用于处理基板的设备和方法与流程

1.本文描述的发明构思的实施例涉及基板处理设备和方法，并且更具体地涉及用于使用等离子体处理基板的设备和方法。


背景技术：

2.工业上使用的等离子体可分为低温等离子体和热等离子体。低温等离子体在半导体制造过程中使用最广泛，并且热等离子体应用于金属切割。
3.大气等离子体是指在将气体的压力维持在100torr至大气压(760torr)的范围内时产生低温等离子体的技术。大气等离子体系统是经济的，因为它不需要昂贵的真空设备。此外，大气等离子体系统能够以直排形式执行处理而无需泵送。因此，能够开发出能够使生产率最大化的等离子体系统。大气等离子体系统用于各种应用领域，诸如高速蚀刻和涂覆技术、半导体封装、显示、材料的表面改性和涂覆、纳米颗粒的产生、有害气体的去除、氧化性气体的产生等。
4.用于产生大气等离子体的线性等离子体产生设备可以通过一条气体供应管线仅施加预定的流量和预定的混合比，并且可以在沿垂直于等离子体产生设备的长度方向的方向上移动对象的同时执行等离子体处理。
5.因此，移动对象需要至少比对象的面积大两倍的空间，并且因此，当配置等离子体处理设备时，可能需要较宽的基本空间。此外，当处理圆形对象(例如晶片)而不是四边形对象时，必须处理不必要的部分(圆形对象的外部，其偏离等离子体产生设备的长度)，并且因此，下部传送设备可能被腐蚀。


技术实现要素：

6.本发明构思的实施例提供了基板处理设备和方法，用于对待处理的圆形对象执行均匀的等离子体处理。
7.此外，本发明构思的实施例提供了基板处理设备和方法，用于使大气等离子体处理设备紧凑，并且减少对待处理的大面积对象执行等离子体处理所需的处理时间。
8.此外，本发明构思的实施例提供了基板处理设备和方法，所述基板处理设备和方法具有设置在转位模块中的基板处理单元以及装载端口。
9.另外，本发明构思的实施例提供基板处理设备，所述基板处理设备用于通过在设备外部提供使用大气等离子体使基板表面亲水化或疏水化的设备来独立地处理设备外部的基板。
10.有待由发明构思解决的技术问题不限于上文所提及的问题，且发明构思所属的本领域的技术人员根据以下描述将清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。
11.根据实施例，基板处理单元包括在其上放置基板的旋转卡盘；设置在所述旋转卡盘中的下部电极；以及位于所述旋转卡盘上方并产生等离子体的等离子体产生设备。等离子体产生设备包括第一上部电极单元，其在所述基板的整个表面上执行等离子体处理；以
及第二上部电极单元，其在所述基板的局部区域上执行等离子体处理。
12.所述第一上部电极单元可以包括第一反应器主体，所述第一反应器主体沿着长度方向跨所述基板呈直线型设置，并且在与所述旋转卡盘一起旋转的所述基板的表面上执行等离子体处理。
13.所述第一上部电极单元可以包括第一反应器主体，其具有沿着长度方向跨所述基板呈直线型设置的中空棒状，所述第一反应器主体在内部具有排放空间；以及喷嘴，其沿着所述长度方向在所述第一反应器主体的底表面上呈直线型设置，并且将在所述排放空间中产生的等离子体喷射到放置在所述旋转卡盘上的所述基板上。
14.基板处理单元还可以包括第一致动器，其移动所述第一反应器主体，使得所述第一反应器主体在所述旋转卡盘上沿着第一方向水平地移动，并且所述喷嘴的长度可以大于或等于所述基板的直径。
15.第二上部电极单元可以包括第二反应器主体，所述第二反应器主体在基板上方移动的同时在基板的表面上局部地执行等离子体处理。
16.所述第二反应器主体可沿着垂直于所述第一方向的第二方向在所述第一反应器主体上移动。
17.所述第二反应器主体可以沿着安装在所述第一反应器主体的侧表面上的驱动轨道移动。
18.所述第二反应器主体可以设置在单独的移动臂上，并且在与所述移动臂一起移动的同时可以在所述基板的所述表面上局部地执行等离子体处理。
19.所述第一反应器主体可以包括由多个分隔壁分开的独立的排放空间，并且可以将反应气体独立地供应到所述独立的排放空间中。
20.所述基板处理单元可以附接到转位模块和从所述转位模块拆卸。
21.所述基板处理单元可以是大气压等离子体处理设备。
22.根据实施例，基板处理设备包括转位模块，其包括多个装载端口以及传送框架，在每个装载端口上放置其中容纳基板的载体，在所述传送框架中安装传送所述基板的转位机器人；与所述转位模块连接的处理模块，所述处理模块包括处理腔室，在每个处理腔室中处理所述基板；以及基板处理单元，其被设置成可附接到所述转位模块和从所述转位模块拆卸，所述基板处理单元包括在所述基板上执行等离子体处理的等离子体产生设备。等离子体产生设备包括第一上部电极单元，其在放置在旋转卡盘上的所述基板的整个表面上执行等离子体处理；以及第二上部电极单元，其在放置在旋转卡盘上的所述基板的局部区域上执行等离子体处理。
23.所述第一上部电极单元可以包括第一反应器主体，其具有沿着长度方向跨所述基板呈直线型设置的中空棒状，所述第一反应器主体在内部具有排放空间；以及喷嘴，其沿着所述长度方向在所述第一反应器主体的底表面上呈直线型设置，并且将在所述排放空间中产生的等离子体喷射到放置在所述旋转卡盘上的所述基板上。
24.基板处理单元还可以包括致动器，其移动所述第一反应器主体，使得所述第一反应器主体在所述旋转卡盘上水平地移动，并且所述喷嘴的长度可以大于或等于所述基板的直径。
25.第二上部电极单元可以包括第二反应器主体，所述第二反应器主体在基板上方移
动的同时在基板的表面上局部地执行等离子体处理，并且所述第二反应器主体可在所述第一反应器主体上移动。
26.第二上部电极单元可以包括第二反应器主体，所述第二反应器主体在基板上方移动的同时在基板的表面上局部地执行等离子体处理，并且所述第二反应器主体可以设置在单独的移动臂上，并且在与所述移动臂一起移动的同时可以在所述基板的所述表面上局部地执行等离子体处理。
27.所述装载端口、所述传送框架和所述处理模块可以沿第一方向布置，并且当从上方观察时，所述装载端口和所述基板处理单元可以沿垂直于所述第一方向的第二方向布置。
28.所述基板处理单元可以通过在大气压下对所述基板执行等离子体处理来使所述基板的表面亲水化或疏水化。
29.根据实施例，用于处理基板的方法包括：在将所述基板放置在所述旋转卡盘上的状态下，将所述第一上部电极单元和所述第二上部电极单元放置在所述基板上方的步骤；以及当所述旋转卡盘旋转时使用所述第一上部电极单元或所述第二上部电极单元中的至少一个在所述基板的表面上执行等离子体处理的步骤。
30.执行所述等离子体处理的所述步骤可以包括通过使用所述第一上部电极单元在所述基板的整个表面上执行等离子体处理的整个表面处理步骤；以及在所述整个表面处理步骤之后，通过使用所述第二上部电极单元，选择性地在等离子体处理不足的区域上执行等离子体处理的局部处理步骤。
31.在执行所述等离子体处理的所述步骤中，使用所述第一上部电极单元在所述基板的整个表面上执行等离子体处理、以及使用所述第二上部电极单元在所述基板的特定区域上选择性地且局部地执行等离子体处理被同时执行。
附图说明
32.根据以下参考附图的描述，上述和其他目的和特征将变得显而易见，其中，除非另有说明，否则相同附图标记在各个附图中是指相同部分，并且其中：
33.图1是说明根据本发明构思的实施例的基板处理设备的平面图；
34.图2是说明安装在图1所示的转位模块中的基板处理单元的视图；
35.图3至图6是说明根据本发明构思的实施例的基板处理单元的视图；
36.图7a是说明第一反应器主体的示意图；
37.图7b是说明第二反应器主体的示意图；
38.图8a和图8b是说明在基板处理单元中对基板执行等离子体处理的方法的视图；
39.图9是说明在基板处理单元中对基板执行等离子体处理的另一种方法的视图；
40.图10是说明等离子体产生设备的变形例的视图；以及
41.图11至图13是说明图7a所示的第一反应器主体的另一实施例的视图。
具体实施方式
42.根据以下结合附图给出的实施例的描述，本发明构思的上述和其他方面、特征和优点将变得显而易见。然而，本发明构思不限于本文公开的实施例，并且本发明构思的范围
应该仅由所附权利要求及其等同物来限制。除非另外限定，否则本文所用的所有术语(包括技术或科学术语)具有本发明构思所属领域的普通技术人员通常所理解的相同的含义。当与众所周知的构型相关的总体描述使发明构思的主题变得不必要地模糊时可被省略。如果可能的话，相同的附图标记用于指代本发明构思的附图中的相同或相应的部件。为了更好地理解本发明构思，在附图中可以放大或缩小部件的形状和尺寸。
43.本文中所使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，且并非意图限制发明构思的范围。除非另有说明，否则单数形式的术语可包含复数形式。应理解，例如“包括(comprise)”、“包含(include)”和“具有(have)”等术语在本文中使用时指定所陈述的特征、数目、步骤、操作、组件、零件或其组合的存在，但是并不排除一个或多个其他特征、数目、步骤、操作、组件、零件或其组合的存在或添加。
44.在下文中，将描述根据本发明构思的实施例的用于使用等离子体来处理基板的设备。例如，根据本发明构思的实施例的基板处理单元可以是用于使用等离子体使基板的表面亲水化或疏水化的基板处理设备。
45.图1是说明根据本发明构思的实施例的基板处理设备的平面图，并且图2是说明安装在图1所示的转位模块中的基板处理单元的视图。
46.参考图1和图2，基板处理装备10可包括转位模块100、装载模块300和处理模块200。
47.转位模块100可包括装载端口120、传送框架140和缓冲单元2000。装载端口120、传送框架140、装载模块300和处理模块200可按顺序布置成一排。在下文中，布置装载端口120、传送框架140、装载模块300和处理模块200的方向被称为第一方向12，当从上方观察时垂直于第一方向12的方向被称为第二方向14，并且垂直于包括第一方向12和第二方向14的平面的方向被称为第三方向16。
48.载体18安置在装载端口120上，载体中的每一个都具有被接收在其中的多个基板w。装载端口120沿第二方向14设置成排。用于支撑基板w的边缘的狭槽(未示出)形成在载体18中的每一个中。狭槽在载体18中沿着第三方向16上下堆叠，在狭槽之间具有间距间隙。前开式联合晶圆盒(foup)可以用作载体18。此外，基板处理单元3000可以沿第二方向14设置，在第二方向14上布置有装载端口120。基板处理单元3000可以沿着布置装载端口120的方向设置，并且可以处理基板w。下面将参考图3至图6详细描述基板处理单元3000。
49.传送框架140在安置在装载端口120上的载体18、缓冲单元2000和装载模块300之间传送基板w。此外，传送框架140可以在基板处理单元3000、缓冲单元2000和装载模块300之间传送基板w。转位轨道142和转位机器人144设置在传送框架140中。转位轨道142设置成使得其长度方向平行于第二方向14。转位机器人144安装在转位轨道142上且沿着转位轨道142在第二方向14上直线移动。转位机器人144具有基座144a、主体144b和转位臂144c。基座144a可沿转位轨道142移动。主体144b联接到基座144a。主体144b可沿第三方向16在基座144a上移动。此外，主体144b可在基座144a上旋转。转位臂144c联接到主体144b并且可相对于主体144b向前和向后移动。单独驱动转位臂144c。转位臂144c沿第三方向16上下堆叠，在转位臂之间具有间距间隙。转位臂144c中的一些可用于将基板w从处理模块200传送到载体18，且其他转位臂144c可用于将基板w从载体18传送到处理模块200。因此，在转位机器人144在载体18与处理模块200之间传送基板w的过程中，可防止从待处理的基板w生成的颗粒
粘附到经处理基板w。
50.缓冲单元2000临时存储基板w。缓冲单元2000执行去除残留在基板w上的处理副产物的处理。缓冲单元2000对在处理模块200中处理的基板w执行后处理工艺。后处理工艺可以是清洗基板w上的吹扫气体的工艺。缓冲单元2000定位成彼此面对，在它们之间具有传送框架140。缓冲单元2000沿第二方向14布置。缓冲单元2000位于传送框架140的相对侧上。可选择地，仅一个缓冲单元2000可以设置在传送框架140的一侧上。
51.装载模块300设置在传送框架140和传送单元240之间。对于要被传送到处理模块200的基板w，装载模块300用处理模块200的真空气氛代替转位模块100的大气气氛，并且对于要被传送到转位模块100的基板w，装载模块300用转位模块100的大气气氛代替处理模块200的真空气氛。装载模块300提供其中在传送单元240与传送框架140之间传送之前基板w停留的空间。装载模块300可包括装载锁定腔室320和卸载锁定腔室340。
52.装载锁定腔室320提供其中有待从转位模块100传送到处理模块200的基板w临时搁置的空间。在待机状态下，装载锁定腔室320保持大气气氛，并且对处理模块200关闭，但是对转位模块100开放。当基板w被放置在装载锁定腔室320中时，装载锁定腔室320的内部空间与转位模块100和处理模块200密封。之后，用真空气氛代替装载锁定腔室320中的大气气氛，并且装载锁定腔室320在对转位模块100关闭的状态下对处理模块200开放。
53.卸载锁定腔室340提供其中有待从处理模块200传送到转位模块100的基板w临时搁置的空间。在待机状态下，卸载锁定腔室340保持真空气氛，并且对转位模块100关闭，但是对处理模块200开放。当基板w被放置在卸载锁定腔室340中时，卸载锁定腔室340的内部空间与转位模块100和处理模块200密封。之后，用大气气氛代替卸载锁定腔室340中的真空气氛，并且卸载锁定腔室340在对处理模块200关闭的状态下对转位模块100开放。
54.处理模块200包括传送单元240和多个处理腔室260。
55.传送单元240在装载锁定腔室320、卸载锁定腔室340和多个处理腔室260之间传送基板w。传送单元240包括传送腔室242和传送机器人250。传送腔室242可以具有六边形形状。可选择地，传送腔室242可具有矩形或五边形形状。装载锁定腔室320、卸载锁定腔室340和多个处理腔室260位于传送腔室242周围。在传送腔室242中提供用于传送基板w的传送空间244。
56.传送机器人250在传送空间244中传送基板w。传送机器人250可以位于传送腔室242的中心中。传送机器人250可具有多个手252，它们可在水平方向和垂直方向上移动，并且可在水平面上向前或向后移动或旋转。可独立地驱动手252，并且可将基板w以水平状态安置在手252上。图1示出了通用前端设备的构型。然而，即使在不具有腔室的后端设备的构型中，本发明构思的基板处理单元3000也可以安装在转位模块100(例如，efem)中。
57.根据本发明构思的实施例，基板处理单元3000可以与装载端口120一起布置在转位模块100中，并且甚至可以在基板被传送到处理模块200之前处理基板。因此，可以提高基板处理过程的效率。
58.图3至图6是说明根据本发明构思的实施例的基板处理单元的视图。
59.参考图3至图6，基板处理单元3000可以包括壳体3010、基板支撑单元3100、气体供应单元3200、等离子体产生设备3300、电源单元3500、控制单元3600、驱动单元3900和基座单元3020。
60.基板处理单元3000是用于使用大气等离子体在半导体装置基板上执行一系列等离子体表面处理的设备。
61.壳体3010可以以腔室的形式提供，所述腔室包括处于大气压状态的内部处理空间。其上放置有基板w的基板支撑单元3100位于内部处理空间中。例如，壳体3010可以具有中空的长方体形状。
62.基座单元3020位于壳体3010的下方，并支撑壳体3010。基座单元3030可以包括基座部分3021、竖直框架3022和开口3023。基座部分3021支撑壳体3010的下部部分。可以在基座部分3021上设置用于固定地联接基座单元3020和传送框架140的联接构件3030。基座部分3021可以具有在其上表面上形成的凹部。竖直框架3022可以安装在基座部分3021的侧表面上。竖直框架3022支撑壳体3010的侧面部分。基板w通过其进入或离开壳体3010的开口3023可以形成在竖直框架3022中。此外，用于基板w的供应和取出的门(未示出)可以设置在竖直框架3022上，并且可以通过开口3023控制基板w的供应或取出。
63.本发明构思的基板处理单元3000可以包括壳体3010和支撑壳体3010的基座单元3020，并且可以沿着多个装载端口120的布置方向设置在转位模块100中，如图2所示。因此，即使在转位模块100中也可以在基板w上执行处理，并且因此可以提高处理效率。例如，执行大气等离子体处理的基板处理单元3000可以设置在转位模块100中，并且可以在将基板w传送到处理模块200之前对基板w执行等离子体处理。
64.基板支撑单元3100可以在执行处理的同时支撑基板w，并且可以在执行处理的同时由致动器3130旋转，这将在下面进行描述。例如，基板支撑单元3100可以是具有旋转头3110的旋转卡盘，所述旋转头具有圆形的上表面并且用作下部电极。可以通过静电力将基板w固定到旋转头3110上。可替代地，基板支撑单元3100可以以诸如机械夹紧或真空抽吸的各种方式来支撑基板w。
65.支撑旋转头3110的支撑轴3120连接到旋转头3110的下部部分，并通过连接到支撑轴3120的下端的致动器3130旋转。致动器3130可为电动机。随着支撑轴3120旋转，旋转头3110和基板w旋转。旋转头3110接地。即，旋转头3110用作下部电极。旋转头3110本身可以是下部电极。可替代地，下部电极可以被嵌入在旋转头3110中。
66.气体供应单元3200供应处理气体。处理气体可包括单一气体，诸如氮气(n2)、空气、氩气(ar)、cxfx气体等，或单一气体与氢气(h2)或氧气(o2)中的至少一种的气体混合物。气体供应单元3200将处理气体供应到位于基板支撑单元3100上方的等离子体产生设备3300的第一上部电极单元3310和第二上部电极单元3320。
67.等离子体产生设备3300被安装在旋转头3110上以对应于旋转头3110，并产生和喷射基板w的表面处理所需的等离子体气体。等离子体产生设备3300可以包括第一上部电极单元3310和第二上部电极单元3320。
68.第一上部电极单元3310被设置为在基板w的整个表面上执行等离子体处理，并且第二上部电极单元3320被设置为在基板w的局部区域上执行等离子体处理。电源单元3500可以连接到第一上部电极单元3310和第二上部电极单元3320。
69.电源单元3500可以将电力施加到第一上部电极单元3310和第二上部电极单元3320。尽管在附图中未示出，但是可以将高压施加到设置在第一上部电极单元3310和第二上部电极单元3320中的电极(未示出)，并且下部电极(旋转头3110)可以接地并且可以产生
稳定的等离子体。
70.第一上部电极单元3310的第一反应器主体3311可通过第一致动器3380沿第一方向x移动。第一反应器主体3311可以设置在旋转头3110上方以便与基板w平行。例如，第一反应器主体3311可以具有以长方体形状延伸的棒状。第一反应器主体3311具有在其中形成的空的空间，并且在底部开口。第一反应器主体3311可以接地。在第一反应器主体3311的上端部分上可以设置有用于将反应气体供应到排放空间3312(参考图7a)中的供应端口3313。如图5所示，与气体供应单元3200连接的气体供应管线3210连接到供应端口3313。
71.第一反应器主体3311的构型可以类似于图11至图13中所示的第一反应器主体3311b的构型。然而，可以省略用于分开排放空间的分隔壁。
72.图7a是说明第一反应器主体的示意图。根据一个实施例，第一反应器主体3311在其底表面中具有喷嘴3314。喷嘴3314可以沿长度方向以线性形式设置在第一反应器主体3311的底表面中。喷嘴3314与排放空间3312连接。可以通过喷嘴3314将在排放空间3312中产生的等离子体喷射到放置在旋转头3110上的基板w上。喷嘴3314的长度优选大于基板w的直径。同时，第一反应器主体3311具有上部电极3340。上部电极3340设置在排放空间3312中。上部电极3340可以包括电极3342和围绕电极3342的绝缘体3344。电极3342可具有圆形截面，并且围绕电极3342的绝缘体3344可具有环形截面。然而，不限于此，电极3342和绝缘体3344可以具有各种截面形状。尽管未示出，但是电极3342可以具有流体通道，用于根据等离子体产生而抑制热量产生的冷却介质穿过所述流体通道。
73.例如，为了根据排放而最小化热量产生，电极3342可以由具有低电阻和高导热率的铜(cu)或铜合金形成。另外，绝缘体3344可以由石英、氧化铝或氧化铝化合物形成，所述石英、氧化铝或氧化铝化合物根据排放抑制热量产生并具有耐等离子体性。绝缘体3344可以优选地由具有优异的导热性的氮化铝(aln)形成。
74.优选地，第一反应器主体3311被设置成使得其在长度方向上的中心与基板w的目标表面的中心(基板w的旋转中心)对准，这取决于处理条件。
75.第二上部电极单元3320可以包括第二反应器主体3321，所述第二反应器主体3321在基板w上方移动的同时在基板w的表面上局部地执行等离子体处理。第二反应器主体3321可以设置在第一反应器主体3311的侧表面上，以便可沿着垂直于第一方向x的第二方向y移动。例如，第二反应器主体3321可以在基板w的表面上执行等离子体处理，同时通过安装在第一反应器主体3311上的第二致动器3390在第二方向y上移动。
76.参考图7b，可以在第二反应器主体3321上安装用于将反应气体供应到排放空间3322中的供应端口3323。如图5所示，与气体供应单元3200连接的气体供应管线3220连接到供应端口3323。
77.图7b是说明第二反应器主体的示意图。根据一个实施例，第二反应器主体3321在其底表面中具有圆形喷嘴3324。喷嘴3324与排放空间3322连接。可以通过喷嘴3324将在排放空间3322中产生的等离子体喷射到放置在旋转头3110上的基板w的局部区域上。同时，第二反应器主体3321具有上部电极3350。上部电极3350设置在排放空间3322中。上部电极3350可以包括电极3352和围绕电极3352的绝缘体3354。
78.图8a和图8b是说明在基板处理单元中对基板执行等离子体处理的方法的视图。
79.第一上部电极单元3310和第二上部电极单元3320在基板w放置在旋转头3110上的
状态下位于基板w上方。此时，第一上部电极单元3310被优选地设置成使得第一反应器主体3311在长度方向上的中心与基板w的目标表面的中心(基板w的旋转中心c)对准。在该状态下，第一上部电极单元3310在基板w的整个表面上执行等离子体处理。
80.在基板w的整个表面上的等离子体处理(整个表面处理步骤)完成之后，通过第二上部电极单元3320在等离子体处理不足的区域上选择性地执行等离子体处理。此时，第一上部电极单元3310可以移动预定距离，使得第二上部电极单元3320的第二反应器主体3321的行进路径位于穿过基板w的旋转中心的线l1上。
81.在该实施例中，已经描述了第一上部电极单元3310和第二上部电极单元3320在基板表面上顺序地执行等离子体处理。然而，本发明构思不限于此。
82.图9是说明在基板处理单元中对基板执行等离子体处理的另一个方法的视图。
83.参考图9，第一上部电极单元3310和第二上部电极单元3320在基板w放置在旋转头3110上的状态下位于基板w上方。此时，第一上部电极单元3310被优选地设置成使得第一反应器主体3311在长度方向上的中心与基板w的目标表面的中心(基板w的旋转中心c)对准。在该状态下，第一上部电极单元3310在基板w的整个表面上执行等离子体处理。同时，通过使用第二上部电极单元3320对基板w的特定区域选择性地执行等离子体处理。因为第二上部电极单元3320的第二反应器主体3321的行进路径在穿过基板w的旋转中心的线l1之外，所以第二上部电极单元3320能够执行等离子体处理的区域可以限于图9中斜线所示的区域。然而，等离子体密度随着靠近第一上部电极单元3310对其执行等离子体处理的基板w的中心而逐渐增加，并且远离基板w的中心而逐渐减小。因此，第二上部电极单元3320必须对其额外执行等离子体处理的区域可以充分包括在图9中的斜线所示的区域中。
84.图10是说明等离子体产生设备的变形例的视图。
85.图10所示的等离子体产生设备3300包括第一上部电极单元3310a和第二上部电极单元3320a。第一上部电极单元3310a和第二上部电极单元3320a具有与图6所示的第一上部电极单元3310和第二上部电极单元3320的构型和功能基本上相似的构型和功能。因此，修改示例的以下描述将专注于它们之间的差异。
86.第二上部电极单元3320a与第二上部电极单元3320的不同之处在于，第二上部电极单元3320a的第二反应器主体3321a设置在单独的移动臂3350上，并且随着移动臂3350摆动在基板的中心和基板的边缘之间移动的同时在基板的表面上局部地执行等离子体处理。
87.图11至图13是说明图7a所示的第一反应器主体的另一个实施例的视图。
88.类似于图7a所示的第一反应器主体3311，图11至图13所示的第一反应器主体3311b包括排放空间3312、喷嘴3314和上部电极3340。然而，第一反应器主体3311b的特征在于，排放空间3312被多个分隔壁3319划分为多个排放空间3312。
89.第一反应器主体3311b在其上端部分上包括用于将反应气体供应到各个排放空间3312中的供应端口3313。如图11所示，气体供应管线分别连接到供应端口3313。
90.控制单元3600控制将反应气体供应到独立的排放空间3312中。控制单元3600可以通过控制连接到供应端口3313的气体供应管线上的阀来控制反应气体的流量和反应气体的混合比。尽管未示出，但是至少两条供应管线(气体mfc)可以连接到供应端口3313中的每一个。
91.例如，控制单元3600可以执行控制，使得被供应到与基板的中央区域相对应的排
放空间中的反应气体的流量低于被供应到与基板的边缘区域相对应的排放空间中的反应气体的流量，从而改善了整个基板的等离子体处理均匀性。
92.根据本发明构思的实施例，可以在待处理的圆形对象的整个区域上均匀地执行等离子体处理，可以使用于大气等离子体处理的基板处理设备紧凑，并且等离子体处理的处理时间可以减少。
93.此外，根据本发明构思的实施例，基板处理单元可以像装载端口一样附接到转位模块和从转位模块拆卸。因此，基板处理单元可以容易地应用于现有的基板处理设备。
94.此外，根据本发明构思的实施例，甚至在将基板传送到处理模块之前，也可以处理基板。因此，可以提高基板处理过程的效率。
95.此外，根据本发明构思的实施例，能够使基板表面亲水化或疏水化的基板处理单元可以设置在设备外部。因此，可以在设备外部独立处理基板。
96.另外，根据本发明构思的实施例，被引入到线性型等离子体产生设备中的气体的流量和混合比可以被不同地应用于每个排放空间。因此，可以提高在基板旋转的同时执行等离子体处理时的处理均匀性。
97.本发明构思的效果不限于上述效果，并且本发明构思所属领域的技术人员可从本说明书和附图中清楚地理解本文未提及的任何其他效果。
98.尽管上文已经描述了本发明构思的实施例，但是应当理解，提供这些实施例是为了帮助理解本发明构思，并且不旨在限制本发明构思的范围，并且在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下可以做出各种修改和等同实施例。在本发明构思中提供的附图仅是本发明构思的最佳实施例的附图。本发明构思的范围应由权利要求的技术思想确定，并且应当理解，本发明构思的范围不限于权利要求的字面描述，而是实际上扩展到技术价值的等价物的类别。
99.虽然已经参考实施例描述了发明构思，但是对于本领域技术人员将显而易见的是，在不脱离发明构思的精神和范围的情况下，可以进行各种改变和修改。因此，应当理解，上述实施例不是限制性的而是说明性的。