制造射频装置、射频模块和无线装置的方法与流程

制造射频装置、射频模块和无线装置的方法
1.本技术是申请日为2016年6月30日、申请号为201610512396.7、发明名称为“与绝缘体上硅基板上的射频滤波器有关的装置和方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
2.除了其他的以外，本公开还涉及绝缘体上硅(soi)基板上的射频(rf)滤波器。更具体地，本公开涉及制造射频装置的方法、制造射频模块的方法以及制造无线装置的方法。


背景技术：

3.在一些射频(rf)应用中，通过天线接收或发射的信号可以通过频带选择开关和相应的滤波器被路由到不同的放大路径。在这样的应用中，所期望的是最小化或减小信号的劣化。


技术实现要素：

4.根据多个实现方式，本公开涉及射频(rf)装置，所述装置包括：包括第一侧和第二侧以及多个通孔的硅裸芯，每个通孔被配置为提供硅裸芯的第一侧和第二侧之间的电连接。rf装置还包括安装在硅裸芯的第一侧上的至少一个rf倒装芯片。
5.在一些实施例中，硅裸芯的第二侧可以被配置为能够以倒装芯片的方式安装。硅裸芯的第二侧可以包括多个凸点焊料(bump solders)，至少一些凸点焊料被电连接到多个通孔中的相应通孔。
6.在一些实施例中，硅裸芯可以包括绝缘体上硅(soi)基板。soi基板可以包括置于有源硅层和硅基板(substrate)层之间的绝缘体层。
7.在一些实施例中，硅裸芯可以包括与rf倒装芯片通信的rf电路。rf电路可以包括开关电路。rf电路还可以包括用于开关电路的逻辑电路。rf电路还可以包括无源组件。无源组件可以包括电容、电感和电阻中的一个或多个。
8.在一些实施例中，rf电路还可以包括低噪声放大器(lna)电路和功率放大器(pa)电路中的一个或多个。
9.在一些实施例中，rf电路可以包括被配置为将接收的rf信号路由到选择的低噪声放大器(lna)的频带选择电路。在一些实施例中，接收的rf信号可以被路由通过在选择的lna之前的滤波器，所述滤波器在rf倒装芯片中实现。在一些实施例中，接收的rf信号可以被路由通过在选择的lna之后的滤波器，所述滤波器在rf倒装芯片中实现。
10.在一些实施例中，rf电路可以是lna模块的一部分。在一些实施例中，rf电路可以是分集接收(rx)模块的一部分。
11.在一些实施例中，rf电路可以在硅裸芯的第一侧处或附近实现。至少一些通孔可以与rf电路耦接以促成rf电路和在硅裸芯的第二侧上的安装特征(mounting feature)之间的电连接。
12.在一些实施例中，rf电路可以在硅裸芯的第二侧处或附近实现。至少一些通孔可
以与rf电路耦接以允许rf电路和安装在硅裸芯的第二侧上的rf倒装芯片之间的通信。
13.在一些实施例中，rf倒装芯片可以包括rf滤波器。rf滤波器可以是表面声波(saw)滤波器或体声波(baw)滤波器。硅裸芯可以包括与saw滤波器通信的rf电路。rf电路可以包括低噪声放大器(lna)。
14.根据一些教导，本公开涉及用于制造射频(rf)装置的方法。所述方法包括形成或提供包括第一侧和第二侧的硅晶片。硅晶片还包括多个通孔，每个通孔被配置为提供硅晶片的第一侧和第二侧之间的电连接。所述方法还包括将多个rf倒装芯片安装在硅晶片的第一侧上。所述方法还包括将硅晶片分割为多个裸芯单元，每个裸芯单元包括安装在第一侧上的至少一个rf倒装芯片。
15.在一些实现方式中，本公开涉及射频(rf)模块，所述射频(rf)模块包括被配置为容纳多个组件的封装基板、以及安装在封装基板上的晶片级芯片规模封装(wafer level chip scale package,wlcsp)。wlcsp具有包括第一侧和第二侧的硅裸芯。硅裸芯还包括多个通孔，每个通孔被配置为提供硅裸芯的第一侧和第二侧之间的电连接。wlcsp还包括安装在硅裸芯的第一侧上的至少一个rf倒装芯片。
16.在一些实施例中，硅裸芯可以包括与rf倒装芯片通信的rf电路。wlcsp可以具有一侧面(lateral)尺寸，该侧面尺寸小于具有带有类似的rf电路的硅裸芯以及安装在封装基板而不是硅裸芯上的类似数目的rf倒装芯片的封装的侧面面积的20％。wlcsp可以具有小于所述封装的高度的高度。wlcsp的高度可以小于所述封装的高度的2/3，使得wlcsp的总体积小于封装的总体积的大约20％。
17.在一些实施例中，rf倒装芯片可以包括滤波器电路。rf电路可以包括低噪声放大器(lna)。rf模块可以是例如gps模块、lna模块、或分集接收(rx)模块。
18.根据多个实现方式，本公开涉及无线装置，所述无线装置包括被配置为接收rf信号的天线、以及与天线通信并被配置为处理接收的rf信号的接收器。无线装置还包括被配置为将接收的rf从天线路由到接收器的rf模块。rf模块包括具有硅裸芯的晶片级芯片规模封装(wlcsp)，所述硅裸芯包括第一侧和第二侧。所述硅裸芯还包括多个通孔，每个通孔被配置为提供硅裸芯的第一侧和第二侧之间的电连接。wlcsp还包括安装在硅裸芯的第一侧上的至少一个rf倒装芯片。
19.在一些教导中，本公开涉及包括具有第一侧和第二侧的半导体裸芯的装置。半导体裸芯还包括多个通孔，每个通孔被配置为提供半导体裸芯的第一侧和第二侧之间的电连接。半导体裸芯还包括有源集成电路(ic)。所述装置还包括安装在半导体裸芯的第一侧上的倒装芯片装置(device)。倒装芯片装置包括信号调节电路。
20.在一些实施例中，信号调节电路可以是无源电路。在一些实施例中，信号调节电路可以是滤波器电路。
21.根据多个实现方式，本公开涉及一种制造射频装置的方法，包括：提供硅裸芯，所述硅裸芯包含射频电路、第一侧和第二侧以及多个通孔，每个通孔被配置为提供所述硅裸芯的第一侧和第二侧之间的电连接；以及将滤波器装置安装在所述硅裸芯的第一侧上，所述滤波器装置与所述射频电路通信，所述射频电路在所述硅裸芯的第一侧的有源层中实现，并且所述通孔中的至少一些与所述射频电路耦接以支持所述射频电路和在所述硅裸芯的第二侧上的安装特征之间的电连接，所述硅裸芯的射频电路包含开关电路。
22.根据多个实现方式，本公开涉及一种制造射频模块的方法，包括：提供封装基板，所述封装基板被配置为容纳多个组件；以及将晶片级芯片规模封装安装在所述封装基板上，所述晶片级芯片规模封装具有包含射频电路、第一侧和第二侧以及多个通孔的硅裸芯，每个通孔被配置为提供所述硅裸芯的第一侧和第二侧之间的电连接，所述晶片级芯片规模封装还包含安装在所述硅裸芯的第一侧上的至少一个滤波器装置，所述滤波器装置与所述射频电路通信，所述射频电路在所述硅裸芯的第一侧的有源层中实现，并且所述通孔中的至少一些与所述射频电路耦接以支持所述射频电路和在所述硅裸芯的第二侧上的安装特征之间的电连接，所述硅裸芯的射频电路包含开关电路。
23.根据多个实现方式，本公开涉及一种制造无线装置的方法，包括：提供天线，所述天线被配置为接收射频信号；提供接收器，所述接收器与所述天线通信，所述接收器被配置为处理所接收的射频信号；以及提供射频模块，所述射频模块被配置为将所接收的射频信号从所述天线路由到所述接收器，所述射频模块包含晶片级芯片规模封装，所述晶片级芯片规模封装具有包含射频电路、第一侧和第二侧以及多个通孔的硅裸芯，每个通孔被配置为提供所述硅裸芯的第一侧和第二侧之间的电连接，所述晶片级芯片规模封装还包含安装在所述硅裸芯的第一侧上的滤波器装置，所述滤波器装置与所述射频电路通信，所述射频电路在所述硅裸芯的第一侧的有源层中实现，并且所述通孔中的至少一些与所述射频电路耦接以支持所述射频电路和在所述硅裸芯的第二侧上的安装特征之间的电连接，所述硅裸芯的射频电路包含开关电路。
24.为概括本公开的目的，本发明的某些方面、优点和新颖特征都已在这里描述。将理解的是，不一定所有这些优点可以根据本发明的任何特定实施例实现。因此，可以以实现或优化这里所教导的一个优点或一组优点，而不一定实现这里可能教导或建议的其它优点的方式实施或实行本发明。
附图说明
25.图1示出了安装在半导体基板上的倒装芯片装置。
26.图2示出了作为诸如射频(rf)滤波器的滤波器装置的倒装芯片装置、以及作为绝缘体上硅(soi)基板的半导体基板的示例。
27.图3示出了图2的滤波器
‑
soi装配(assembly)的更加详细的示例。
28.图4示出了图2的滤波器
‑
soi装配的更加详细的另一示例。
29.图5a和5b示出了可以实现以制造具有这里所述的一个或多个特征的装置的示例过程。
30.图6a和6b示出了可以作为图5a和5b的过程的更加具体的示例实现以制造soi基板上的滤波器装置的示例过程。
31.图7示出了作为rf应用的示例的用于低噪声放大器(lna)的频带选择开关电路，其中对于所述rf应用可以实现如这里所述的soi上的滤波器配置。
32.图8示出了在一些实施例中，在soi裸芯的一侧上具有一个或多个滤波器并且另一侧被配置为可安装的的频带选择开关电路可以提供多个有益特征。
33.图9示出了如在此处描述的一个或多个特征可以在其中实现的分集接收(rx)架构的示例。
34.图10示出了可以实现用于图9的架构的分集rx模块的更详细的示例。
35.图11示出了在一些实施例中，图10的分集rx模块可以以一些或全部滤波器被安装在单个soi裸芯的一侧并且另一侧被配置为可安装的配置来实现。
36.图12示出了在一些实施例中，图10的分集rx模块可以以滤波器被安装在多个soi裸芯的一些或全部上的配置来实现。
37.图13示出了被配置为从数据信号的输入产生定时信号的时钟恢复电路的示例。
38.图14示出了图11的时钟恢复电路的一些或全部可以以一个或多个滤波器被安装在半导体裸芯的一侧上并且另一侧被配置为可安装的的配置来实现。
39.图15示意性地描述了具有这里所述的一个或多个有益特征的示例无线装置。
具体实施方式
40.这里所提供的标题(如果有)仅是为了方便，而不一定影响所要求保护的发明的范围或含义。
41.这里所描述的是与安装在半导体基板上的一个或多个倒装芯片装置有关的装置和方法的各种示例。这样的配置(100)在图1中描述，其中倒装芯片装置102被示出为例如用凸点焊料106安装在半导体基板104上。图2示出了更具体的示例配置100，其中，倒装芯片装置(图1中的102)可以是诸如射频(rf)滤波器的滤波器装置102；并且其中半导体基板(图1中的104)可以是绝缘体上硅(soi)基板104。
42.在这里，在滤波器和soi基板的上下文中描述各种示例。但是，将理解的是，本公开的一个或多个特征也可以用其它类型的倒装芯片装置和/或半导体基板实现。在一些实施例中，也可以使用诸如互补金属氧化物半导体(cmos)和硅锗(sige)bicmos的半导体基板。在一些实施例中，半导体基板可以包括砷化镓(gaas)和其它化合物半导体基板，所述其它化合物半导体基板例如包括gaas异质结双极晶体管(hbt)、bihemt(例如，hbt和假晶高电子迁移率晶体管(phemt)的集成)、gaas bihemt、gaasphemt和氮化镓(gan)。在一些实施例中，可以使用其它基板，例如包括，石英、聚合物材料、碳化硅、蓝宝石、金刚石、锗等。在一些实施例中，有源电子和/或半导体器件可以在基板或形成在这样的基板之上的层上或中实现。在一些实施例中(例如，石英)无源器件(例如，电容器、电阻器、电感器等)可以在基板上或中实现。
43.在滤波器的上下文中，倒装芯片装置例如可以包括表面声波(saw)滤波器、体声波(baw)滤波器和薄膜体声谐振器(fbar或tfbar)。此处为了说明的目的，将理解滤波器可以包括诸如双工器的相关装置。如此处描述的，诸如前述示例的滤波器被用来例如将rf信号调节至相对于相关电路的期望的位置。因此，将理解，本公开的一个或多个特征也可以用安装在诸如soi基板的半导体基板上的一个或多个信号调节倒装芯片装置来实现，所述信号调节倒装芯片装置可以包括或不包括滤波器。
44.图2示出了在一些实施例中，一个或多个滤波器102可以被倒装芯片安装(例如，用凸点焊料106)在soi基板104上。这样的滤波器可以安装在soi基板的前侧(front side)或后侧(back side)上。在这里将更加详细地描述两种配置的示例。为了说明的目的，前侧可以是形成或提供一个或多个集成电路和/或无源组件的侧；并且后侧可以是相对的侧。
45.在一些实施例中，不具有滤波器102的soi基板104的侧可以被配置为能够被倒装
芯片安装到例如诸如电话板的电路板。在示出的示例中，凸点焊料110可以形成在非滤波器的侧上以允许这样的倒装芯片安装(flip
‑
chip mounting)。导电通孔108可以形成为通过或部分通过soi基板104从而提供至少一些凸点焊料110与作为soi基板104的一部分的一个或多个电路之间的电连接。将更加详细地描述这样的电路的示例。尽管在这里在凸点焊料的上下文中描述各种倒装芯片安装示例，将理解的是，也可以实现其它安装技术。例如，可以使用铜柱或具有各向异性导电环氧树脂的金凸点等。
46.以前述方式配置的装置可以允许soi基板包括诸如rf开关、低噪声放大器(lna)、功率放大器(pa)和/或无源组件(例如，电容器和电感器)的电路；并且还具有倒装芯片安装在其上的滤波器。因为滤波器被堆叠在soi基板上，可以实现多个有益特征。例如，由于一些或全部滤波器可以被放置在soi基板上而不是在公共面上的soi基板旁边，soi电路和相应的滤波器的总占据区域大小可以被大大地减小。此外，soi基板上的滤波器的倒装芯片安装可以显著地减少电连接特征(例如，金属迹线(metal traces))的数量，从而最小化或减少soi电路和滤波器之间的信号损耗。除了前述以外，其它益处例如可以包括减小的寄生效应和提高的性能。
47.在图2的示例中，凸点焊料110和相应的导电通孔108可以允许soi电路和滤波器被集体地配置并且被封装为倒装芯片表面可安装组件。在一些实施例中，soi基板可以被配置为能够以其它方式安装，包括利用焊线连接的表面安装。
48.图3和4示出了图2的滤波器
‑
soi装配100的更加详细的示例。在图3的示例配置150中，滤波器102被示出为安装在soi基板104的前侧上，其中前侧具有有源硅层160，在所述有源硅层160上形成集成电路(ic)158。绝缘体层162置于有源硅层160和硅基板层164之间以普遍地(generally)形成soi结构。
49.在图3中，示例凸点焊料106被示出为提供机械安装功能以及接触垫152(在滤波器102上)和154(在soi基板104上)之间的电连接。接触垫152可以电连接到滤波器102的滤波电路。类似地，接触垫154可以电连接到ic158以便将所述滤波电路与ic 158电连接。
50.ic 158也可以电连接到导体156，所述导体156继而电连接到穿过基板的导电通孔108。在soi基板104的后侧，通孔108被示出为电连接到接触垫166。凸点焊料168可以允许soi基板104安装到诸如电路板或封装基板的另一层172(通过接触垫170)。相应地，通孔108可以提供ic 158和诸如电路的层172上的位置之间的电连接。
51.在一些实施例中，可以期望的是，将通孔108(例如，导电的穿过晶片的通孔(twv))配置为与基板的导电部分电隔离。例如，在前述soi基板的上下文中，导电通孔108可以穿过通常是导电基板的硅基板层164。因此，为了将一个通孔与另一个电隔离，可以在通孔108和硅基板层164之间提供绝缘体(例如，sio2衬垫)。绝缘体层162是绝缘体，并且有源硅层160通常包括能够隔离各种结构的处理结构；相应地，可以通过这样的特征提供或促成通孔108的电隔离。在一些实施例中，可能不需要通孔108的电隔离。
52.在图3的示例中，在soi基板104前侧上的滤波器102的倒装芯片安装允许滤波器102靠近ic 158以产生这里所述的有益特征。在一些情况中，可能期望的是，将滤波器(102)放置得远离ic(158)。例如，可能有优选的是在后侧(例如，与有源硅层160相对的侧)上具有滤波器(102)的隔离和/或机械设计考虑。
53.图4示出了滤波器102安装在soi基板104的后侧上的示例配置150，其中前侧具有
有源硅层160，其中在所述有源硅层160上形成ic 158。绝缘体层162置于有源硅层160和硅基板层164之间以普遍地形成soi结构。soi基板104的前侧被示出为安装到诸如电路板或封装基板的另一层172(通过接触垫186、凸点焊料168和接触垫170)。在前侧上的接触垫186可以电连接到ic 158，使得前述通过凸点焊料168的安装提供ic 158和层172上的位置之间的电连接。
54.在图4中，示例凸点焊料106被示出为提供机械安装功能以及滤波器102的接触垫152和在soi基板104的后侧上的接触垫180之间的电连接。接触垫152可以电连接到滤波器102的滤波电路。类似地，接触垫180可以通过导电通孔182和在soi基板104的前侧上的导体184电连接到ic 158，从而将滤波电路与ic 158电连接。在一些实施例中，诸如通孔182的各种导体特征可以被配置为产生诸如互连电感的期望的性质，以提供例如装置的各个位置之间的rf信号的调节。
55.图5a和5b分别示出了可以实现以制造具有图1的配置100的装置的过程200a和200b的示例。参考图5a和5b，在方框202a和202b两者中，可以形成或提供半导体基板。在方框204a和204b两者中，可以在半导体基板上形成集成电路(ic)和/或无源组件。在方框206a和206b两者中，可以在半导体基板的一侧上形成多个第一接触特征，其中至少一些第一接触特征电连接到ic。参考图5a，在方框208a中，rf装置可以被倒装芯片安装在第一接触特征上。同样在图5a中，在方框210a中，可以在半导体基板的另一侧上形成多个第二接触特征，其中至少一些第二接触特征电连接到ic。参考图5b，在方框208b中，可以在半导体基板的另一侧上形成多个第二接触特征，其中至少一些第二接触特征电连接到ic，并且在方框210b中，rf装置可以被倒装芯片安装在第一接触特征上。
56.图5a和5b的每个过程还示出了以前述方式制造的装置可以安装在诸如电话板的电路板上。例如，在方框212a和212b两者中，半导体基板可以被倒装芯片安装在电路板上。
57.图6a和6b示出了分别可以作为图5a和5b的过程200a和200b的更加具体的示例实现以制造多个soi基板上的滤波器装置的过程220a和220b的示例。参考图6a和6b，在方框222a和222b两者中，可以形成或提供soi晶片。在方框224a和224b两者中，可以在soi晶片上形成多个晶片级芯片规模单元，其中每个单元具有一个或多个ic和/或一个或多个无源组件。在方框226a和22b6两者中，可以在soi晶片的一侧上形成多个第一接触垫，其中至少一些第一接触垫电连接到它们相应的ic。参考图6a，在方框228a中，一个或多个滤波器装置可以被倒装芯片安装在第一接触垫上，并且在方框230a中，可以在soi晶片的另一侧上形成多个第二接触垫，其中至少一些第二接触垫电连接到它们相应的ic。同样在图6a中，在方框232a中，可以在第二接触垫上形成焊料凸点。参考图6b，在方框228b中，可以在soi晶片的另一侧上形成多个第二接触垫，其中至少一些第二接触垫电连接到它们相应的ic，并且在方框230b中，可以在第二接触垫上形成焊料凸点。同样在图5b中，在方框232b中，一个或多个滤波器装置可以被倒装芯片安装在第一接触垫上。在图6b的示例中，方框232b也可以在方框230b之前被执行。在图6a和6b的每个中，在方框234a和234b中，soi晶片可以被分割成多个晶片级芯片规模封装(wlcsp)单元。
58.图7
‑
12示出可以实现如这里描述的soi上滤波器配置的rf应用的示例。图7示出低噪声放大器(lna)的频带选择开关电路300的示例。在该示例中，第一开关320的刀(pole)被示出为连接到用于接收rf信号的天线端口(ant)。第一开关320的四个示例掷(throw)被示
出为允许将rf信号路由到四个不同路径，其中第一到第三路径中的每一个包括它相应的滤波器(102a、102b或102c)和lna(322a、322b或322c)，并且第四路径是旁路路径。虽然未在图7中示出，还可以在lna(322a、322b、322c)之后提供滤波器。第二开关324的四个掷被示出为允许将四个不同路径连接到输出端口(rfout)。用于lna(322a、322b、322c)的偏置信号以及用于第一和第二开关(320、324)的逻辑信号被示出为由偏置和逻辑电路326提供。控制信号、电源电压和接地被示出为通过各种端口(例如，dgnd、vdd、c1、c2)被提供给偏置和逻辑电路326。类似地，rf地被示出为由rfgnd端口促成(facilitate)。
59.在一些实施例中，具有用于第一和第二开关320、324，lna 322a、322b、322c以及偏置和逻辑326(被描绘为虚线框304的集体功能)的电路的硅裸芯(例如，soi裸芯)可以以焊线或倒装芯片配置被安装在封装基板上。滤波器102a、102b、102c(被描绘为虚线框302的集体功能)(以及在一些实施例中，lna(322a、322b、322c)之后的滤波器)还可以被安装在同一封装基板上。在这种配置中，具有频带选择开关电路300的装置(例如，模块)的总面积(area)将包括由电路、滤波器和相关的连接特征(feature)占用的面积。
60.如这里描述的，并且如图8中所示，在soi裸芯104的一侧上具有一个或多个滤波器102并且另一侧被配置为可安装的(例如，利用凸点焊料306的倒装芯片安装)的频带选择开关电路300可以提供许多有利特征，包括电路300的总面积的显著减少。例如，如果参考图7描述的前述示例配置(其中在封装基板上滤波器被安置于硅裸芯旁边)占用或需要大约3mm(长度)
×
4mm(宽度)乘0.9mm(高度)的体积，估计以图8的配置实现的相同电路可以占用或需要大约1.3mm(长度)
×
1.5mm(宽度)乘以小于0.6mm的高度的减小的体积。在侧面面积(lateral area)方面，减少的面积约为3mm
×
4mm示例的16％。在一些实施例中，与和在封装基板上滤波器被安置于硅裸芯旁边的配置相关联的侧面面积相比，这种减少的侧面面积可以是例如20％或更少、16％或更少、或13％或更少。在体积方面，减少的体积小于3mm
×
4mm
×
0.9mm示例的11％。在一些实施例中，与和在封装基板上滤波器被安置于硅裸芯旁边的配置相关联的体积相比，这种减少的体积可以是例如20％或更少、15％或更少、13％或更少、或11％或更少。
61.在图7的示例频带选择开关电路300中，由框304集体描绘被实现在硅裸芯上的用于第一和第二开关320、324，lna 322a、322b、322c以及偏置和逻辑电路326的电路。在图8的示例中，可以在soi裸芯104上和/或中实现具有相同功能(被描绘为框304)的一些或全部这样的电路。图7的示例中的滤波器102a、102b、102c的功能由框302描述。在图8的示例中，可以在soi裸芯104上安装的一个或多个滤波器102中实现相同功能(被描绘为框302)。
62.在滤波器102a、102b、102c被安装在与图7中的硅裸芯相同的封装基板上的上下文中，可以由基板310表示这种封装基板。在滤波器102a、102b、102c被安装在图8中的soi裸芯104上的上下文中，soi裸芯104本身可以用作适合于安装到电路板的封装基板；并且相应地，可以由图7的基板310表示soi裸芯104。此外，在图8的示例中，如参考图7描述的，凸点焊料306可以电连接到与频带选择开关电路300相关联的各种端口(例如，ant、rfout、rfgnd、dgnd、vdd、c1、c2)。
63.图9－12示出其中可以实现本公开的一个或多个特征的另一示例。图9示出与分集天线352相关联的示例接收(rx)架构350。这种接收天线典型地放置为相对远离主天线；并且主天线和分集天线两者可以同时是活动的，以例如增大数据吞吐量。由于分集天线相对
远的位置，其信号通常被有损耗的信号路径(例如，图9的372)衰减。
64.因此，并且如图9中所示的，分集rx电路360(例如，在模块中)可以被实现来接近于分集天线352添加增益。因此，由分集天线352接收的rf信号可以作为输入(经过路径354)提供到分集rx模块360。分集rx模块360可以在rf信号经由有损耗的信号路径372被路由到收发机之前处理rf信号并提供有增益的处理过的rf信号。收发机可以包括或可以不包括lna以进一步放大从分集rx模块360接收的rf信号。
65.在图9的示例中，与收发机相关联的lna(如果有的话)可以被配置为或可以不被配置为包括一个或多个如此处描述的特征。
66.在图9的示例中，分集rx模块360可以包括配置为为一个或多个lna366提供频带选择功能的输入开关362和输出开关368。用于与分集rx模块360相关联的各种频带的滤波器364可以提供在输入开关362和lna 366之间。
67.在图9的示例分集rx模块360中，与输入开关362、输出开关368和lna 366相关联的电路集体地通过框370来描绘。如此处描述的，一些或全部这样的电路可以实现在一个或多个soi裸芯上和/或中。还如此处描述的，一些或全部滤波器364可以安装在这样的一个或多个soi裸芯上。
68.图10示出了可以是图9的分集rx模块360的更具体的示例的分集rx模块360。在图10的示例中，分集rx模块360被描绘成被配置为处理两组频带，频带1和频带2。例如，频带1组可以包括高频带(hb)频带，频带2组可以包括中频带(mb)频带。与这样的频带相关联的滤波和/或双工功能被示出为由集体地指示为364的滤波器/双工器102a
‑
102h提供。表1和表2列出了可以在分集rx模块360中实现的hb和mb频带的示例。
69.表1
70.图10中的滤波器/双工器频带102ab7102bb40102cb41102db30
71.表2
72.图10中的滤波器/双工器频带102eb1102fb25102gb3102gb4
73.将理解，分集rx模块360可以配置为处理其他频带。还将理解，分集rx模块360还可以具有更多或更少组的频带(例如多于两组或少于两组)
74.在图10的示例中，与用于频带1组的滤波器/双工器102a
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102d相关联的信号的路由可以由分别在滤波器/双工器102a
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102d之前和之后的开关380、382以及第一lna 388之后的开关384促成。开关380可以被配置为提供例如单刀4掷(sp4t)功能，该刀从频带1天线接收rf信号。所述4掷可以允许将rf信号路由到滤波器/双工器102a
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102d中所选择的一个。类似的，开关382可以被配置为提供例如单刀4掷(sp4t)功能，该刀通过对应匹配网络386耦
接到第一lna 388。开关382的4掷可以与开关380一起操作以从滤波器/双工器102a
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102d中所选择的一个接收rf信号，以便将滤波的信号路由到第一lna 388。第一lna 388的输出可以路由到一个或多个输出路径。在示例中，示出了三个输出路径，可以通过例如将开关384配置为sp3t开关促成对这样的路径中的一个的选择。
75.类似的，与用于频带2组的滤波器/双工器102e
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102h相关联的信号的路由可以由分别在滤波器/双工器102e
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102h之前和之后的开关381、383以及第二lna 389之后的开关385促成。开关381可以被配置为提供例如单刀5掷(sp5t)功能，该刀从频带2天线接收rf信号。所述5掷的4掷可以允许将rf信号路由到滤波器/双工器102e
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102h中所选择的一个，并且第5掷可以被用来提供旁路路径390。开关383可以被配置为提供例如sp4t功能，该刀通过对应匹配网络387耦接到第二lna 389。开关383的4掷可以与开关381一起操作以从滤波器/双工器102e
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102h中所选择的一个接收rf信号，以便将滤波的信号路由到第二lna 389。第二lna 389的输出可以路由到一个或多个输出路径。在示例中，示出了三个输出路径，可以通过例如将开关385被配置为sp3t开关来促成对这样的路径中的一个的选择。
76.在图10的示例中，与频带1组相关联的示例开关382和384中的每一个被描绘为具有单刀和多个掷。类似的，与频带2组相关联的示例开关383和385中的每一个被描绘为具有单刀和多个掷。将理解，一些或全部这样的电路可以包括多于一个刀。例如，开关382和383单独地或以任意组合可以包括耦接到不同lna的输入的多个刀。在另一个示例中，开关384和385单独地或以任意组合可以包括允许lna输出被路由到一个或多个模块输出的多个刀。
77.前述开关配置可以提供rx架构的灵活性。例如，代替对于多个频带实现一个lna，可以利用前述开关配置实现多个lna。使用这样的lna可以减少每个lna的频率覆盖范围，并由此提高性能。
78.图10的分集rx模块360是本公开的一个或多个特征可以如何以各个模块实现的示例。将理解，本公开的一个或多个特征也可以以其他类型的模块来实现。例如，功率放大器(pa)模块可以受益于此处描述的一个或多个特征。这样的pa模块可以具有与图10的示例类似的架构，但是放大方向相反，从而用pa功能代替lna功能。在另一个示例中，利用例如soi开关、无源组件和谐振器(例如saw谐振器)的任何模块可以受益于本公开的一个或多个特征。在这样的模块中，可以实现其中任何类型的滤波器或谐振器相对于soi开关、lna、pa或任何电路块(例如在其上方)堆叠的配置。
79.在图10的示例中，与开关380、381、382、383、384、385，lna 388、389以及匹配网络386、387相关联的电路集体地通过与图9的框370类似的框370来描绘。如此处描述的，一些或全部这样的电路可以实现在一个或多个soi裸芯上和/或中。例如，一些或全部这样的电路可以实现在单个soi裸芯104上，如图11的示例中那样。在另一个示例中，在滤波器/双工器364之前的一些或全部电路可以实现在第一soi裸芯104a上，在滤波器/双工器364之后的一些或全部电路可以实现在第二soi裸芯104b上，如图12的示例中那样.
80.如此处还描述的，滤波器/双工器364的一些或全部可以安装在这样的一个或多个soi裸芯上。例如，如果基本上与框370相关联的全部电路都实现在单个soi裸芯上和/或中，则全部八个滤波器/双工器102a
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102h可以安装在这样的单个soi裸芯上。在另一个示例中，如果与框370相关联的电路实现在第一和第二soi裸芯上和/或中，则八个滤波器/双工器102a
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102h可以安装在第一soi裸芯上、第二soi裸芯上、或这两个裸芯上。
81.图11示出了图10的分集rx模块360的示例，其中与框370(图10中)相关联的电路可以实现在诸如单个soi裸芯104的单个硅裸芯上和/或中。在图11中，这样的电路也集体地通过框370描绘。在图10的示例中的滤波器/双工器102a
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102h的功能通过框364描绘。在图11的示例中，相同的功能(描绘为框364)可以在安装在单个soi裸芯104上的多个滤波器/双工器102中实现。
82.图12示出了图10的分集rx模块360的示例，其中与框370(图10中)相关联的电路可以实现在诸如多个soi裸芯104a、104b的多个硅裸芯上和/或中。在图12中，这样的电路也集体地通过框370a、370b描绘。在图10的示例中的滤波器/双工器102a
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102h的功能通过框364描绘。在图12的示例中，相同的功能(描绘为框364a、364b)可以在安装在对应的soi裸芯104上的多个滤波器/双工器102中实现。
83.图13和14示出其中可以实现本公开的一个或多个特征的再一示例。图13示出被配置为从数据信号的输入(在节点510)生成定时信号(在节点520)的示例时钟恢复电路500的图。为了实现这种功能，可以如所示地与包括低通滤波器(lpf)516的滤波器电路502一起配置包括边沿检测器512、混频器514和电压控制的振荡器(vco)518的集成电路(ic)504。
84.图14示出可以在一个或多个滤波器102被安装在半导体裸芯104(例如，bicmos裸芯)的一侧上并且另一侧被配置为可安装的(例如利用凸点焊料的倒装芯片安装)的配置中实现图13的时钟恢复电路500的一些或全部。如这里描述的，图14的这种配置可以提供许多有利特征，包括电路500的总面积的显著减少。
85.在图14的示例时钟恢复电路500中，可以在半导体裸芯104上实现ic504的一些或全部。可以在安装在半导体裸芯104上的滤波器102中的一个或多个中实现滤波器电路502的一些或全部。
86.在这里描述的各种示例中，无源组件可以包括例如电阻器的电阻元件、例如电容器的电容元件、例如电感器的电感元件或它们的任何组合。
87.将理解，也可以在其他类型的rf电路中实现本公开的一个或多个特征。
88.在一些实现方式中，这里参考图7
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14描述的各种示例可以被视为在一个工艺技术平台上的完整集成不实际和/或不希望的信号调节组件和电路的紧凑组装。如这里描述的，这种紧凑组装可以提供与使得一个或多个信号调节组件(例如，滤波器)紧邻一个或多个电路(例如，有源电路)相关联的益处。这种益处可以包括例如最小化所述电路和一个或多个信号调节组件之间的信号损耗。
89.在一些实现方式中，具有这里描述的一个或多个特征的装置和/或电路可以被包括在例如无线装置的rf装置中。可以直接在无线装置中、以如这里所描述的模块化的形式、或者以其某种结合实现这样的装置和/或电路。在一些实施例中，这种无线装置可以包括例如被配置为提供无线服务的基站、蜂窝电话、智能电话、具有或不具有电话功能的手持式无线装置、无线平板等。
90.图15示意性地描绘具有这里描述的一个或多个有利特征的示例无线装置400。在如这里描述的各种配置的上下文中，具有被描绘为300的功能的前端模块可以是无线装置的一部分。在一些实施例中，这种前端模块可以或可以不包括功率放大器(pa)电路418、lna 322和/或偏置/逻辑电路326。在图7和8的示例配置300的上下文中，可以在前端模块中实现例如与频带选择开关320相关联的开关电路以及与双工器电路420相关联的滤波器的组件。
在一些实施例中，无线装置400可以包括具有如此处描述的一个或多个特征的分集rx模块。
91.在示例无线装置400中，具有多个pa的pa电路418可以向开关320(通过双工器420)提供放大的rf信号，并且开关320可以向天线424路由放大的rf信号。pa电路418可以从收发器414接收未放大的rf信号，所述收发器414可以以已知的方式配置和操作。
92.收发器414还可以被配置为处理接收的信号。这样的接收的信号可以从天线424通过双工器420被路由到lna 322。可以通过偏置/逻辑电路326促成lna 322的各种操作。
93.收发器414被示出为与基带子系统410交互，所述基带子系统410被配置为提供适合于用户的数据和/或语音信号与适合于收发器414的rf信号之间的转换。收发器414还被示出为连接到电力管理组件406，所述电力管理组件406被配置为管理用于无线装置400的操作的电力。这样的电力管理组件还可以控制基带子系统410以及前端模块的操作。
94.基带子系统410被示出为连接到用户接口402以促成提供给用户和从用户接收的语音和/或数据的各种输入和输出。基带子系统410还可以连接到存储器404，所述存储器404被配置为存储数据和/或指令，以促成无线装置的操作，和/或为用户提供信息的存储。
95.多个其它无线装置配置可以利用这里描述的一个或多个特征。例如，无线装置不需要是多频带装置。在另一示例中，无线装置可以包括例如分集天线的附加天线，以及例如wi
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fi、蓝牙以及gps的附加连接特征。
96.本公开的一个或多个特征可以用如此处描述的各种蜂窝频带来实现。这样的频带的示例在表3中列出。将理解，至少一些这样的频带可以划分为子频带。还将理解，本公开的一个或多个特征可以以不具有诸如表3的示例的标示的频率范围来实现。
97.表3
98.[0099][0100]
除非上下文清楚地另外要求，贯穿整个说明书和权利要求，词语“包括”和“包含”等应以包含性的含义来解释，而非排他性或穷举性的含义；也就是说，以“包括但不限于”的含义来解释。如这里通常使用的，词语“耦接”指代可以直接连接或通过一个或多个中间元件连接的两个或多个元件。此外，当在本技术中使用时，词语“这里”、“在上面”、“在下面”和类似意思的词语应指代本技术整体，而非本技术的任何特定部分。当上下文允许时，上面的具体实施方式中的、使用单数或复数的词语也可以分别包括复数或单数。在提到两个或多个项的列表时的词语“或”，该词语覆盖对该词语的全部下列解释：列表中的任何项，列表中的全部项以及列表中的项的任何组合。
[0101]
对本发明的实施例的上面的详细描述意图不是穷举性的或将本发明限制为上面公开的精确形式。如相关领域技术人员将理解的，虽然为了说明的目的在上面描述了本发明的具体实施例和示例，在本发明的范围内各种等效修改是可能的。例如，虽然以给定顺序呈现过程或块，替换实施例可以执行具有不同顺序的步骤的例程，或采用具有不同顺序的块的系统，并且可以删除、移动、添加、细分、组合和/或修改一些过程或块。可以以多种不同方式实现这些过程或块中的每一个。此外，虽然过程或块有时被示出为串行执行，作为替代，这些过程或块可以并行执行，或可以在不同时间执行。
[0102]
这里提供的本发明的教导可以应用于其他系统，而不一定是上面描述的系统。可
以组合上面描述的各种实施例的元件和动作以提供进一步的实施例。
[0103]
虽然已描述了本发明的某些实施例，但是这些实施例仅作为示例呈现，并且意图不是限制本公开的范围。实际上，这里描述的新方法和系统可以以各种其他形式实施；此外，可以做出这里描述的方法和系统的形式上的各种省略、替代和改变，而不背离本公开的精神。所附权利要求及其等效物意图覆盖将落入本公开的范围和精神内的这种形式或修改。