一种机台、成膜控制方法、控制器及系统与流程

技术特征：
1.一种机台，其特征在于，包括：喷淋头，用于向反应腔室中通入反应气体，以在待处理晶圆上形成膜层；多孔部件，位于所述反应气体的通路中，且具有多个通孔，所述多个通孔分别对应所述待处理晶圆表面的不同位置，所述反应气体经过所述多个通孔到达所述待处理晶圆表面上与所述多个通孔对应的位置；所述多个通孔的开度可调。2.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，所述多个通孔具有多个控制阀，每个控制阀用于调整至少一个所述通孔的开度。3.根据权利要求1或2所述的机台，其特征在于，还包括：晶圆固定装置，用于固定所述待处理晶圆，以使所述待处理晶圆位于所述多孔部件上方，则所述多孔部件位于所述喷淋头的上方，所述多个通孔纵向贯穿所述多孔部件，所述膜层形成于所述待处理晶圆的背面。4.根据权利要求1或2所述的机台，其特征在于，所述多个通孔为圆孔或多边形孔。5.一种膜层控制方法，其特征在于，应用于如权利要求1
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4任意一项所述的机台，包括：根据所述待处理晶圆的膜层在目标位置的目标厚度，确定所述目标位置对应的至少一个通孔的开度；根据所述至少一个通孔的开度，控制所述至少一个通孔的开度。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述多个通孔具有多个控制阀，每个控制阀用于调整至少一个所述通孔的开度，则所述根据所述至少一个通孔的开度，控制所述至少一个通孔的开度，包括：根据所述至少一个通孔的开度，控制所述至少一个通孔对应的控制阀，以控制所述至少一个通孔的开度。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述待处理晶圆的膜层在目标位置的目标厚度，根据所述待处理晶圆的初始弯曲信息、目标弯曲信息和所述膜层的应力特征计算得到。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述膜层的材料为氧化硅或氮化硅。9.根据权利要求5
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8任意一项所述的方法，其特征在于，所述至少一个通孔的出气口位于所述多孔部件的条状区域中，所述条状区域在所述多孔部件朝向所述待处理晶圆的表面内沿横向或纵向延伸。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述条状区域为互相平行的多个区域。11.一种控制器，其特征在于，用于实现如权利要求5
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10任意一项所述的成膜控制方法。12.一种系统，其特征在于，包括如权利要求1
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4任意一项所述的机台和所述权利要求11所述的控制器。

技术总结
本申请提供了一种机台、成膜控制方法、控制器及系统，机台可以包括喷淋头和多孔部件，其中喷淋头可以向反应腔室中通入反应气体，以在待处理晶圆上形成膜层，多孔部件位于反应气体的通路中，且具有多个通孔，多个通孔分别对应待处理晶圆表面的不同位置，反应气体经过多个通孔达到待处理晶圆表面上与多个通孔对应的位置，多个通孔的开度可调，这样通过调节通孔的开度，从而调节通孔中的反应气体的流量，进而可以控制到达待处理晶圆表面该通孔对应的位置的反应气体的量，控制该位置的膜层的生长速度，从而控制该位置膜层的厚度，因此通过控制多个通孔的开度可以控制待处理晶圆上的不同位置的膜层厚度，以满足不同的需求。以满足不同的需求。以满足不同的需求。


技术研发人员：涂文骏 方迪 张高升 罗兴安 周毅
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2021.08.26
技术公布日：2021/11/21