存储元件的制作方法

技术特征：
1.一种存储元件，包括：电阻切换层，呈杯状且具有内表面以定义出开口；导电柱，配置在所述开口中；阻障层，配置在所述电阻切换层与所述导电柱之间；字线，与所述导电柱电性连接；多个电阻层，分别分布在所述电阻切换层的外表面；以及多条位线，分别与所述多个电阻层电性连接。2.根据权利要求1所述的存储元件，其中所述多个电阻层的电阻值为1千欧姆至3千欧姆。3.根据权利要求1所述的存储元件，其中所述多个电阻层的电阻值大于所述导电柱的电阻值，大于所述字线的电阻值，且大于所述多条位线的电阻值。4.根据权利要求1所述的存储元件，其中所述电阻切换层的电阻值与所述多个电阻层的电阻值的比值为2至100。5.根据权利要求1所述的存储元件，其中所述多个电阻层的长度为10纳米至100纳米。6.根据权利要求1所述的存储元件，其中所述多个电阻层的材料包括tan、tin或其组合。7.根据权利要求1所述的存储元件，其中所述阻障层共形地配置在所述开口中以呈杯状结构，且所述阻障层的材料包括al2o3、tio
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或其组合。8.根据权利要求1所述的存储元件，其中所述导电柱的材料包括ti、ta、w、al或其组合。9.根据权利要求1所述的存储元件，其中所述电阻切换层的材料包括hfo2、zro2、ta2o5、tio2或其组合。10.一种存储元件，包括：电阻切换层，呈杯状且具有内表面以定义出开口；导电柱，配置在所述开口中；阻障层，配置在所述电阻切换层与所述导电柱之间；选择晶体管，电性连接至所述导电柱；多个电阻层，分别分布在所述电阻切换层的外表面；以及多条位线，包括多条奇数位线与多条偶数位线，其中所述多条奇数位线彼此电性连接且在所述导电柱的第一侧处与相应的电阻层连接，所述多条偶数位线彼此电性连接且在所述导电柱的相对于所述第一侧的第二侧处与另外相应的电阻层连接。

技术总结
本发明提供一种存储元件，包括：电阻切换层、导电柱、阻障层、字线、多个电阻层以及多条位线。电阻切换层呈杯状且具有内表面以定义出开口。导电柱配置在开口中。阻障层配置在电阻切换层与导电柱之间。字线与导电柱电性连接。多个电阻层分别分布在电阻切换层的外表面。多条位线分别与多个电阻层电性连接。条位线分别与多个电阻层电性连接。条位线分别与多个电阻层电性连接。


技术研发人员：陈达 王炳琨 谢光智 吴健民 林孟弘
受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司
技术研发日：2021.08.06
技术公布日：2022/3/3