在晶片的正面上沉积外延层的方法和实施该方法的装置与流程

技术特征：
1.一种用于在具有取向切口的晶片的正面上沉积外延层的装置，其包括：用于保持并使具有基座支撑轴和基座支撑臂的基座旋转的机构；和由所述基座支撑臂保持并具有向内指向的突起部的环；以及包括基座环的基座，所述基座环具有用于在所述晶片的背面的边缘区域中支撑所述晶片的支撑面以及所述基座环的与所述支撑面相邻的台阶状外边界，所述支撑面具有向内指向的突起部。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述基座环的与所述支撑面相邻的所述台阶状外边界具有向内指向的凸起。3.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述环的突起部与所述支撑面的突起部位于相同的方位角位置。4.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述环的突起部与所述台阶状边界上的向内指向的凸起位于相同的方位角位置。5.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述环由石英玻璃构成。6.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述环的突起部由选择性地降低穿过其的热辐射的强度的材料制成，结果是，支撑在所述基座上的晶片的边缘上的第一子区域与相邻的第二子区域相比，被更弱地加热，在所述第一子区域中由于单晶材料的取向，在所述晶片的均匀温度下所述外延层的生长速率更大。7.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述环具有两个或四个突起部。8.一种用于在由单晶材料组成的晶片的正面上沉积外延层的方法，其包括：提供具有取向切口的晶片；将所述晶片布置在根据权利要求1至7中任一项所述的装置上，结果是所述晶片的取向切口具有与所述环的突起部相同的方位角位置；通过热辐射将所述晶片加热到沉积温度，所述热辐射被导向所述晶片的正面和背面；引导沉积气体穿过所述晶片的正面；以及选择性地降低导向所述晶片的背面的一部分热辐射的强度，结果是在所述晶片的边缘上的第一子区域与相邻的第二子区域相比，被更弱地加热，在所述第一子区域中由于单晶材料的取向，在所述晶片的均匀温度下外延层的生长速率更大。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，将在光谱的ir区域具有低透射率的材料布置在热辐射的光束路径中，从而选择性地降低所述一部分热辐射的强度。

技术总结
用于在具有取向切口的晶片的正面上沉积外延层的装置，包括用于保持并使具有基座支撑轴和基座支撑臂的基座旋转的机构；和由基座支撑臂保持并具有向内指向的突起部的环；以及包括基座环的基座，所述基座环具有用于在晶片的背面的边缘区域中支撑晶片的支撑面和与该支撑面相邻的基座环的台阶状外边界，支撑面具有向内指向的突起部。向内指向的突起部。向内指向的突起部。


技术研发人员：J
受保护的技术使用者：硅电子股份公司
技术研发日：2020.04.29
技术公布日：2022/1/18