用于载波聚合的放大器电路的制作方法

技术特征：
1.放大器电路，所述放大器电路能够在载波聚合模式和非载波聚合模式下操作，所述放大器电路包括：输入端口，所述输入端口被配置为从天线接收射频信号；变压器电路，所述变压器电路耦合到所述输入端口；第一放大器，所述第一放大器耦合到所述变压器电路；以及第二放大器，所述第二放大器耦合到所述变压器电路，所述第一放大器和所述第二放大器各自包括：共栅放大器级，所述共栅放大器级具有耦合到所述变压器电路的输入端并且具有输出端，共源放大器级，所述共源放大器级与所述共栅放大器级的输出端耦合并且耦合到共源偏置电压，所述共源偏置电压被配置为在所述载波聚合模式和所述非载波聚合模式下激活和停用所述共源放大器级，以及输出端口，所述输出端口与所述共栅放大器级的输出端耦合。2.根据权利要求1所述的放大器电路，其中，所述变压器电路包括：初级线圈，所述初级线圈具有耦合到所述输入端口的第一端子和耦合到接地线的第二端子；第一可调电容器，所述第一可调电容器串联耦合在所述输入端口和所述第一端子之间；以及第二可调电容器，所述第二可调电容器具有耦合到所述输入端口的第一端子以及耦合到所述接地线的第二端子。3.根据权利要求2所述的放大器电路，其中，所述变压器电路包括：第一次级线圈，所述第一次级线圈与所述第一放大器中的共栅放大器级的输入端耦合；第三可调电容器，所述第三可调电容器与所述第一次级线圈并联耦合并且被配置为在所述非载波聚合模式和所述载波聚合模式下控制所述第一放大器的输入阻抗；第二次级线圈，所述第二次级线圈与所述第二放大器中的共栅放大器级的输入端耦合；以及第四可调电容器，所述第四可调电容器与所述第二次级线圈并联耦合并且被配置为在所述非载波聚合模式和所述载波聚合模式下控制所述第二放大器的输入阻抗。4.根据权利要求1所述的放大器电路，其中，所述第一放大器和所述第二放大器中的每一者中的共栅放大器级包括：第一晶体管，所述第一晶体管具有与所述共栅放大器级的输入端耦合的源极端子、与所述共栅放大器级的输出端耦合的漏极端子、以及栅极端子；第二晶体管，所述第二晶体管具有与所述共栅放大器级的输入端耦合的源极端子、与所述共栅放大器级的输出端耦合的漏极端子、以及栅极端子；第一电容器，所述第一电容器具有与所述第一晶体管的栅极端子耦合的第一端子并且具有与所述第二晶体管的源极端子耦合的第二端子；以及第二电容器，所述第二电容器具有与所述第二晶体管的栅极端子耦合的第一端子并且具有与所述第一晶体管的源极端子耦合的第二端子。
5.根据权利要求1所述的放大器电路，其中，所述第一放大器和所述第二放大器中的每一者包括共源共栅放大器级，所述共源共栅放大器级具有：输入端，所述输入端与所述共栅放大器级的输出端耦合；输出端，所述输出端耦合到所述输出端口；第一晶体管，所述第一晶体管具有与所述共源共栅放大器级的输入端耦合的源极端子、与所述共源共栅放大器级的输出端耦合的漏极端子、以及耦合到共源共栅偏置线的栅极端子；以及第二晶体管，所述第二晶体管具有与所述共源共栅放大器级的输入端耦合的源极端子、与所述共源共栅放大器级的输出端耦合的漏极端子、以及耦合到所述共源共栅偏置线的栅极端子。6.根据权利要求5所述的放大器电路，其中，所述第一放大器和所述第二放大器中的每一者中的共源放大器级包括：第三晶体管，所述第三晶体管具有耦合到接地线的源极端子、与所述第一晶体管的源极端子耦合的栅极端子、以及与所述第二晶体管的漏极端子耦合的漏极端子；以及第四晶体管，所述第四晶体管具有耦合到接地线的源极端子、与所述第二晶体管的源极端子耦合的栅极端子、以及与所述第一晶体管的漏极端子耦合的漏极端子。7.根据权利要求1所述的放大器电路，其中，所述第一放大器和所述第二放大器各自包括：输出线圈，所述输出线圈具有耦合到所述输出端口的第一端子、耦合到所述输出端口的第二端子、以及耦合到正电源线的中心抽头。8.根据权利要求7所述的放大器电路，其中，所述第一放大器和所述第二放大器各自包括：可调输出电容器，所述可调输出电容器具有与所述输出线圈的第一端子耦合的第一端子以及与所述输出线圈的第二端子耦合的第二端子。9.根据权利要求1所述的放大器电路，其中，所述变压器电路包括：初级线圈，所述初级线圈具有耦合到所述输入端口的第一端子以及耦合到接地线的第二端子；以及次级线圈，所述次级线圈具有与所述第一放大器和所述第二放大器耦合的第一端子以及与所述第一放大器和所述第二放大器耦合的第二端子。10.根据权利要求9所述的放大器电路，其中，所述第一放大器和所述第二放大器中的每一者中的共栅放大器级包括：第一晶体管，所述第一晶体管具有与所述共栅放大器级的输入端耦合的源极端子、与所述共栅放大器级的输出端耦合的漏极端子、以及栅极端子；第二晶体管，所述第二晶体管具有与所述共栅放大器级的输入端耦合的源极端子、与所述共栅放大器级的输出端耦合的漏极端子、以及栅极端子；第一电容器，所述第一电容器具有与所述第一晶体管的栅极端子耦合的第一端子以及与所述第二晶体管的源极端子耦合的第二端子；以及第二电容器，所述第二电容器具有与所述第二晶体管的栅极端子耦合的第一端子以及与所述第一晶体管的源极端子耦合的第二端子。
11.根据权利要求10所述的放大器电路，其中，所述第一放大器和所述第二放大器中的每一者中的共栅放大器级包括：第一组开关，所述第一组开关被配置为在所述非载波聚合模式和所述载波聚合模式下激活和停用所述第一电容器和所述第二电容器；以及第二组开关，所述第二组开关被配置为将所述第一晶体管的栅极端子和所述第二晶体管的栅极端子耦合到共栅偏置线。12.根据权利要求9所述的放大器电路，其中，所述放大器电路包括在所述第一放大器和所述第二放大器之间共享的仅一个共栅放大器级，所共享的共栅放大器级包括：第一晶体管，所述第一晶体管具有与所述次级线圈的第一端子耦合的源极端子、与所述第一放大器和所述第二放大器耦合的漏极端子、以及栅极端子；第二晶体管，所述第二晶体管具有与所述次级线圈的第二端子耦合的源极端子、与所述第一放大器和所述第二放大器耦合的漏极端子、以及栅极端子；第一电容器，所述第一电容器具有与所述第一晶体管的栅极端子耦合的第一端子以及与所述第二晶体管的源极端子耦合的第二端子；第二电容器，所述第二电容器具有与所述第二晶体管的栅极端子耦合的第一端子以及与所述第一晶体管的源极端子耦合的第二端子；第一组开关，所述第一组开关被配置为在所述非载波聚合模式和所述载波聚合模式下激活和停用所述第一电容器和所述第二电容器；以及第二组开关，所述第二组开关被配置为将所述第一晶体管的栅极端子和所述第二晶体管的栅极端子耦合到共栅偏置线。13.一种操作放大器电路的方法，包括：通过输入端口从天线接收射频信号；通过变压器电路将来自所述输入端口的射频信号耦合到第一放大器；通过所述变压器电路将来自所述输入端口的射频信号耦合到第二放大器；通过所述第一放大器和所述第二放大器中的每一者中的共栅放大器级从所述变压器电路接收所述射频信号并且输出对应的放大信号；通过所述第一放大器和所述第二放大器中的每一者中的共源放大器级接收所述放大信号并且输出对应的载波聚合输出信号；以及在载波聚合模式和非载波聚合模式下调节所述第一放大器和所述第二放大器中的每一者中的共源放大器级中的共源偏置电压。14.根据权利要求13所述的方法，还包括：通过耦合到所述第一放大器的第一输入电容器在所述载波聚合模式和所述非载波聚合模式下调谐所述第一放大器的输入阻抗；以及通过耦合到所述第二放大器的第二输入电容器在所述载波聚合模式和所述非载波聚合模式下调谐所述第二放大器的输入阻抗。15.根据权利要求13所述的方法，还包括：通过第一组开关在所述非载波聚合模式和所述载波聚合模式下激活和停用所述共栅放大器级中的一组交叉耦合的电容器。16.根据权利要求15所述的方法，还包括：
通过第二组开关在所述载波聚合模式和所述非载波聚合模式下将所述共栅放大器级耦合到共栅偏置电压以及将所述共栅放大器级从所述共栅偏置电压解耦。17.一种能够在载波聚合模式和非载波聚合模式下操作的电子设备，包括：天线，所述天被配置为接收射频信号；收发器，所述收发器被配置为基于所述射频信号生成基带信号；基带处理器，所述基带处理器被配置为接收所述基带信号；以及放大器电路，所述放大器电路被配置为从所述天线接收所述射频信号并且向所述收发器输出对应的放大信号，所述放大器电路具有：输入端口，变压器电路，所述变压器电路耦合到所述输入端口，共栅放大器级，所述共栅放大器级具有耦合到所述变压器电路的输入端并且具有输出端，共源放大器级，所述共源放大器级与所述共栅放大器级的输出端耦合并且耦合到共源偏置电压，所述共源偏置电压被配置为在所述非载波聚合模式和所述载波聚合模式下控制所述共源放大器级，以及输出端口，所述输出端口与所述共栅放大器级的输出端耦合。18.根据权利要求17所述的电子设备，其中，所述放大器电路还包括：附加共栅放大器级，所述附加共栅放大器级具有耦合到所述变压器电路的输入端并且具有输出端；以及附加共源放大器级，所述附加共源放大器级与所述附加共栅放大器级的输出端耦合并且还耦合到所述共源偏置电压。19.根据权利要求17所述的电子设备，其中所述变压器电路包括初级线圈，所述初级线圈具有耦合到所述输入端口的第一端子以及耦合到地的第二端子，所述变压器电路包括次级线圈，所述次级线圈与所述共栅放大器级的输入端耦合，并且所述放大器电路包括可调电容器，所述可调电容器与所述次级线圈并联耦合并且被配置为在所述非载波聚合模式和所述载波聚合模式下调谐所述共栅放大器级的输入阻抗。20.根据权利要求17所述的电子设备，其中，所述放大器电路包括共源共栅放大器级，所述共源共栅放大器级具有与所述共栅放大器级的输出端耦合的输入端以及与所述输出端口耦合的输出端，并且其中，所述共栅放大器级包括：第一晶体管，所述第一晶体管具有耦合到所述变压器电路的源极端子、与所述共源共栅放大器级的输入端耦合的漏极端子、以及栅极端子；第二晶体管，所述第二晶体管具有耦合到所述变压器电路的源极端子、与所述共源共栅放大器级的输入端耦合的漏极端子、以及栅极端子；第一电容器，所述第一电容器具有与所述第一晶体管的栅极端子耦合的第一端子以及与所述第二晶体管的源极端子耦合的第二端子；第二电容器，所述第二电容器具有与所述第二晶体管的栅极端子耦合的第一端子以及与所述第一晶体管的源极端子耦合的第二端子；
第一组开关，所述第一组开关被配置为在所述非载波聚合模式和所述载波聚合模式下激活和停用所述第一电容器和所述第二电容器；以及第二组开关，所述第二组开关被配置为将所述第一晶体管的栅极端子和所述第二晶体管的栅极端子耦合到共栅偏置线。

技术总结
本公开涉及用于载波聚合的放大器电路。一种电子设备，该电子设备可包括具有基带处理器、收发器电路、前端模块和天线的无线电路。该前端模块可包括放大器电路，诸如用于放大所接收的射频信号的低噪声放大器。该放大器电路能够在非载波聚合模式和载波聚合模式下操作。该放大器电路可包括输入变压器，该输入变压器耦合到多个放大器级，诸如共栅放大器级、共源共栅放大器级和共源放大器级。该共栅放大器级可包括开关，该开关用于选择性地激活一组交叉耦合的电容器，以帮助保持在该非载波聚合模式和该载波聚合模式下的输入阻抗匹配。该共源放大器级可包括附加开关，该附加开关用于激活和停用该共源放大器级，以帮助保持在该非载波聚合模式和该载波聚合模式下的增益。模式和该载波聚合模式下的增益。模式和该载波聚合模式下的增益。


技术研发人员：S
受保护的技术使用者：苹果公司
技术研发日：2021.09.18
技术公布日：2022/3/29