一种压接式功率器件内部结构及其制作方法与流程

技术特征：
1.一种压接式功率器件内部结构，其特征在于，包括：集电极电路板(1)、发射极电路板(2)和pcb栅极电路板(5)，所述集电极板(1)设有若干个芯片子单元(7)；所述发射极电路板(2)设有导电缓冲层(3)，每个芯片子单元(7)通过凸台(6)连接导电缓冲层(3)，所述pcb栅极电路板(5)连接所述导电缓冲层(3)。2.根据权利要求1所述的一种压接式功率器件内部结构，其特征在于：所述个芯片子单元(7)包括上钼片(7-1)、igbt芯片(7-2)和下钼片(7-3)，所述igbt芯片(7-2)一面连接所述上钼片(7-1)，另一面连接所述下钼片(7-3)。3.根据权利要求2所述的一种压接式功率器件内部结构，其特征在于：所述栅极电路板(5)设有栅极针(8)，所述栅极电路板(5)通过所述栅极针(8)连接所述igbt芯片(7-2)。4.根据权利要求3所述的一种压接式功率器件内部结构，其特征在于：还包括绝缘限位框架(4)，所述绝缘限位框架(4)设有凸台导向孔(4-2)和栅极针导向孔(4-1)。5.根据权利要求1所述的一种压接式功率器件内部结构，其特征在于：所述集电极电路板(1)和/或发射极电路板(2)材质为纯铜，表面镀有镍。6.根据权利要求1所述的一种压接式功率器件内部结构，其特征在于：所述导电缓冲层(3)材质为铝、锡或锌中的任意一种。7.根据权利要求1所述的一种压接式功率器件内部结构，其特征在于：所述pcb栅极电路板(5)中pcb板与栅极接触面镀有镍金。8.根据权利要求4所述的一种压接式功率器件内部结构，其特征在于：所述绝缘限位框架(4)材质为聚四氟乙烯或者pps。9.一种压接式功率器件内部结构的制作方法，其特征在于：选择制作材料上钼片(7-1)、下钼片(7-3)、igbt芯片(7-2)、陶瓷管壳e极铜板、导电缓冲层(3)、绝缘限位框(4)、pcb栅极电路板(5)、陶瓷管壳c极铜板和栅极针(8)；陶瓷管壳e极铜板的表面设置凸台(6)，凸台(6)之间的高度差控制在10um以内，在陶瓷管壳e极铜板表面镀镍；将导电缓冲层(3)铺设在在陶瓷管壳e极铜板上，pcb栅极电路板(5)连接导电缓冲层(3)，pcb栅极电路板(5)通过栅极针(8)引出栅极；绝缘限位框架(4)设有凸台导向孔(4-2)和栅极针导向孔(4-1)，凸台(6)插入凸台导向孔(4-2)，栅极针(8)插入栅极针导向孔(4-1)；通过银烧结工艺将上钼片(7-1)和下钼片(7-3)烧结在igbt芯片(7-2)的两面形成芯片子单元(7)；上钼片(7-1)连接凸台(6)；下钼片(7-3)连接陶瓷管壳c极铜板。

技术总结
一种压接式功率器件内部结构，包括：集电极电路板、发射极电路板和PCB栅极电路板，所述集电极板设有若干个芯片子单元；所述发射极电路板设有导电缓冲层，每个芯片子单元通过凸台连接导电缓冲层，所述PCB栅极电路板连接所述导电缓冲层。针对刚性压接导通电路目前无法实现大面积大电流器件的限制，通过集成诺干个芯片封装为一个单元结构提高芯片的连接数量；针对弹性压接电流通路在器件短路时单个短路芯片的上方的导电臂大电流通路能力有限的缺点，本发明结构属于刚性压接结构可以克服短路同流问题。流问题。流问题。


技术研发人员：刘克明 童颜 王豹子 姚二现 胡小刚 陈紫默 莫申扬 刘东明 常飞浩 柴聘聘
受保护的技术使用者：南瑞联研半导体有限责任公司
技术研发日：2021.11.25
技术公布日：2022/2/18