加热装置和加热方法与流程

1.本发明涉及加热装置和加热方法。


背景技术：

2.专利文献1公开了一种用于在被保持为真空的真空室与大气气氛的空间之间输送基片的负载锁定装置。该负载锁定装置包括：能够使压力在真空室所对应的压力与大气压之间改变的容器；被设置成能够在该容器与真空室之间开闭的第一开闭机构；以及被设置成能够在该容器与大气气氛的空间之间开闭的第二开闭机构。而且，负载锁定装置还包括压力调节机构，其能够在将第一开闭机构打开而容器内与真空室连通时，将容器内的压力调节为与真空度对应的压力，并在将第二开闭机构打开而容器内与大气气氛的空间连通时，将容器内的压力调节为大气压。此外，负载锁定装置包括设置于容器内的载置基片的载置台和对设置于载置台的基片进行加热的加热机构，加热机构具有搭载了固态发光元件的加热源。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2009-76705号公报


技术实现要素：

6.发明要解决的技术问题
7.本发明的技术即使在使用输出功率小的电源的情况下，也能够用来自发光元件的光对基片进行加热。
8.用于解决技术问题的技术方案
9.本发明的一方面为一种加热基片的加热装置，其包括：支承基片的支承部；和光照射单元，其通过照射光来加热支承于上述支承部的基片，上述光照射单元被设定多个区块，按各上述区块，对支承于上述支承部的基片的一个面的彼此不同的部分照射光，在由上述光照射单元进行加热时，多个上述区块中所使用的上述区块为一部分并依次被切换。
10.发明效果
11.依照本发明，即使使用输出功率小的电源，也能够用来自发光元件的光对基片进行加热。
附图说明
12.图1是表示作为包括第一实施方式的加热装置的基片处理系统的晶片处理系统的概要结构的俯视图。
13.图2是表示负载锁定装置的概要结构的纵截面图。
14.图3是表示加热部的概要结构的截面图。
15.图4是说明光照射单元的区块划分的方式的俯视图。
16.图5是说明各区块的区域划分的方式的俯视图。
17.图6是用于说明加热用区块的切换方式的图。
18.图7是表示作为第二实施方式的加热装置的负载锁定装置的概要结构的纵截面图。
19.图8是表示保温板的概要结构的俯视图。
20.图9是用于说明光照射单元的区块划分的另一例的俯视图。
21.图10是表示区域组的概要的俯视图。
22.图11是说明光照射单元的区块划分的又一例的图。
23.附图标记说明
24.12、13负载锁定装置
25.120
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支承销
26.r
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区域
27.u
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光照射单元
28.w
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晶片
29.z
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区块。
具体实施方式
30.在半导体装置的制造过程等中，进行加热半导体晶片(以下称为“晶片”)等基片的处理。
31.作为基片的加热处理的方式，如专利文献1那样，有使用由在支承体搭载多个固体发光元件而成的多个固体发光元件阵列构成的加热源的方式。在专利文献1中，通过使作为加热对象体的基片吸收固体发光元件产生的电磁波(光)来加热基片。
32.如专利文献1，在使用由多个固态发光元件阵列构成的加热源的情况下，例如同时利用所有多个固态发光元件阵列，来加热基片。然而，在同时利用所有多个固态发光元件阵列的情况下，作为对加热源供给功率的电源，需要输出功率大的电源。输出功率大的电源既昂贵又大。
33.因此，本发明的技术即使在使用输出功率小的电源的情况下，也能够用来自发光元件的光对基片进行加热。
34.以下，参照附图，对本实施方式的加热装置和加热方法进行说明。此外，在本说明书和附图中，对于具有基本相同的功能构成的要素标注相同的附图标记，而省略重复说明。
35.(第一实施方式)
36.图1是表示作为包括第一实施方式的加热装置的基片处理系统的晶片处理系统1的概要结构的俯视图。晶片处理系统1对作为基片的晶片w，在减压下进行例如成膜处理、扩散处理、蚀刻处理等规定的处理。
37.晶片处理系统1具有将承载器站10和处理站11连接为一体的结构，承载器站10送入送出能够收纳多个晶片w的承载器c，处理站11包括在减压下对多个晶片w实施规定的处理的各种处理装置。承载器站10和处理站11经由两个负载锁定装置12、13连结。
38.负载锁定装置12、13具有形成负载锁定室12a、13a的壳体，负载锁定室12a、13a构成为能够将室内在大气压状态与真空状态之间切换。负载锁定装置12、13被设置成能够将
后述的大气压输送装置20和真空输送装置30连结。负载锁定装置12如后所述具有加热部，在本实施方式中也作为加热晶片w的加热装置发挥作用，具体而言，作为在将晶片w输送到处理装置40～43之前加热晶片w的加热装置发挥作用。负载锁定装置13也是同样的。负载锁定装置12的详细结构在后文说明。
39.承载器站10具有大气压输送装置20和承载器载置台21。此外，在承载器站10可以还设置有调节晶片w的朝向的对准器(未图示)。
40.大气压输送装置20具有形成室内处于大气压下的大气输送室22的壳体。大气输送室22经由闸门(gate valve)g1、g2与负载锁定装置12、13的负载锁定室12a、13a连接。在大气输送室22内设置有在大气压下在其与负载锁定室12a、13a之间输送晶片w的输送机构23。
41.输送机构23具有两个输送臂23a、23b。输送臂23a、23b由在前端设置有作为保持晶片w的基片保持部的晶片保持部的多关节臂构成。而且，输送机构23构成为由输送臂23a、23b中的任一者一边保持晶片w一边输送晶片w。
42.承载器载置台21在大气压输送装置20中设置于负载锁定装置12、13的相反侧的侧面。在图示的例子中，在承载器载置台21能够载置多个(例如，3个)承载器c。载置于承载器载置台21的承载器c内的晶片w，由大气压输送装置20的输送机构23的输送臂23a、23b送入送出大气输送室22。
43.处理站11具有真空输送装置30和处理装置40～43。
44.真空输送装置30具有形成室内被保持为减压状态(真空状态)的真空输送室31的壳体，该壳体构成为可密闭的，例如形成为在俯视时呈大致多边形状(图示的例子中为六边形)。真空输送室31经由闸门g3、g4与负载锁定装置12、13的负载锁定室12a、13a连接。在真空输送室31内设置有在与处理装置40～43的后述的真空处理室44～47之间输送晶片w的输送机构32。
45.输送机构32具有两个输送臂32a、32b和基座32c。输送臂32a、32b分别由在前端设置有保持晶片w的输送拾取器32d、32e的多关节臂构成。基座32c对输送臂32a、32b各自的根端部分进行轴支承。而且，输送机构32构成为由输送臂32a、32b中的任一者一边保持晶片w一边输送晶片w。
46.在形成真空输送装置30的真空输送室31的壳体的外侧，以包围上述壳体的周围的方式配置有处理装置40～43和负载锁定装置12、13。负载锁定装置12、处理装置40～43和负载锁定装置13例如被配置成从负载锁定装置12起沿俯视时的顺时针方向依次排列，并且分别与形成真空输送室31的上述壳体的侧面部相对。
47.处理装置40～43在减压下对晶片w实施例如成膜处理、扩散处理、蚀刻处理等规定的处理。此外，处理装置40～43分别具有形成在减压下的室内对晶片w进行上述规定的处理的真空处理室44～47的壳体。真空处理室44～47分别经由作为隔断阀门的闸门g5～g8与真空输送装置30的真空输送室31连接。
48.另外，对于处理装置40～43，能够任意地选择进行与晶片处理的目的相应的处理的装置。
49.在以上晶片处理系统1设置有控制装置50。控制装置50例如是包括cpu、存储器等的计算机，具有程序存储部(未图示)。在程序存储部存储有控制晶片处理系统1中的晶片处理的程序。具体而言，程序存储部存储有决定各晶片w输送安排的程序、确定处理装置40～
43各自的处理安排的程序等。这些程序可以记录在计算机可读取的存储介质h中，从该存储介质h安装到控制装置50。
50.下面，使用图2～图6，对负载锁定装置12进行说明。图2是表示负载锁定装置12的概要结构的纵截面图。图3是表示后述的加热部的概要结构的截面图。图4是说明后述的光照射单元u的区块划分的方式的俯视图。图5是说明各区块的区域划分的方式的俯视图。图6是用于说明后述的加热用区块的切换方式的图。此外，由于负载锁定装置13的结构与负载锁定装置12的结构相同，因此省略其说明。
51.如图2所示，负载锁定装置12具有构成为内部能够减压的壳体100。
52.在壳体100的彼此相对的侧壁分别形成有送入送出口101a、101b，在送入送出口101a、101b分别设置有闸门g1、g3。
53.在壳体100的底壁形成有用于将壳体100的内部的气氛减压到规定的真空度的排气口102。在排气口102连接有具有真空泵等的排气机构110。
54.另外，在壳体100的底壁形成有用于使壳体100的内部恢复到大气压气氛的供气口103。在供气口103连接有供给例如n2气体等非活性气体的气体供给机构111。
55.另外，在壳体100的内部，设置有多个杆状的支承销120作为支承晶片w的支承部。各支承销120被设置成能够从底壁伸出到上方。
56.另外，在壳体100的顶壁形成有开口104，以堵住该开口104的方式设置有光学窗105。光学窗105由使来自后述的led的光透射的材料形成。
57.在位于框体100的外侧的光学窗105的上方，设置有利用光加热支承于支承销120的晶片w的加热部130。加热部130以隔着光学窗105与支承销120相对的方式配置。
58.如图3所示，加热部130具有光照射单元u。光照射单元u通过照射光来加热支承于支承销120的晶片w。光照射单元u在俯视时具有与晶片w对应的形状，例如形成为在俯视下呈圆形。
59.该光照射单元u具有例如多个面向晶片w的led 131作为发光元件。具体而言，光照射单元u具有多个单位单元t，该单位单元t是将多个led 131单元化而成的。在各单位单元t中，多个led 131串联连接。此外，作为发光元件，也可以使用led以外的固体发光元件。
60.各led 131向晶片w照射光。各led 131出射能够加热si制的晶片w的光，例如近红外光、紫外光。从led 131出射的光(以下有时省略为“led光”)透过光学窗105，透过了光学窗105的光入射到支承于支承销120的晶片w。
61.光照射单元u构成为能够用整个该光照射单元u，对支承于支承销120的晶片w的整个表面照射led光。
62.另外，加热部130具有搭载光照射单元u的基部132。基部132形成为在俯视时呈直径略大于光学窗105的圆板状，被支承在壳体100的包围光学窗105的部分。此外，基部132例如在其下表面形成有凹部132a，在凹部132a内搭载光照射单元u的单位单元t。
63.在基部132的比凹部132a靠上侧处，形成有供用于冷却led 131的致冷剂流动的冷却流路132b。作为致冷剂，例如可以使用冷却水。基部132由例如al等金属材料形成。
64.另外，加热部130具有控制led 131的点亮的控制基板133。控制基板133包括例如处理器、存储器等，搭载在基部132的上表面。此外，控制基板133与对光照射单元u供给功率的电源(未图示)连接。此外，在控制基板133设置有一个电流传感器134，其检测供给到光照
射单元u的功率的电流值。电流传感器134的检测结果例如被输出到控制装置50。
65.在加热部130中，如图4所示，光照射单元u被划分为多个区块(图的例子中为四个)。换言之，对于光照射单元u，设置有多个(图的例子中为四个)区块z(z1～z4)。在本例中，多个区块z(z1～z4)沿与晶片w的周向一致的光照射单元u的周向(具体而言，以与支承于支承销120的晶片w的中心轴一致的光照射单元u的中心轴为中心的周向)排列。在俯视时，各区块z的形状例如为将光照射单元u沿其周向等间隔地分割多个而成的形状，在图的例子中为四分之一圆状。此外，以下，“周向”是指“光照射单元u的周向”。
66.另外，虽然光照射单元u用所有多个区块z对支承于支承销120的晶片w的整个上表面照射led光，但是也可以按各区块z对上述晶片w的上表面的彼此不同的部分照射led光。例如，光照射单元u中的各区块z，对上述晶片w的上表面的与该区块z相对的部分照射光以进行加热。
67.如图5所示，各区块z被划分为多个区域(图的例子中为14个)。换言之，对于各区块z，设定多个(图的例子中为14个)区域r。在各区域r设置有一个上述的单位单元t。各区域r的俯视时的形状可以如图5所示彼此不同。
68.在加热部130中，当加热支承于支承销120的晶片w时，在控制基板133的控制下，光照射单元u中的用于加热的区块z为多个区块z中的一部分并依次被切换。例如，在控制基板133的控制下，如图6所示，光照射单元u中的用于加热的区块z(以下有时称为“加热用区块”)z为一个，并沿周向顺时针地切换。具体而言，加热用区块z按z1区块
→
z2区块
→
z3区块
→
z4区块
→
z1区块的顺序切换。也就是说，在控制基板133的控制下，以加热用区块z旋转的方式进行该加热用区块z的切换。加热用区块z的切换时机例如为每经过规定时间之时。
69.另外，led光的开(on)/关(off)、led光的强度(即，led 131的光输出)能够由控制基板133按各单位单元t进行控制。因此，光照射单元u能够用各区块z进行仅向支承于支承销120的晶片w中的任意区域照射led光，或者在任意区域与其他区域之间使照射的光的强度不同这样的工作。因此，光照射单元u能够局部地改变支承于支承销120的晶片w的加热方式。
70.另外，关于加热部130，进行光照射单元u的led 131的点亮控制，利用电流传感器134检测此时供给到光照射单元u的功率的电流值，基于该检测结果，进行单位单元t的断线的检测。具体而言，仅对光照射单元u中的多个区块z中的一部分(以下例子中为一个)，同时进行led 131的点亮控制，基于此时的电流传感器134的检测结果，检测属于进行了上述点亮控制的区块z的单位单元t的断线。此外，“led 131的点亮控制”是指进行以规定的光输出点亮led 131的控制。
71.在进行单位单元t的断线检测时，使光照射单元u的多个区块z中的、进行led 131的点亮控制的区块z为一个的理由，如下所述。
72.即，在对所有多个区块z(换言之，对光照射单元u具有的所有单位单元)进行led 131的点亮控制的情况下，因一个单位单元t的断线而在电流传感器134的检测结果中产生的变化很小。例如，在区块z有4个且在一个区块z设置有14个单位单元t，单位单元t的总数为56个的情况下，因一个单位单元t的断线而在电流传感器134的检测结果中产生的变化小到约1.8％。这样，当因单位单元t的断线而在电流传感器134的检测结果中产生的变化小时，难以准确地基于电流传感器134的检测结果检测上述断线。
73.与此相对，在仅对多个区块z中的一个区块z进行led 131的点亮控制的情况下，因属于该区块z的一个单位单元t的断线而在电流传感器134的检测结果中产生的变化大。例如，与上述同样地，在一个区块z设置有14个单位单元t的情况下，因一个单位单元t的断线而在电流传感器134的检测结果中产生的变化大到约7％。这样，当因单位单元t的断线而在电流传感器134的检测结果中产生的变化大时，能够准确地基于电流传感器134的检测结果检测上述断线。
74.另外，上述基于电流传感器134的检测结果对单位单元t的断线的检测，例如由控制装置50进行。
75.下面，说明使用如上述那样构成的晶片处理系统1进行的晶片处理的一例。
76.首先，将输送机构23的输送臂23a插入承载器c内，保持一片晶片w。接着，将输送臂23a从承载器c抽出，并且使闸门g1为打开状态，之后，将输送臂23a从大气压输送装置20插入负载锁定装置12的壳体100内，将晶片w从输送臂23a交接到支承销120。
77.接着，将输送臂23a从负载锁定装置12的壳体100抽出，并且使闸门g1为关闭状态以将负载锁定装置12的壳体100内密闭并减压。在减压开始的同时或者在减压开始之后，开始由加热部130的光照射单元u进行加热。
78.在由光照射单元u进行加热的期间，在控制基板133的控制下，如前所述，沿周向切换加热用区块z。此外，在由光照射单元u进行加热的期间，基于温度计(未图示)的测量结果，对属于加热用区块z的单位单元t的led光的强度进行反馈控制，使得被照射该led光的晶片w的部分为目标温度。
79.另外，在加热的期间，由控制装置50基于电流传感器134的检测结果，检测属于成为加热用区块z的区块z的单位单元t的断线。控制装置50例如基于电流传感器134的检测结果与正常时(完全没有发生单位单元t的断线时)的差分是否超过阈值，来检测是否发生上述断线。此外，该断线的检测例如通常在由光照射单元u进行的加热的初期阶段进行，其后并不进行。这是因为，由于如上述那样进行反馈控制，在光照射单元u的加热的初期阶段，各led 131的光输出固定在最大输出，但是当晶片w的温度接近目标温度时，各led 131的光输出变得不同，即使没有发生断线，电流传感器134的检测结果也会发生变化。
80.另外，正常时的电流传感器134的检测结果(电流值)和上述阈值预先存储在例如控制基板133的存储器(未图示)中。
81.当到了从负载锁定装置12送出晶片w的时机，结束由光照射单元u进行的加热，并且使闸门g3为打开状态，使负载锁定装置12内与真空输送装置30内连通。然后，将输送机构32的输送拾取器32d插入负载锁定装置12的壳体100内，从支承销120接收并保持晶片w。接着，将输送拾取器32d从负载锁定装置12的壳体100抽出，由此将晶片w从负载锁定装置12输送到真空输送装置30。
82.接着，在使闸门g3为关闭状态之后，使与进行目的处理的处理装置(这里为处理装置40)对应的闸门g5为打开状态。接着，将保持有晶片w的输送拾取器32d插入已减压的处理装置40的真空处理室44内，将晶片w交接到真空处理室44内的载置台(未图示)等。
83.之后，将输送拾取器32d从真空处理室44抽出，并且使闸门g5为关闭状态，将真空处理室44密闭。之后，在真空处理室44内，在比室温高的处理温度下对该晶片w实施对晶片w的规定的处理。比室温高的温度例如为80℃以上。本发明的技术由于利用来自固态发光元
件即led 131的光进行加热，并且能够快速加热至目标温度，因此在处理装置40中的处理温度为700℃以上的情况下也能够应用。
84.在规定的处理结束后，使闸门g5为打开状态。然后，将输送拾取器32d插入真空处理室44内，接收并保持晶片w。接着，将输送拾取器32d从真空处理室44抽出，由此将晶片w从真空处理室44送出到真空处理装置30。之后，使闸门g5为关闭状态。
85.接着，使闸门g3为打开状态。然后，将输送拾取器32d插入负载锁定装置12的壳体100内，将晶片w从输送拾取器32d交接到支承销120。接着，将输送拾取器32d从负载锁定装置12的壳体100内抽出，并且使闸门g3为关闭状态，之后，使壳体100内成为大气压。
86.接着，使闸门g1为关闭状态之后，将输送机构23的输送臂23a插入负载锁定装置12的壳体100内，从支承销120接收并保持晶片w。接着，将输送臂23a从负载锁定装置12的壳体100抽出，使闸门g1为关闭状态。然后，将输送臂23a插入承载器c内，交接晶片w并将其收纳在承载器c内之后，将输送臂23a从承载器c抽出。至此，晶片处理系统1中的一连串晶片处理结束。
87.对例如收纳在承载器c中的所有晶片w进行上述一连串处理。
88.如以上所述，在本实施方式中，也作为加热装置发挥作用的负载锁定装置12、13包括光照射单元u。该光照射单元u被设定多个区块z，按各区块z，对支承于支承销120的晶片w的上表面的彼此不同的部分照射光。而且，在本实施方式中，当由光照射单元u进行加热时，上述多个区块中所使用的区块z为一部分并依次被切换。因此，不同时使用所有上述多个区块z，即，在不同时使用搭载于光照射单元u的所有led 131，而能够对支承于支承销120的整个晶片w进行加热。因此，依照本实施方式，即使对光照射单元u使用输出功率小的电源，也能够用来自led 131的光对整个晶片w进行加热。其结果是，能够实现也作为加热装置发挥作用的负载锁定装置12、13的低成本化和小型化。
89.另外，在本实施方式中，如上所述，基于对多个区块z中的一部分区块z进行led 131的点亮控制时的电流传感器134的检测结果，检测属于该区块z的单位单元t的断线。因此，即使电流传感器134为一个，也能够同时准确地对多个单位单元t检测是否发生断线。即，不需要为了对多个单位单元t检测是否发生断线，而设置多个电流传感器134。因此，即使在电流传感器134的安装空间有限的情况下，也能够同时准确地对多个单位单元t检测是否发生断线。
90.另外，在该检测方法中，能够在用光照射单元u依次切换加热用区块z对晶片w进行加热的期间，检测单位单元t的断线。因此，也能够检测在加热的期间单位单元t发生断线的情况。
91.另外，上述方法的单位单元t的断线的检测，可以在更换晶片w时、维护时进行。
92.在以上的例子中，按光照射单元u中的各区域z，检测单位单元t的断线。也可以代替该方式，对与区块z无关地选择的多个(例如，四个)单位单元t，同时进行led 131的点亮控制，基于此时的电流传感器134的检测结果，检测进行上述点亮控制的单位单元t的断线。
93.(第二实施例)
94.图7是表示作为第二实施方式的加热装置的负载锁定装置的概要结构的纵截面图。图8是表示后述的保温板的概要结构的俯视图。
95.图7的负载锁定装置12除了图2等所示的负载锁定装置12的各构成要素以外，还具
有保温板200和使保温板200旋转的旋转机构210，其中该保温板200抑制支承于支承销120的晶片w中的没有成为光照射单元u的加热对象的部分的温度降低。
96.保温板200例如由容易反射来自晶片w的热的、不锈钢等金属材料形成为板状。此外，为了更多地反射来自晶片w的热，也可以对保温板200中的至少与晶片w相对的部分进行镜面加工。
97.保温板200例如设置在支承于支承销120的晶片w与光照射单元u之间的位置，如图8所示，形成有供led光通过的开口201。开口201形成为当保温板200以其中心轴(即，支承于支承销120的晶片w的中心轴)为中心旋转时沿周向移动。此外，开口201具有与光照射单元u的区块z对应的形状，在本例中为四分之一圆状。
98.在保温板200的整个外周面形成有与旋转机构210的后述的小齿轮啮合的齿202。
99.如图7所示，旋转机构210具有小齿轮211和驱动源212。
100.小齿轮211通过该小齿轮211旋转，使在外周面具有与该小齿轮211啮合的齿202的保温板200旋转。
101.驱动源212具有电机等致动器(未图示)，产生使小齿轮211旋转的驱动力。
102.另外，保温板200由支承板220从下方支承。支承板220本身由例如从壳体100的顶壁向下方延伸的支承柱221支承。在支承板220的上表面设置有引导保温板200的旋转的引导突起(未图示)，在保温板200的下表面，收纳上述引导突起的凹部(未图示)形成为俯视时呈圆环状。
103.在本实施方式中，在由光照射单元u进行加热时，旋转机构210与加热用区块z的切换同步地使保温板200旋转。由此，能够使保温板200的开口201与加热区块z总是相对，并且用保温板200中的不开口的部分覆盖晶片w中的没有成为光照射单元u的加热对象的部分。因此，当在周向上切换加热用区块对晶片w进行加热时，能够高效地进行晶片w的加热。
104.另外，在该例中，保温板200设置在支承于支承销120的晶片w与光照射单元u之间，即上述晶片w的上侧。也可以为代替该方式，或者除此之外，在上述晶片w的下侧，即，在隔着上述晶片w与光照射单元u相对的空间，设置保温板200。在这种情况下，省略旋转机构210、开口201、齿202，在保温板200设置供支承销120贯通的贯通孔。
105.图9是用于说明光照射单元u的区块划分的另一例的俯视图。图10是表示后述的区域组的概要的俯视图。
106.在以上的例子中，光照射单元u的区块划分是以区块z沿周向排列的方式进行的。
107.光照射单元u的区块划分并不限于该例子。例如，如图9所示，对于光照射单元u，可以以格子状排列的方式设定多个区域r，按规定的范围将多个区域r分组为区域组g。然后，如图10所示，可以按各区域组g进行区块划分，即设定多个区块z(图10的例子中为四个区块z1～z4)。然后，可以按各区域组g，以例如区块z1
→
区块z2
→
区块z3
→
区块z4
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区块z1的顺序切换加热用区块z。在这种情况下，在区域组g之间，多个区块z的排列可以是相同的。通过使其相同，能够使得同时被加热的区域在晶片面内均匀。
108.图11是说明光照射单元u的区块划分的又一例的图。
109.以上的例子是用一个光照射单元u加热一片晶片w的例子。也有用一个光照射单元u同时加热多片晶片w的情况。在这种情况下，可以以晶片为单位进行光照射单元u的区块划分。例如，在同时加热两片晶片w的情况下，将一片晶片w分配为区块z1，将另一片晶片w分配
为区块z2，如图11所示，在区块z1和区块z2交替地切换加热用区块。
110.另外，在以上的说明中使用的“一个光照射单元u”也对应于电源共用且分体的两个光照射单元u的组。例如，负载锁定装置12的光照射单元u和负载锁定装置13的光照射单元u是分体的，但是如果电源是共用的，则这些光照射单元u的组也对应于“一个光照射单元u”。
111.另外，在以上例子中，负载锁定装置12和13构成具有光照射单元u的加热装置。也可以代替此方式，将具有光照射单元u的加热装置与负载锁定装置12、13分体地设置，并连接到真空输送装置30。
112.另外，在以上的例子中，在加热部130中，led光的开/关、led光的强度由将多个led 131单位化而成的单位单元t单位地进行控制，但是也可以以led 131为单位进行控制。
113.应当认为，本次公开的实施方式在所有方面均为例示而并非限制性的。在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下，上述实施方式可以以各种形式省略、替换、改变。