一种降低MOSFET衬底电阻的制作方法及其器件与流程

技术特征：
1.一种降低mosfet衬底电阻的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：s1、提供一半导体衬底，所述衬底上设有外延片，在所述外延片上进行沟槽刻蚀形成第一沟槽；s2、在所述外延片及第一沟槽内表面生长一层栅极氧化层；s3、通过淀积向所述第一沟槽内填充多晶硅后，再进行回刻；s4、采用离子注入工艺在所述外延片基体区注入p型离子后退火；s5、采用离子注入工艺注入n型离子及退火形成n

源区；s6、在所述栅极氧化层上表面沉积一绝缘介质层；s7、在所述绝缘介质层进行孔刻蚀，形成接触孔引出源极；s8、在所述绝缘介质层及接触孔的上表面沉积正面金属层；s9、在所述衬底背面进行沟槽刻蚀，形成第二沟槽；s10、在所述衬底背面及第二沟槽内沉积背面金属层。2.根据权利要求1所述的一种降低mosfet衬底电阻的制作方法，其特征在于，所述s9步骤中，采用光刻刻蚀工艺形成所述第二沟槽，所述第二沟槽横向间隔设置，所述第二沟槽的深度小于所述半导体衬底的厚度。3.根据权利要求1所述的一种降低mosfet衬底电阻的制作方法，其特征在于，所述s1步骤中，采用光刻刻蚀工艺形成所述第一沟槽，所述第一沟槽横向间隔设置。4.根据权利要求1所述的一种降低mosfet衬底电阻的制作方法，其特征在于，所述s2步骤中，所述栅极氧化层材质为氧化硅。5.根据权利要求1所述的一种降低mosfet衬底电阻的制作方法，其特征在于，所述s2步骤中，采用热氧化工艺形成所述栅极氧化层。6.根据权利要求1所述的一种降低mosfet衬底电阻的制作方法，其特征在于，所述s4步骤中，所述p型离子为硼离子；所述退火工艺为炉管或快速退火工艺。7.根据权利要求1所述的一种降低mosfet衬底电阻的制作方法，其特征在于，所述s5步骤中，所述n型离子为磷离子；所述退火工艺为炉管或快速退火工艺。8.一种器件，其特征在于：其包括权利要求1至7中任意一项权利要求所述的一种降低mosfet衬底电阻的制作方法形成的mosfet功率器件。

技术总结
本发明涉及一种降低MOSFET衬底电阻的制作方法及其器件，提供一半导体衬底，所述衬底上设有外延片，在所述外延片上进行沟槽刻蚀形成第一沟槽；在所述外延片及第一沟槽内表面生长一层栅极氧化层，并在栅极氧化层上表面沉积一绝缘介质层；通过淀积向所述第一沟槽内填充多晶硅后，再进行回刻；采用离子注入工艺注入离子后退火；在所述衬底背面进行沟槽刻蚀，形成第二沟槽；在所述衬底背面及第二沟槽内沉积背面金属层；通过在MOSFET增加了一步背面沟槽刻蚀工艺，形成第二沟槽，并在衬底背面及第二沟槽内沉积背面金属层，使得芯片衬底厚度保持不变的情况下，降低芯片衬底电阻，从而降低器件的导通电阻，工艺简单、成本低。成本低。成本低。


技术研发人员：何昌
受保护的技术使用者：深圳市美浦森半导体有限公司
技术研发日：2021.08.18
技术公布日：2021/11/28