放大器和包括该放大器的电压产生电路的制作方法

技术特征：
1.一种放大器，所述放大器包括：第一级，所述第一级配置成根据控制信号和偏置电流检测并输出基准电压和反馈电压之间的差异，其中，借助所述控制信号强制调整偏置电流量。2.根据权利要求1所述的放大器，其中，所述控制信号在半导体设备的上电过程期间根据外部电压的电平维持在第一电平，并且当所述外部电压的电平等于或大于设定电平时，所述控制信号过渡到第二电平。3.权利要求1所述的放大器，其中，所述第一级包括：第一晶体管阵列，所述第一晶体管阵列被共同施加有外部电压，并具有被共同施加有偏置电压的栅极端子；第二晶体管阵列，所述第二晶体管阵列与所述第一晶体管阵列电连接，并具有被共同输入所述控制信号的栅极端子；第三晶体管，所述第三晶体管与所述第一晶体管阵列和所述第二晶体管阵列电连接，并配置成接收所述基准电压；第四晶体管，所述第四晶体管电连接在所述第三晶体管和地电压端子之间；第五晶体管，所述第五晶体管与所述第一晶体管阵列和所述第二晶体管阵列电连接，并配置成接收所述反馈电压；以及第六晶体管，所述第六晶体管电连接在所述第五晶体管和所述地电压端子之间。4.根据权利要求3所述的放大器，其中，所述第一晶体管阵列包括多个晶体管，在所述多个晶体管中除一个晶体管以外的所有晶体管分别与所述第二晶体管阵列的多个晶体管电连接。5.根据权利要求3所述的放大器，其中，所述第三晶体管与所述第一晶体管阵列的多个晶体管中的一个晶体管以及所述第二晶体管阵列的多个晶体管共同电连接。6.根据权利要求3所述的放大器，其中，所述第一晶体管阵列的多个晶体管和所述第二晶体管阵列的多个晶体管配置成栅极宽度比所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管的栅极宽度窄。7.根据权利要求3所述的放大器，其中，所述第一级配置成使所述第一晶体管阵列和所述第二晶体管阵列的电流驱动力之和等于所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管中的每个晶体管的电流驱动力。8.根据权利要求1所述的放大器，其中，借助所述控制信号在根据偏置电压确定的最大值内强制调整所述偏置电流量。9.一种电压产生电路，所述电压产生电路包括：放大器，所述放大器配置成根据控制信号和偏置电流检测基准电压和反馈电压之间的差异，并配置成产生驱动信号；以及驱动器，所述驱动器配置成通过根据所述驱动信号驱动外部电压而产生内部电压，其中，借助所述控制信号强制调整偏置电流量。10.根据权利要求9所述的电压产生电路，其中，所述控制信号在半导体设备的上电过程期间根据所述外部电压的电平维持在第一电平，并且当所述外部电压的电平等于或大于设定电平时，所述控制信号过渡到第二电平。
11.根据权利要求9所述的电压产生电路，所述电压产生电路还包括：分布电阻器，所述分布电阻器配置成通过分布所述内部电压来产生所述反馈电压；以及电容器，所述电容器与所述分布电阻器并联地电连接在输出所述内部电压的端子和地电压端子之间。12.根据权利要求9所述的电压产生电路，其中，所述放大器包括：比较器，所述比较器配置成根据所述偏置电流检测并输出所述基准电压和所述反馈电压之间的差异；以及电流镜，所述电流镜配置成根据所述比较器的所述输出产生所述驱动信号。13.根据权利要求12所述的电压产生电路，其中，所述比较器包括：第一晶体管阵列，所述第一晶体管阵列被共同施加有所述外部电压，并具有被共同施加有偏置电压的栅极端子；第二晶体管阵列，所述第二晶体管阵列与所述第一晶体管阵列电连接，并具有被共同输入所述控制信号的栅极端子；第三晶体管，所述第三晶体管与所述第一晶体管阵列及所述第二晶体管阵列电连接，并配置成接收所述基准电压；第四晶体管，所述第四晶体管电连接在所述第三晶体管和地电压端子之间；第五晶体管，所述第五晶体管与所述第一晶体管阵列和所述第二晶体管阵列电连接，并配置成接收所述反馈电压；以及第六晶体管，所述第六晶体管电连接在所述第五晶体管和所述地电压端子之间。14.根据权利要求13所述的电压产生电路，其中，所述第一晶体管阵列包括多个晶体管，在所述多个晶体管中除一个晶体管以外的所有晶体管分别与所述第二晶体管阵列的多个晶体管电连接。15.根据权利要求13所述的电压产生电路，其中，所述第三晶体管与所述第一晶体管阵列的多个晶体管中的一个晶体管以及所述第二晶体管阵列的多个晶体管共同电连接。16.根据权利要求13所述的电压产生电路，其中，所述第一晶体管阵列的多个晶体管和所述第二晶体管阵列的多个晶体管配置成栅极宽度比所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管的栅极宽度窄。17.根据权利要求13所述的电压产生电路，其中，所述比较器配置成使所述第一晶体管阵列和所述第二晶体管阵列的电流驱动力之和等于所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管中的每个晶体管的电流驱动力。18.根据权利要求12所述的电压产生电路，其中，所述电流镜包括：第一晶体管，所述第一晶体管配置成接收所述外部电压；第二晶体管，所述第二晶体管电连接在所述第一晶体管和地电压端子之间；第三晶体管，所述第三晶体管配置成接收所述外部电压并具有与所述第一晶体管电连接的栅极端子；以及第四晶体管，所述第四晶体管电连接在所述第三晶体管和所述地电压端子之间；其中，在所述第三晶体管和所述第四晶体管所电连接到的节点处产生所述驱动信号。19.根据权利要求9所述的电压产生电路，其中，借助所述控制信号在根据偏置电压确
定的最大值内强制调整所述偏置电流量。20.一种电压产生电路，所述电压产生电路包括：第一晶体管阵列，所述第一晶体管阵列被共同施加有外部电压，并具有被共同施加有偏置电压的栅极端子；第二晶体管阵列，所述第二晶体管阵列与所述第一晶体管阵列电连接，并具有被共同输入控制信号的栅极端子；第三晶体管，所述第三晶体管与所述第一晶体管阵列及所述第二晶体管阵列电连接，并配置成接收基准电压；第四晶体管，所述第四晶体管电连接在所述第三晶体管和地电压端子之间；第五晶体管，所述第五晶体管与所述第一晶体管阵列和所述第二晶体管阵列电连接，并配置成接收反馈电压；第六晶体管，所述第六晶体管电连接在所述第五晶体管和所述地电压端子之间，并配置成产生驱动信号；驱动器，所述驱动器配置成通过根据所述驱动信号驱动所述外部电压而产生内部电压；以及分布电阻器，所述分布电阻器配置成通过分布所述内部电压来产生所述反馈电压，其中，根据所述控制信号强制调整根据所述偏置电压流经所述第一晶体管阵列和所述第二晶体管阵列的偏置电流量。21.根据权利要求20所述的电压产生电路，其中，所述控制信号在半导体设备的上电过程期间根据所述外部电压的电平维持在第一电平，并且当所述外部电压的电平变得等于或大于设定电平时，所述控制信号过渡到第二电平。22.根据权利要求20所述的电压产生电路，其中，所述第一晶体管阵列包括多个晶体管，在所述多个晶体管中除一个晶体管以外的所有晶体管分别与所述第二晶体管阵列的多个晶体管电连接。23.根据权利要求20所述的电压产生电路，其中，所述第三晶体管与所述第一晶体管阵列的多个晶体管中的一个晶体管以及所述第二晶体管阵列的多个晶体管共同电连接。24.根据权利要求20所述的电压产生电路，其中，所述第一晶体管阵列的多个晶体管和所述第二晶体管阵列的多个晶体管配置成栅极宽度比所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管的栅极宽度窄。25.根据权利要求20所述的电压产生电路，其中，所述电压产生电路配置成使所述第一晶体管阵列和所述第二晶体管阵列的电流驱动力之和等于所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管中的每个晶体管的电流驱动力。26.根据权利要求20所述的电压产生电路，其中，借助所述控制信号在根据所述偏置电压确定的最大值内强制调整所述偏置电流量。

技术总结
本申请公开了放大器和包括该放大器的电压产生电路。电压产生电路包括放大器，其配置成根据控制信号和偏置电流检测基准电压和反馈电压之间的差异，并配置成产生驱动信号。电压产生电路还包括驱动器，该驱动器配置成通过根据所述驱动信号驱动外部电压而产生内部电压。可以借助所述控制信号强制调整偏置电流量。量。量。


技术研发人员：崔皙焕
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：2021.01.18
技术公布日：2022/1/18