增强材料结构的处置的制作方法

增强材料结构的处置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求享有于2019年5月3日递交的第16/403,312号美国专利申请的优先权和权益，出于所有目的将上述申请的内容通过引用全部并入在此。
技术领域
3.本技术涉及半导体系统、工艺和装备。更具体而言，本技术涉及用于增强在栅极结构中形成材料的处置(treatment)。
4.背景
5.逻辑栅极性能涉及所使用的材料特性以及结构层的厚度和面积。然而，随着一些栅极特性调整成适应装置规模，挑战出现。举例而言，在氧化硅栅极电介质中，随着厚度降低可改良电容，而可带来更高的通道移动性(mobility)和更快速的装置性能。然而，随着厚度持续降低，栅极泄漏可影响装置，并且可造成装置产量的降低。已经采用高k材料来用于栅极电介质，以降低有效氧化物厚度，同时限制对栅极泄漏的影响。最大化特定高k材料的努力由于与高k材料形成有关的形态问题而受限。
6.因此，需要改良的系统和方法而可用于最大化高k材料的性能，并且能够生产高品质的装置和结构。这些和其他需求通过本技术来解决。
7.概述
8.可实行处理方法以生产可包括高k介电材料的半导体结构。方法可包括将含氮前驱物或含氧前驱物输送至在半导体处理腔室中含有的基板。方法可包括以含氮前驱物或含氧前驱物在基板的暴露的表面上引入反应配体。方法还可包括形成覆盖基板的高k介电材料。
9.在一些实施方式中，含氮前驱物可以是或包括第一含氮前驱物，并且含氧前驱物可以是或包括第一含氧前驱物。方法还可包括在形成高k介电材料之后，以第二含氮前驱物或第二含氧前驱物处置高k介电材料。第二含氮前驱物可以是或包括热活化的含氮前驱物或等离子体增强的含氮前驱物。处置可以小于或大约10原子％的量将氮并入到高k介电材料中。方法还可包括在形成高k介电材料之后，实行热退火。形成高k介电材料可包括实行原子层沉积工艺。含氮前驱物可以是或包括氨。在输送氨的同时，基板可维持在高于或约是300℃的温度下。基板可以是或包括含硅材料。高k介电材料可以是或包括至少一种选自由下列项组成的群组的元素：铪、锆、硅、镧、铝、钛和锶。
10.本技术的一些实施方式还可包含形成半导体结构的方法。方法可包括通过以含氮前驱物或含氧前驱物接触基板来预处置该基板。方法可包括在收容经预处置的基板的第一半导体处理腔室中形成覆盖预处置的基板的高k介电材料。方法可包括将基板传送至第二半导体处理腔室。方法还可包括对高k介电材料进行后处置。
11.在一些实施方式中，后处置可包括将基板和高k介电材料暴露至含氧前驱物或含氮前驱物。方法可包括在后处置之后，使高k介电材料退火。将基板传送至第二半导体处理腔室可包括在多腔室处理系统上的两个腔室之间传送基板。可在多腔室处理系统上维持真
空条件的同时实行传送。用于预处置的含氮前驱物可以是或包括氨。在将氨输送至基板的同时，基板可维持在低于约700℃的温度下。预处置可实行达小于或大约一分钟。基板可以是或包括含硅材料，且含硅材料的暴露的表面层可为硅。含硅材料可以是或包括氧化硅。高k介电材料可以是或包括至少一个选自由下列项组成的群组的元素：铪、锆、硅、镧、铝、钛和锶。
12.本技术的一些实施方式还可包含形成半导体结构的方法。方法可包括在将基板维持在大于或约是400℃的第一温度下的同时，通过以含氮前驱物或含氧前驱物接触基板，来预处置包括含硅材料的基板。方法可包括在将预处置的基板维持在小于第一温度的第二温度下的同时，形成覆盖预处置的基板的高k介电材料。方法还可包括利用以大于第一温度或大约与第一温度相同的温度的第三温度实行的退火，对高k介电材料进行后处置。
13.这样的技术可提供优于常规系统和技术的数个优点。举例而言，工艺可产生更优选的高k介电材料的结构。此外，产生的高k材料与常规形成的相同高k介电材料相比特征可以在于减少的栅极泄漏。结合以下的说明和附图来更详细地描述这些和其他实施方式连同许多它们的优点和特征。
14.附图简要说明
15.可通过参考说明书和附图的其余部分来实现对所公开的技术的本质和优点的进一步理解。
16.图1根据本技术的实施方式，显示范例处理系统的俯视平面视图。
17.图2根据本技术的实施方式，显示在形成半导体结构的方法中选择的操作。
18.图3a-图3c根据本技术的实施方式，显示范例基板的示意性横截面图。
19.包括若干图作为示意图。应理解这些图仅用于说明目的，而不应视为按比例的，除非具体声明为按比例。此外，作为示意图，提供这些图来帮助理解，并且这些图与现实呈现相比可能不包括的所有方面方面或信息，并且为了说明目的可包括夸大的材料。
20.在附图中，类似的部件和/或特征可具有相同的参考标记。再者，相同类型的各种部件可通过在参考标记后跟随在类似部件之中作区分的字母而加以区分。若在说明书中仅使用第一种参考标记，则说明可应用至具有相同第一种参考标记的类似部件中的任何一者，不论字母为何。
21.具体说明
22.随着逻辑栅极结构缩放至更小尺寸，寻求新的材料结构以提供改良。使用高k电介质与利用例如氧化硅的材料的常规栅极堆叠结构(stack)相比增加栅极堆叠结构的介电常数。然而，类似于氧化硅，随着材料厚度的减小，栅极泄漏增加。举例而言，栅极泄漏随着有效氧化物厚度的减小而增加。因此，栅极泄漏与有效氧化物厚度之间的相反关系可在生产的晶体管和装置的性能上形成限制。
23.高k介电材料与氧化硅相比可以类似的厚度提供更大的通道移动性。随着工业持续寻求在不增加栅极泄漏的情况下更小的有效氧化物厚度，由于形态特性，最大化已知高k材料的k值的努力将要达到极限。常规技术一直在努力克服高k材料的自然特性，该天然特性可能对介电常数和随后尝试并入新膜的装置重塑设定上限。
24.本技术通过改良高k介电材料本身的特性来克服这些问题。通过根据本技术的实施方式产生展现特定形态或晶粒结构的高k介电材料，可实现更高介电常数和后续改良的
装置性能。为了控制在范例装置中形成晶粒，可实行处置以提供活化的基板表面，而可引发特定晶粒生长，以及在形成之后使膜稳定，而可产生更高的介电常数。
25.尽管其余公开内容将利用所公开的技术将常规地确定特定沉积和处置工艺，将容易理解的是，系统和方法可等效地应用至在所述腔室中发生的各种其他工艺。因此，不应认为技术受限于仅与所述处置和沉积工艺一起使用。在描述根据本技术的范例工艺顺序的操作之前，本公开内容将讨论可与本技术一起使用的一种可能的系统，以实行沉积或处置操作的某些元素。应理解，技术不限于所述装备，并且所讨论的工艺可在任何数量的处理腔室和系统中实行。
26.图1示出根据实施方式的沉积、蚀刻、烘烤和/或固化腔室的处理系统100的一个实施方式的俯视平面图。图1中描绘的工具或处理系统100可含有复数个工艺腔室114a-114d、传送腔室110、服务腔室116、集成计量腔室117和一对装载锁定腔室106a-106b。工艺腔室可包括任何数量的结构或部件，以及任何数量的处理腔室或处理腔室的组合。
27.为了在腔室之间传输基板，传送腔室110可含有机械手传输机构113。传输机构113可具有一对基板传输叶片113a，分别附接至能够延伸的臂113b的远端。叶片113a可用于运载个别基板进出工艺腔室。在操作中，基板传输叶片中的一者(例如传输机构113的叶片113a)可从例如腔室106a-106b的装载锁定腔室中的一者收回基板w，并且将基板w运载至第一阶段的处理，例如在腔室114a-114d中如以下所述的处置工艺。可包括腔室以实行所述技术的个别或组合的操作。举例而言，在一个或多个腔室可配置成实行沉积或形成操作的同时，一个或多个其他腔室可配置成实行预处置操作和/或所述的后处置操作中的一种或多种后处置操作。本技术含有任何数量的配置，而也可实行通常在半导体处理中实行的任何数量的额外制作操作。
28.若腔室被占据，则机械手可等待直到处理完成，并且接着以一个叶片113a从腔室移除经处理的基板，并且可以第二叶片(未示出)插入新的基板。一旦基板经处理，基板可接着移动至第二阶段的处理。对于每次移动，传输机构113大致可具有一个运载基板的叶片和一个空的叶片以执行基板更换。传输机构113可在每个腔室处等待直到可完成更换。
29.一旦在工艺腔室内完成处理，传输机构113可从最后的工艺腔室移动基板w，并且将基板w传输至装载锁定腔室106a-106b内的盒。从装载锁定腔室106a-106b，基板可移动至工厂接口104中。工厂接口104通常可操作以在大气压力清洁环境下的舱装载器105a-105d与装载锁定腔室106a-106b之间传送基板。在工厂接口104中的清洁环境通常可通过空气过滤工艺提供，例如，诸如hepa过滤之类。工厂接口104还可包括基板定向器/对准器(未示出)，基板定向器/对准器可用于在处理之前适当对准基板。例如机械手108a-108b的至少一个基板机械手可定位在工厂接口104中，以在工厂接口104内的各种位置/地点之间传输基板和将基板传输至与工厂接口104连通的其他地点。机械手108a-108b可配置成沿着工厂接口104内的轨道系统从工厂接口104的第一端行进至第二端。
30.处理系统100可进一步包括集成计量腔室117，以提供控制信号，这可提供对在处理腔室中实行的任何工艺的适应性控制。集成计量腔室117可包括各种计量装置中的任何计量装置，以测量各种膜性质，例如厚度、粗糙度、成分，且计量装置可以进一步能够以自动化方式在真空下表征光栅参数(grating parameter)，例如临界尺寸、侧壁角度和特征高度。
31.处理腔室114a-114d中的每个处理腔室可配置成在半导体结构的制作中实行一个或多个处理步骤，并且可在多腔室处理系统100上使用任何数量的处理腔室和处理腔室的组合。举例而言，任何处理腔室可配置成实行若干基板处理操作，包括任何数量的沉积工艺(包括周期性层沉积、原子层沉积、化学气相沉积、物理气相沉积)以及其他操作(包括蚀刻、预清洁、预处置、后处置、退火、等离子体处理、除气、定向和其他基板工艺。可在任何腔室中实行或在腔室的任何组合中实行的一些特定工艺可为金属沉积、表面清洁和准备、热退火(例如快速热处理)和等离子体处理。可在并入到多腔室处理系统100中的特定腔室中类似地实行任何其他工艺，包括以下所述的任何工艺，如将由本领域技术人员容易理解的。
32.图2图示形成半导体结构的方法200，方法200的操作例如可在先前所述的并入多腔室处理系统100上的一个或多个腔室中实行。在开始所述方法操作之前，方法200可包括一个或多个操作，包括前端处理、沉积、蚀刻、抛光、清洁或可在所述操作之前实行的任何其他操作。方法可包括如图中标示的若干可选操作，这些操作可以或可以不具体地与根据本技术的方法相关联。举例而言，描述许多操作以便提供结构形成工艺的较广范围，但这些操作对技术而言并非关键，或可通过如以下将进一步讨论的替代方法实行。方法200描述在图3a-图3c中概要显示的操作，这些操作的图示将与方法200的操作结合描述。应理解图3仅图示部分概要视图，且基板可含有任何数量的晶体管分区和具有如图中所示的方面的额外材料。
33.方法200可涉及可选操作，以将半导体结构发展至特定制作操作。尽管在一些实施方式中方法200可在基础结构上实行，但是在一些实施方式中，方法可在其他材料形成之后而实行。如图3a中图示的，半导体结构可代表在完成某些处理之后的装置300。举例而言，基板305可为平面材料，或可为结构化的装置，基板305可包括一种或多种材料，所述一种或多种材料配置为或限定将理解为由本技术类似包含的柱、沟道或其他结构。基板305可包括任何数量的材料，包括硅或含硅材料，例如硅的氧化物、硅的氮化物和硅的碳化物，以及可并入结构内的任何其他材料。
34.一个或多个材料层可形成于基板305的部分上方或形成于整个基板上方，以及至少部分地形成在基板内，以产生在实施方式中可为平面化或结构化的材料的结构。作为非限制实例，基板305可以是或包括硅，或可包括在额外材料上方形成的表面量的硅，例如氧化硅，并且可为氧化硅的还原部分，留下硅暴露表面。在基板305的表面处暴露的材料可被蚀刻、平面化或者以其他方式处理，以在一些实施方式中产生断断续续的图案。尽管图示为单个实例，应理解装置300可包括更大工艺集成的小分区，而可包括可类似于或与所示物体不同的任何数量的额外分区。基板305可被收容或定位在半导体处理腔室的处理区域中，并且可实行方法200以在基板上产生半导体材料，例如高k介电材料。
35.在操作205中，方法200可包括将预处置前驱物输送至基板。预处置前驱物可以是或包括含氮前驱物或含氧前驱物。前驱物可接触基板，且可在基板的暴露表面上形成或引入反应配体，这在图3中示为配体310。与常规技术不同，本技术可利用预处置，所述预处置配置成产生在后续操作中高k介电材料的有序生长。
36.举例而言，在一些实施方式中，基板可以是或包括硅的暴露表面。基板305可本身为硅，或可为一些其他含硅材料，所述含硅材料经还原或改性以展现硅表面。作为一个非限制实例，在基板305可包括氧化硅的情况下，初始预处置可包括例如(诸如以含氢前驱物之
类)从结构的表面移除氧。可接着使硅的薄表面层暴露。不受任何特定理论束缚，相对于在一些实施方式中的氧化硅，硅可提供改良的基础特性，用于容纳含氮前驱物。这可给予某些高k介电材料的优越形成。
37.预处置前驱物可以是或包括任何含氮或含氧前驱物。含氧前驱物的特征可以在于羟基[-oh]，而可并入基板305的表面上。含氮前驱物的特征可以在于氨基[-nh2]，或其他含氮基。举例而言，含氮前驱物可以是或包括含氮和氢的前驱物(例如作为一个非限制实例的氨)或含氮和氧的前驱物，或包括氮的任何其他前驱物。
[0038]
在一些实施方式中，表面末端可以是或包括羟基或氨基末端的表面。在操作210处，方法200可接着包括覆盖基板形成高k介电材料。本技术可涵盖高k材料的任何形成或沉积，尽管在一些实施方式中形成操作210可以是或包括原子层沉积或任何其他原子层沉积腔室。可在预处置基板表面之后直接实行形成，并且可在与预处置相同的腔室中实行形成，或在额外腔室中实行形成，额外腔室例如是并入相同系统(诸如系统100之类)上的额外腔室。在一些实施方式中，在从预处置腔室传送基板至沉积或形成腔室的同时可维持真空条件，这可限制基板暴露至空气。
[0039]
在实行原子层沉积工艺以形成高k介电材料的情况下，含金属前驱物可输送至基板，以与经预处置的表面反应。举例而言，含过渡金属前驱物、含贫金属前驱物(poor-metal-containing precursor)、或含镧系金属前驱物可输送至处理腔室，以与来自预处置而暴露在基板上的反应配体相互作用。含氧前驱物可接着在第二操作中输送，例如在含金属前驱物的净化之后。此举可通过原子层沉积产生氧化物层，例如图3b中图示的层315。在一个非限制实例中，含铪前驱物可在第一操作中输送，并且氧化剂可在第二操作中输送，用于产生氧化铪膜。额外的含金属前驱物可包括含锆前驱物，用于产生含锆材料，以及任何其他数量的含金属前驱物，用于产生额外的金属氧化物结构。对于含铪前驱物，并且类似地对于任何替代金属，前驱物可以是或包括含卤素前驱物、含氧前驱物、含氢前驱物或含碳前驱物，在这些前驱物中的任一者中并入铪。
[0040]
对于氧化剂，可使用任何含氧前驱物，所述含氧前驱物可以与含金属材料反应。举例而言，含氧前驱物可以是或包括水、双原子氧、臭氧、含羟基前驱物或醇(alcohol)、含氮和氧的前驱物、等离子体增强的氧(包括本地或远程增强的氧)或包括氧而可并入诸如铪的金属的任何其他材料，以产生覆盖基板的金属氧化物材料层。再次，以上所记载的任何含金属材料可在本技术的实施方式中使用，且可包括任何成群组的金属，这可包括且可不限于铪、锆、硅、镧、铝、钛、锶或这些材料的组合，诸如例如硅酸铪之类的材料。
[0041]
当实行根据本技术的实施方式的预处置时，含金属材料的结构可以有序的方式形成或沉积，以产生更均匀的晶粒结构。这可通过在诸如硅之类的更加结构化的表面材料上方形成预处置前驱物的反应配体而产生。此外，通过以某些条件实行预处置暴露，可给予额外改良。
[0042]
可以某个温度实行预处置，所述温度配置成活化前驱物和/或基板的表面。举例而言，在可使用含氮和氢的前驱物作为预处置前驱物的情况中，在输送前驱物的同时基板可维持在大于或约是300℃的温度下。类似地，还可实行具有含氧前驱物的预处置，同时将基板维持在大于或约是300℃的温度下。对于任何预处置操作，基板还可维持在大于或约是400℃的温度下、大于或约是500℃的温度下、大于或约是600℃的温度下、大于或约是700℃
的温度下、大于或约是800℃的温度下、或更大的温度下。随着用于预处置的温度减少至低于或约是500℃，效率(effectiveness)可降低。类似地，随着温度增加到高于或约是700℃，可能无法改良成核(nucleation)，并且过量的前驱物可并入表面上，这可使装置的移动性劣化。因此，在一些实施方式中，于预处置期间温度可维持介于约500℃与约700℃之间。
[0043]
类似地，暴露时间可影响含氮前驱物并入的量，且因此限制所产生的装置的移动性损失，前驱物暴露可小于或约是3分钟，且在一些实施方式中暴露时间可小于或约是2.5分钟、小于或约是2分钟、小于或约是1.5分钟、小于或约是1分钟、小于或约是45秒、小于或约是30秒、小于或约是15秒、或更少。一旦已经并入适当量的氨基，可实行形成。包括原子层形成的形成可在任何温度下实行，尽管在一些实施方式中原子层沉积可在低于或约是实行预处置所处于的温度的温度下实行，而不论操作是否在相同或不同的腔室中实行。举例而言，原子层沉积可在相对于预处置温度的第二温度下实行，且在实施方式中，形成温度可小于或约是500℃，且可小于或约是450℃、小于或约是400℃、小于或约是350℃、小于或约是300℃、小于或约是250℃、或更低。
[0044]
在形成或沉积高k材料的层之后，可实行一种或多种后处置。在一些实施方式中，在可选的操作215处，基板可从沉积腔室传送至另一腔室或一组腔室，用于对材料进行后处置。类似于以上所解释的，传送可在具有多个腔室的单个处理系统上发生，且因此可在维持真空条件的同时实行从这些腔室的任何腔室的传送或在这些腔室的任何腔室之间的传送。方法200可接着包括如由可选操作220表示的一个或多个额外后处置操作。后处置操作可包括在一个或多个腔室中实行的一个或多个操作，所述一个或多个腔室包括在相同群集工具上的多个腔室。后处置操作可包括氧化、氮化和/或热退火。
[0045]
如上所述，可实行预处置操作以提供足够的末端部分，以给予先前所述的均匀生长，同时限制过量前驱物并入基板。举例而言，并入的氮界面可降低产生的晶体管的移动性，或降低载流子(carrier)可移动通过结构的速度。尽管以上所述的预处置可进一步改良高k膜的除氧化皮(scaling)，但若未控制，则预处置可实际上使装置的移动性劣化。然而，在一些实施方式中，一种后处置可包括以相对于可在预处置操作中使用的第一含氧前驱物的第二含氧前驱物氧化所形成的高k材料。
[0046]
举例而言，可实行利用任何上述的含氧前驱物的氧化操作，以在形成之后进一步使膜氧化。高k膜的沉积或形成可产生多孔膜，或在结构中包括空腔的膜。通过实行氧化操作，氧物种可渗透膜而填充空洞，以及在高k材料的界面处产生氧化物材料，例如在图3c中图示的可选层320。此举可改良下层界面防止胺末端基团，这可增加装置的移动性性能。为了限制下层氧化物层的过度增加，可以受限制的时间段实行氧化操作，且可在先前所述的任何时间范围内实行氧化操作。
[0047]
后处置操作可额外包括使基板进一步与当使用时相对于预处置含氮前驱物的第二含氮前驱物接触。第二含氮前驱物可包括以上所述的任何含氮前驱物，且可包括氮气，以及其他地方所述的任何含氮前驱物。第二含氮前驱物可包括等离子体活化的或增强的含氮前驱物、热活化的氮或一些其他氮前驱物，这可允许氮自由基或氮原子并入高k结构内，这可使膜稳定或使膜趋于平衡状态。与氧化操作不同，氮化不会增加下层(例如氧化硅)的厚度，且也可略微增加所产生的膜的k值。
[0048]
可控制氮的并入以限制膜中的并入，以便维持结构性质和电性质。在一些实施方
式中，后处置氮化可在高k膜的表面区域处并入少于或约是20原子％的氮，且可并入少于或约是15原子％的氮、少于或约是10原子％的氮、少于或约是8原子％的氮、少于或约是6原子％的氮、少于或约是4原子％的氮、少于或约是2原子％的氮或更少。在一些实施方式中，并入介于约3原子％与约7原子％之间与更高的氮并入相比可维持更高的k值，且与更低的氮并入相比可更好地使膜稳定。表面区域可以是指材料的暴露的表面，尽管氮并入可延伸至膜内的任何距离，且可为一致的，或通过材料形成减少的梯度。
[0049]
后处置氧化或氮化可在先前所述的任何温度下实行，尽管在一些实施方式中后处置氧化和/或氮化可在低于或约是500℃的温度范围下实行，且可在低于或约是400℃、低于或约是300℃、低于或约是200℃、低于或约是100℃、或取决于实行的操作而更低的温度范围下实行。
[0050]
后处置退火可在任何操作(包括任何所述的后处置操作)之后实行。后处置退火可在任何腔室中实行，在所述腔室中实行先前的操作，或可涉及传送至不同的腔室，例如，诸如配置成实行快速热退火工艺之类的一个腔室。再次地，腔室可并入与其他腔室相同的平台上，这可在维持真空条件的同时允许腔室之间的传送。后处置退火可进一步对准膜结合(bonding)，且进一步使膜稳定。在实施方式中，后处置退火可在相对于第一温度的第三温度下实行，其中第三温度可高于或约为第一温度。举例而言，后处置退火可在高于或约是400℃的温度下实行，且在实施方式中可在高于或约是500℃、高于或约是600℃、高于或约700是℃、高于或约是800℃、高于或是约900℃或更高的温度下实行。
[0051]
通过根据本技术的实施方式实行预处置和/或后处置，可产生改良的高k材料。可产生高k材料的层至任何厚度，包括高达或约是若干纳米。然而，由于通过本技术产生的较佳晶粒结构，可产生更薄的有效氧化物厚度而不会损失栅极泄漏性能。根据本技术产生的高k材料的特征可以在于大于或约是10的k值，且特征可以在于大于或约是15、大于或约是20、大于或约是21、大于或约是22、大于或约是23、大于或约是24、大于或约是25或更大的k值。
[0052]
如上所述，本技术相较于常规技术进一步允许改良的介电常数。此外，因为产生的晶粒结构，与膜相关联的栅极泄漏电流可小于或约为氧化硅的类似厚度的膜十分之一的栅极泄漏电流，且栅极泄漏电流可小于或约为氧化硅的类似厚度的膜百分之一的栅极泄漏电流，小于或约为氧化硅的类似厚度的膜的千分之一，小于或约为氧化硅的类似厚度的膜的1/5,000，小于或约为氧化硅的类似厚度的膜的1/10,000，小于或约为氧化硅的类似厚度的膜的1/20,000，小于或约为氧化硅的类似厚度的膜的1/50,000，小于或约为氧化硅的类似厚度的膜的1/100,000，或更小。通过根据本技术的实施方式产生膜，可产生具有有益的形态的所形成的膜，这相较于常规技术可增强膜的电特性。
[0053]
在以上说明中，出于解释的目的，已阐述若干细节以便提供本技术的各种实施方式的理解。然而，对于本领域技术人员来说，显然，可在没有这些细节中的一些细节、或有额外的细节的情况下实践某些实施方式。
[0054]
已公开了若干实施方式，本领域技术人员将认识到在不脱离本公开内容的精神的情况下，可使用各种修改、替代构造和等同物。此外，并未描述若干熟知的工艺和元件，以便避免非必要地使本技术模糊。因此，以上说明不应当作限制技术的范围。
[0055]
当提供值的范围时，除非上下文另外明确指示，应理解也具体公开了介于该范围
的上限与下限之间的各个中间值(到下限单位的最小分数)。包括介于任何所载值或所载范围中的未载中间值与在所载范围中任何其他所载值或中间值之间的任何较窄范围。这些较小范围的上限和下限可独立地包括在范围中或从范围排除，并且在所记载的范围中具体排除任何极限值的条件下，在较小范围中包括上下限中任一者或两者的每个范围也包括在本技术内。当所记载范围包括一个或两个极限值时，也包括排除这些所包括的极限值中任一者或两者的范围。
[0056]
如在本文中和在所附的权利要求书中使用的，单数形式“一”、“一种”“该”和“所述”包括复数引述，除非上下文明确指示与之不同的情形。因此，举例而言，对“一层”的引述包括复数个这样的层，并且对“该前驱物”、“所述前驱物”的引述包括对一种或多种前驱物和本领域技术人员已知的一种或多种前驱物的等同物的引述，依此类推。
[0057]
而且，当在本说明书中和在所附的权利要求书中使用时，措辞“包含(comprise/comprising)”、“含有(contain/containing)”和“包括(include/including)”意欲表明所述的特征、完整件(integer)、部件或操作的存在，但它们并不排除一个或多个其他特征、完整件、部件、操作、动作或群组的存在或添加。