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制造射频装置、射频模块和无线装置的方法与流程

2021-12-07 20:19:00 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种制造射频装置的方法,包括:提供硅裸芯,所述硅裸芯包含射频电路、第一侧和第二侧以及多个通孔,每个通孔被配置为提供所述硅裸芯的第一侧和第二侧之间的电连接;以及将滤波器装置安装在所述硅裸芯的第一侧上,所述滤波器装置与所述射频电路通信,所述射频电路在所述硅裸芯的第一侧的有源层中实现,并且所述通孔中的至少一些与所述射频电路耦接以支持所述射频电路和在所述硅裸芯的第二侧上的安装特征之间的电连接,所述硅裸芯的射频电路包含开关电路。2.如权利要求1所述的方法,其中,所述硅裸芯的第二侧被配置为能够以倒装芯片的方式安装。3.如权利要求2所述的方法,其中,所述硅裸芯的第二侧包含多个凸点焊料,所述凸点焊料中的至少一些被电连接到所述多个通孔中的相应通孔。4.如权利要求2所述的方法,其中,所述硅裸芯包含绝缘体上硅基板,所述绝缘体上硅基板包含置于有源硅层和硅基板层之间的绝缘体层。5.如权利要求1所述的方法,其中,所述射频电路还包含用于所述开关电路的逻辑电路。6.如权利要求5所述的方法,其中,所述射频电路还包含低噪声放大器电路和功率放大器电路中的一个或多个。7.如权利要求5所述的方法,其中,所述射频电路包含被配置为将接收的射频信号路由到选择的低噪声放大器的频带选择电路。8.如权利要求7所述的方法,其中,所述接收的射频信号被路由通过在所述选择的低噪声放大器之前的所述滤波器装置。9.如权利要求7所述的方法,其中,所述接收的射频信号被路由通过在所述选择的低噪声放大器之后的所述滤波器装置。10.如权利要求7所述的方法,其中,所述射频电路是分集接收模块的一部分。11.如权利要求1所述的方法,其中,所述滤波器装置是声滤波器。12.一种制造射频模块的方法,包括:提供封装基板,所述封装基板被配置为容纳多个组件;以及将晶片级芯片规模封装安装在所述封装基板上,所述晶片级芯片规模封装具有包含射频电路、第一侧和第二侧以及多个通孔的硅裸芯,每个通孔被配置为提供所述硅裸芯的第一侧和第二侧之间的电连接,所述晶片级芯片规模封装还包含安装在所述硅裸芯的第一侧上的至少一个滤波器装置,所述滤波器装置与所述射频电路通信,所述射频电路在所述硅裸芯的第一侧的有源层中实现,并且所述通孔中的至少一些与所述射频电路耦接以支持所述射频电路和在所述硅裸芯的第二侧上的安装特征之间的电连接,所述硅裸芯的射频电路包含开关电路。13.如权利要求12所述的方法,其中,所述晶片级芯片规模封装具有一侧面尺寸,该侧面尺寸小于具有带有类似的射频电路的硅裸芯以及安装在封装基板而不是硅裸芯上的类似数目的滤波器装置的封装的侧面面积的20%。14.如权利要求13所述的方法,其中,所述晶片级芯片规模封装具有小于所述封装的高度的高度。
15.如权利要求12所述的方法,其中,所述滤波器装置是声滤波器。16.如权利要求12所述的方法,其中,所述射频模块是分集接收模块。17.一种制造无线装置的方法,包括:提供天线,所述天线被配置为接收射频信号;提供接收器,所述接收器与所述天线通信,所述接收器被配置为处理所接收的射频信号;以及提供射频模块,所述射频模块被配置为将所接收的射频信号从所述天线路由到所述接收器,所述射频模块包含晶片级芯片规模封装,所述晶片级芯片规模封装具有包含射频电路、第一侧和第二侧以及多个通孔的硅裸芯,每个通孔被配置为提供所述硅裸芯的第一侧和第二侧之间的电连接,所述晶片级芯片规模封装还包含安装在所述硅裸芯的第一侧上的滤波器装置,所述滤波器装置与所述射频电路通信,所述射频电路在所述硅裸芯的第一侧的有源层中实现,并且所述通孔中的至少一些与所述射频电路耦接以支持所述射频电路和在所述硅裸芯的第二侧上的安装特征之间的电连接,所述硅裸芯的射频电路包含开关电路。18.如权利要求17所述的方法,其中,所述晶片级芯片规模封装具有一侧面尺寸,该侧面尺寸小于具有带有类似的射频电路的硅裸芯以及安装在封装基板而不是硅裸芯上的类似数目的滤波器装置的封装的侧面面积的20%。19.如权利要求17所述的方法,其中,所述滤波器装置是声滤波器。20.如权利要求17所述的方法,其中,所述射频模块是分集接收模块。

技术总结
本公开提供了制造射频装置的方法、制造射频模块的方法以及制造无线装置的方法。所述制造射频装置的方法包括:提供硅裸芯,所述硅裸芯包含射频电路、第一侧和第二侧以及多个通孔,每个通孔被配置为提供所述硅裸芯的第一侧和第二侧之间的电连接;以及将滤波器装置安装在所述硅裸芯的第一侧上,所述滤波器装置与所述射频电路通信,所述射频电路在所述硅裸芯的第一侧的有源层中实现,并且所述通孔中的至少一些与所述射频电路耦接以支持所述射频电路和在所述硅裸芯的第二侧上的安装特征之间的电连接,所述硅裸芯的射频电路包含开关电路。所述硅裸芯的射频电路包含开关电路。所述硅裸芯的射频电路包含开关电路。


技术研发人员:J.P.扬
受保护的技术使用者:天工方案公司
技术研发日:2016.06.30
技术公布日:2021/12/6
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