mems探针表层绝缘涂层的制备方法
技术领域
1.本发明涉及mems探针技术领域，具体涉及一种mems探针表层绝缘涂层的制备方法。
背景技术：
2.mems探针是针对的soc测试市场，这一类产品pitch相对比较小，都在60um到150um之间，未来有向更小间距发展的趋势。由于产品pitch很小，所以探针和探针之间隔离间隙也越来越小，mems探针在下压过程中会产生弯曲，但是相邻的2个探针的弯曲形态可能并不是完整一样的，所以实际测试中有短路的风险。
3.现有技术中，一般通过控制加工精度和变形公差来控制短路的风险，但是这样的控制非常有限，而且大大增加了探针卡的成本。
技术实现要素：
4.本发明的目的在于提供一种mems探针表层绝缘涂层的制备方法，用以解决现有技术中相邻的探针在测试过程容易发生短路风险，且通过控制加工精度和变形公差控制程度有限且成本高的问题。
5.本发明提供了一种mems探针表层绝缘涂层的制备方法，包括如下步骤：
6.(1)将mems探针放置在真空纳米涂层设备的沉积室；
7.(2)将粉末状的纳米原材料放入真空纳米涂层设备的蒸发室；
8.(3)纳米原材料在蒸发室内蒸发为气态分子，气态分子并进入裂解室；
9.(4)气态分子在裂解室内裂解为反应活性的单体，反应活性的单体在沉积室聚合并在mems探针表面形成一层致密无孔的纳米镀膜；
10.(5)将镀膜结束的mems探针取出并整列在排列治具上；
11.(6)将整列好mems探针的治具放置到激光加工平台，利用激光将探针针头和针尾的绝缘涂层剥离。
12.进一步的，步骤(1)中所述纳米原材料为派瑞林d。
13.进一步的，步骤(3)中所述蒸发室的温度为150℃-180℃。
14.进一步的，步骤(3)中进入裂解室的气态分子为直径在15nm以下的纳米气态分子。
15.进一步的，步骤(4)中所述裂解室的温度为650℃-750℃。
16.进一步的，步骤(4)中所述纳米镀膜的厚度为1-5微米。
17.进一步的，步骤(6)中利用450nm的蓝色激光进行涂层剥离。
18.采用上述本发明技术方案的有益效果是：
19.本发明在mems探针的中间区域生长一层纳米绝缘涂层，可以有效防止相邻探针接触短路的风险；通过派瑞林母粒利用真空气相趁机制备聚对二甲苯绝缘涂层，可以耐受1000v以上的高压。
附图说明
20.图1为本发明mems探针表层绝缘涂层的制备方法工作流程图。
具体实施方式
21.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
22.如图1所示，本发明提供了一种mems探针表层绝缘涂层的制备方法，包括如下步骤：
23.(1)将mems探针放置在真空纳米涂层设备的沉积室内等待镀层；
24.(2)将粉末状的纳米原材料放入真空纳米涂层设备的蒸发室；
25.(3)纳米原材料在蒸发室内蒸发为气态分子，气态分子并进入裂解室；
26.(4)气态分子在裂解室内裂解为反应活性的单体，反应活性的单体在沉积室聚合并在mems探针表面形成一层致密无孔的纳米镀膜；
27.(5)将镀膜结束的mems探针取出并整列在排列治具上；
28.(6)将整列好mems探针的治具放置到激光加工平台，利用激光将探针针头和针尾的绝缘涂层剥离。
29.具体的，步骤(1)中所述纳米原材料为派瑞林d，但不限于派瑞林材料。
30.具体的，步骤(3)中所述蒸发室的温度为150℃-180℃，步骤(4)中所述裂解室的温度为650℃-750℃。
31.具体的，步骤(3)中进入裂解室的气态分子为直径在15nm以下的纳米气态分子，提高涂层的均匀性。
32.具体的，步骤(4)中所述纳米镀膜的厚度为1-5微米，确保绝缘性且厚度薄。
33.具体的，步骤(6)中利用450nm的蓝色激光进行涂层剥离，但不限于蓝色激光。
34.综上，本发明在mems探针的中间区域生长一层纳米绝缘涂层，可以有效防止相邻探针接触短路的风险；通过派瑞林母粒利用真空气相趁机制备聚对二甲苯绝缘涂层，可以耐受1000v以上的高压。
35.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
技术特征：
1.一种mems探针表层绝缘涂层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将mems探针放置在真空纳米涂层设备的沉积室；(2)将粉末状的纳米原材料放入真空纳米涂层设备的蒸发室；(3)纳米原材料在蒸发室内蒸发为气态分子，气态分子并进入裂解室；(4)气态分子在裂解室内裂解为反应活性的单体，反应活性的单体在沉积室聚合并在mems探针表面形成一层致密无孔的纳米镀膜；(5)将镀膜结束的mems探针取出并整列在排列治具上；(6)将整列好mems探针的治具放置到激光加工平台，利用激光将探针针头和针尾的绝缘涂层剥离。2.根据权利要求1所述的mems探针表层绝缘涂层的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述纳米原材料为派瑞林d。3.根据权利要求1所述的mems探针表层绝缘涂层的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述蒸发室的温度为150℃-180℃。4.根据权利要求1所述的mems探针表层绝缘涂层的制备方法，其特征在于，步骤(3)中进入裂解室的气态分子为直径在15nm以下的纳米气态分子。5.根据权利要求1所述的mems探针表层绝缘涂层的制备方法，其特征在于，步骤(4)中所述裂解室的温度为650℃-750℃。6.根据权利要求1所述的mems探针表层绝缘涂层的制备方法，其特征在于，步骤(4)中所述纳米镀膜的厚度为1-5微米。7.根据权利要求1所述的mems探针表层绝缘涂层的制备方法，其特征在于，步骤(6)中利用450nm的蓝色激光进行涂层剥离。
技术总结
本发明涉及一种MEMS探针表层绝缘涂层的制备方法，包括如下步骤：将MEMS探针放置在真空纳米涂层设备的沉积室；将纳米原材料放入真空纳米涂层设备的蒸发室；纳米原材料在蒸发室内蒸发为气态分子并进入裂解室；气态分子在裂解室内裂解为反应活性的单体，反应活性的单体在沉积室聚合并在MEMS探针表面形成纳米镀膜；将镀膜的MEMS探针取出并整列在排列治具上；将整列好MEMS探针的治具放置到激光加工平台，利用激光将探针针头和针尾的绝缘涂层剥离。本发明在MEMS探针的中间区域生长纳米绝缘涂层，可以有效防止相邻探针接触短路的风险；通过派瑞林母粒利用真空气相趁机制备聚对二甲苯绝缘涂层，可以耐受1000V以上的高压。可以耐受1000V以上的高压。可以耐受1000V以上的高压。
技术研发人员：殷岚勇 施元军 刘凯
受保护的技术使用者：苏州晶晟微纳半导体科技有限公司
技术研发日：2021.12.24
技术公布日：2022/4/1
再多了解一些
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