半导体封装结构的制作方法

技术特征：
1.一种半导体封装结构，其包括：第一裸片；第二裸片；导电柱，其经配置设置于所述第一裸片和所述第二裸片之间；其特征在于，所述导电柱具有第一部分和围绕所述第一部分的第二部分。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一部分是焊料材料。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一部分的材料是snag，且所述第二部分的材料是ni。4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述导电柱进一步包括设置于所述第一部分与所述第二部分之间的第三部分。5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第三部分的材料是cu。6.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第三部分的厚度为0.1μm至0.5μm。7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，其进一步包括设置于所述第一裸片上的第一导电衬垫和设置于所述第二裸片上的第二导电衬垫，其中所述导电柱连接至所述第一导电衬垫和所述第二导电衬垫。8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，其进一步包括钝化层，其中所述钝化层至少部分地或完全地围绕所述导电柱。9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，晶种层设置于所述钝化层和所述第二部分之间。10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，所述晶种层的厚度为0.1μm至0.5μm。11.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，其包括多个所述导电柱，其中两个相邻的导电柱之间的间距小于1μm。12.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一裸片和所述第二裸片是高带宽存储器裸片。

技术总结
本申请是关于半导体封装结构。在本申请的一些实施例中，本申请提供了一种半导体封装结构，其包括：第一裸片；第二裸片；导电柱，其经配置设置于第一裸片和第二裸片之间；导电柱具有第一部分和围绕第一部分的第二部分。本申请提供的半导体封装结构使用通过保护层包围焊料的新的导电柱结构，实现了在半导体封装结构中的焊料具有更加紧凑的间距，同时避免出现焊料桥接及焊料挤出等不良缺陷。桥接及焊料挤出等不良缺陷。桥接及焊料挤出等不良缺陷。


技术研发人员：仲野英一 内山士郎 A
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2021.04.28
技术公布日：2021/12/14