一种二维纳米二硫化钨半导体薄膜及其制备方法与流程

1.本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种二维纳米二硫化钨半导体薄膜及其制备方法。


背景技术：

2.二维材料是纳米材料领域重要的一部分，二维材料是对一类材料的统称，指的只有一个或几个原子层厚的薄膜材料。人们一直认为厚度小至原子尺寸的薄膜被认定在热力学上是不稳定的，所以是不可能存在的，直到2004年单层结构的石墨烯被制备出来，才证明了二维材料的存在，从此对二维材料的科学研究才逐渐开始引起人们的广泛关注。
3.目前制备二维材料的方法主要包括化学气相沉积法、机械剥离法、锂离子插层法、液相剥离法、化学剥离法、水热法等方法。化学气相沉积法是目前制备大面积二维材料的一种主要方法。但是这些方法制备的二硫化钨薄膜存在产量、质量有明显的不足等缺点，目前缺少一些成熟的制备大面积、高质量的二维二硫化钨半导体薄膜的制备工艺。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本发明实施例的目的在于提出一种二维纳米二硫化钨半导体薄膜及其制备方法，利用柠檬酸热解法制备出一种尺寸均匀的石墨烯量子点。石墨烯量子点作为二硫化钨生长的促进剂，蓝宝石衬底上引入石墨烯量子点降低了表面杂质，促进二硫化钨沉积。
5.基于上述目的，本发明实施例的一方面提供了一种二维纳米二硫化钨半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：将三氧化钨放入陶瓷舟内，并将陶瓷舟置于石英管腔室内；将滴有石墨烯量子点的蓝宝石衬底正面朝下放在陶瓷舟内；将陶瓷舟放置于管式炉中的高温恒温区中央位置；将硫粉放入陶瓷舟内，并放置于管式炉中的低温区；连接真空泵抽真空，以保证石英管腔室的空气被排尽；将管式炉在第一预定时间内加热至第一预定温度，恒温反应第二预定时间，得到二硫化钨半导体薄膜。
6.在一些实施例中，所述三氧化钨的放入量为0.1～1g，优选0.5g，所述硫粉的放入量为0.4～4g，优选为2g；第一预定时间为15～60min，优选30min；第一预定温度为750℃～1200℃，优选为950℃；第二预定时间为5～30min，优选15min。
7.在一些实施例中，在将滴有石墨烯量子点的蓝宝石衬底正面朝下放在陶瓷舟内之前，还包括：将蓝宝石衬底用棉花擦拭第三预定时间，再在洗洁精溶液中超声第四预定时间；依次在去离子水中超声，在酒精中超声，及在丙酮中超声；将蓝宝石衬底取出后用高纯氮气吹干，等离子体清洗机清洗第五预定时间以去除衬底上的有机杂质；用移液枪吸取石墨烯量子点溶液，将石墨烯量子点溶液滴加在清洗后的蓝宝石衬底上，并用高纯氮气吹干后备用。
8.在一些实施例中，第三预定时间为1～15min，优选5min；第四预定时间为15～60分钟，优选30min；第五预定时间为1-30min，优选10min。
9.在一些实施例中，依次在去离子水中超声，在酒精中超声，及在丙酮中超声，包括：依次在去离子水中超声30min，在酒精中超声30min，最后在丙酮中超声30min。
10.在一些实施例中，在用移液枪吸取石墨烯量子点溶液之前，还包括：将称量瓶清洗干净并干燥，再称取1g的柠檬酸并放入平底烧瓶中；将平底烧瓶放在油浴锅中，在第二预定温度下加热第六预定时间。在一些实施例中，第二预定温度为150℃～300℃，优选200℃，第六预定时间为15～60min，优选30min；称取1g的氢氧化钠，再溶于100ml的去离子水中，制备出浓度为10mg/ml的氢氧化钠溶液；将氢氧化钠溶液倒入加热完后得到的柠檬酸中；用玻璃棒搅拌使氢氧化钠溶液和柠檬酸充分溶解，并用超声波清洗器超声第七预定时间(例如60min)，用水系0.22微米的微孔滤膜过滤，得到橘黄色液体；将橘黄色液体转移到透析袋中，透析袋放入装有去离子水的烧杯透析，透析至用ph试纸测烧杯中的液体呈中性，得到石墨烯量子点溶液。
11.在一些实施例中，透析袋放入装有去离子水的烧杯透析，透析至用ph试纸测烧杯中的液体呈中性，包括：将透析袋放入装有去离子水的烧杯透析，期间每隔第八预定时间(例如，2小时)换一次去离子水，透析第九预定时间(例如，两天左右)直至用ph试纸测烧杯中的液体呈中性，得到石墨烯量子点溶液。
12.在一些实施例中，在得到石墨烯量子点溶液之后，还包括：将石墨烯量子点溶液进行稀释，得到浓度为1.5mg/ml的石墨烯量子点溶液。
13.在一些实施例中，在得到二硫化钨半导体薄膜之后，方法还包括：持续通入流速为100sccm的氩气，直至管式炉冷却至室温，冷却速率约为1℃/s。
14.在一些实施例中，连接真空泵抽真空，以保证石英管腔室的空气被排尽，包括：连接真空泵抽真空，通入流速为100sccm的氩气60min，使氩气充满整个石英管腔室，以保证石英管腔室的空气被排尽。
15.在一些实施例中，将管式炉在第一预定时间内加热至第一预定温度，恒温反应第二预定时间，得到二硫化钨半导体薄膜，包括：持续通入氩气作为保护气氛，将管式炉在第一预定时间内加热至第一预定温度，恒温反应第二预定时间，得到二硫化钨半导体薄膜。
16.本发明实施例的再一方面，还提供了一种二维纳米二硫化钨半导体薄膜，其采用如下方法制成：称取0.5g的三氧化钨放入陶瓷舟内，陶瓷舟置于石英管腔室内；将滴有石墨烯量子点的蓝宝石衬底正面朝下放在陶瓷舟内；陶瓷舟放置于管式炉中的高温恒温区中央位置；称取2g的硫粉于陶瓷舟内，并放置于管式炉中的低温区；连接真空泵抽真空，以保证石英管腔室的空气被排尽；将管式炉在30min内加热至950℃温度，恒温反应15min，得到二硫化钨半导体薄膜。
17.在一些实施例中，在将滴有石墨烯量子点的蓝宝石衬底正面朝下放在陶瓷舟内之前，还包括：将蓝宝石衬底用棉花擦拭5min，再在洗洁精溶液中超声30min；依次在去离子水中超声，在酒精中超声，及在丙酮中超声；将蓝宝石衬底取出后用高纯氮气吹干，等离子体清洗机清洗10min去除衬底上的有机杂质；用移液枪吸取石墨烯量子点溶液，将石墨烯量子点溶液滴加在清洗后的蓝宝石衬底上，并用高纯氮气吹干后备用。
18.在一些实施例中，依次在去离子水中超声，在酒精中超声，及在丙酮中超声，包括：依次在去离子水中超声30min，在酒精中超声30min，最后在丙酮中超声30min。
19.在一些实施例中，在用移液枪吸取石墨烯量子点溶液之前，还包括：将称量瓶清洗
干净并干燥，再称取1g的柠檬酸并放入平底烧瓶中；将平底烧瓶放在油浴锅中，200℃下加热30min；称取1g的氢氧化钠，再溶于100ml的去离子水中，制备出浓度为10mg/ml的氢氧化钠溶液；将氢氧化钠溶液倒入加热完后得到的柠檬酸中；用玻璃棒搅拌使氢氧化钠溶液和柠檬酸充分溶解，并用超声波清洗器超声60min，用水系0.22微米的微孔滤膜过滤，得到橘黄色液体；将橘黄色液体转移到透析袋中，透析袋放入装有去离子水的烧杯透析，透析至用ph试纸测烧杯中的液体呈中性，得到石墨烯量子点溶液。
20.在一些实施例中，透析袋放入装有去离子水的烧杯透析，透析至用ph试纸测烧杯中的液体呈中性，包括：将透析袋放入装有去离子水的烧杯透析，期间每隔2小时换一次去离子水，透析两天左右直至用ph试纸测烧杯中的液体呈中性，得到石墨烯量子点溶液。
21.在一些实施例中，在得到石墨烯量子点溶液之后，还包括：将石墨烯量子点溶液进行稀释，得到浓度为1.5mg/ml的石墨烯量子点溶液。
22.在一些实施例中，在得到二硫化钨半导体薄膜之后，还包括：持续通入流速为100sccm的氩气，直至管式炉冷却至室温，冷却速率约为1℃/s。
23.在一些实施例中，连接真空泵抽真空，以保证石英管腔室的空气被排尽，包括：连接真空泵抽真空，通入流速为100sccm的氩气60min，使氩气充满整个石英管腔室，以保证石英管腔室的空气被排尽。
24.在一些实施例中，将管式炉在30min内加热至950℃温度，恒温反应15min，得到二硫化钨半导体薄膜，包括：持续通入氩气作为保护气氛，将管式炉在30min内加热至950℃温度，恒温反应15min，得到二硫化钨半导体薄膜。
25.本发明至少具有以下有益技术效果：
26.本发明实施例，通过将三氧化钨放入陶瓷舟内，并将陶瓷舟置于石英管腔室内；将滴有石墨烯量子点的蓝宝石衬底正面朝下放在陶瓷舟内；将陶瓷舟放置于管式炉中的高温恒温区中央位置；将硫粉放入陶瓷舟内，并放置于管式炉中的低温区；连接真空泵抽真空，以保证石英管腔室的空气被排尽；将管式炉在第一预定时间内加热至第一预定温度，恒温反应第二预定时间，得到二硫化钨半导体薄膜。本发明还公开了一种二维纳米二硫化钨半导体薄膜。本发明利用柠檬酸热解法制备出一种尺寸均匀的石墨烯量子点。石墨烯量子点作为二硫化钨生长的促进剂，蓝宝石衬底上引入石墨烯量子点降低了表面杂质，促进二硫化钨沉积。
附图说明
27.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的实施例。
28.图1为本发明提供的一种二维纳米二硫化钨半导体薄膜的制备方法的实施例的示意图；
29.图2为本发明提供的一种二维纳米二硫化钨半导体薄膜的制备过程中的采用的结构示意图。
具体实施方式
30.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明实施例进一步详细说明。
31.需要说明的是，本发明实施例中所有使用“第一”和“第二”的表述均是为了区分两个相同名称非相同的实体或者非相同的参量，可见“第一”“第二”仅为了表述的方便，不应理解为对本发明实施例的限定，后续实施例对此不再一一说明。
32.三氧化钨和硫粉反应生成二硫化钨是比较成熟的工艺。二硫化钨是二维材料的一种，当其层数减少到一个或几层的厚度情况下的状态来存在时是二维的，当层数为几层或几层以上时是三维的。二硫化钨具有优异的电学和光学性质，已经应用到各种光电子器件中。采用化学气相沉积法生长二硫化钨的过程中，衬底上杂质和缺陷是样品在沉积时优先选择的位置，单层二硫化钨更容易在衬底的刮痕、污点、边缘或粗糙表面上成核生长，要实现大面积生长就降低衬底成核密度，因此衬底的处理会影响成核的过程。尝试利用四羧酸四钾盐(ptas)、四羧酸二酐、邻苯二甲酸二丁酯、氧化石墨烯等种子作为促进剂来提供成核点对二维材料生长的影响，发现加入种子使得更容易得到单层二维材料，且样品大小和成膜质量和连续性均有提高。在此启发下，想到使用石墨烯量子点来作为种子生长二维二硫化钨薄膜。
33.基于上述目的，本发明实施例的第一个方面，提出了一种二维纳米二硫化钨半导体薄膜的制备方法的实施例。图1示出的是本发明提供的一种二维纳米二硫化钨半导体薄膜的制备方法的实施例的示意图。如图1所示，本发明实施例的二维纳米二硫化钨半导体薄膜的制备方法包括如下步骤：
34.s101、将三氧化钨放入陶瓷舟内，并将陶瓷舟置于石英管腔室内。
35.s102、将滴有石墨烯量子点的蓝宝石衬底正面朝下放在陶瓷舟内。
36.也就是说，如图2所述，将滴有石墨烯量子点的蓝宝石衬底正面朝下放在装有三氧化钨的陶瓷舟内。
37.s103、将陶瓷舟放置于管式炉中的高温恒温区中央位置。
38.s104、将硫粉放入陶瓷舟内，并放置于管式炉中的低温区。
39.s105、连接真空泵抽真空，以保证石英管腔室的空气被排尽；
40.其中，连接真空泵抽真空，以保证石英管腔室的空气被排尽，具体为：
41.连接真空泵抽真空，通入流速为100sccm的氩气60min，使氩气充满整个石英管腔室，以保证石英管腔室的空气被排尽。
42.s106、将管式炉在第一预定时间内加热至第一预定温度，恒温反应第二预定时间，得到二硫化钨半导体薄膜。
43.其中，将管式炉在第一预定时间内加热至第一预定温度，恒温反应第二预定时间，得到二硫化钨半导体薄膜，可以为：
44.持续通入氩气作为保护气氛，将管式炉在30min内加热至950℃温度，恒温反应15min，得到二硫化钨半导体薄膜。
45.本发明实施例，通过称取0.5g的三氧化钨放入陶瓷舟内，并将陶瓷舟置于石英管腔室内；将滴有石墨烯量子点的蓝宝石衬底正面朝下放在陶瓷舟内；将陶瓷舟放置于管式炉中的高温恒温区中央位置；称取2g的硫粉于陶瓷舟内，并放置于管式炉中的低温区；连接
真空泵抽真空，以保证石英管腔室的空气被排尽；将管式炉在30min内加热至950℃温度，恒温反应15min，得到二硫化钨半导体薄膜。本发明还公开了一种二维纳米二硫化钨半导体薄膜。本发明利用柠檬酸热解法制备出一种尺寸均匀的石墨烯量子点。石墨烯量子点作为二硫化钨生长的促进剂，蓝宝石衬底上引入石墨烯量子点降低了表面杂质，促进二硫化钨沉积。
46.在本发明的一些实施例中，本发明提供的一种二维纳米二硫化钨半导体薄膜的制备方法还可以包括：将蓝宝石衬底用棉花擦拭5min，再在洗洁精溶液中超声30min。依次在去离子水中超声，在酒精中超声，及在丙酮中超声。其中，依次在去离子水中超声，在酒精中超声，及在丙酮中超声，可以为：依次在去离子水中超声30min，在酒精中超声30min，最后在丙酮中超声30min。将蓝宝石衬底取出后用高纯氮气吹干，等离子体清洗机清洗10min去除衬底上的有机杂质。用移液枪吸取石墨烯量子点溶液，将石墨烯量子点溶液滴加在清洗后的蓝宝石衬底上，并用高纯氮气吹干后备用。
47.本发明实施例，通过用移液枪吸取石墨烯量子点溶液，将石墨烯量子点溶液滴加在清洗后的蓝宝石衬底上。可见，本发明选择蓝宝石作为衬底加上经过石墨烯量子点的预处理，使得更容易得到二硫化钨薄膜，且单晶尺寸、质量和连续性均有提高。
48.在本发明的一些实施例中，本发明提供的一种二维纳米二硫化钨半导体薄膜的制备方法还可以包括：将称量瓶清洗干净并干燥，再称取1g的柠檬酸并放入平底烧瓶中。将平底烧瓶放在油浴锅中，200℃下加热30min。称取1g的氢氧化钠，再溶于100ml的去离子水中，制备出浓度为10mg/ml的氢氧化钠溶液。将氢氧化钠溶液倒入加热完后得到的柠檬酸中。用玻璃棒搅拌使氢氧化钠溶液和柠檬酸充分溶解，并用超声波清洗器超声60min，用水系0.22微米的微孔滤膜过滤，得到橘黄色液体。将橘黄色液体转移到透析袋中，透析袋放入装有去离子水的烧杯透析，透析至用ph试纸测烧杯中的液体呈中性，得到石墨烯量子点溶液。
49.在一种具体可实现方式中，透析袋放入装有去离子水的烧杯透析，透析至用ph试纸测烧杯中的液体呈中性，具体可以为：将透析袋放入装有去离子水的烧杯透析，期间每隔2小时换一次去离子水，透析两天左右直至用ph试纸测烧杯中的液体呈中性，得到石墨烯量子点溶液。
50.在一种具体可实现方式中，在得到石墨烯量子点溶液之后，本发明提供的一种二维纳米二硫化钨半导体薄膜的制备方法还可以包括：将石墨烯量子点溶液进行稀释，得到浓度为1.5mg/ml的石墨烯量子点溶液。
51.本发明实施例，通过透析袋放入装有去离子水的烧杯透析，透析至用ph试纸测烧杯中的液体呈中性，包括：将透析袋放入装有去离子水的烧杯透析，期间每隔2小时换一次去离子水，透析两天左右直至用ph试纸测烧杯中的液体呈中性，得到石墨烯量子点溶液。本发明利用柠檬酸热解法制备尺寸均匀的石墨烯量子点的方法简单便，蓝宝石衬底的处理方法同样简单便捷。
52.在本发明的一些实施例中，在得到二硫化钨半导体薄膜之后，本发明提供的一种二维纳米二硫化钨半导体薄膜的制备方法还可以包括：持续通入流速为100sccm的氩气，直至管式炉冷却至室温，冷却速率约为1℃/s。
53.本发明提供了一种制备大面积连续高质量的二维二硫化钨薄膜的方法。石墨烯量子点作为种子促进剂为二硫化钨生长提供成核点，衬底上引入石墨烯量子点和晶体具有相
似结构的杂质降低了表面能，促进二硫化钨沉积。在蓝宝石衬底上反应加上经过石墨烯量子点的处理，更容易得到二硫化钨薄膜，且单晶尺寸、质量和连续性均有提高。利用柠檬酸热解法制备尺寸均匀的石墨烯量子点的方法简单便，蓝宝石衬底的处理方法同样简单便捷。三氧化钨和硫粉反应生成二硫化钨的具体反应条件，在此成熟的反应条件下加上石墨烯量子点的促进作用，能得到大面积连续高质量的二维二硫化钨薄膜。
54.本领域技术人员应当理解的是，虽然上述实施例中示出了第一预定时间、第一预定温度
……
等等的具体数值，然而这些数值可以根据需要调整，并且均包含在本技术的范围内。
55.基于上述目的，本发明实施例的第二个方面，本发明实施例的一方面提供了一种二维纳米二硫化钨半导体薄膜，其可以采用以下方法制备而成，该方法可以包括以下步骤：称取0.5g的三氧化钨放入陶瓷舟内，陶瓷舟置于石英管腔室内；将滴有石墨烯量子点的蓝宝石衬底正面朝下放在陶瓷舟内；陶瓷舟放置于管式炉中的高温恒温区中央位置；称取2g的硫粉于陶瓷舟内，并放置于管式炉中的低温区；连接真空泵抽真空，以保证石英管腔室的空气被排尽；将管式炉在30min内加热至950℃温度，恒温反应15min，得到二硫化钨半导体薄膜。
56.在一些实施例中，在将滴有石墨烯量子点的蓝宝石衬底正面朝下放在陶瓷舟内之前，还包括：将蓝宝石衬底用棉花擦拭5min，再在洗洁精溶液中超声30min；依次在去离子水中超声，在酒精中超声，及在丙酮中超声；将蓝宝石衬底取出后用高纯氮气吹干，等离子体清洗机清洗10min去除衬底上的有机杂质；用移液枪吸取石墨烯量子点溶液，将石墨烯量子点溶液滴加在清洗后的蓝宝石衬底上，并用高纯氮气吹干后备用。
57.在一些实施例中，依次在去离子水中超声，在酒精中超声，及在丙酮中超声，包括：依次在去离子水中超声30min，在酒精中超声30min，最后在丙酮中超声30min。
58.本发明实施例，通过用移液枪吸取石墨烯量子点溶液，将石墨烯量子点溶液滴加在清洗后的蓝宝石衬底上。可见，本发明选择蓝宝石作为衬底加上经过石墨烯量子点的预处理，使得更容易得到二硫化钨薄膜，且单晶尺寸、质量和连续性均有提高。
59.在一些实施例中，在用移液枪吸取石墨烯量子点溶液之前，还包括：将称量瓶清洗干净并干燥，再称取1g的柠檬酸并放入平底烧瓶中；将平底烧瓶放在油浴锅中，200℃下加热30min；称取1g的氢氧化钠，再溶于100ml的去离子水中，制备出浓度为10mg/ml的氢氧化钠溶液；将氢氧化钠溶液倒入加热完后得到的柠檬酸中；用玻璃棒搅拌使氢氧化钠溶液和柠檬酸充分溶解，并用超声波清洗器超声60min，用水系0.22微米的微孔滤膜过滤，得到橘黄色液体；将橘黄色液体转移到透析袋中，透析袋放入装有去离子水的烧杯透析，透析至用ph试纸测烧杯中的液体呈中性，得到石墨烯量子点溶液。
60.在一些实施例中，透析袋放入装有去离子水的烧杯透析，透析至用ph试纸测烧杯中的液体呈中性，包括：将透析袋放入装有去离子水的烧杯透析，期间每隔2小时换一次去离子水，透析两天左右直至用ph试纸测烧杯中的液体呈中性，得到石墨烯量子点溶液。
61.在一些实施例中，在得到石墨烯量子点溶液之后，还包括：将石墨烯量子点溶液进行稀释，得到浓度为1.5mg/ml的石墨烯量子点溶液。
62.本发明实施例，通过透析袋放入装有去离子水的烧杯透析，透析至用ph试纸测烧杯中的液体呈中性，包括：将透析袋放入装有去离子水的烧杯透析，期间每隔2小时换一次
去离子水，透析两天左右直至用ph试纸测烧杯中的液体呈中性，得到石墨烯量子点溶液。本发明利用柠檬酸热解法制备尺寸均匀的石墨烯量子点的方法简单便，蓝宝石衬底的处理方法同样简单便捷。
63.在一些实施例中，在得到二硫化钨半导体薄膜之后，还包括：持续通入流速为100sccm的氩气，直至管式炉冷却至室温，冷却速率约为1℃/s。
64.在一些实施例中，连接真空泵抽真空，以保证石英管腔室的空气被排尽，包括：连接真空泵抽真空，通入流速为100sccm的氩气60min，使氩气充满整个石英管腔室，以保证石英管腔室的空气被排尽。
65.在一些实施例中，将管式炉在30min内加热至950℃温度，恒温反应15min，得到二硫化钨半导体薄膜，包括：持续通入氩气作为保护气氛，将管式炉在30min内加热至950℃温度，恒温反应15min，得到二硫化钨半导体薄膜。
66.本发明提供了一种制备大面积连续高质量的二维二硫化钨薄膜的方法。石墨烯量子点作为种子促进剂为二硫化钨生长提供成核点，衬底上引入石墨烯量子点和晶体具有相似结构的杂质降低了表面能，促进二硫化钨沉积。在蓝宝石衬底上反应加上经过石墨烯量子点的处理，更容易得到二硫化钨薄膜，且单晶尺寸、质量和连续性均有提高。利用柠檬酸热解法制备尺寸均匀的石墨烯量子点的方法简单便，蓝宝石衬底的处理方法同样简单便捷。三氧化钨和硫粉反应生成二硫化钨的具体反应条件，在此成熟的反应条件下加上石墨烯量子点的促进作用，能得到大面积连续高质量的二维二硫化钨薄膜。
67.以上是本发明公开的示例性实施例，但是应当注意，在不背离权利要求限定的本发明实施例公开的范围的前提下，可以进行多种改变和修改。根据这里描述的公开实施例的方法权利要求的功能、步骤和/或动作不需以任何特定顺序执行。此外，尽管本发明实施例公开的元素可以以个体形式描述或要求，但除非明确限制为单数，也可以理解为多个。
68.应当理解的是，在本文中使用的，除非上下文清楚地支持例外情况，单数形式“一个”旨在也包括复数形式。还应当理解的是，在本文中使用的“和/或”是指包括一个或者一个以上相关联地列出的项目的任意和所有可能组合。
69.上述本发明实施例公开实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
70.所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本发明实施例公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本发明实施例的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，并存在如上的本发明实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。因此，凡在本发明实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明实施例的保护范围之内。