光刻胶去除设备及光刻胶去除方法与流程

1.本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种光刻胶去除设备及光刻胶去除方法。


背景技术：

2.在光刻胶旋涂的过程中，多余的光刻胶会被离心力推到晶圆的边缘，其中大部分被甩离晶圆，但仍有一部分多余的光刻胶残留在晶圆边缘。由于晶圆边缘气流相对速度很大，导致残留的胶很快固化，形成隆起的边缘。在表面张力的作用下，少量的胶甚至沿着边缘流到晶圆背面，对晶圆背面造成污染，如附图1所示，在晶圆衬底10表面旋涂光刻胶，所述晶圆衬底10表面的中部为均匀的光刻胶层11，所述均匀的光刻胶层11的周围存在边缘处光刻胶堆积12，部分光刻胶沿着边缘流到晶圆背面。且边缘处光刻胶堆积12容易发生剥离而影响其他部分的图形，或者造成污染，需要在旋涂结束后立即去除。
3.在现有技术中，现有的光刻胶去除设备清洗溶液的喷射角度都是从晶圆的圆心往边缘移动，由于在清洗溶液和光刻胶、或者清洗溶液和光刻胶底部填充层的接触面有个作用力，导致有一部分光刻胶或光刻胶底部填充层堆积并且无法被清洗溶液去除。影响后续工艺进程。


技术实现要素：

4.本发明所要解决的技术问题是去除晶圆边缘处的光刻胶堆积，提供一种光刻胶去除设备及光刻胶去除方法。
5.为了解决上述问题，本发明提供了一种光刻胶去除设备，用于去除晶圆边缘处光刻胶，其特征在于，包括用于喷射清洗溶液的喷嘴：所述喷嘴的角度能够调整，使清洗溶液的喷射方向从晶圆的边缘向中心移动；所述喷嘴的喷射速度能够调整；所述喷嘴的喷射范围能够调整。
6.为了解决上述问题，本发明提供了一种光刻胶去除方法，采用光刻胶去除设备去除晶圆边缘处的光刻胶，所述光刻胶去除设备包括用于喷射清洗溶液的喷嘴：所述喷嘴的角度能够调整，使清洗溶液的喷射方向从晶圆的边缘向中心移动；所述喷嘴的喷射速度能够调整；所述喷嘴的喷射范围能够调整。
7.本发明通过设置可调节喷嘴，改变清洗溶液的喷射角度、喷射方向、喷射速度和喷射范围，解决了晶圆边缘处的光刻胶及光刻胶底部填充层堆积的问题，解决了晶圆减薄后低凹处残留的光刻胶及光刻胶底部填充层难以去除的问题。
附图说明
8.附图1所示为背景技术中所述光刻胶堆积示意图。
9.附图2所示为本发明一具体实施方式所述光刻胶去除设备示意图。
10.附图3所示为本发明一具体实施方式所述光刻胶去除设备去除晶圆边缘光刻胶堆积示意图。
11.附图4所示为本发明一具体实施方式所述光刻胶去除设备去除晶圆边缘光刻胶堆积及晶圆减薄后低凹处残留的光刻胶示意图。
12.附图5所示为本发明一具体实施方式所述光刻胶去除设备去除晶圆边缘光刻胶及光刻胶底部填充层示意图。
具体实施方式
13.下面结合附图对本发明提供的光刻胶去除设备及光刻胶去除方法的具体实施方式做详细说明。
14.附图2所示为本发明一具体实施方式所述光刻胶去除设备示意图，所述光刻胶去除设备，用于去除晶圆20边缘处光刻胶，包括用于喷射清洗溶液的喷嘴22：所述喷嘴22的角度23能够调整，使清洗溶液的喷射方向从晶圆20的边缘向中心移动，以改变清洗溶液的喷射角度和喷射方向；所述喷嘴22的喷射速度能够调整，改变清洗溶液的喷射速度，更好的去除不同附着强度的光刻胶21边缘；所述喷嘴22的喷射范围能够调整，能够精确的控制晶圆边20缘光刻胶21的去除范围。所述清洗溶液用于清除晶圆20边缘处残留的光刻胶21和/或光刻胶底部填充层。所述喷嘴22可以配合晶圆20的旋转，达到控制清洗边界的效果，随着晶圆20旋转一周，即可完成晶圆20边缘一周的光刻胶去除。
15.附图3所示为本发明一具体实施方式所述光刻胶去除设备去除晶圆边缘光刻胶堆积示意图，所述光刻胶去除设备，用于去除晶圆20边缘处光刻胶，包括用于喷射清洗溶液的喷嘴22：所述喷嘴22的角度23能够调整，使清洗溶液的喷射方向从晶圆20的边缘向中心移动，以改变清洗溶液的喷射角度和喷射方向。在本具体实施方式中，光刻胶31在所述晶圆20的边缘存在光刻胶堆积32，从边缘向中心移动的喷射方式，使所述光刻胶堆积32能够更多地被清洗溶液冲刷，达到去除边晶圆20缘光刻胶堆积32的目的。所述喷嘴22的喷射速度能够调整，改变清洗溶液的喷射速度，更好的去除不同附着强度的光刻胶31边缘。所述喷嘴22的喷射范围能够调整，能够精确的控制晶圆边20缘光刻胶21的去除范围。所述清洗溶液用于清除晶圆20边缘处残留的光刻胶21和/或光刻胶底部填充层。所述喷嘴22可以配合晶圆20的旋转，达到控制清洗边界的效果，随着晶圆20旋转一周，即可完成晶圆20边缘一周的光刻胶去除。
16.附图4所示为本发明一具体实施方式所述光刻胶去除设备去除晶圆边缘光刻胶堆积及晶圆减薄后低凹处残留的光刻胶示意图，所述光刻胶去除设备，用于去除晶圆20边缘处光刻胶，包括用于喷射清洗溶液的喷嘴22：所述喷嘴22的角度23能够调整，使清洗溶液的喷射方向从晶圆20的边缘向中心移动，以改变清洗溶液的喷射角度和喷射方向。在本具体实施方式中，光刻胶31在所述晶圆20的边缘存在光刻胶堆积32，从边缘向中心移动的喷射方式，使所述光刻胶堆积32能够更多地被清洗溶液冲刷，达到去除边晶圆20缘光刻胶堆积32的目的；所述晶圆20在晶圆减薄后低凹处极易残留光刻胶41和/或光刻胶底部填充层，从边缘向中心移动的喷射方式，也能够解决从晶圆20中心喷射清理溶液的盲区，使残留光刻胶41和/或光刻胶底部填充层得到去除。所述喷嘴22的喷射速度能够调整，改变清洗溶液的喷射速度，更好的去除不同附着强度的光刻胶31边缘。所述喷嘴22的喷射范围能够调整，能够精确的控制晶圆边20缘光刻胶21的去除范围。所述清洗溶液用于清除晶圆20边缘处残留的光刻胶21和/或光刻胶底部填充层。所述喷嘴22可以配合晶圆20的旋转，达到控制清洗边
界的效果，随着晶圆20旋转一周，即可完成晶圆20边缘一周的光刻胶去除。
17.附图5所示为本发明一具体实施方式所述光刻胶去除设备去除晶圆边缘光刻胶及光刻胶底部填充层示意图，所述光刻胶去除设备，用于去除晶圆20边缘处光刻胶，包括用于喷射清洗溶液的喷嘴22：所述喷嘴22的角度23能够调整，使清洗溶液的喷射方向从晶圆20的边缘向中心移动，以改变清洗溶液的喷射角度和喷射方向；所述喷嘴22的喷射速度能够调整，改变清洗溶液的喷射速度，更好的去除不同附着强度的光刻胶21边缘；所述喷嘴22的喷射范围能够调整，能够精确的控制晶圆边20缘光刻胶21的去除范围。所述清洗溶液用于清除晶圆20边缘处残留的光刻胶21和/或光刻胶底部填充层51，所述光刻胶底部填充层51采用有机材料，用于在光刻胶沉积之前填充晶圆20表面，使晶圆20表面尽可能平坦。所述喷嘴22可以配合晶圆20的旋转，达到控制清洗边界的效果，随着晶圆20旋转一周，即可完成晶圆20边缘一周的光刻胶去除。
18.上述技术方案涉及的光刻胶去除方法，参考附图5所示，采用上述光刻胶去除设备去除晶圆边20缘处的光刻胶21，所述光刻胶去除设备包括用于喷射清洗溶液的喷嘴22：所述喷嘴22的角度23能够调整，使清洗溶液的喷射方向从晶圆20的边缘向中心移动，以改变清洗溶液的喷射角度和喷射方向；所述喷嘴22的喷射速度能够调整，改变清洗溶液的喷射速度，更好的去除不同附着强度的光刻胶21边缘；所述喷嘴22的喷射范围能够调整，能够精确的控制晶圆边20缘光刻胶21的去除范围。所述清洗溶液用于清除晶圆20边缘处残留的光刻胶21和/或光刻胶底部填充层51。所述喷嘴22可以配合晶圆20的旋转，达到控制清洗边界的效果，随着晶圆20旋转一周，即可完成晶圆20边缘一周的光刻胶去除。
19.上述技术方案通过设置可调节喷嘴，改变清洗溶液的喷射角度、喷射方向、喷射速度和喷射范围，解决了晶圆边缘处的光刻胶及光刻胶底部填充层堆积的问题，解决了晶圆减薄后低凹处残留的光刻胶及光刻胶底部填充层难以去除的问题。
20.以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。