一种有机化合物及包含其的电子元件和电子装置的制作方法

1.本技术涉及有机电致发光技术领域，具体而言，涉及一种有机化合物及包含其的电子元件和电子装置。


背景技术：

2.有机电致发光器件，例如有机发光二极管(oled)，通常包括相对设置的阴极和阳极，以及设置于阴极和阳极之间的功能层。该功能层由多层有机或者无机膜层组成，且一般包括有机发光层、空穴传输层、电子传输层等。当阴阳两极施加电压时，两电极产生电场，在电场的作用下，阴极侧的电子向电致发光层移动，阳极侧的空穴也向发光层移动，电子和空穴在电致发光层结合形成激子，激子处于激发态向外释放能量，进而使得电致发光层对外发光。
3.现有的有机电致发光器件中，最主要的问题为寿命和效率，随着显示器的大面积化，驱动电压也随之提高，发光效率及电流效率也需要提高，因此，有必要继续研发新型的材料，以进一步提高有机电致发光器件的性能。
4.需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本技术的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。


技术实现要素：

5.本技术的目的在于克服上述现有技术中的不足，提供一种有机化合物，所述有机化合物的结构通式如化学式1所示：
[0006][0007]
其中，r1、r2、r3和r4彼此相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素、氰基、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为6～15的芳基、碳原子数为3～12的杂芳基、碳原子数为3～12的三烷基硅基；
[0008]
r1、r2、r3、r4以r
i
表示，n1～n4以n
i
表示，n
i
表示r
i
的个数，i为变量，表示1、2、3和4，当i为1、2或3时，n
i
选自0、1、2或3；当i为4时，ni选自0、1、2、3或4；且当n
i
大于1时，任意两个r
i
相同或不同；
[0009]
het选自碳原子数为3～20的含氮亚杂芳基，且至少含有两个n原子；
[0010]
l1、l2和l相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的亚杂芳基；
[0011]
ar1和ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6～40的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；
[0012]
所述het、l1、l2、l、ar1和ar2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为3～12的杂芳基、碳原子数为6～15的芳基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～5的卤代烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为3～12的三烷基硅基；
[0013]
任选地，在ar1和ar2中，任意两个相邻的取代基形成环。
[0014]
本技术化合物结构中包含二苯并呋喃
‑
咔唑
‑
含氮杂环的结构，其中二苯并呋喃和咔唑分别通过二苯并呋喃的1位和9位与咔唑的1’位和9’位连接形成七元环的结构，而含氮杂环可以连接在二苯并呋喃或者咔唑环上。该申请中特定的二苯并呋喃参与形成的七元环结构使得目标化合物较高的平面性，同时赋予了目标化合物较高的载流子迁移率，当目标化合物作为主体材料时可以改善空穴和电子的平衡，拓宽载流子的复合区域，提高器件的发光效率和寿命。
[0015]
根据本技术的第二个方面，提供一种电子元件，包括阳极、阴极、以及介于阳极与阴极之间的至少一层功能层，功能层包含上述的有机化合物。
[0016]
根据本技术的第三个方面，提供一种电子装置，包括上述的电子元件。
[0017]
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本技术。
附图说明
[0018]
附图是用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本技术，但并不构成对本技术的限制。
[0019]
在附图中：
[0020]
图1是本技术的有机电致发光器件的一实施方式的结构示意图。
[0021]
图2是本技术一实施方式的电子装置的结构示意图。
[0022]
附图标记说明
[0023]
100、阳极；200、阴极；300、功能层；310、空穴注入层；320、空穴传输层；321、第一空穴传输层；322、第二空穴传输层；330、有机电致发光层；340、空穴阻挡层；350、电子传输层；360、电子注入层；400、电子装置。
具体实施方式
[0024]
现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本技术将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本技术的实施例的充分理解。
[0025]
在图中，为了清晰，可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同
或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
[0026]
所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本技术的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本技术的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本技术的主要技术创意。
[0027]
本技术提供了一种有机化合物，该有机化合物的结构通式如化学式1所示：
[0028][0029]
其中，r1、r2、r3和r4彼此相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为6～15的芳基、碳原子数为3～12的杂芳基、碳原子数为3～12的三烷基硅基；
[0030]
r1、r2、r3、r4以r
i
表示，n1～n4以n
i
表示，n
i
表示r
i
的个数，i为变量，表示1、2、3和4，当i为1、2或3时，n
i
选自0、1、2或3；当i为4时，ni选自0、1、2、3或4；且当n
i
大于1时，任意两个r
i
相同或不同；
[0031]
het选自碳原子数为3～20的含氮亚杂芳基，且至少含有两个n原子；
[0032]
l1、l2和l相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的亚杂芳基；
[0033]
ar1和ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6～40的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；
[0034]
所述het、l1、l2、l、ar1和ar2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为3～12的杂芳基、碳原子数为6～15的芳基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～5的卤代烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为3～12的三烷基硅基；
[0035]
任选地，在ar1和ar2中，任意两个相邻的取代基形成环。
[0036]
在本技术中，l与中的四个苯环中的任意一个相连接。
[0037]
在本技术中，术语“任选”、“任选地”意味着随后所描述的事件或者环境可以发生但不必发生，该说明包括该事情或者环境发生或者不发生的场合。例如，“任选地，两个相邻取代基
××
形成环；”意味着这两个取代基可以形成环但不是必须形成环，包括：两个相邻的取代基形成环的情景和两个相邻的取代基不形成环的情景。
[0038]
在本技术中，“任意两个相邻的取代基形成环”中，“任意相邻”可以包括同一个原子上具有两个取代基，还可以包括两个相邻的原子上分别具有一个取代基；其中，当同一个原子上具有两个取代基时，两个取代基可以与其共同连接的该原子形成饱和或不饱和的
环；当两个相邻的原子上分别具有一个取代基时，这两个取代基可以稠合成环。举例而言，当ar2有2个或2个以上的取代基时，任意相邻的取代基形成环时，该环可以是饱和或不饱和的碳原子数为5
‑
13的元环，例如：苯环、萘环、芴环、菲环、蒽环、环戊烷、环己烷、金刚烷等等。
[0039]
在本技术中，“任选地，任意两个相邻的r2相互连接形成环”是指任意两个相邻的r2可以形成环，也可以不形成环。举例而言，当相邻的两个r2成环时，该环的碳原子数为6～14，且该环可以是饱和的，也可以是不饱和的。例如：环己烷、环戊烷、金刚烷、苯环、萘环、菲环等，但不限于此。
[0040]
在本技术一种实施方式中，所述有机化合物具有如下所示的结构：
[0041][0042]
可选地，所述有机化合物具有如下所示的结构：
[0043]
[0044][0045]
在本技术中，所采用的描述方式“各
……
独立地为”与
“……
分别独立地为”和
“……
独立地选自”可以互换，均应做广义理解，其既可以是指在不同基团中，相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响，也可以表示在相同的基团中，相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响。例如，“其中，各q独立地为0、1、2或3，各r”独立地选自氢、氘、氟、氯”，其含义是：式q
‑
1表示苯环上有q个取代基r”，各个r”可以相同也可以不同，每个r”的选项之间互不影响；式q
‑
2表示联苯的每一个苯环上有q个取代基r”，两个苯环上的r”取代基的个数q可以相同或不同，各个r”可以相同也可以不同，每个r”的选项之间互不影响。
[0046]
在本技术中，“取代或未取代的”这样的术语是指，在该术语后面记载的官能团可以具有或不具有取代基(下文为了便于描述，将取代基统称为rc)。例如，“取代或未取代的芳基”是指具有取代基rc的芳基或者非取代的芳基。其中上述的取代基即rc例如可以为氘、卤素基团、氰基、碳原子数为3～12的杂芳基、碳原子数为6～15的芳基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～5的卤代烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为3～12的三烷基硅基，在本技术中，“取代的”官能团可以被上述rc中的一个或2个以上的取代基取代；当同一个原子上连接有两个取代基rc时，这两个取代基rc可以独立地存在或者相互连接以与所述原子形成环；当官能团上存在两个相邻的取代基rc时，相邻的两个取代基rc可以独立地存在或者与其所连接的官能团稠合成环。在本技术中，任意两个相邻的取代基形成3
‑
15元环。
[0047]
在本技术中，取代或未取代的官能团的碳原子数，指的是所有碳原子数。举例而
言，若l选自取代的碳原子数为12的亚芳基，则亚芳基及其上的取代基的所有碳原子数为12。例如：ar1为则其碳原子数为16；l1为其碳原子数为12。
[0048]
在本技术中，当没有另外提供具体的定义时，“杂”是指在一个官能团中包括至少1个b、n、o、s、p、si或se等杂原子且其余原子为碳和氢。
[0049]
在本技术中，“烷基”可以包括直链烷基或支链烷基。烷基可具有1至5个碳原子，在本技术中，诸如“1至5”的数值范围是指给定范围中的各个整数；例如，"1至5个碳原子”是指可包含1个碳原子、2个碳原子、3个碳原子、4个碳原子、5个碳原子。具体施例包括但不限于，甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基和戊基。
[0050]
在本技术中，芳基指的是衍生自芳香碳环的任选官能团或取代基。芳基可以是单环芳基(例如苯基)或多环芳基，换言之，芳基可以是单环芳基、稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个单环芳基、通过碳碳键共轭连接的单环芳基和稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个稠环芳基。即，除非另有说明，通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个芳香基团也可以视为本技术的芳基。其中，稠环芳基例如可以包括双环稠合芳基(例如萘基)、三环稠合芳基(例如菲基、芴基、蒽基)等。芳基的实例可以包括但不限于，苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、四联苯基、五联苯基、苯并[9,10]菲基、芘基、苯并荧蒽基、基等。本技术的“芳基”可含有6
‑
40个碳原子，在一些实施例中，芳基中的碳原子数可以是6
‑
30个，在一些实施例中，芳基中的碳原子数可以是6
‑
25个，在另一些实施例中芳基中的碳原子数可以是6
‑
15个。举例而言，本技术中，芳基的碳原子数量可以是6个、12个、13个、14个、15个、18个、20个、24个、25个、30个、35个、40个，当然，碳原子数还可以是其他数量，在此不再一一列举。在本技术中，联苯基可以理解为苯基取代的芳基，也可以理解为未取代的芳基。
[0051]
在本技术中，涉及的亚芳基是指芳基进一步失去一个氢原子所形成的二价基团。
[0052]
在本技术中，取代的芳基可以是芳基中的一个或者两个以上氢原子被诸如氘原子、卤素基团、氰基、叔丁基、三氟甲基、杂芳基、三甲基硅基、烷基、环烷基、烷氧基、烷硫基等基团取代。应当理解地是，取代的芳基的碳原子数，指的是芳基和芳基上的取代基的碳原子总数，例如碳原子数为18的取代的芳基，指的是芳基及其取代基的总碳原子数为18。
[0053]
在本技术中，作为取代基的芳基，具体实例包括但不限于：苯基、萘基、蒽基、菲基、二甲基芴基、联苯基、等等。
[0054]
在本技术中，杂芳基是指环中包含1、2、3、4、5、6或7个杂原子的一价芳香环或其衍生物，所述杂原子可以是b、o、n、p、si、se和s中的至少一种。杂芳基可以是单环杂芳基或多环杂芳基，换言之，杂芳基可以是单个芳香环体系，也可以是通过碳碳键共轭连接的多个芳香环体系，且任一芳香环体系为一个芳香单环或者一个芳香稠环。示例地，杂芳基可以包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、噁唑基、噁二唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲
咯啉基、异噁唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、吩噻嗪基、硅芴基、二苯并呋喃基以及n
‑
芳基咔唑基(如n
‑
苯基咔唑基)、n
‑
杂芳基咔唑基(如n
‑
吡啶基咔唑基)、n
‑
烷基咔唑基(如n
‑
甲基咔唑基)等，而不限于此。其中，噻吩基、呋喃基、菲咯啉基等为单个芳香环体系类型的杂芳基，n
‑
芳基咔唑基、n
‑
杂芳基咔唑基为通过碳碳键共轭连接的多环体系类型的杂芳基。本技术的“杂芳基”可含有3
‑
30个碳原子，在一些实施例中杂芳基中的碳原子数可以是3
‑
20个，在另一些实施例中杂芳基中的碳原子数可以是3
‑
12个，在另一些实施例中杂芳基中的碳原子数可以是12
‑
18个。举例而言，其碳原子数量可以是3个、4个、5个、7个、12个、13个、15个、18个、20个、24个、25个或30个，当然，碳原子数还可以是其他数量，在此不再一一列举。
[0055]
在本技术中，涉及的亚杂芳基是指杂芳基进一步失去一个氢原子所形成的二价基团。
[0056]
在本技术中，取代的杂芳基可以是杂芳基中的一个或者两个以上氢原子被诸如氘原子、卤素基团、氰基、芳基、杂芳基、三甲基硅基、烷基、环烷基、烷氧基、烷硫基等基团取代。应当理解地是，取代的杂芳基的碳原子数，指的是杂芳基和杂芳基上的取代基的碳原子总数。
[0057]
在本技术中，作为取代基的杂芳基，具体实例包括但不限于：吡啶基、嘧啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基。
[0058]
在本技术中，卤素基团可以包括氟、碘、溴、氯等。
[0059]
本技术中，不定位连接键是指从环体系中伸出的单键其表示该连接键的一端可以连接该键所贯穿的环体系中的任意位置，另一端连接化合物分子其余部分。
[0060]
举例而言，如下式(f)中所示地，式(f)所表示的萘基通过两个贯穿双环的不定位连接键与分子其他位置连接，其所表示的含义，包括如式(f
‑
1)～式(f
‑
10)所示出的任一可能的连接方式。
[0061][0062]
再举例而言，如下式(x')中所示地，式(x')所表示的二苯并呋喃基通过一个从一侧苯环中间伸出的不定位连接键与分子其他位置连接，其所表示的含义，包括如式(x'
‑
1)～式(x'
‑
4)所示出的任一可能的连接方式。
[0063][0064]
下文中对于不定位连接或不定位取代的含义与此处相同，后续将不再进行赘述。
[0065]
在本技术的一种实施方式中，选自亚三嗪基、亚喹啉基、亚喹唑啉基、亚喹喔啉基或以下基团组成的组：
[0066][0067]
可选地，所述het选自如下基团所组成的组：
[0068][0069]
在本技术一种实施方式中，所述选自以下基团组成的组：
[0070][0071]
在本技术的一种实施方式中，所述l1、l2和l相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6～15的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为5～20的取代或未取代的亚杂芳基。
[0072]
可选地，所述l1、l2和l中的取代基分别独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～5的烷基、苯基。
[0073]
具体地，所述l1、l2和l中的取代基具体实例包括但不限于：氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基。
[0074]
在本技术的一种实施方式中，所述l1、l2和l各自独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代未取代的亚芴基、取代或
未取代的亚咔唑基、取代或未取代的亚菲基。
[0075]
在本技术另一种实施方式中，所述l1、l2和l相同或不同，且各自独立地选自单键或者取代或未取代的基团v，未取代的基团v选自如下基团所组成的组：
[0076][0077]
其中，表示化学键；取代的基团v上具有一个或多个的取代基，所述取代基各自独立地选自：氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基；当v的取代基个数大于1时，各取代基相同或不同。
[0078]
可选地，所述l，l1和l2分别独立地选自单键或以下基团组成的组：
[0079]079][0080]
进一步可选地，l选自单键。
[0081]
进一步可选地，l1和l2分别独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚菲基、取代或未取代的亚咔唑基。
[0082]
所述l1和l2的取代基分别独立地选自氘、氟、氰基、甲基、苯基。
[0083]
在本技术的一种实施方式中，所述ar1和ar2相同或不同，且各自独立地选自氢、碳原子数为6～25的取代或未取代的芳基、碳原子数为12～18的取代或未取代的杂芳基。
[0084]
可选地，所述ar1和ar2中的取代基相同或不同，分别独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为6～12的芳基；
[0085]
任选地，在ar1和ar2的取代基中，任意两个相邻的取代基形成碳原子数为5～13的饱和或不饱和环。举例而言，在ar1的取代基中，任意两个相邻的取代基形成芴环。
[0086]
具体地，ar1和ar2中的取代基具体实例包括但不限于：氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基、联苯基。
[0087]
在本技术另一种实施方式中，ar1和ar2相同或不同，且各自独立地选自氢、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的二苯并呋喃
基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的咔唑基。
[0088]
在本技术的一种实施方式中，所述ar1和ar2相同或不同，且各自独立地选自氢或取代或未取代的基团w，未取代的基团w选自如下基团所组成的组：
[0089][0090]
其中，表示化学键；取代的基团w上具有一个或多个的取代基，所述取代基各自独立地选自：氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基；当w的取代基个数大于1时，各取代基相同或不同。
[0091]
可选地，所述ar1和ar2相同或不同，且各自独立地选自如下基团所组成的组：
[0092]
[0093][0094]
在本技术的一种实施方式中，所述r1、r2、r3和r4相同或不同，且各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、环己基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基、异喹啉基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、三甲基硅基。
[0095]
在本技术一种实施方式中，n1，n2，n3，n4均为0。
[0096]
可选地，有机化合物选自如权利要求12所示的化合物，但不仅限于此。
[0097]
本技术还提供一种电子元件，用于实现光电转换或者电光转化。该电子元件包括相对设置的阳极和阴极，以及介于阳极与阴极之间的至少一层功能层，该功能层包含本技术的有机化合物。
[0098]
在本技术一种具体实施方式中，如图1所示，本技术的有机电致发光器件包括阳极100、阴极200、以及介于阳极层与阴极层之间的至少一层功能层300，该功能层300包括空穴注入层310、空穴传输层320、有机电致发光层330、空穴阻挡层340、电子传输层350以及电子注入层360；空穴传输层320包括第一空穴传输层321和第二空穴传输层322；空穴注入层310、空穴传输层320、有机电致发光层330、空穴阻挡层340、电子传输层350以及电子注入层360可以依次形成在阳极100上，有机电致发光层330可以含有本技术第一方面所述的有机化合物，优选含有化合物1
‑
920中的至少一种。
[0099]
可选地，阳极100包括以下阳极材料，其优选地是有助于空穴注入至功能层中的具有大逸出功(功函数，work function)材料。阳极材料具体实例包括:金属如镍、铂、钒、铬、铜、锌和金或它们的合金；金属氧化物如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ito)和氧化铟锌(izo)；组合的金属和氧化物如zno:al或sno2:sb；或导电聚合物如聚(3
‑
甲基噻吩)、聚[3,4
‑
(亚乙基
‑
1,2
‑
二氧基)噻吩](pedt)、聚吡咯和聚苯胺，但不限于此。优选包括包含氧化铟锡(铟锡氧化物，indium tin oxide)(ito)作为阳极的透明电极。
[0100]
可选地，空穴传输层320可以包括一种或者多种空穴传输材料，空穴传输材料可以选自咔唑多聚体、咔唑连接三芳胺类化合物或者其他类型的化合物，本技术对此不做特殊的限定。举例而言，在本技术的一种实施方式中，空穴传输层320包括第一空穴传输层321和第二空穴传输层322，第一空穴传输层321由化合物tcta组成，第二空穴传输层322由化合物papb组成。
[0101]
可选地，有机电致发光层330可以由单一发光材料组成，也可以包括主体材料和客体材料。可选地，有机电致发光层330由主体材料和客体材料组成，注入有机发光层330的空穴和电子可以在有机发光层330复合而形成激子，激子将能量传递给主体材料，主体材料将能量传递给客体材料，进而使得客体材料能够发光。
[0102]
在本技术的一种实施方式中，有机电致发光层330的主体材料由本技术所提供的有机化合物和rh
‑
p组成；在本技术的另一种实施方式中，有机电致发光层330的主体材料由本技术所提供的有机化合物组成。本技术化合物结构中包含二苯并呋喃
‑
咔唑
‑
含氮杂环的结构，其中二苯并呋喃和咔唑分别通过二苯并呋喃的1位和9位与咔唑的1’位和9’位连接，形成七元环的结构，而含氮杂环可以连接在二苯并呋喃或者咔唑环上。该申请中特定的二苯并呋喃参与形成的七元环结构使得目标化合物较高的平面性，同时赋予了目标化合物较高的载流子迁移率，当目标化合物作为主体材料时可以改善空穴和电子的平衡，拓宽载流子的复合区域，提高器件的发光效率和寿命。
[0103]
有机电致发光层330的客体材料可以为具有缩合芳基环的化合物或其衍生物、具有杂芳基环的化合物或其衍生物、芳香族胺衍生物或者其他材料，本技术对此不做特殊的限制。举例而言，在本技术的一种实施方式中，有机发光层330的客体材料可以为ir(m
‑
piq)2(acac)。
[0104]
电子传输层350可以为单层结构，也可以为多层结构，其可以包括一种或者多种电子传输材料，电子传输材料可以选自苯并咪唑衍生物、噁二唑衍生物、喹喔啉衍生物或者其他电子传输材料。从分子设计的角度来看，本技术化合物形成了缺电子型的大共轭平面结构，具有结构不对称且空间位阻较大的优点，可以降低分子间凝聚力，减少结晶趋势，从而提高了电子传输率。在本技术的一种实施方式中，电子传输层350可以由et
‑
06和liq组成。
[0105]
可选地，阴极200包括以下阴极材料，其是有助于电子注入至功能层中的具有小逸出功的材料。阴极材料的具体实例包括:金属如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅或它们的合金；或多层材料如lif/al，liq/al，lio2/al，lif/ca，lif/al和baf2/ca，但不限于此。优选包括包含银和镁的金属电极作为阴极。
[0106]
可选地，在阳极100和空穴传输层320之间还可以设置有空穴注入层310，以增强向空穴传输层320注入空穴的能力。空穴注入层310可以选用联苯胺衍生物、星爆状芳基胺类化合物、酞菁衍生物或者其他材料，本技术对此不做特殊的限制。在本技术的一种实施方式中，空穴注入层310可以由f4
‑
tcnq组成。
[0107]
可选地，在阴极200和电子传输层350之间还可以设置有电子注入层360，以增强向电子传输层350注入电子的能力。电子注入层360可以包括有碱金属硫化物、碱金属卤化物等无机材料，或者可以包括碱金属与有机物的络合物。在本技术的一种实施方式中，电子注入层360可以包括liq。
[0108]
本技术还提供一种电子装置，该电子装置包括本技术所述的电子元件。
[0109]
举例而言，如图2所示，本技术提供的电子装置为第一电子装置400，该第一电子装置400包括上述有机电致发光器件实施方式所描述的任意一种有机电致发光器件。该电子装置可以为显示装置、照明装置、光通讯装置或者其他类型的电子装置，例如可以包括但不限于电脑屏幕、手机屏幕、电视机、电子纸、应急照明灯、光模块等。由于第一电子装置400具有上述有机电致发光器件，因此具有相同的有益效果，本技术在此不再赘述。
[0110]
下面将结合实施例详细描述本技术，但是，以下描述是用于解释本技术，而不是以任意方式限制本技术的范围。
[0111]
合成实施例
[0112]
所属领域的专业人员应该认识到，本技术所描述的化学反应可以用来合适地制备许多本技术的其他化合物，且用于制备本技术的化合物的其它方法都被认为是在本技术的范围之内。例如，根据本技术那些非例证的化合物的合成可以成功地被所属领域的技术人员通过修饰方法完成，如适当的保护干扰基团，通过利用其他已知的试剂除了本技术所描述的，或将反应条件做一些常规的修改。另外，本技术所公开的反化合物合成。
[0113]
制备例1：化合物1的合成
[0114]
(1)中间体a
‑
1的合成
[0115][0116]
向装有机械搅拌、温度计、球形冷凝管的三口瓶中通入氮气(0.100l/min)置换15min，加入1
‑
溴
‑3‑
碘
‑2‑
硝基苯(100mmol，32.79g)(反应物a
‑
1)、3
‑
氯苯硼酸(90mmol，14.07g)(反应物b
‑
1)、无水碳酸钠(180mmol，19.08g)、四(三苯基膦)钯(0.9mmol，1.04g)、四丁基溴化铵(9mmol，2.90g)，并加入甲苯(240ml)、乙醇(40ml)和水(60ml)的混合溶剂。开启搅拌，回流反应16h，反应结束后，冷却至室温。用二氯甲烷萃取分离有机相，水洗至中性，使用无水硫酸镁干燥有机相，过滤后将滤液减压蒸馏除去溶剂，得粗品；使用正庚烷/二氯甲烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体产物中间体a
‑
1(21.94g，收率78％)。
[0117]
参照中间体a
‑
1的合成方法，合成下表1所示的中间体，其中反应物a
‑
x(x为1
‑
5)代替反应物a
‑
1，反应物b
‑
x(x为2
‑
5)代替反应物b
‑
1，合成如下表1所示的中间体a
‑
x(x为2
‑
7)。
[0118]
表1
[0119][0120]
(2)中间体b
‑
1的合成
[0121][0122]
向装有机械搅拌、温度计、球形冷凝管的三口瓶中通入氮气(0.100l/min)置换15min，加入中间体a
‑
1(70.2mmol，21.94g)、三苯基膦(175.5mmol，46.03g)、邻二氯苯(220ml)，开启搅拌，回流反应16h，反应结束后，冷却至室温。用二氯甲烷和去离子水萃取分离有机相，使用无水硫酸镁干燥有机相，过滤后，将滤液减压蒸馏除去溶剂；使用二氯甲烷/正庚烷体系对粗品进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体产物中间体b
‑
1(16.74g，收率85％)。
[0123]
参照中间体b
‑
1的合成方法，合成下表2所示的中间体，其中中间体a
‑
x(x为2
‑
7)代替反应物a
‑
1，合成如下表2所示的中间体b
‑
x(x为2
‑
7)。
[0124]
表2
[0125][0126]
(3)中间体c
‑
1的合成
[0127][0128]
向装有机械搅拌、温度计、球形冷凝管的三口瓶中通入氮气(0.100l/min)置换15min，加入中间体b
‑
1(200mmol，56.11g)、联硼酸频那醇酯(210mmol，53.32g)、三(二亚苄基丙酮)二钯(2mmol，1.83g)、2
‑
二环己基磷
‑2’
,4’,6
’‑
三异丙基联苯(4mmol，1.91g)，醋酸钾(420mmol，41.22g)和1,4
‑
二氧六环(560ml)，升温至回流，回流搅拌反应16h，反应结束后，冷却至室温。向反应液中加入500ml水，充分搅拌30min，减压抽滤，滤饼用去水洗至中性，再用无水乙醇淋洗，得粗品；粗品用正庚烷打浆一次，再用200ml甲苯溶清后过硅胶柱，除去催化剂，得白色固体中间体c
‑
1(49.14g，收率75％)。
[0129]
参照中间体c
‑
1的合成方法，合成下表2所示的中间体，其中中间体b
‑
x(x为2
‑
7)代替中间体b
‑
1，合成如下表3所示的中间体c
‑
x(x为2
‑
7)。
[0130]
表3
[0131][0132]
(4)中间体d
‑
1的合成
[0133][0134]
向装有机械搅拌、温度计、球形冷凝管的三口瓶中通入氮气(0.100l/min)置换15min，加入1
‑
氯
‑2‑
碘
‑3‑
甲氧基苯(100mmol，26.85g)(反应物e
‑
1)、2
‑
溴苯硼酸(90mmol，18.07g)(反应物f
‑
1)、无水碳酸钠(180mmol，19.08g)、四(三苯基膦)钯(0.9mmol，1.04g)、四丁基溴化铵(9mmol，2.90g)，并加入甲苯(240ml)、乙醇(40ml)和水(60ml)的混合溶剂。开启搅拌，回流反应16h，反应结束后，冷却至室温。用二氯甲烷萃取分离有机相，水洗至中性，使用无水硫酸镁干燥有机相，过滤后将滤液减压蒸馏除去溶剂，得粗品；使用正庚烷/二氯甲烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体产物中间体d
‑
1(18.74g，收率
70％)。
[0135]
参照中间体d
‑
1的合成方法，合成下表4所示的中间体，其中反应物e
‑
x(x为1
‑
4)代替反应物e
‑
1，反应物f
‑
x(x为2
‑
5)代替反应物f
‑
1，合成如下表4所示的中间体d
‑
x(x为2
‑
7)。
[0136]
表4
[0137][0138]
(5)中间体e
‑
1的合成
[0139][0140]
向装有机械搅拌、温度计、恒压滴加漏斗的三口瓶中通氮气(0.100l/min)置换15min，加入中间体d
‑
1(63mmol,18.74g)和干燥的二氯甲烷(190ml)，用液氮/乙醇浴将体系温度降至0℃，将三溴化硼的二氯甲烷溶液(95ml，1m)滴加入瓶中，控制体系温度0℃，滴毕后保温2h，将体系降温至
‑
78℃，缓慢滴加100ml甲醇淬灭；待体系升温至室温后，反应液加入二氯甲烷(450ml)进行萃取，合并有机相，使用无水硫酸镁干燥有机相，过滤后将滤液减
压蒸馏除去溶剂；使用正庚烷/二氯甲烷体系对粗品进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体产物中间体e
‑
1(15.18g，收率85％)。
[0141]
参照中间体e
‑
1的合成方法，合成下表5所示的中间体，其中中间体d
‑
x(x为2
‑
7)代替中间体d
‑
1，合成如下表5所示的中间体e
‑
x(x为2
‑
7)。
[0142]
表5
[0143][0144]
(6)中间体f
‑
1的合成
[0145][0146]
向装有机械搅拌、温度计、球形冷凝管的三口瓶中通入氮气(0.100l/min)置换15min，加入中间体e
‑
1(53.5mmol，15.18g)、3
‑
硝基吡啶(107mmol，13.28g)、醋酸钯
(5.4mmol，1.21g)、过氧化苯甲酰叔丁酯(5.4mmol，1.05g)和六氟苯(c6f6)/1,3
‑
二甲基
‑2‑
咪唑啉酮(dmi)的混合溶剂体系(c6f6:dmi＝3:2,150ml)，开启搅拌，待体系升温至90℃，反应4h，反应结束后，冷却至室温。用二氯甲烷萃取分离有机相，使用无水硫酸镁干燥有机相，过滤后，将滤液减压蒸馏除去溶剂；使用二氯甲烷/正庚烷体系对粗品进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体产物中间体f
‑
1(6.77g，收率45％)。
[0147]
参照中间体f
‑
1的合成方法，合成下表6所示的中间体，其中中间体e
‑
x(x为2
‑
7)代替中间体e
‑
1，合成如下表6所示的中间体f
‑
x(x为2
‑
7)。
[0148]
表6
[0149][0150]
(7)中间体g
‑
1的合成
[0151]
[0152]
向装有机械搅拌、温度计、球形冷凝管的三口瓶中通入氮气(0.100l/min)置换15min，加入中间体c
‑
1(50mmol，16.38g)、中间体f
‑
1(55mmol，15.48g)、无水碳酸钠(180mmol，19.08g)、四(三苯基膦)钯(0.5mmol，0.58g)、四丁基溴化铵(5mmol，1.61g)，并加入甲苯(160ml)和水(40ml)的混合溶剂。开启搅拌，回流反应16h，反应结束后，冷却至室温。用二氯甲烷萃取分离有机相，水洗至中性，使用无水硫酸镁干燥有机相，过滤后将滤液减压蒸馏除去溶剂，得粗品；使用正庚烷/二氯甲烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体产物中间体g
‑
1(14.0g，收率69％)。
[0153]
参照中间体g
‑
1的合成方法，合成下表7所示的中间体，其中中间体c
‑
x(x为2
‑
7)或反应物c
‑
8代替中间体c
‑
1，中间体f
‑
x(x为1
‑
7)代替中间体f
‑
1，合成如下表7所示的中间体g
‑
x(x为2
‑
13)。
[0154]
表7
[0155]
[0156][0157]
(8)中间体h
‑
1的合成
[0158][0159]
向装有机械搅拌、温度计、球形冷凝管的三口瓶中通入氮气(0.100l/min)置换15min，加入中间体g
‑
1(50mmol，20.11g)、三(二亚苄基丙酮)二钯(1mmol，0.916g)、2
‑
二环
己基磷
‑2’
,4’,6
’‑
三异丙基联苯(2mmol，0.95g)，叔丁醇钠(100mmol，9.61g)和二甲苯(250ml)，升温至回流，回流搅拌反应16h，反应结束后，冷却至室温。向反应液中加入500ml水，充分搅拌30min，减压抽滤，滤饼用去水洗至中性，再用无水乙醇淋洗，滤饼用甲苯重结晶后，得白色固体中间体h
‑
1(9.51g，收率52％)。
[0160]
参照中间体h
‑
1的合成方法，合成下表8所示的中间体，其中中间体g
‑
x(x为2
‑
13)代替中间体g
‑
1，合成如下表8所示的中间体h
‑
x(x为2
‑
13)。
[0161]
表8
[0162]
[0163][0164]
(9)中间体i
‑
1的合成
[0165][0166]
向装有机械搅拌、温度计、球形冷凝管的三口瓶中通入氮气(0.100l/min)置换15min，加入中间体h
‑
1(50mmol，18.29g)、联硼酸频那醇酯(55mmol，13.96g)、醋酸钾(110mmol，10.80g)和1,4
‑
二氧六环(180ml)，开启搅拌和加热，升温至40℃，加入三(二亚苄基丙酮)二钯(0.5mmol，0.46g)和2
‑
二环己基磷
‑2’
,4’,6
’‑
三异丙基联苯(1mmol，0.48g)，升温至回流，回流搅拌反应16h，反应结束后，冷却至室温。向反应液中加入250ml水，充分搅拌30min，减压抽滤，滤饼用去水洗至中性，再用无水乙醇淋洗，得粗品；粗品用正庚烷打浆一次，再用200ml甲苯溶清后过硅胶柱，除去催化剂，得白色固体中间体i
‑
1(17.15g，收率75％)。
[0167]
参照中间体i
‑
1的合成方法，合成下表9所示的中间体，其中中间体h
‑
x(x为2
‑
13)代替中间体h
‑
1，合成如下表9所示的中间体i
‑
x(x为2
‑
13)。
[0168]
表9
[0169]
[0170]
[0171][0172]
(10)中间体j
‑
1的合成
[0173][0174]
向装有机械搅拌、温度计、球形冷凝管的三口瓶中通入氮气(0.100l/min)置换15min，加入二苯并呋喃
‑1‑
硼酸(100mmol，21.20g)(反应物m
‑
1)、1
‑
溴
‑3‑
碘苯(95mmol，26.87g)(反应物n
‑
1)、无水碳酸钠(190mmol，20.14g)、四(三苯基膦)钯(0.95mmol，1.09g)、四丁基溴化铵(9.5mmol，3.06g)，并加入甲苯(220ml)、乙醇(55ml)和水(55ml)的混合溶剂。开启搅拌，回流反应16h，反应结束后，冷却至室温。用二氯甲烷萃取分离有机相，水洗至中性，使用无水硫酸镁干燥有机相，过滤后将滤液减压蒸馏除去溶剂，得粗品；使用正庚烷/二氯甲烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体产物中间体j
‑
1(26.10g，收率85％)。
[0175]
参照中间体j
‑
1的合成方法，合成下表10所示的中间体，其中反应物m
‑
x(x为1
‑
9)代替反应物m
‑
1，反应物n
‑
x(x为1
‑
6)代替反应物n
‑
1，合成如下表10所示的中间体j
‑
x(x为2
‑
14)。
[0176]
表10
[0177]
[0178]
[0179][0180]
(11)中间体k
‑
1的合成
[0181][0182]
向装有机械搅拌、温度计、球形冷凝管的三口瓶中通入氮气(0.100l/min)置换15min，加入中间体j
‑
1(50mmol，16.16g)、联硼酸频那醇酯(55mmol，13.96g)、醋酸钾(110mmol，10.80g)和1,4
‑
二氧六环(180ml)，开启搅拌和加热，升温至40℃，加入三(二亚苄基丙酮)二钯(0.5mmol，0.46g)和2
‑
二环己基磷
‑2’
,4’,6
’‑
三异丙基联苯(1mmol，0.48g)，升温至回流，回流搅拌反应16h，反应结束后，冷却至室温。向反应液中加入250ml水，充分搅拌30min，减压抽滤，滤饼用去水洗至中性，再用无水乙醇淋洗，得粗品；粗品用正庚烷打浆一次，再用200ml甲苯溶清后过硅胶柱，除去催化剂，得白色固体中间体k
‑
1(16.66g，收率90％)。
[0183]
参照中间体k
‑
1的合成方法，合成下表11所示的中间体，其中中间体j
‑
x(x为2
‑
13)代替中间体j
‑
1，合成如下表11所示的中间体k
‑
x(x为2
‑
13)。
[0184]
表11
[0185]
[0186]
[0187][0188]
(12)中间体m
‑
1的合成
[0189][0190]
向装有机械搅拌、温度计、球形冷凝管的三口瓶中通入氮气(0.100l/min)置换15min，加入中间体k
‑
1(50mmol，18.51g)、2.4
‑
二氯
‑6‑
苯基
‑
1,3,5
‑
三嗪(75mmol，16.95g)(反应物p
‑
1)、无水碳酸钠(75mmol，7.95g)、四(三苯基膦)钯(0.5mmol，0.58g)、四丁基溴化铵(5mmol，1.61g)、氟化钾(25mmol，1.45g)、四氢呋喃(180ml)和水(45ml)的混合溶剂。开启搅拌，回流反应16h，反应结束后，冷却至室温。用二氯甲烷萃取分离有机相，水洗至中性，使用无水硫酸镁干燥有机相，过滤后将滤液减压蒸馏除去溶剂，得粗品；使用正庚烷/二氯甲烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体产物中间体m
‑
1(14.10g，收率65％)。
[0191]
参照中间体m
‑
1的合成方法，合成下表12所示的中间体，其中中间体k
‑
x(x为2
‑
18)代替中间体k
‑
1，反应物p
‑
x(x为1
‑
7)代替中间体p
‑
1，合成如下表12所示的中间体m
‑
x(x为2
‑
23)。
[0192]
表12
[0193]
[0194]
[0195]
[0196][0197]
(13)中间体n
‑
1的合成
[0198][0199]
向装有机械搅拌、温度计、球形冷凝管的三口瓶中通入氮气(0.100l/min)置换15min，加入4
‑
(萘
‑2‑
)苯硼酸(50mmol，12.40g)(反应物q
‑
1)、2.4
‑
二氯
‑6‑
苯基
‑
1,3,5
‑
三嗪(75mmol，16.95g)(反应物p
‑
1)、无水碳酸钾(100mmol，13.82g)、四(三苯基膦)钯(0.5mmol，0.58g)、四丁基溴化铵(5mmol，1.61g)，并加入甲苯(120ml)和水(30ml)的混合溶剂。开启搅拌，升温至65
‑
70℃反应16h，反应结束后，冷却至室温。用二氯甲烷萃取分离有机相，水洗至中性，使用无水硫酸镁干燥有机相，过滤后将滤液减压蒸馏除去溶剂，得粗品；使用正庚烷/二氯甲烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体产物中间体n
‑
1(12.80g，收率65％)。
[0200]
参照中间体n
‑
1的合成方法，合成下表13所示的中间体，其中反应物q
‑
x(x为1
‑
15)或反应物m
‑
x(x为1、3
‑
6或8
‑
9)代替反应物q
‑
1，反应物p
‑
x(x为1
‑
10)代替反应物p
‑
1，合成如下表13所示的中间体n
‑
x(x为2
‑
39)。
[0201]
表13
[0202]
[0203]
[0204]
[0205]
[0206]
[0207][0208]
(14)化合物1的合成
[0209][0210]
向装有机械搅拌、温度计、球形冷凝管的三口瓶中通入氮气(0.100l/min)置换15min，加入2
‑
氯
‑
4,6
‑
二苯基
‑
1,3,5
‑
三嗪(50mmol，13.38g)(反应物t
‑
1)、中间体i
‑
1(60mmol，27.44g)、无水碳酸钾(100mmol，13.82g)、四(三苯基膦)钯(0.5mmol，0.58g)、四丁基溴化铵(5mmol，1.61g)，并加入甲苯(140ml)、四氢呋喃(35ml)和水(35ml)的混合溶剂。开启搅拌，升温至65
‑
70℃反应16h，反应结束后，冷却至室温。用二氯甲烷萃取分离有机相，水洗至中性，使用无水硫酸镁干燥有机相，过滤后将滤液减压蒸馏除去溶剂，得粗品；使用甲苯进行重结晶，得到化合物1(19.70g，收率70％)，质谱：m/z＝563.2[m h]

。
[0211]
参照化合物1的合成方法，合成下表14所示的化合物，其中反应物t
‑
x(x为2
‑
6)、中间体m
‑
x(x为1
‑
2、4
‑
16或18
‑
23)或中间体n
‑
x(x为1
‑
3或5
‑
39)代替反应物t
‑
1，中间体i
‑
x(x为1、2、6、8、9、11或12)代替中间体i
‑
1，合成如下表14所示的化合物。
[0212]
表14
[0213]
[0214]
[0215]
[0216]
[0217]
[0218]
[0219]
[0220]
[0221]
[0222]
[0223][0224]
部分化合物核磁数据如下表15所示
[0225]
表15
[0226][0227]
有机电致发光器件的制备和性能评估
[0228]
实施例1
[0229]
红色有机电致发光器件
‑
双主体体系
[0230]
将厚度为的阳极100ito基板切割成40mm(长)
×
40mm(宽)
×
0.7mm(厚)的尺寸，采用光刻工序，将其制备成具有阴极200、阳极100以及绝缘层图案的实验基板，利用紫外臭氧以及o2:n2等离子进行表面处理，以增加阳极100(实验基板)的功函数，并采用有机溶
剂清洗ito基板表面，以清除ito基板表面的浮渣及油污。
[0231]
在实验基板上真空蒸镀化合物f4
‑
tcnq(结构式见下文)以形成厚度为的空穴注入层310(hil)；并在空穴注入层310上方真空蒸镀化合物tcta(结构式见下文)，以形成厚度为的第一空穴传输层321(htl1)。
[0232]
在第一空穴传输层321上真空蒸镀化合物papb(结构式见下文)，形成厚度为的第二空穴传输层322(htl2)。
[0233]
在第二空穴传输层322(htl2)上，将rh
‑
p(结构式见下文)：化合物1：ir(m
‑
piq)2(acac)(结构式见下文)以50％：50％：1.5％(蒸镀速率)的比例进行共同蒸镀，形成厚度为的红色有机电致发光层330(eml)。
[0234]
将et
‑
06(结构式见下文)和liq(结构式见下文)以1:1的重量比进行混合并蒸镀形成厚的电子传输层350(etl)，接着将liq蒸镀在电子传输层上，形成厚度为的电子注入层360(eil)。
[0235]
将镁(mg)和银(ag)以1:10的蒸镀速率真空蒸镀在电子注入层上，形成厚度为的阴极200。
[0236]
此外，在上述阴极200上作为保护层蒸镀一层厚度为的cp
‑
05(结构式见下文)，形成覆盖层(cpl)，从而完成有机发光器件的制造。
[0237]
其中，f4
‑
tcnq、tcta、papb、rh
‑
p、ir(m
‑
piq)2(acac)、et
‑
06、liq、cp
‑
05、化合物a、化合物b、化合物c的结构式如下表16所示：
[0238]
表16
[0239][0240]
实施例2
‑
37
[0241]
除了在形成有机电致发光层时，采用表17中所示的化合物替代化合物1以外，采用与实施例1相同的方法制作红色有机电致发光器件。
[0242]
比较例1
[0243]
利用化合物a替代化合物1，采用与实施例1相同的方法制作红色有机电致发光器件。
[0244]
比较例2
[0245]
利用化合物b替代化合物1，采用与实施例1相同的方法制作红色有机电致发光器件。
[0246]
比较例3
[0247]
利用化合物c替代化合物1，采用与实施例1相同的方法制作红色有机电致发光器件。
[0248]
对如上制得的有机电致发光器材，在20ma/cm2的条件下分析了器件的性能，其结果示于表17。
[0249]
表17红色有机电致发光器件的性能测试结果
[0250]
[0251][0252]
根据表17的结果可知，在化合物作为有机电致发光层的oled器件中，与比较例相比，实施例1
‑
37制备的有机电致发光器件的各项性能均有所提高。其中，作为发光层的化合物的实施例1
‑
37与已现有技术中的化合物所对应的器件比较例1
‑
3相比有机电致发光器件的电流效率(cd/a)至少提高了14.42％，外量子效率至少提高了14.41％，寿命至少提高了15.38％，最高的寿命可提高81h。由上述数据可知，采用本技术的有机化合物作为电子元件的有机电致发光层，该电子元件的发光效率(cd/a)、外量子效率(eqe)以及寿命(t95)都有显著的提高。
[0253]
实施例38
[0254]
红色有机电致发光器件
‑
单主体体系
[0255]
将厚度为的阳极100ito基板切割成40mm(长)
×
40mm(宽)
×
0.7mm(厚)的尺寸，采用光刻工序，将其制备成具有阴极200、阳极100以及绝缘层图案的实验基板，利用紫外臭氧以及o2:n2等离子进行表面处理，以增加阳极100(实验基板)的功函数，并采用有机溶剂清洗ito基板表面，以清除ito基板表面的浮渣及油污。
[0256]
在实验基板上真空蒸镀化合物f4
‑
tcnq(结构式见下文)以形成厚度为的空穴
注入层310(hil)；并在空穴注入层310上方真空蒸镀化合物tcta(结构式见下文)，以形成厚度为的第一空穴传输层321(htl1)。
[0257]
在第一空穴传输层321上真空蒸镀化合物papb(结构式见下文)，形成厚度为的第二空穴传输层322(htl2)。
[0258]
在第二空穴传输层322(htl2)上，将化合物57和ir(m
‑
piq)2(acac)(结构式见下文)以1：1.5％(蒸镀速率)的比例进行共同蒸镀，形成厚度为的红色有机电致发光层330(eml)。
[0259]
将et
‑
06(结构式见下文)和liq(结构式见下文)以1:1的重量比进行混合并蒸镀形成厚的电子传输层350(etl)，接着将liq蒸镀在电子传输层上，形成厚度为的电子注入层360(eil)。
[0260]
将镁(mg)和银(ag)以1:10的蒸镀速率真空蒸镀在电子注入层上，形成厚度为的阴极200。
[0261]
此外，在上述阴极200上作为保护层蒸镀一层厚度为的cp
‑
05(结构式见下文)，形成覆盖层(cpl)，从而完成有机发光器件的制造。
[0262]
其中，f4
‑
tcnq、tcta、papb、rh
‑
p、ir(m
‑
piq)2(acac)、et
‑
06、liq、cp
‑
05、化合物d、化合物e、化合物f的结构式如下表18所示：
[0263]
表18
[0264][0265]
实施例39
‑
72
[0266]
除了在形成有机电致发光层时，采用表19中所示的化合物替代化合物57以外，采用与实施例38相同的方法制作红色有机电致发光器件。
[0267]
比较例4
[0268]
利用化合物d替代化合物57，采用与实施例38相同的方法制作红色有机电致发光
器件。
[0269]
比较例5
[0270]
利用化合物e替代化合物57，采用与实施例38相同的方法制作红色有机电致发光器件。
[0271]
比较例6
[0272]
利用化合物f替代化合物57，采用与实施例38相同的方法制作红色有机电致发光器件。
[0273]
对如上制得的有机电致发光器材，在20ma/cm2的条件下分析了器件的性能，其结果示于表19。
[0274]
表19
[0275]
[0276][0277]
根据表19的结果可知，在化合物作为有机电致发光层的oled器件中，与比较例相比，实施例38
‑
72制备的有机电致发光器件的各项性能均有所提高。其中，作为发光层的化合物的实施例38
‑
72与已现有技术中的化合物所对应的器件比较例4
‑
6相比有机电致发光器件的电流效率(cd/a)至少提高了16.45％，外量子效率至少提高了16.44％，寿命最少的提高了17.86％，最高的寿命可提高95h。由上述数据可知，采用本技术的有机化合物作为电子元件的有机电致发光层，该电子元件的发光效率(cd/a)、外量子效率(eqe)以及寿命(t95)都有显著的提高。
[0278]
应可理解的是，本技术不将其应用限制到本说明书提出的部件的详细结构和布置方式。本技术能够具有其他实施方式，并且能够以多种方式实现并且执行。前述变形形式和修改形式落在本技术的范围内。应可理解的是，本说明书公开和限定的本技术延伸到文中和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的组合构成本技术的多个可替代方面。本说明书所述的实施方式说明了己知用于实现本技术的最佳方式，并且将使本领域技术人员能够利用本技术。