在浅沟槽隔离区中具有多晶本体的场效应晶体管的制作方法

技术特征：
1.一种结构，包括：半导体衬底；浅沟槽隔离区，位于该半导体衬底中，该浅沟槽隔离区包括沟槽；以及本体区，位于该浅沟槽隔离区的该沟槽中，该本体区由多晶半导体材料组成。2.如权利要求1所述的结构，其中，该多晶半导体材料为多晶硅，且该半导体衬底由单晶硅组成。3.如权利要求1所述的结构，其中，该沟槽部分地穿过该浅沟槽隔离区至下边界，且该浅沟槽隔离区包括设于该沟槽的该下边界与邻近该沟槽的该下边界的该半导体衬底之间的第一部分。4.如权利要求3所述的结构，其中，该浅沟槽隔离区包括横向围绕该本体区的多个第二部分。5.如权利要求4所述的结构，其中，该半导体衬底包括顶部表面，且该浅沟槽隔离区的该多个第二部分从该半导体衬底的该顶部表面延伸至该浅沟槽隔离区的该第一部分。6.如权利要求1所述的结构，其中，该浅沟槽隔离区包括横向围绕该本体区的多个部分。7.如权利要求1所述的结构，其中，该浅沟槽隔离区具有顶部表面，且该本体区具有与该浅沟槽隔离区的该顶部表面基本共面的顶部表面。8.如权利要求7所述的结构，其中，该半导体衬底具有顶部表面，且该本体区的该顶部表面与该半导体衬底的该顶部表面基本共面。9.如权利要求1所述的结构，还包括：开关场效应晶体管，包括位于该本体区上方的栅极以及位于该本体区中的源/漏区。10.如权利要求1所述的结构，还包括：多晶层，位于该半导体衬底中，该多晶层设于该浅沟槽隔离区及该本体区下方。11.如权利要求10所述的结构，其中，该多晶层包括直接接触该浅沟槽隔离区的部分。12.如权利要求10所述的结构，其中，该多晶层包括与该浅沟槽隔离区重叠的部分。13.如权利要求10所述的结构，其中，该浅沟槽隔离区包括完全位于该多晶层与该本体区之间的部分。14.如权利要求1所述的结构，其中，该半导体衬底为块体衬底。15.一种方法，包括：在半导体衬底中形成浅沟槽隔离区；在该浅沟槽隔离区中形成沟槽；以及在该浅沟槽隔离区的该沟槽中形成由多晶半导体材料组成的本体区。16.如权利要求15所述的方法，还包括：在该浅沟槽隔离区及该本体区下方的该半导体衬底中形成多晶层。17.如权利要求16所述的方法，其中，该多晶层包括直接接触该浅沟槽隔离区的部分。18.如权利要求15所述的方法，其中，该沟槽部分地穿过该浅沟槽隔离区至下边界，且该浅沟槽隔离区包括设于该沟槽的该下边界与邻近该沟槽的该下边界的该半导体衬底之间的第一部分。19.如权利要求18所述的方法，其中，该浅沟槽隔离区包括横向围绕该本体区的多个第
二部分。20.如权利要求19所述的方法，其中，该浅沟槽隔离区的该多个第二部分穿过该半导体衬底延伸至该浅沟槽隔离区的该第一部分。

技术总结
本发明涉及在浅沟槽隔离区中具有多晶本体的场效应晶体管，揭示场效应晶体管的结构以及形成场效应晶体管的结构的方法。在半导体衬底中形成浅沟槽隔离区。在该浅沟槽隔离区中形成沟槽，以及在该浅沟槽隔离区的该沟槽中形成本体区。该本体区由多晶半导体材料组成。该本体区由多晶半导体材料组成。该本体区由多晶半导体材料组成。


技术研发人员：M
受保护的技术使用者：格芯（美国）集成电路科技有限公司
技术研发日：2021.06.02
技术公布日：2021/12/7