新型TVS晶粒结构的制作方法

新型tvs晶粒结构
技术领域
1.本实用新型涉及晶圆制造技术领域，具体涉及一种新型tvs晶粒结构。


背景技术：

2.晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。
3.晶圆是tvs管的核心部分，晶粒是晶圆上的结构单位，其品质对芯片性能具有直接影响。现有技术中，常规晶粒结构难以满足单片大电流tvs的要求，因而在使用过程中故障率相对较高，运行稳定性较差。在这种情况下，如何开发更优的率相结构，成为本领域中有待解决的技术问题。


技术实现要素：

4.本实用新型旨在针对现有技术的技术缺陷，提供一种新型tvs晶粒结构，以解决常规晶粒结构性能有待改善的技术问题。
5.为实现以上技术目的，本实用新型采用以下技术方案：
6.新型tvs晶粒结构，包括基础层，环形体，槽体，凸出体，次顶层，顶层，翼环，其中，在基础层的上端外部具有环形体，在基础层上端、位于环形体内部的位置具有槽体，在基础层上端、位于槽体中部的位置具有凸出体，在凸出体的顶端具有次顶层，在次顶层的顶端具有顶层，在凸出体、次顶层、顶层的外周环绕有翼环。
7.作为优选，凸出体的顶面高于环形体的顶面。
8.作为优选，翼环倾斜向上。
9.本实用新型提供了一种新型tvs晶粒结构。该技术方案摒弃了全封闭式的晶粒结构，对晶粒的内部构造进行了集中改进。通过构造层面的改进，使晶粒结构得到优化，能够满足单片大电流tvs的技术要求，同时改善了芯片的整体性能。本实用新型以创新性的技术改进实现了突出的技术效果，其方案合理，具有良好的运行表现。
附图说明
10.图1是本实用新型的结构示意图；
11.图中：
12.1、基础层
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2、环形体
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3、槽体
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4、凸出体
13.5、次顶层
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6、顶层
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7、翼环。
具体实施方式
14.以下将对本实用新型的具体实施方式进行详细描述。为了避免过多不必要的细节，在以下实施例中对属于公知的结构或功能将不进行详细描述。以下实施例中所使用的
近似性语言可用于定量表述，表明在不改变基本功能的情况下可允许数量有一定的变动。除有定义外，以下实施例中所用的技术和科学术语具有与本实用新型所属领域技术人员普遍理解的相同含义。
15.实施例1
16.新型tvs晶粒结构，如图1所示，包括基础层1，环形体2，槽体3，凸出体4，次顶层5，顶层6，翼环7，其中，在基础层1的上端外部具有环形体2，在基础层1上端、位于环形体2内部的位置具有槽体3，在基础层1上端、位于槽体3中部的位置具有凸出体4，在凸出体4的顶端具有次顶层5，在次顶层5的顶端具有顶层6，在凸出体4、次顶层5、顶层6的外周环绕有翼环7。
17.实施例2
18.新型tvs晶粒结构，如图1所示，包括基础层1，环形体2，槽体3，凸出体4，次顶层5，顶层6，翼环7，其中，在基础层1的上端外部具有环形体2，在基础层1上端、位于环形体2内部的位置具有槽体3，在基础层1上端、位于槽体3中部的位置具有凸出体4，在凸出体4的顶端具有次顶层5，在次顶层5的顶端具有顶层6，在凸出体4、次顶层5、顶层6的外周环绕有翼环7。其中，凸出体4的顶面高于环形体2的顶面。翼环7倾斜向上。
19.以上对本实用新型的实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型。凡在本实用新型的申请范围内所做的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。


技术特征：
1.新型tvs晶粒结构，其特征在于包括基础层(1)，环形体(2)，槽体(3)，凸出体(4)，次顶层(5)，顶层(6)，翼环(7)，其中，在基础层(1)的上端外部具有环形体(2)，在基础层(1)上端、位于环形体(2)内部的位置具有槽体(3)，在基础层(1)上端、位于槽体(3)中部的位置具有凸出体(4)，在凸出体(4)的顶端具有次顶层(5)，在次顶层(5)的顶端具有顶层(6)，在凸出体(4)、次顶层(5)、顶层(6)的外周环绕有翼环(7)。2.根据权利要求1所述的新型tvs晶粒结构，其特征在于，凸出体(4)的顶面高于环形体(2)的顶面。3.根据权利要求1所述的新型tvs晶粒结构，其特征在于，翼环(7)倾斜向上。

技术总结
本实用新型提供了一种新型TVS晶粒结构。包括基础层，环形体，槽体，凸出体，次顶层，顶层，翼环，其中，在基础层的上端外部具有环形体，在基础层上端、位于环形体内部的位置具有槽体，在基础层上端、位于槽体中部的位置具有凸出体，在凸出体的顶端具有次顶层，在次顶层的顶端具有顶层，在凸出体、次顶层、顶层的外周环绕有翼环。本实用新型摒弃了全封闭式的晶粒结构，对晶粒的内部构造进行了集中改进。通过构造层面的改进，使晶粒结构得到优化，能够满足单片大电流TVS的技术要求，同时改善了芯片的整体性能。本实用新型以创新性的技术改进实现了突出的技术效果，其方案合理，具有良好的运行表现。运行表现。运行表现。


技术研发人员：方廷宇 游礼仲 许忠信 袁斌 路珊珊 张辉 苏方召
受保护的技术使用者：山东强茂电子科技有限公司
技术研发日：2021.07.15
技术公布日：2021/11/29