一种TFT阵列基板、显示面板及电子设备的制作方法

一种tft阵列基板、显示面板及电子设备
技术领域
1.本公开涉及显示器领域，特别涉及一种tft阵列基板、显示面板及电子设备。


背景技术：

2.对于新产品而言，tho6090(temperature(60℃)humidity(90％)operation)是一个重要评价标准，即在高温高湿的恶劣环境下运行屏幕，评价屏幕正常显示持续时间，正常显示持续时间越长越好，目前厂内的最低标准是大于等于1000小时。tho异常显示的原因是随着评价时间的推移，水汽侵入goa(gate on array，门阵列)区域中的seal胶腐蚀信号线，导致seal胶下clk信号线短接从而屏幕异常显示。目前，对于oxide(氧化物)产品而言，很多产品都很难达到最低标准，导致量产推迟，客户满意度降低。
3.当前厂内为了使oxide产品满足tho测试标准，厂内采用了多种方法对应，其中之一就是增大goa区域内seal胶外边缘与产品clk信号线距离的方法，但这又会导致产品边框增加，且与市场上产品窄边框化的发展趋势相悖。因此，为了能满足seal胶与clk信号线距离要求从而促进解决tho异常显示问题，且跟随符合市场发展趋势，减小goa排版空间是一个亟待解决的重要问题。
4.目前，oxide产品的goa模型(即驱动一行像素的goa)采用a、b两组降噪tft(thin film transistor，薄膜晶体管)单元交替工作的方式以延长产品寿命，中a组和b组的形状大小需完全保持一致，避免交替工作时出现不良，每个tft单元均由多个tft累加构成，tft单元呈矩形，导致goa排版区所占空间较大，不利于实现窄边框。


技术实现要素：

5.有鉴于此，本公开实施例提出了一种tft阵列基板、显示面板及电子设备，用以解决现有技术的如下问题：oxide产品的goa模型采用a、b两组降噪tft单元交替工作的方式以延长产品寿命，每个tft单元均由多个tft累加构成，tft单元呈矩形，导致goa排版区所占空间较大，不利于实现窄边框。
6.一方面，本公开实施例提出了一种tft阵列基板，包括：多个goa模型，一个所述goa模型用于驱动一行像素；每个所述goa模型包括多对tft单元，每对tft单元中的每个所述tft单元包括多个tft，多个所述tft的三极组成所述tft单元的三极走线，所述三极为栅极、源极和漏极；其中，每对所述tft单元的第一tft单元与第二tft单元中所述三极走线排版的形状、大小均相同，所述第一tft单元与所述第二tft单元的所述三极走线中具有相同信号的电极走线中的一极或两极配置为共用走线。
7.在一些实施例中，在具有相同信号的所述电极走线的数量为两个、且所述电极走线包括源极走线和/或漏极走线时，所述源极走线和/或所述漏极走线配置为共用走线。
8.在一些实施例中，在具有相同信号的所述电极走线的数量为一个、且所述电极走线不是所述栅极走线时，所述源极走线或所述漏极走线配置为共用走线。
9.在一些实施例中，在所述第一tft单元与所述第二tft单元具有相同的源极信号和
漏极信号时，所述第一tft单元与所述第二tft单元的所述源极走线配置为共用走线。
10.在一些实施例中，在所述第一tft单元与所述第二tft单元具有相同的源极信号和漏极信号时，所述第一tft单元与所述第二tft单元的所述漏极走线配置为共用走线。
11.在一些实施例中，在所述第一tft单元与所述第二tft单元具有相同栅极信号和源极信号时，所述第一tft单元与所述第二tft单元的所述源极走线配置为共用走线、所述栅极走线配置为共用走线。
12.在一些实施例中，在所述第一tft单元与所述第二tft单元具有相同的栅极信号和漏极信号时，所述第一tft单元与所述第二tft单元的所述漏极走线配置为共用走线、所述栅极走线配置为共用走线。
13.另一方面，本公开实施例提出了一种显示面板，至少包括：本公开任一实施例所述的tft阵列基板。
14.另一方面，本公开实施例提出了一种电子设备，至少包括：本公开任一实施例所述的显示面板。
15.本公开实施例在设置goa模型时对两个完全相同的tft单元进行了改进，通过确定两个tft单元三极走线中具有相同信号的电极走线来确定共用走线，进而在布线时将每个goa模型中每对tft单元内具有相同信号的电极走线中的一极或两极配置为共用走线，节省同一信号的电极走线的占用面积，进而减小goa排版区所占空间，释放出更多空间进行窄边框设计。
附图说明
16.为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
17.图1为现有技术提供的goa模型的排版示意图一；
18.图2为现有技术提供的goa模型的排版示意图二；
19.图3为本公开实施例提供的tft阵列基板的结构示意图；
20.图4为现有技术提供的goa模型的排版示意图三；
21.图5为本公开实施例提供的goa模型的排版示意图一；
22.图6为本公开实施例提供的goa模型的排版示意图二；
23.图7为现有技术提供的goa模型的排版示意图四；
24.图8为本公开实施例提供的goa模型的排版示意图三。
25.附图标记：
26.1-goa模型，11-第一tft单元，12-第二tft单元。
具体实施方式
27.为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通
技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
28.除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
29.为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。
30.一个goa模型会包括多对tft单元，每一对所述tft单元中的第一tft单元与第二tft单元所述三极走线排版的形状、大小均相同，一个goa模型中每对tft单元的三极走线排版的形状、大小可以均不相同，当然也可以相同，此处不做限定。下述内容中，为了表述清楚，本公开实施例通常以一个goa模型中只包括一对tft单元为例进行示意性说明，具体实现时，每对tft单元的排版均可以按照本公开实施例的方式进行配置。
31.在goa模型中，a组和b组tft单元的形状、大小需完全保持一致，即为一对tft单元，避免交替工作时出现不良。由于a、b是交替工作组，所以a、b两组降噪tft单元的源极(s)、漏极(d)和栅极(g)这三组信号中会有至少一组信号不同，其余两组或一组信号相同。图1和图2是现行goa模型中常用的两个降噪tft单元，其中图1是具有相同栅极信号和源极信号的a、b组tft单元的排版，图2是是具有相同源极信号和漏极信号的a、b组tft单元的排版。
32.基于上述附图可以看出，现有的tft阵列基板的在goa模型排版时所占面积较大，因此，本公开实施例提供了一种tft阵列基板，其结构示意如图3所示，包括：
33.多个goa模型1，一个goa模型1用于驱动一行像素；每个goa模型1包括多对tft单元，每对tft单元中的每个tft单元包括多个tft，多个tft的三极组成tft单元的三极走线，三极为栅极、源极和漏极；其中，每对所述tft单元的第一tft单元11与第二tft单元12中三极走线排版的形状、大小均相同，第一tft单元与第二tft单元的三极走线中具有相同信号的电极走线中的一极或两极配置为共用走线。
34.本公开实施例在设置goa模型时对两个完全相同的tft单元进行了改进，通过确定两个tft单元三极走线中具有相同信号的电极走线来确定共用走线，进而在布线时将每个goa模型中每对tft单元内具有相同信号的电极走线中的一极或两极配置为共用走线，节省同一信号的电极走线的占用面积，进而减小goa排版区所占空间，释放出更多空间进行窄边框设计。
35.上述图3中仅示意出一个goa模型中的一对tft单元，其它对tft单元也均采用共用走线的设计方式，可以具体根据每对tft单元中相同信号的电极走线配置哪极走线为共用走线，此处不进行赘述。
36.对于goa模型，其三级走线分别处于不同层，即依次包括栅极层、绝缘层、氧化物层、源极漏极层，由此可见，源极走线和漏极走线分布在一层，栅极走线单独处于一层，栅极
走线跟随源极走线和漏极走线的整体布线而改变，因此在具体实现时，主要需要确定具有相同信号的电极走线是哪一级或哪两极。
37.例如，在具有相同信号的电极走线的数量为两个、且电极走线包括源极走线和/或漏极走线时，此时，两个相同信号的电极走线中至少包括一个源极漏极层中的一极走线，因此，可以将源极走线和/或漏极走线配置为共用走线。如果两个具有相同信号的电极走线是源极走线和漏极走线，则可以将源极走线和漏极走线均设置为公用走线。
38.具体的，当第一tft单元与第二tft单元具有相同的源极信号和漏极信号时，可以将第一tft单元与第二tft单元的全部或部分源极走线配置为共用走线，还可以第一tft单元与第二tft单元的全部或部分漏极走线配置为共用走线，还可以将第一tft单元与第二tft单元的全部或部分源极走线及漏极走线均配置为共用走线。
39.在第一tft单元与第二tft单元具有相同栅极信号和源极信号时，可以将第一tft单元与第二tft单元的源极走线配置为共用走线、栅极走线配置为共用走线；在第一tft单元与第二tft单元具有相同的栅极信号和漏极信号时，可以将第一tft单元与第二tft单元的漏极走线配置为共用走线、栅极走线配置为共用走线。上述配置为共用走线的栅极走线，由于其位于源极楼基层之外的另一层，因此，栅极走线的布线按照源极漏极层的布线进行响应的配置即可。
40.再例如，在具有相同信号的电极走线的数量为一个、且电极走线不是栅极走线时，则说明具有相同信号的电极走线是可以按照公用走线进行排版，因此，可以将源极走线或漏极走线配置为共用走线。
41.下面结合附图对上述过程进行进一步说明。
42.本公开实施例提供了一种实现panel(显示面板)窄边框的goa排版方法：即在不增加额外开发费用和工艺的情况下，通过将goa中a、b两组降噪tft单元(即第一tft单元和第二tft单元)的栅极、源极和漏极中的某一极或某两极共用，从而减小goa排版空间，将节省的空间用于满足seal胶与clk信号线距离要求，解决厂内高发的tho异常显示问题，或者进一步减小产品边框，满足客户需求，极大地提升客户满意度。
43.如图4和图5所示，对于具有相同栅极信号和源极信号的a、b组降噪tft单元，图4为现有技术中的goa模型排版示意图，图5为本公开实施例的goa模型排版示意图，本公开实施例直接将a、b两组tft单元的源极走线和栅极走线共用。图4所示的排版所占用的面积约为1151.4um2，而图5所示的排版所占用面积约为732.45um2，减小约36％，有效地减小了goa排版空间。
44.从原理上来说，对于图4而言，当a组降噪tft单元工作、b组不工作时，即沟道1工作，假设其栅极电压为vg，源极和漏极电压分别为vs和vd1；沟道2不工作，但由于a、b组栅极和源极信号相同，所以其栅极电压仍为vg，源极电压仍为vs，其漏极信号为vd2(0信号)。若采用图5的排版，对比发现，当a组降噪tft单元工作、b组不工作时，沟道1工作的栅极、源极和漏极电压分别为vg、vs和vd1；沟道2的栅极电压、源极电压和漏极电压也仍分别为vg、vs和vd2。当a组不工作，b组工作时原理分析亦是如此，在此不赘述。由此可见，a、b两组降噪tft单元中各沟道的环境并没有发生改变，不会影响tft特性和使用。
45.如图1和图6所示，可以应用于17.3inch uhd产品，其使用了具有相同栅极信号、源极信号的a、b组降噪tft单元，图1为现有技术中的goa模型排版示意图，图6为本公开实施例
的goa模型排版示意图，本公开实施例直接将a、b两组降噪单元相邻的源极走线、栅极走线共用。图1所示的排版所占用的面积约为3399.4um2，而图6的排版所占用面积约为2439.45um2，减小约26％，有效地减小goa排版空间。
46.如图7和图8所示，对于具有相同源极信号、漏极信号的a、b组降噪tft单元，图7为现有技术中的goa模型排版示意图，图8为本公开实施例的goa模型排版示意图，本公开实施例直接将该a、b两组降噪单元部分源极走线共用。图7所示的排版所占用的面积约为17255.5um2，而图8的排版占用面积约为13647.4um2，减小约22％，有效地减小goa排版空间。
47.本公开实施例的各个附图中虽然通过不同线条对源极走线和漏极走线进行了区分，但在实际操作时，源极走线和漏极走线可以与本公开实施例完全相反，此处不进行限定。
48.本公开实施例还提供了一显示面板，其至少包括上述实施例中任一tft阵列基板。本公开实施例还提供了一种电子设备，起至少包括上述实施例中的显示面板。
49.此外，尽管已经在本文中描述了示例性实施例，其范围包括任何和所有基于本公开的具有等同元件、修改、省略、组合(例如，各种实施例交叉的方案)、改编或改变的实施例。权利要求书中的元件将被基于权利要求中采用的语言宽泛地解释，并不限于在本说明书中或本技术的实施期间所描述的示例，其示例将被解释为非排他性的。因此，本说明书和示例旨在仅被认为是示例，真正的范围和精神由以下权利要求以及其等同物的全部范围所指示。
50.以上描述旨在是说明性的而不是限制性的。例如，上述示例(或其一个或更多方案)可以彼此组合使用。例如本领域普通技术人员在阅读上述描述时可以使用其它实施例。另外，在上述具体实施方式中，各种特征可以被分组在一起以简单化本公开。这不应解释为一种不要求保护的公开的特征对于任一权利要求是必要的意图。相反，本公开的主题可以少于特定的公开的实施例的全部特征。从而，以下权利要求书作为示例或实施例在此并入具体实施方式中，其中每个权利要求独立地作为单独的实施例，并且考虑这些实施例可以以各种组合或排列彼此组合。本公开的范围应参照所附权利要求以及这些权利要求赋权的等同形式的全部范围来确定。
51.以上对本公开多个实施例进行了详细说明，但本公开不限于这些具体的实施例，本领域技术人员在本公开构思的基础上，能够做出多种变型和修改实施例，这些变型和修改都应落入本公开所要求保护的范围之内。