增强材料结构的处置的制作方法

技术特征：
1.一种形成半导体结构的方法，所述方法包含以下步骤：将含氮前驱物或含氧前驱物输送至在半导体处理腔室中含有的基板，其中所述基板包含含硅材料；以所述含氮前驱物或所述含氧前驱物在所述基板的暴露的表面上引入反应配体；和形成覆盖所述基板的高k介电材料。2.如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中所述含氮前驱物包含第一含氮前驱物并且所述含氧前驱物包含第一含氧前驱物，并且其中所述方法进一步包含，在形成所述高k介电材料之后，以第二含氮前驱物或第二含氧前驱物处置所述高k材料。3.如权利要求2所述的形成半导体结构的方法，其中所述第二含氮前驱物包含热活化的含氮前驱物或等离子体增强的含氮前驱物。4.如权利要求2所述的形成半导体结构的方法，其中所述处置的步骤以小于或约是10原子百分比的量将氮并入到所述高k介电材料中。5.如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，进一步包含以下步骤：在形成所述高k介电材料之后，实行热退火。6.如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中所述形成高k介电材料的步骤包含以下步骤：实行原子层沉积工艺。7.如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中所述含氮前驱物包含氨，并且其中在输送所述氨的同时，所述基板维持在大于或约是300℃的温度下。8.如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中所述高k介电材料包含至少一种选自由下列项组成的群组的元素：铪、锆、硅、镧、铝、钛和锶。9.一种形成半导体结构的方法，所述方法包含以下步骤：通过以含氮前驱物或含氧前驱物接触基板来预处置所述基板；在收容预处置的所述基板的第一半导体处理腔室中形成覆盖预处置的所述基板的高k介电材料；将所述基板传送至第二半导体处理腔室；和对所述高k介电材料进行后处置。10.如权利要求9所述的形成半导体结构的方法，其中所述后处置的步骤包含以下步骤：将所述基板和高k介电材料暴露至含氧前驱物或含氮前驱物。11.如权利要求10所述的形成半导体结构的方法，进一步包含以下步骤：在所述后处置的步骤之后，将所述高k介电材料退火。12.如权利要求9所述的形成半导体结构的方法，其中将所述基板传送至第二半导体处理腔室的步骤包含以下步骤：在多腔室处理系统上的两个腔室之间传送所述基板，并且其中在所述多腔室处理系统上维持真空条件的同时实行所述传送的步骤。13.如权利要求9所述的形成半导体结构的方法，其中用于所述预处置的所述含氮前驱物包含氨，并且其中在将所述氨输送至所述基板的同时，所述基板维持在低于约700℃的温度下，并且其中所述预处置的步骤实行达小于或大约一分钟。14.如权利要求9所述的形成半导体结构的方法，其中所述基板包含含硅材料，并且其中所述含硅材料的暴露的表面层包含硅。15.一种形成半导体结构的方法，所述方法包含以下步骤：
通过在将基板维持在大于或约是400℃的第一温度下的同时，以含氮前驱物或含氧前驱物接触所述基板来预处置所述基板；在将预处置的所述基板维持在小于所述第一温度的第二温度下的同时，形成覆盖预处置的所述基板的高k介电材料；和利用以大于所述第一温度或大约与所述第一温度相同的第三温度实行的退火，对所述高k介电材料进行后处置。

技术总结
可实行处理方法以生产可包括高k介电材料的半导体结构。方法可包括将含氮前驱物或含氧前驱物输送至在半导体处理腔室中含有的基板。方法可包括以含氮前驱物或含氧前驱物在基板的暴露的表面上形成反应配体。方法还可包括形成覆盖基板的高k介电材料。成覆盖基板的高k介电材料。成覆盖基板的高k介电材料。


技术研发人员：大卫
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2020.04.14
技术公布日：2022/2/18