半导体结构的制备方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供具有若干个第一沟槽的衬底，相邻所述第一沟槽之间形成有第一图案；形成第一介质层，所述第一介质层至少覆盖所述第一图案的侧壁；形成第二介质层，所述第二介质层填充所述第一沟槽；隔断所述第一图案形成第二图案；去除所述第二介质层。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述第一介质层，所述第一介质层至少覆盖所述第一图案的侧壁包括：于所述第一图案的侧壁以及所述第一沟槽的底部形成第一介质层。3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述第一介质层，所述第一介质层至少覆盖所述第一图案的侧壁包括：于所述第一图案的侧壁、所述第一沟槽的底部以及所述第一图案的上表面形成所述第一介质层。4.根据权利要求2或3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述第一介质层之后且形成所述第二介质层之前还包括：去除位于所述第一沟槽底部的所述第一介质层。5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述第一图案的宽度≤20nm。6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：相邻所述第一图案之间的间距≤30nm。7.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一介质层的硬度大于所述第二介质层的硬度。8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述第一介质层包括二氧化硅层。9.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述第二介质层包括旋涂碳层或旋涂玻璃层。10.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：隔断所述第一图案形成所述第二图案包括：于各所述第一图案上形成多个第二沟槽，以将各所述第一图案分割为多个第二图案。11.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：去除所述第二介质层之后还包括：于所述第一沟槽以及所述第二沟槽中填充第三介质层，所述第三介质层填充所述第一沟槽及所述第二沟槽；且所述第二沟槽中的第三介质层与所述第二图案之间不存在所述第一介质层。12.根据权利要求11所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述第三介质层包括二氧化硅层。13.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于各所述第一图案上形成多个所述第二沟槽，以将各所述第一图案分割为多个所述第二图案包括：于所述衬底的上表面形成掩膜层；对所述掩膜层进行图形化处理，以得到图形化掩膜层，所述图形化掩膜层包括多个贯
穿所述掩膜层的开口图形，所述开口图形定义出所述第二沟槽的位置及形状；基于所述图形化掩膜层对所述第一图案进行刻蚀，以于各所述第一图案上形成多个所述第二沟槽，以将各所述第一图案分割为多个所述第二图案。14.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述第一图案的延伸方向与位于不同列相邻最短间距的所述第二沟槽的排列方向斜交。15.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度。16.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述第一沟槽的宽度小于所述第二沟槽的宽度。17.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述第二沟槽仅隔断所述第一图案，所述第一图案侧壁上的所述第一介质层不被隔断。18.根据权利要求17所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：利用所述第一图案和所述第一介质层的刻蚀选择比大于8的刻蚀工艺对所述第一图案进行隔断。19.根据权利要求13所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述开口图形的尺寸大于所述第一图案的宽度。20.根据权利要求19所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述第二沟槽的尺寸小于15nm，所述第一介质层的厚度范围为1nm-5nm，所述开口图形的尺寸小于30nm。

技术总结
本发明提供一种半导体结构的制备方法，其包括：提供具有若干个第一沟槽的衬底，相邻所述第一沟槽之间形成有第一图案；形成第一介质层，所述第一介质层至少覆盖所述第一图案的侧壁；形成第二介质层，所述第二介质层填充所述第一沟槽；隔断所述第一图案形成第二图案；去除所述第二介质层。其优点是：通过至少在第一图案的侧壁上形成第一介质层作为保护层，这样当对第一图案进行刻蚀形成第二图案时，由于第一图案的侧壁始终受到第一介质层的保护，由隔断形成的第二图案所构成的有源区的末端在刻蚀过程中就不容易遭到破坏。蚀过程中就不容易遭到破坏。蚀过程中就不容易遭到破坏。


技术研发人员：朱一明 应战 张强
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2020.05.20
技术公布日：2021/11/25