三维存储器件及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种三维(3d)存储器件，包括：在衬底上的交替导电/电介质堆叠层；在所述交替导电/电介质堆叠层中的多个沟道结构；以及在所述交替导电/电介质堆叠层中的多个栅极线缝隙(gls)结构，每个栅极线缝隙结构包括：穿透所述交替导电/电介质堆叠层的多个第一类型的gls部分，以及在所述交替导电/电介质堆叠层的上部部分中的多个第二类型的gls部分。2.根据权利要求1所述的3d存储器件，其中，所述多个第一类型的gls部分和所述多个第二类型gls部分在位线方向上布置在彼此紧邻的交错位置中。3.根据权利要求1所述的3d存储器件，还包括：存储块，包括至少三个存储指；其中，两个gls结构位于所述存储块的边缘上。4.根据权利要求3所述的3d存储器件，其中：所述两个gls结构中的一个gls结构的每个第二类型的gls部分在位线方向上与所述两个gls结构中的另一个gls结构的另一个第二类型的gls部分对准。5.根据权利要求3所述的3d存储器件，其中：所述两个gls结构中的一个gls结构的每个第二类型的gls部分在位线方向上与所述两个gls结构中的另一个gls结构的第一类型的gls部分重叠。6.根据权利要求1所述的3d存储器件，还包括：存储块，包括至少三个存储指；其中，中间的存储指由两个gls结构夹置。7.根据权利要求6所述的3d存储器件，其中：所述两个gls结构中的一个gls结构的每个第二类型的gls部分在位线方向上与所述两个gls结构中的另一个gls结构的另一个第二类型的gls部分对准。8.根据权利要求6所述的3d存储器件，其中：所述两个gls结构中的一个gls结构的每个第二类型的gls部分在位线方向上与所述两个gls结构中的另一个gls结构的第一类型的gls部分重叠。9.根据权利要求1所述的3d存储器件，还包括：存储块，包括至少三个存储指；其中，每个存储指由两个gls结构夹置。10.根据权利要求9所述的3d存储器件，其中：一个gls结构的每个第二类型的gls部分在位线方向上与相邻的第二类型的gls结构中的第一类型的gls部分重叠，并且在所述位线方向上与下一个gls结构中的另一个第二类型的gls部分对准。11.根据权利要求9所述的3d存储器件，其中：位于所述存储块的边缘上的一个gls结构的每个第二类型的gls部分在位线方向上与相邻的第二类型的gls结构中的第一类型的gls部分重叠，并且在所述位线方向上与位于所述存储块的另一边缘上的另一个gls结构中的另一个第二类型的gls部分对准。12.根据权利要求1所述的3d存储器件，其中：
所述第二类型的gls部分沿字线方向的长度等于或小于存储指在位线方向上的一半宽度。13.根据权利要求1所述的3d存储器件，其中：所述第二类型gls部分中的导电壁沿所述wl方向与所述第一类型的gls部分中的导电壁接触。14.根据权利要求1所述的3d存储器件，其中，每个沟道结构包括：在沟道孔的侧壁上的功能层；在每个沟道孔中的电介质填充物结构；以及在所述功能层和所述电介质填充物之间的沟道层。15.一种用于形成三维(3d)存储器件的方法，包括：在衬底上形成下交替电介质堆叠层；在所述下交替电介质堆叠层上形成上交替电介质堆叠层，并且在所述上交替电介质堆叠层中形成多个牺牲结构；形成多个栅极线缝隙(gls)，每个栅极线缝隙包括：穿透所述上交替电介质堆叠层和所述下交替电介质堆叠层的多个第一类型的gls段，以及在上交替导电/电介质堆叠层中的多个第二类型的gls段；将所述上交替电介质堆叠层和所述下交替电介质堆叠层转换为交替导电/电介质堆叠层；以及在每个gls中形成gls结构。16.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述多个gls包括在位线方向上、在彼此紧邻的交错位置中形成多个第一类型的gls部分和多个第一类型的gls部分。17.根据权利要求15所述的方法，其中，在每个gls中形成所述gls结构包括：在所述多个第一类型的gls段中形成多个第一类型的gls部分，每个第一类型的gls部分穿透所述交替导电/电介质堆叠层；以及在所述多个第二类型的gls段中形成多个第二类型的gls部分，每个第二类型的gls部分在所述上交替导电/电介质堆叠层中延伸。18.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述上交替电介质堆叠层和所述多个牺牲结构包括：在所述下交替电介质堆叠层上形成一个或多个电介质层对；在所述一个或多个电介质层对中形成多个凹陷；在每个凹陷中形成牺牲结构；以及形成一个或多个附加电介质层对以覆盖所述多个牺牲结构。19.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述多个gls包括：在同一蚀刻工艺中形成所述多个第一类型的gls段和所述多个第二类型的gls段，其中，所述电介质对的蚀刻比大于所述牺牲结构的蚀刻比。20.根据权利要求15所述的方法，还包括：在形成所述上交替电介质堆叠层之前，在所述下交替电介质堆叠层中形成多个牺牲下沟道填充物结构；以及
在形成所述上交替电介质堆叠层之后，通过去除所述多个牺牲下沟道填充物结构和所述上交替电介质堆叠层的与所述多个牺牲下沟道填充物结构相对应的部分，形成穿透所述上交替电介质堆叠层和所述下交替电介质堆叠层的多个沟道结构。

技术总结
公开了三维(3D)存储器件及其制造方法的实施例。所公开的3D存储器件可以包括在衬底上的交替导电/电介质堆叠层，在交替导电/电介质堆叠层中的多个沟道结构，以及在交替导电/电介质堆叠层中的多个栅极线缝隙(GLS)结构。每个GLS可以结构包括穿透交替导电/电介质堆叠层的多个第一类型的GLS部分，以及在交替导电/电介质堆叠层的上部部分中的多个第二类型的GLS部分。GLS部分。GLS部分。


技术研发人员：张坤 周文犀 夏志良 霍宗亮
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2021.08.30
技术公布日：2022/1/4