一种制备高纯钴的方法及应用与流程

技术特征：
1.一种制备高纯钴的方法，其特征在于，包括：将钴盐与沉淀剂混合并进行沉淀、过滤，对所得滤液进行浓缩，得到高纯钴盐；而后对所述高纯钴盐进行还原得到高纯钴；其中，所述沉淀剂选自硫化氢铵、硫化氢、氨气、氨水中的一种或多种。2.根据权利要求1所述的制备高纯钴的方法，其特征在于，所述钴盐包括氯化钴、硫酸钴、硝酸钴、醋酸钴中的一种或多种。3.根据权利要求1或2所述的制备高纯钴的方法，其特征在于，所述沉淀剂至少含有硫化氢铵和氨水；优选地，所述硫化氢铵的用量为钴盐质量的0.001～2％；所述氨水的用量为钴盐质量的0.001～2％。4.根据权利要求1-3中任一项所述的制备高纯钴的方法，其特征在于，所述对所得滤液进行浓缩的方法具体包括：将所述滤液加热至表面出现晶膜时，通过重复的搅拌和静置步骤冷却至室温，而后进行过滤；其中，所述加热的温度为160～200℃，优选175～185℃；所述搅拌的速率为30～120rpm，每次搅拌的时间为1.5～2.5分钟；每次静置的时间为0.5～1.5分钟。5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备高纯钴的方法，其特征在于，所述还原反应具体包括：将所述高纯钴盐和氢气在600～900℃的还原温度下进行反应；所述还原温度优选为800～900℃。6.根据权利要求5所述的制备高纯钴的方法，其特征在于，将所述高纯钴盐在惰性气氛下升温至500
±
50℃后，再与氢气混合，而后继续升温至还原温度。7.根据权利要求5或6所述的制备高纯钴的方法，其特征在于，通过阶梯升温的方式升温至还原温度，所述阶梯升温的程序为：通过45～55min的升温，从室温升温至50
±
5℃；通过55～65min的升温，从50
±
5℃升温至70
±
5℃；通过25～35min的升温，从70
±
5℃升温至100
±
5℃；通过110～130min的升温，从100
±
5℃升温到160
±
10℃；通过35～45min的升温，从160
±
10℃升温至200
±
10℃；通过35～45min的升温，从200
±
10℃升温到600
±
50℃，并在600
±
50℃保温55～65min；通过25～35min的升温，从600
±
50℃升温至所述还原温度保温55～65min；和/或，所述高纯钴盐与氢气混合的方式具体为：将氢气以1
±
0.2l/min的速率通入装有所述高纯钴盐的装置中。8.根据权利要求1-7任一项所述的制备高纯钴的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将钴盐与沉淀剂混合并进行沉淀、过滤，之后将所得滤液加热至表面出现晶膜时，通过重复的搅拌和静置步骤冷却至室温，而后进行过滤，得到高纯钴盐，其中，所述加热的温度为160～200℃；所述搅拌的速率为30～120rpm，每次搅拌的时间为1.5～2.5分钟；每次静置的时间为0.5～1.5分钟；2)将所述高纯钴盐在惰性气氛下升温至500
±
50℃后，以1
±
0.2l/min的速率通入氢
气，而后继续升温至还原温度600～900℃，其中，通过阶梯升温的方式升温至还原温度，所述阶梯升温的程序为：通过45～55min的升温，从室温升温至50
±
5℃；通过55～65min的升温，从50
±
5℃升温至70
±
5℃；通过25～35min的升温，从70
±
5℃升温至100
±
5℃；通过110～130min的升温，从100
±
5℃升温到160
±
10℃；通过35～45min的升温，从160
±
10℃升温至200
±
10℃；通过35～45min的升温，从200
±
10℃升温到600
±
50℃，并在600
±
50℃保温55～65min；通过25～35min的升温，从600
±
50℃升温至所述还原温度保温55～65min。9.一种高纯钴，其特征在于，其由权利要求1-8中任一项所述的方法制得。10.权利要求9所述的高纯钴在原子层沉积前驱体、集成电路芯片和磁记录介质制备过程中的溅射靶材中的应用。

技术总结
本发明提供一种制备高纯钴的方法及应用。所述方法包括：将钴盐与沉淀剂混合并进行沉淀、过滤，对所得滤液进行浓缩，得到高纯钴盐；而后对所述高纯钴盐进行还原，得到高纯钴；其中，所述沉淀剂选自硫化氢铵、硫化氢、氨气、氨水中的一种或多种。本发明可有效去除钴盐中的杂质，避免除杂过程中引入新杂质，所制备的钴的纯度高，铜，镍，铁含量低，具有优异的产品品质，同时该方法可操作性强，成本低，具有广阔的应用前景。应用前景。


技术研发人员：李迅 刘丽君
受保护的技术使用者：海朴精密材料(苏州)有限责任公司
技术研发日：2021.11.30
技术公布日：2022/3/18