)的形状仅通过第1共通电极ce1的狭缝(间隙)实现,则需要高加工精度。特别是,在超过1000ppi的高精细显示装置中,由于制造技术上的l/s的极限,狭缝的加工是极困难的。相对于此,在本实施方式中,被施加像素电压的区域的形状通过将第1共通电极ce1与第2共通电极ce2及金属层ml重叠而实现。该情况下,能够精度良好地形成被施加像素电压的区域的形状。
[0089]
[第2实施方式]
[0090]
对第2实施方式进行说明。关于未特别提及的结构,能够应用与第1实施方式相同的结构。
[0091]
图10是本实施方式中的像素电极pe及金属层ml的概略平面图。本实施方式中,金属层ml设于在x方向上相邻的像素电极pe之间,没有设于在y方向上相邻的像素电极pe之间。
[0092]
第2共通电极ce2例如在像素电极pe的下方沿x方向延伸。各金属层ml与第2共通电极ce2接触。第2共通电极ce2也没有设于在y方向上相邻的像素电极pe之间。
[0093]
图11是表示使像素电极pe、第1共通电极ce1、第2共通电极ce2以及金属层ml重合了的状态的概略平面图。图12是表示将在图11所示的结构下在像素电极pe与共通电极ce之间形成了5v的电位差的情况下的透射率分布进行了模拟的结果的图。
[0094]
图11的例子中,间隙sl及副电极se的形状与图5及图6所示的形状相同。本实施方式中,在y方向上相邻的像素电极pe之间没有配置与共通电极ce电位相同的导电层(金属层ml及第2共通电极ce2)。因此,不对在y方向上相邻的2个像素电极pe之间的区域施加共通电压。
[0095]
由此,在像素电极pe的端部附近液晶分子lm的旋转方向也一致,如图12所示那样各开口ap内及其附近的高透射率的区域被强化。结果,能够提高显示装置1的透射率及亮度。
[0096]
另外,本实施方式中,金属层ml没有配置于在y方向上相邻的副像素sp之间,所以穿过了这些副像素sp的一方的滤色器的光有可能穿过另一方的副像素sp的液晶层lc。但是,在图3所示的像素布局下,由于在y方向上排列有相同颜色的副像素sp,所以即使产生了这样的光,对显示品质的影响也是轻微的。
[0097]
[第3实施方式]
[0098]
对第3实施方式进行说明。关于没有特别提及的结构,能够应用与上述的各实施方式相同的结构。
[0099]
图13是本实施方式中的第1共通电极ce1的概略平面图。本实施方式中的间隙sl在排列于x方向上的多个副像素sp中连续地延伸。
[0100]
间隙sl可以从显示区域da的x方向上的一端向另一端延伸。作为其他例子,间隙sl可以与在显示区域da的x方向上的一端与另一端之间排列的多个副像素sp中的一部分重叠。该情况下,多个间隙sl可以在x方向上排列。
[0101]
各副电极se通过上述的第3接触孔ch3而与第2共通电极ce2连接。例如,第3接触孔
ch3如图13所示那样设置在副电极se的y方向上的宽度最宽的位置。作为其他例子,可以是,各副电极se在周边区域sa中与第2共通电极ce2、其他被施加共通电压的布线连接。
[0102]
与上述的各实施方式相同地,副电极se具有形成上述的第3接触孔ch3的、包括x方向的宽度最宽的位置的多个部分p1、以及将多个部分p1连接的多个部分p2。部分p1配置成,与在x方向上排列的2个副像素sp以及在y方向上排列的2个副像素sp重叠,第3接触孔ch3位于这4个副像素sp的中心。各部分p2分别位于多个部分p1间。部分p2具有比形成第3接触孔ch3的位置的部分p1的y方向上的宽度窄、并且比扫描线g的y方向上的宽度宽的宽度。部分p1和部分p2在x方向上交替排列。部分p1具有相对于y方向顺时针地以角度θ1倾斜的第1边e1和相对于y方向逆时针地以角度θ1倾斜的第2边e2。角度θ1是锐角,例如是15
°
以下。
[0103]
在观察显示区域da的更大的范围的情况下,部分p1和部分p2以交错状配置。此外,各副电极se间的间隙sl在排列于x方向的多个副像素sp中连续地延伸。各副电极se间的y方向上的间隙sl具有第1间隔。
[0104]
部分p2至少具有第3边e3。第3边e3在x方向上延伸。如图13所示,例如,第3边e3与在x方向上相邻的副像素sp重叠。在图13中,部分p1还具有与第3边e3平行的第6边e6。第6边e6位于第1边e1与第2边e2之间,将第1边e1和第2边e2连接。此外,第6边e6与在x方向上相邻的副像素sp重叠。
[0105]
图14是表示使像素电极pe、第1共通电极ce1、第2共通电极ce2以及金属层ml重合了的状态的概略平面图。图15是表示对在图14所示的结构下在像素电极pe与共通电极ce之间形成了5v的电位差的情况下的透射率分布进行了模拟的结果的图。在图14的例子中,第2共通电极ce2及金属层ml的形状与图4所示的它们的形状相同。
[0106]
副电极se的部分p1与排列于x方向的各个副像素sp中配置的像素电极pe(第1像素电极及第2像素电极)重叠。部分p1的第1边e1与像素电极pe(第1像素电极)重叠,第2边e2与其他像素电极pe(第2像素电极)重叠。此外,部分p1的第6边e6也与排列于x方向的各个副像素sp中配置的像素电极pe(第1像素电极及第2像素电极)重叠。进而,相邻的副电极se的部分p2也与排列于x方向的各个副像素sp中配置的像素电极pe(第1像素电极及第2像素电极)重叠。金属层ml及第2共通电极ce2在x方向上的相邻的像素电极pe之间重叠于部分p2的中央部分。由此,被施加像素电压的区域(带斜线的区域)以及被施加共通电压的区域(加点的区域)的各形状与图6的例子大致相同。因而,图15所示的透射率分布也成为与图7的透射率分布类似的分布。
[0107]
从其他观点而言,多个副电极se之间的间隙sl与多个像素电极pe重叠。
[0108]
本实施方式的结构也能够与上述的各实施方式同样地提高显示装置1的透射率及亮度。此外,例如关于第1及第2实施方式所公开的副电极se,有难以得到副电极se的微细形状的情况。对此,在本实施方式中,通过在x方向上延伸的部分p2实现了与第1及第2实施方式所公开的副电极se相同的功能。这样的部分p2相比于第1及第2实施方式所公开的副电极se能够精度良好地形成。
[0109]
[第4实施方式]
[0110]
对第4实施方式进行说明。关于没有特别提及的结构,能够应用与上述的各实施方式相同的结构。
[0111]
图16是本实施方式的显示装置1的第1基板sub1的概略剖面图。本实施方式中,金
属层ml配置在第1共通电极ce1与第1取向膜17之间,与第1共通电极ce1接触。金属层ml也可以配置在第1共通电极ce1与第6绝缘层16之间。此外,除了与第1共通电极ce1接触的金属层ml以外,可以还设置与第2共通电极ce2接触的金属层ml。
[0112]
如图16所示,在金属层ml与第4接触孔ch4重叠的情况下,能够遮挡向第4接触孔ch4入射的光l。由此,能够缓和第4接触孔ch4的附近的不稳定的液晶分子的取向对显示品质带来的影响。特别是,在对第1基板sub1设置滤色器层cf的情况下,第4接触孔ch4的尺寸变大,从而该效果显著。
[0113]
图17是本实施方式中的像素电极pe、第2共通电极ce2以及金属层ml的概略平面图。这里,对金属层ml施加向右下降的斜线,对像素电极pe施加向右上升的斜线。金属层ml是与图4的例子相同的在相邻的副像素sp之间穿过的格子状。第2共通电极ce2的形状例如与图4的例子相同。另外,本实施方式中也可以不设置第2共通电极ce2。
[0114]
图18是本实施方式中的第1共通电极ce1的概略平面图。图18中,第1共通电极ce1的与各副像素sp重叠的部分p1形成为岛状。本实施方式中,如第3实施方式那样,没有设置将多个部分p1连接的在x方向上延伸的部分p2。另外,部分p1的结构与第3实施方式相同。
[0115]
即,第1共通电极ce1具有网眼状的间隙sl。从其他观点而言,第1共通电极ce1具有相互独立的岛状的多个副电极se。
[0116]
图19是表示使像素电极pe、第1共通电极ce1、第2共通电极ce2以及金属层ml重合了的状态的概略平面图。图20是表示对在图19所示的结构下在像素电极pe与共通电极ce之间形成了5v的电位差的情况下的透射率分布进行了模拟的结果的图。
[0117]
多个副电极se通过金属层ml而电连接。副电极se的第1边e1及第2边e2与在排列于x方向的各个副像素sp中配置的像素电极pe重叠。进而,副电极se间的间隙sl也一部分与各像素电极pe重叠。由此,被施加像素电压的区域(施加向右上升的斜线的区域)的形状与图14的例子相同。
[0118]
此外,像素电极pe之间的区域与被施加共通电压的金属层ml及其下方的第2共通电极ce2重叠。因此,被施加共通电压的区域(加点的区域和施加向右下降的斜线的区域)的形状也与图14的例子相同。图20所示的透射率分布也与图15的透射率分布相同。
[0119]
本实施方式的结构也能够与上述的各实施方式同样地提高显示装置1的透射率及亮度。此外,本实施方式中,通过岛状的副电极se和金属层ml的组合形成像素电压的区域。该情况下,能够与各个要素的制造技术上的l/s的极限无关地进一步精度良好地形成该像素电压的区域。
[0120]
这里,对第1~第4实施方式的结构的作用进行说明。
[0121]
图21是用于对上述的比较例及各实施方式的透射率进行比较的表。比较例及各实施方式的透射率分别表示图9、图7、图12、图15及图20中的开口ap内的透射率分布的平均值。这些数值是将比较例的数值设为1.00的相对值。
[0122]
从这些表可以明确到,在第1~第4实施方式中透射率均大于比较例。由此可知,通过采用第1~第4实施方式的结构,能够改善显示装置的显示品质。
[0123]
另外,在各实施方式中,例示了共通电极ce具备第1共通电极ce1和第2共通电极ce2的情况。但是,共通电极ce也可以不具备第2共通电极ce2。
[0124]
此外,在各实施方式中,例示了液晶层lc包含介电常数各向异性为正的液晶分子
的情况。但是,液晶层lc也可以包含介电常数各向异性为负(负型)的液晶分子。该情况下,使初始取向方向al与x方向平行即可。
[0125]
以上,基于作为本发明的实施方式而说明的显示装置,本领域技术人员适当实施设计变更而得到的全部显示装置也只要包含本发明的主旨就属于本发明的范围。
[0126]
在本发明的思想范畴中,本领域技术人员能够想到各种变形例,这些变形例也应理解为属于本发明的范围。例如,对于上述的各实施方式,本领域技术人员适当进行构成要素的追加、删除或设计变更而得到的、或者进行工序的追加、省略或条件变更而得到的也只要具备本发明的主旨就包含在本发明的范围内。
[0127]
此外,关于在上述的各实施方式中描述的形态所带来的其他作用效果,从本说明书的记载明确得到的、或者本领域技术人员能够适当想到的当然应理解为是由本发明带来的。
[0128]
标记说明
[0129]1…
液晶显示装置,pnl

显示面板,sub1

第1基板,sub2

第2基板,lc

液晶层,px

像素,sp

副像素,pe

像素电极,ce1

第1共通电极,ce2

第2共通电极,ml

金属层,sl

间隙,p1,p2

副电极的部分,se

副电极,ap

开口,al

初始取向方向。
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

发表评论 共有条评论
用户名: 密码:
验证码: 匿名发表

相关文献