半导体装置及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体装置，其包括：半导体衬底；第一绝缘膜和第二绝缘膜，其设置于所述半导体衬底上方；低k膜，其设置于所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜之间；元件形成区，在其中在所述半导体衬底中形成电路中包含的元件；划线区，其设置在所述元件形成区周围；切割部分，其设置在所述划线区的外周边上；以及凹槽，其形成于所述切割部分和所述元件形成区之间，其中所述凹槽穿透所述低k膜。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述划线区具有限定宽度方向和正交于所述宽度方向的纵向方向的预定宽度，且所述凹槽在所述宽度方向上位于所述划线区的末端处且在所述纵向方向上延伸。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述凹槽包括宽度小于所述凹槽的宽度的多个凹槽。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述低k膜包括多个低k膜的堆叠膜。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体装置中包含的多个互连件设置于所述元件形成区中，且所述低k膜形成于所述多个互连件之间。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述低k膜包括sioc和sicn的堆叠膜，且其中所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜包括氧化硅膜。7.一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置包含以矩阵布置的多个元件形成区和设置于所述元件形成区之间的划线区，所述方法包括：形成第一绝缘膜；形成低k膜；形成第二绝缘膜；以及在所述划线区中在所述元件形成区附近形成穿透所述低k膜的凹槽。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述划线区具有限定宽度方向和正交于所述宽度方向的纵向方向的预定宽度，且所述凹槽在所述宽度方向上位于所述划线区的末端处且在所述纵向方向上延伸。9.根据权利要求7所述的方法，其中所述凹槽包括宽度小于所述凹槽的宽度的多个凹槽。10.根据权利要求7所述的方法，其中所述低k膜包括多个低k膜的堆叠膜。11.根据权利要求7所述的方法，其中多个互连件设置于所述元件形成区中，且所述低k膜形成于所述多个互连件之间。12.根据权利要求7所述的方法，其中所述低k膜包括sioc和sicn的堆叠膜。13.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜包括氧化硅膜。14.一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置包含以矩阵布置的多个元件形成区和设置于所述元件形成区之间的划线区，所述方法包括：形成第一绝缘膜；
形成低k膜；形成第二绝缘膜；在所述第二绝缘膜上形成第三绝缘膜；在所述划线区的邻近于所述元件形成区的末端处形成深度不到达所述低k膜的上表面的凹槽；形成经图案化以在所述划线区上方留下开放空间的覆盖膜；以及使用所述覆盖膜作为掩模，执行各向异性干式蚀刻以移除所述第三绝缘膜，且进一步直至所述凹槽穿透所述划线区中的所述低k膜。15.根据权利要求14所述的方法，其中所述划线区具有限定宽度方向和正交于所述宽度方向的纵向方向的预定宽度，且所述凹槽在所述宽度方向上位于所述划线区的末端处且在所述纵向方向上延伸。16.根据权利要求14所述的方法，其中所述凹槽包括宽度小于所述凹槽的宽度的多个凹槽。17.根据权利要求14所述的方法，其中所述低k膜包括多个低k膜的堆叠膜。18.根据权利要求14所述的方法，其中所述半导体装置中包含的多个互连件设置于所述元件形成区中，且所述低k膜形成于所述多个互连件之间。19.根据权利要求14所述的方法，其中所述低k膜包括sioc和sicn的堆叠膜。20.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜包括氧化硅膜。

技术总结
本申请涉及一种半导体装置及其形成方法。一种半导体装置包含：半导体衬底；第一绝缘膜和第二绝缘膜，其设置于所述半导体衬底上方；低k膜，其设置于所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜之间；元件形成区，在其中在所述半导体衬底中形成电路中包含的元件；划线区，其设置于所述元件形成区周围；切割部分，其设置于所述划线区的外周边上；以及凹槽，其形成于所述切割部分和所述元件形成区之间，其中所述凹槽穿透所述低k膜。透所述低k膜。透所述低k膜。


技术研发人员：杉冈繁 山口秀范 藤木谦昌 川北惠三
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2021.05.24
技术公布日：2021/12/2