生成含金属或半金属膜的方法与流程

技术特征：
1.一种制备含无机金属或半金属膜的方法，包括：(a)将含金属或半金属化合物由气态沉积至固体基材上，和(b)使固体基材在气态中与通式(i)、(ii)或(iii)的化合物接触：其中a为nr、nr2、pr、pr2、o、or、s或sr，e为n、nr、p、pr、o或s，n为1、2或3，r为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，和r’为氢、烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，以及a、e和n的选择使得通式(i)、(ii)或(iii)的化合物为电中性的。2.根据权利要求1的方法，其中r为甲基、乙基、异丙基、仲丁基、叔丁基、三甲基甲硅烷基。3.根据权利要求1或2的方法，其中r在1位上不具有氢原子。4.根据权利要求1
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3中任一项的方法，其中n为1或2。5.根据权利要求1
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4中任一项的方法，其中通式(i)、(ii)或(iii)的化合物的熔点为
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80至125℃。6.根据权利要求1
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5中任一项的方法，其中含金属或半金属化合物含有ti、ta、mn、mo、w、ge、ga、as、in、sb、te、al或si。7.根据权利要求1
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6中任一项的方法，其中含金属或半金属化合物是金属或半金属的卤化物。8.根据权利要求1
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7中任一项的方法，其中含无机金属或半金属膜含有金属、金属氮化物、金属碳化物、金属碳氮化物、金属合金、金属间化合物或其混合物。9.根据权利要求1
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8中任一项的方法，其中包括(a)和(b)的顺序进行至少两次。10.根据权利要求1
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9中任一项的方法，其中所述方法是原子层沉积方法。11.根据权利要求1
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10中任一项的方法，其中通式(i)、(ii)或(iii)的化合物具有不超过600g/mol的分子量。12.根据权利要求1
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11中任一项的方法，其中通式(i)、(ii)或(iii)的化合物在200℃的温度下具有至少1毫巴的蒸气压。13.根据权利要求1
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12中任一项的方法，其中含无机金属或半金属膜含有小于5重量％的氮。14.通式(i)、(ii)或(iii)的化合物作为气相沉积方法中的还原剂的用途。
15.根据权利要求14的用途，其中所述气相沉积方法是原子层沉积方法。

技术总结
本发明属于制备含无机金属或半金属膜的方法的领域，该方法包括：(a)将含金属或半金属化合物由气态沉积至固体基材上，和(b)使固体基材在气态中与通式(I)、(II)或(III)的化合物接触，其中A为NR、NR2、PR、PR2、O、OR、S或SR，E为N、NR、P、PR、O或S，n为1、2或3，R为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，和R’为氢、烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，以及A、E和n的选择使得通式(I)、(II)或(III)的化合物为电中性的。(II)或(III)的化合物为电中性的。(II)或(III)的化合物为电中性的。


技术研发人员：S
受保护的技术使用者：韦恩州立大学
技术研发日：2020.05.27
技术公布日：2022/1/6