一种低损耗的贴片式MOS管的制作方法

一种低损耗的贴片式mos管
技术领域
1.本实用新型涉及mos管，具体公开了一种低损耗的贴片式mos管。


背景技术：

2.mos管，是场效应管的一种，全称金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管，包括栅极、源极和漏极共三个电极，贴片式mos管是通过贴片的方式与pcb板实现焊接安装的。
3.现有技术中，贴片式mos管内部封装有三个导电引脚和一个晶片，晶片的底部电极直接与其中一个导电引脚焊接相连，晶片的顶部其他电极通过引线与另外两个导电引脚连接，由于内部存在一定的阻抗，且在长期工作时阻抗会越来越大，工作过程中贴片式mos管产生的损耗高。


技术实现要素：

4.基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种低损耗的贴片式mos管，工作时产生的损耗低，整体结构稳定可靠。
5.为解决现有技术问题，本实用新型公开一种低损耗的贴片式mos管，包括绝缘封装体和绝缘散热底座，绝缘散热底座上设有一个第一导电引脚和两个第二导电引脚，绝缘封装体内设有mos管晶片；
6.绝缘散热底座上设有第一限位孔，第一限位孔的一侧连接有贯穿绝缘散热底座一侧面的第二限位孔，第一限位孔的宽度大于第二限位孔的宽度，绝缘散热底座上还设有两个第一限位槽，第一限位槽的一侧连接有贯穿绝缘散热底座一侧面的第二限位槽，第一限位槽的宽度大于第二限位槽的宽度，两个第一限位槽位于第一限位孔的相对两侧，第一限位孔与第一限位槽之间设有两个定位孔，定位孔设于绝缘散热底座上，绝缘散热底座的顶面覆盖有粗糙结构面；
7.第一导电引脚包括第一承载片和第一外接片，第一承载片和第一外接片分别限位于第一限位孔和第二限位孔中，第一外接片的一端凸出于第二限位孔的一端外，mos管晶片的底端电极焊接于第一承载片上；
8.第二导电引脚包括第二承载片、第二外接片和下凸片，第一承载片和第一外接片分别限位于第一限位槽和第二限位槽中，下凸片位于第二限位槽远离第一限位槽的一端外，mos管晶片的顶部两个电极均焊接连接有一导电桥片，导电桥片的底部固定有两个定位柱，定位柱接插入各个定位孔中，导电桥片远离mos管晶片的一端与第二承载片焊接相连，mos管晶片、第二导电引脚和绝缘散热底座的顶面共面。
9.进一步的，绝缘散热底座为陶瓷座。
10.进一步的，第二限位孔的相对两侧均连接有一位于绝缘散热底座顶部的第一防潮填充槽，第二限位槽的相对两侧均连接有一位于绝缘散热底座顶部的第二防潮填充槽。
11.进一步的，mos管晶片的上方设有屏蔽挡板，屏蔽挡板的底部固定有至少三个插柱，绝缘散热底座上设有数量与插柱数量相等的插孔，各个插柱分别位于各个插孔中，插柱
的长度大于插孔的深度。
12.进一步的，屏蔽挡板的底面覆盖有绝缘层。
13.本实用新型的有益效果为：本实用新型公开一种低损耗的贴片式mos管，设置有截面积足够大的导电桥片用于连通mos管晶片和第二导电引脚，可有效降低内部结构的阻抗，从而有效降低工作时产生的损耗，底部的绝缘散热底座能够有效提高整体结构的散热性能，避免因长时间工作大幅升温而导致阻抗明显上升，导电桥片与绝缘散热底座之间通过两组定位柱和定位孔连接，在内部焊线的过程中无需夹持装置配合实现长时间的夹持定位动作，可有效提高内部线路的焊接效率，粗糙结构面能够有效提高绝缘封装体与绝缘散热底座之间连接结构的牢固性，整体结构稳定可靠。
附图说明
14.图1为本实用新型的俯视结构示意图。
15.图2为本实用新型沿图1中a
‑
a’的剖面结构示意图。
16.图3为本实用新型隐藏绝缘封装体后的拆分结构示意图。
17.附图标记为：绝缘封装体10、绝缘散热底座20、第一限位孔21、第二限位孔211、第一限位槽22、第二限位槽221、定位孔23、粗糙结构面24、第一防潮填充槽25、第二防潮填充槽26、插孔27、第一导电引脚30、第一承载片31、第一外接片32、第二导电引脚40、第二承载片41、第二外接片42、下凸片43、mos管晶片50、导电桥片51、定位柱511、屏蔽挡板60、插柱61、绝缘层62。
具体实施方式
18.为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
19.参考图1至图3。
20.本实用新型实施例公开一种低损耗的贴片式mos管，包括绝缘封装体10和绝缘散热底座20，绝缘封装体10位于绝缘散热底座20的上方，绝缘散热底座20上设有一个第一导电引脚30和两个第二导电引脚40，绝缘封装体10内封装设有mos管晶片50；
21.绝缘散热底座20上设有贯穿上下的第一限位孔21，第一限位孔21的一侧连接有贯穿绝缘散热底座20一侧面的第二限位孔211，第一限位孔21的宽度大于第二限位孔211的宽度，即第一限位孔21与第二限位孔211连接形成t字形的卡位结构，绝缘散热底座20上还设有两个贯穿顶面的第一限位槽22，每个第一限位槽22的一侧均连接有一贯穿绝缘散热底座20一侧面的第二限位槽221，第一限位槽22的宽度大于第二限位槽221的宽度，即第一限位槽22与第二限位槽221连接形成t字形的卡位结构，两个第一限位槽22分别位于第一限位孔21的相对两侧，第一限位孔21与任一第一限位槽22之间均设有两个定位孔23，定位孔23设于绝缘散热底座20上，绝缘散热底座20的顶面覆盖有粗糙结构面24，能有效提高绝缘封装体10与绝缘散热底座20之间连接结构的可靠性；
22.第一导电引脚30包括一体成型的第一承载片31和第一外接片32，第一承载片31和第一外接片32连接成t字形结构，第一承载片31和第一外接片32分别限位于第一限位孔21和第二限位孔211中，第一外接片32的一端凸出于第二限位孔211远离第一限位孔21的一端
外，第一导电引脚30的里面与绝缘散热底座20的底面共面，mos管晶片50的底端电极焊接于第一承载片31上；
23.第二导电引脚40包括一体成型的第二承载片41、第二外接片42和下凸片43，第二承载片41和第二外接片42连接成t字形结构，第一承载片31和第一外接片32分别限位于第一限位槽22和第二限位槽221中，下凸片43位于第二限位槽221远离第一限位槽22的一端外，下凸片43的底面与绝缘散热底座20的底面共面，mos管晶片50的顶部两个电极均焊接连接有一导电桥片51，每个导电桥片51的底部均固定有两个定位柱511，各个定位柱511分别接插入各个定位孔23中，用于对导电桥片51实现定位，两个导电桥片51远离mos管晶片50的一端分别与两个第二承载片41焊接相连，mos管晶片50的顶面、第二导电引脚40的顶面和绝缘散热底座20的顶面共面，即第一限位槽22的深度与第二承载片41的厚度相等，第一承载片31与mos管晶片50的厚度之和等于第一限位孔21的深度，用以方便导电桥片51的安装连接。
24.本实用新型设置导电桥片51的底部形成有两个定位柱511，并在绝缘散热底座20上设置有对应的定位孔23，安装好第一导电引脚30和第二导电引脚40于绝缘散热底座20后，将mos管晶片50焊接于第一导电引脚30上，再将两个导电桥片51的对应定位柱511插入定位孔23中，两个定位柱511能够有效限制同一导电桥片51的位置，避免其发生偏转等问题，定位效果稳定，通过超声波焊接等方式对导电桥片51的两端进行焊接，焊接过程中以及焊接完成后都无需夹持装置对导电桥片51进行持续的夹紧定位操作，可有效解放夹持装置，从而有效提高焊接效率，整体贴片式mos管结构稳定牢固，散热性能好，截面积相对较大的导电桥片51能够有效提高导电效率，工作时产生的损耗低，从而提高整体贴片式mos管的工作性能。
25.在本实施例中，绝缘散热底座20为陶瓷座，陶瓷具有良好的绝缘性能和导热性能。
26.在本实施例中，第二限位孔211的相对两侧均连接有一位于绝缘散热底座20顶部的第一防潮填充槽25，第二限位槽221的相对两侧均连接有一位于绝缘散热底座20顶部的第二防潮填充槽26，绝缘封装体10均填充于各个第一防潮填充槽25和第二防潮填充槽26中，第一导电引脚30和第二导电引脚40分别与绝缘封装体10之间的连接边缘为迂回弯折的结构，能够有效避免潮湿气体进入到绝缘封装体10的内部影响mos管晶片50的性能。
27.在本实施例中，mos管晶片50的上方设有屏蔽挡板60，屏蔽挡板60顶面贯穿绝缘封装体10的顶面，屏蔽挡板60的底部固定有至少三个插柱61，绝缘散热底座20上设有数量与插柱61数量相等的插孔27，各个插柱61分别位于各个插孔27中，插柱61的长度大于插孔27的深度，确保屏蔽挡板60分别与mos管晶片50和导电桥片51都不接触，屏蔽挡板60能够有效提高贴片式mos管的抗干扰性能，优选地，屏蔽挡板60为铝屏蔽板。
28.基于上述实施例，屏蔽挡板60的底面覆盖有绝缘层62，通过绝缘层62能够进一步提高mos管内部结构的可靠性。
29.以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。