一种高纯铟的提纯方法与流程

技术特征：
1.一种高纯铟提纯方法，其特征在于：包括以下步骤：1)将氯化铵与3～4n粗铟通过卤化反应，得到一氯化铟；2)将一氯化铟进行氧化除杂，得到去杂氯化铟；3)将去杂一氯化铟经过常压蒸馏并将一氯化铟蒸气通入水中进行歧化反应析出金属铟；4)将金属铟与甘油加热熔化后，真空蒸馏，得到6～7n高纯铟。2.根据权利要求1所述的一种高纯铟提纯方法，其特征在于：所述氯化铵与所述粗铟的质量比为3:3～5。3.根据权利要求1所述的一种高纯铟提纯方法，其特征在于：所述卤化反应的温度为330～340℃。4.根据权利要求1所述的一种高纯铟提纯方法，其特征在于：所述氧化除杂的条件为：在通入氧气条件下，温度为420～480℃，时间为2～3小时。5.根据权利要求1所述的一种高纯铟提纯方法，其特征在于：所述常压蒸馏的条件为：温度为620～680℃，时间为3～5小时。6.根据权利要求1所述的一种高纯铟提纯方法，其特征在于：所述真空蒸馏的条件为：温度为900～1000℃，真空度3*10-3
pa～9*10-3
pa，时间为5～8小时。

技术总结
本发明公开了一种高纯铟的提纯方法，该方法是将氯化铵与3～4N粗铟通过卤化反应，得到一氯化铟；将一氯化铟进行氧化除杂，得到去杂一氯化铟；将去杂一氯化铟经过常压蒸馏并将一氯化铟蒸气通入水中进行歧化反应析出金属铟；将金属铟经过真空蒸馏，得到7N高纯铟。该方法对粗铟初始要求低，由3～4N级粗铟提纯获得6～7N级高纯铟，且该方法操作简单、能耗低、效率较高、无三废排出，对环境友好，提纯后的7N高纯铟满足导电涂层、激光二极管、红外探测器等半导体行业的要求，具有广泛的工业应用空间。具有广泛的工业应用空间。


技术研发人员：赵科湘 谢宗华
受保护的技术使用者：株洲科能新材料股份有限公司
技术研发日：2021.12.16
技术公布日：2022/3/25