用于转移微小结构体的基板及其制造方法与流程

用于转移微小结构体的基板及其制造方法
1.交叉引用相关申请
2.依据35 u.s.c.
§
119(a)，该非临时申请要求于2020年5月14日在日本提交的专利申请no.2020
‑
085108的优先权，其全部内容作为参考结合入本文中。
技术领域
3.本发明涉及一种用于转移微小结构体的基板及其制造方法，更详细地，涉及用于转移微小结构体(例如微型发光二极管(以下，也称为“微型led”))的基板中的具有识别激光刻印的基板，以及其制造方法。


背景技术：

4.近年来，电子设备(例如，智能手机、液晶显示器和车载零件)不仅要求高性能化，还要求节省空间以及节能。同时，所搭载的电气或电子零件也越来越小型化和微细化。这些零件的组装工序也逐年复杂化。
5.专利文献1中提出了一种微小结构体和微细元件(例如，微型led等微小结构体)的转移中的用于转移微小结构体的方法。该方法中，在微小结构体临时固定于一张施主基板的状态下，能够以高精度、有效地进行微小结构体的转移，而不增加工序数。
6.为了管理流经生产线的基板，通常使用激光对基板直接刻印文字和数字。例如，非专利文献1中定义了基板上的激光刻印标记的标准。该刻印标记对于读取其信息以进行质量管理，和出库后的产品使用频率以及消耗程度的管理也是有用的，被广泛采用。
7.现有技术文献
8.专利文献
9.专利文献1：jp
‑
a 2002
‑
118124
10.非专利文献
11.非专利文献1：semi t7 0303specifications for double
‑
sided polishing wafer back surface marking of two
‑
dimensional matrix code symbol(semi t7 0303二维矩阵码符号的双面抛光晶圆背面标记规格)，north american traceability committee，2003年3月发行


技术实现要素：

12.但是，在专利文献1中记载的具有压敏粘合剂层的用于转移微小结构体的基板中，在刻印后贴合或涂布树脂。因此，对基板进行刻印时，通常刻印基板的背面。但基板的背面容易变脏或由于与刻印标记周围的突起部分接触而划伤，导致可能无法连续地、稳定地读取刻印标记(engraved mark)。
13.本发明鉴于上述情况而完成，本发明的目的在于提供一种具有刻印标记的、用于转移微小结构体(例如，微型led)的基板。该用于转移微小结构体的基板不易产生读取装置中的刻印标记的识别错误，并且能够稳定地、连续地读取刻印标记。
14.为了实现上述目的，本发明人进行了深入研究，结果发现，具有设置于基板的正面(前表面)的刻印标记，和设置在其上的有机硅压敏粘合剂层的用于转移微小结构体的合成石英玻璃基板可以解决上述课题，并完成了本发明。
15.即，本发明提供下述1～7：
16.1.一种用于转移微小结构体的基板，包括：合成石英玻璃基板，和设置于上述合成石英玻璃基板的正面的有机硅压敏粘合剂层，其中，上述基板在正面具有刻印标记。
17.2.根据1所述的用于转移微小结构体的基板，其中，上述合成石英玻璃基板在空间频率1mm
‑1以上的功率谱密度为10
12
nm4以下，该功率谱密度通过用白光干涉仪以像素数1240
×
1240对合成石英玻璃基板的正面和背面的6.01mm
×
6.01mm的区域进行测定而得到。
18.3.根据1或2所述的用于转移微小结构体的基板，其中，上述合成石英玻璃基板的背面的表面粗糙度(ra)为0.05μm以下。
19.4.根据1～3中任一项所述的用于转移微小结构体的基板，其中，上述刻印标记为深度3～25μm、点尺寸20～200μm的激光标记。
20.5.一种用于转移微小结构体的基板的制造方法，其制造1～4中任一项所述的用于转移微小结构体的基板，该方法包括下述步骤：
21.在合成石英玻璃基板的正面设置刻印标记以得到具有刻印标记的合成石英玻璃基板的工序，和
22.在上述具有刻印标记的合成石英玻璃基板的正面设置有机硅压敏粘合剂层的工序。
23.6.根据5所述的用于转移微小结构体的基板的制造方法，其中，上述设置有机硅压敏粘合剂层的工序是下述工序：在具有刻印标记的合成石英玻璃基板的正面施加有机硅压敏粘合剂组合物，之后使其固化。
24.7.根据5所述的用于转移微小结构体的基板的制造方法，其中，上述设置有机硅压敏粘合剂层的工序是下述工序：在具有刻印标记的合成石英玻璃基板的正面贴合由有机硅压敏粘合剂组合物形成的固化产物。
25.发明效果
26.本发明的用于转移微小结构体的基板具有设置于基板的正面的刻印标记，从而抑制在刻印标记部分产生的污垢和划痕，因此能够稳定地读取刻印标记。
附图说明
27.图1a和1b是示出本发明的第一实施方式的用于转移微小结构体的基板的图；图1a是侧视图，图1b是俯视图。
28.图2a和2b是示出示本发明的第二实施方式的用于转移微小结构体的基板的图；图2a是侧视图，图2b是俯视图。
具体实施方式
29.以下，对本发明进行更详细地说明。
30.[1]用于转移微小结构体的基板
[0031]
如图1a和1b所示的第一实施方式以及图2a和2b所示的第二实施方式那样，本发明
的用于转移微小结构体的基板包括：合成石英玻璃基板10，和设置于合成石英玻璃基板10的正面11的有机硅压敏粘合剂层20。基板10的正面11上施加有刻印标记12。
[0032]
本发明中，从抑制转移微小结构体时的错位从而提高转移精度的观点来看，需要使用合成石英玻璃基板(热膨胀系数低的材料)作为转移基板的基底材料。
[0033]
对于使用的合成石英玻璃基板的形状没有特别限制，例如根据用途情况，能够采用第一实施方式中使用的圆板(参照图1b)和第二实施方式中使用的方板(参照图2b)等适合的形状。
[0034]
对于合成石英玻璃基板的尺寸也没有特别限制，例如可以采用具有3mm～300mm的直径的圆板形状(例如，图1a和1b)，和对角长度为3mm～300mm的方板形状(例如，图2a和2b)等。
[0035]
另外，对于厚度也没有特别限制，从抑制元件转移时的弯曲的观点来看，优选为0.5mm～5.0mm，更优选为1mm～3mm。
[0036]
本发明中，对于合成石英玻璃基板的正面的平坦度没有特别限制，从提高转移精度的观点来看，优选为sori≤10μm，更优选为sori≤5μm，更进一步优选为sori≤2μm。
[0037]
对于厚度的变化(不均)也没有特别限制，从相同的观点来看，优选为10μm以下，更优选为5μm以下，更进一步优选为1μm以下。
[0038]
平坦度sori是semi中定义的指标。平坦度和厚度的变化能够用光干涉式平坦度测定仪或激光位移计等来测定。
[0039]
从维持微小结构体的转移精度的观点来看，合成石英玻璃基板的正面在空间频率1mm
‑1以上的功率谱密度优选为10
12
nm4以下。该功率谱密度通过用白光干涉仪以像素数1240
×
1240对6.01mm
×
6.01mm的区域进行测定而得到。特别是，例如在微小结构体为微型led时，考虑微小结构体之间的距离，在空间频率10mm
‑1以上且50mm
‑1以下的功率谱密度优选为109nm4以下。该功率谱密度通过用白光干涉仪以像素数1240
×
1240对6.01mm
×
6.01mm的区域进行测定而得到。
[0040]
另外，对合成石英玻璃基板的背面的表面粗糙度(ra)没有特别限制，优选为0.05μm以下，更优选为0.01μm以下。这样的范围易于确保透明性，能够降低产生读取装置导致的读取错误的可能性。
[0041]
在本发明的用于转移微小结构体的基板中，为了以高精度临时固定微小结构体，同时考虑合成石英玻璃基板和设置于其正面的有机硅压敏粘合剂层的层叠体的厚度的变化的精度也是非常重要的。
[0042]
对于该层叠体的厚度的变化没有特别限制，优选为12μm以下，更优选为6μm以下，更进一步优选为2μm以下。
[0043]
本发明的用于转移微小结构体的基板上的有机硅压敏粘合剂层优选由紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物形成，该组合物包含下述组分(a)～(d)，且不含非交联性的有机聚硅氧烷树脂。
[0044]
通过使用这种组合物，可进行瞬间粘合，并且可进行在剥离时不产生所谓的粘合剂残留物的剥离，从而易于以高精度转移微小结构体。
[0045]
(a)100质量份的在一个分子中具有两个由下述通式(1)表示的基团的有机聚硅氧烷：
[0046][0047]
其中，r1相互独立地表示碳原子数1～20的一价烃基，优选为除了脂肪族不饱和基团之外的碳原子数1～10、更优选为1～8的一价烃基；r2表示氧原子或碳原子数1～20、优选为1～10、更优选为1～5的亚烷基；r3相互独立地表示丙烯酰氧基烷基、甲基丙烯酰氧基烷基、丙烯酰氧基烷氧基、或甲基丙烯酰氧基烷氧基；p表示满足0≤p≤10的数，a表示满足1≤a≤3的数，
[0048]
(b)1～200质量份的不含硅氧烷结构的单官能(甲基)丙烯酸酯化合物，
[0049]
(c)1～1000质量份的有机聚硅氧烷树脂，其由下述(a)～(c)组成：
[0050]
(a)具有下述通式(2)的单元：
[0051][0052]
其中，r1、r2、r3、a和p表示与上述相同的含义，
[0053]
(b)r
43
sio
1/2
单元(式中，r4表示碳原子数1～10的一价烃基)，和
[0054]
(c)sio
4/2
单元，
[0055]
且(a)单元和(b)单元的合计与(c)单元的摩尔比在0.4～1.2：1的范围内，和
[0056]
(d)0.01～20质量份的光聚合引发剂。
[0057]
上述碳原子数1～20的一价烃基r1可以为直链、支链或环状。其实例包括：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正己基、环己基、正辛基、2
‑
乙基己基、正癸基等烷基；乙烯基、烯丙基(2
‑
丙烯基)、1
‑
丙烯基、异丙烯基、丁烯基等烯基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；苄基、苯基乙基、苯基丙基等芳烷基。
[0058]
这些一价烃基中，与碳键合的氢原子的一部分或全部可以被其它的取代基取代。其实例包括：氯甲基、溴乙基、三氟丙基等卤素取代的烃基，和氰乙基等氰基取代的烃基。
[0059]
其中，r1优选为碳原子数1～5的烷基和苯基，更优选为甲基、乙基和苯基。
[0060]
碳原子数1～20的亚烷基r2可以为直链、支链或环状。其实例包括：亚甲基、亚乙基、亚丙基、三亚甲基、四亚甲基、异亚丁基、五亚甲基、六亚甲基、亚环己基、七亚甲基、八亚甲基、九亚甲基和亚癸基。
[0061]
其中，r2优选为氧原子、亚甲基、亚乙基和三亚甲基，更优选为氧原子或亚乙基。
[0062]
另外，对于r3的丙烯酰氧基烷基、甲基丙烯酰氧基烷基、丙烯酰氧基烷氧基或甲基丙烯酰氧基烷氧基中的烷基(亚烷基)的碳原子数没有特别限定，优选为1～10，更优选为1～5。烷基的具体例包括上述r1中示例的基团中的碳原子数1～10的烷基。
[0063]
基团r3的具体例包括具有下述式的例子，但不限定于这些。
[0064]
[0065]
其中，b表示满足1≤b≤4的数，r5表示碳原子数1～10的亚烷基。
[0066]
上述p表示满足0≤p≤10的数，优选为0或1。a表示满足1≤a≤3的数，优选为1或2。
[0067]
在组分(a)的有机聚硅氧烷分子中，具有上述通式(1)的基团可以连接在分子链的末端，和/或分子链的非末端(即，位于分子链的中间或分子链的侧链)。从柔软性的方面来看，具有式(1)的基团优选仅存在于分子链的末端。
[0068]
在组分(a)的有机聚硅氧烷分子中，除了具有上述通式(1)的基团以外的与硅键合的有机基团的实例包括与上述r1中例示的基团同样的基团，优选为碳原子数1～12的一价烃基，特别优选为除了脂肪族不饱和基团之外的碳原子数1～10的一价烃基。
[0069]
其具体例包括与上述r1中示例的基团同样的基团，从合成的容易度的观点来看，优选为烷基、芳基和卤代烷基，更优选为甲基、苯基和三氟丙基。
[0070]
组分(a)具有下述分子结构：由重复的二有机硅氧烷单元构成的基本上线性或支链状的骨架(包括部分支链化的线性骨架)。特别是，优选为分子链的两个末端被具有上述通式(1)的基团封端的线性二有机聚硅氧烷。
[0071]
组分(a)可以是具有这种分子结构的均聚物、具有这种分子结构的共聚物、或两种以上聚合物的混合物。
[0072]
组分(b)的不含硅氧烷结构的单官能(甲基)丙烯酸酯化合物(b)的具体例包括：丙烯酸异戊酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸硬脂酯、丙烯酸乙氧基二乙二醇酯、丙烯酸甲氧基三乙二醇酯、丙烯酸2
‑
乙基己基
‑
二甘醇酯、丙烯酸苯氧乙酯、丙烯酸苯氧基二乙二醇酯、丙烯酸四氢糠酯、丙烯酸异冰片酯，这些化合物可以单独使用，也可以混合两种以上使用。
[0073]
其中，优选为丙烯酸异冰片酯。
[0074]
组分(c)中的碳原子数1～10的一价烃基r4的具体例包括上述r1中示例的基团中的、碳原子数1～10的一价烃基。其中，优选为甲基、乙基、正丙基、正丁基等碳原子数1～5的烷基；苯基、甲苯基等碳原子数6～10的芳基，更优选为甲基、乙基和苯基。
[0075]
与r1一样，一价烃基r4上的与碳键合的氢原子的一部分或全部可以被上述的其它取代基取代。
[0076]
组分(d)的光聚合引发剂的具体例包括：2,2
‑
二乙氧基苯乙酮、2,2
‑
二甲氧基
‑
1,2
‑
二苯基乙烷
‑1‑
酮(basf制irgacure 651)、1
‑
羟基
‑
环己基
‑
苯基
‑
酮(basf制irgacure 184)、2
‑
羟基
‑2‑
甲基
‑1‑
苯基
‑
丙烷
‑1‑
酮(basf制irgacure 1173)、2
‑
羟基
‑1‑
{4
‑
[4
‑
(2
‑
羟基
‑2‑
甲基
‑
丙酰基)
‑
苄基]
‑
苯基}
‑2‑
甲基
‑
丙烷
‑1‑
酮(basf制irgacure 127)、苯酰甲酸甲酯(basf制irgacure mbf)、2
‑
甲基
‑1‑
[4
‑
(甲硫基)苯基]
‑2‑
吗啉基丙烷
‑1‑
酮(basf制irgacure 907)、2
‑
苄基
‑2‑
二甲基氨基
‑1‑
(4
‑
吗啉代苯基)
‑1‑
丁酮(basf制irgacure 369)、双(2,4,6
‑
三甲基苯甲酰基)
‑
苯基氧化膦(basf制irgacure 819)、2,4,6
‑
三甲基苯甲酰基
‑
二苯基氧化膦(basf制irgacure tpo)。这些化合物可以单独使用，也可以混合两种以上使用。
[0077]
其中，从与组分(a)的相容性的观点来看，优选为2,2
‑
二乙氧基苯乙酮、2
‑
羟基
‑2‑
甲基
‑1‑
苯基
‑
丙烷
‑1‑
酮(basf制irgacure 1173)、双(2,4,6
‑
三甲基苯甲酰基)
‑
苯基氧化膦(basf制irgacure 819)、2,4,6
‑
三甲基苯甲酰基
‑
二苯基
‑
氧化膦(basf制irgacure tpo)。
[0078]
本发明中，除了上述的紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物之外，也能够使用
热固化型有机硅压敏粘合剂组合物。其具体例包括信越化学公司制的sim系列，从固化时间的观点来看，特别是sim
‑
360和有机硅系橡胶组合物例如stp系列。
[0079]
对于有机硅压敏粘合剂层的厚度没有特别限制，从成型性和平坦性的观点来看，优选为1～100μm，更优选为10～30μm，更进一步优选为15～25μm。
[0080]
有机硅压敏粘合剂层的形状可以是平坦的形状，或根据元件尺寸和元件间隔而具有凹凸等突起表面的形状。
[0081]
例如，在具有凸状结构的有机硅压敏粘合剂层的情况下，凸状结构的尺寸和排列可根据待转移的微小结构体的尺寸和期望的排列来设计。凸状结构的上表面是平坦的。对于该表面形状没有限制，其实例包括圆形、椭圆形和四边形。在四边形的情况下，边缘可圆化。对于凸状结构的上表面的宽度没有特别限制，优选为0.1μm～1cm，更优选为1μm～1mm。
[0082]
对于凸状结构的侧表面的形式也没有限制，可以是垂直的或斜的。凸状结构的高度优选为1～100μm，更优选为10～30μm。互相隔开的相邻的凸状结构彼此之间的间距优选为0.1μm～10cm，更优选为1μm～1mm。
[0083]
对于有机硅压敏粘合剂层的尺寸没有特别限制，只要适合于合成石英玻璃基板的正面，例如可以是与合成石英玻璃基板的尺寸相同的尺寸。
[0084]
如上所述，对本发明的用于转移微小结构体的基板所使用的合成石英玻璃基板的正面实施刻印。通常使用co2激光在合成石英玻璃基板的正面刻印文字或二维码，本发明也能够根据同样的技术来施加刻印标记(激光标记)。
[0085]
在二维码中，对于待刻印的各个点(dot)的深度和点尺寸(直径)没有特别限制，点深度优选为3～25μm，更优选为5～15μm，点尺寸优选为20～200μm，更优选为30～180μm。
[0086]
另外，在文字的情况下，对于其深度和尺寸也没有特别限制，各个文字的深度优选为3～25μm，更优选为5～15μm，各个文字的尺寸优选为1000～1600μm。
[0087]
在这样的范围里，将有机硅压敏粘合剂层设置于合成石英玻璃基板的正面时，刻印标记的周边部分不容易含有气泡等，从而在读取刻印标记时不易发生问题。
[0088]
读取刻印的方法能够从公知的方法中适当选择并使用。其实例包括读取一般点阵(dot matrix)的装置(所谓的二维读码器)。具体例包括keyence corporation制的2d读码器(sr
‑
2000)，但二维码具有各种各样的标准，应选择适于各个标准的读码器。文字可以目视读取或利用读取装置进行读取。
[0089]
[2]用于转移微小结构体的基板的制造方法
[0090]
本发明中使用的合成石英玻璃基板能够采用常用的方法来制造。具体而言，将硅烷化合物引入氢氧焰中，通过水解反应得到合成石英锭。将得到的锭切片、倒角、双面研磨(lap)、双面抛光、并清洗，以得到合成石英玻璃基板。
[0091]
此时，为了如上所述将合成石英玻璃基板的平坦度和厚度变化、以及正面的功率谱密度设为适当的值，例如，在一般的研磨研削(lap grinding)后，用适当的金刚石粒料载体对硬度70以上(邵氏a级)的硬质抛光垫进行整平，然后用硬质抛光垫和氧化铈或胶体二氧化硅的浆料对基板的表面进行抛光。
[0092]
接着，对其上设置有机硅压敏粘合剂层的合成石英玻璃基板的正面实施刻印标记(例如文字和二维码)。
[0093]
作为实施刻印标记的方法，如上所述能够使用co2激光。co2激光的具体例包括但不
限于keyence corporation制的激光打标机(ml
‑
z9600/9650)。
[0094]
co2激光中，主要可以设定扫描次数、输出强度、和扫描速度等。通过调整这些参数，能够得到具有期望的刻印标记深度和尺寸的刻印标记。例如，以大的输出和慢的扫描速度实施刻印标记时，得到深的刻印标记，但在刻印的文字或点的周边产生凸起(碎屑)，引起基板的尘垢或接触导致的划伤。通过调整激光条件，可在一定程度上抑制该凸起，但难以可靠地将凸起平坦化。凸起可通过机械抛光等除去，从而可靠地将凸起平坦化，但这引起工序数的增加，导致成本增加。
[0095]
接着，在得到的正面具有刻印标记的合成石英玻璃基板的正面上设置有机硅压敏粘合剂层。
[0096]
用于形成有机硅压敏粘合剂层的方法的实例包括：将未固化的有机硅压敏粘合剂组合物直接施加于基板的正面并使该组合物固化的方法，和将由有机硅压敏粘合剂组合物形成的片状固化产物贴合于基板的正面的方法。
[0097]
作为有机硅压敏粘合剂组合物，如上所述，可使用紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物或热固化型有机硅压敏粘合剂组合物。
[0098]
在将有机硅压敏粘合剂组合物直接施加于基板的正面并使该组合物固化的方法中，用于转移微小结构体的基板可通过将有机硅压敏粘合剂组合物施加于基板的正面后，照射紫外线或加热以使组合物固化来得到。
[0099]
涂布方法可从公知的涂布方法中适当地选择并使用，例如旋涂机、缺角轮涂布机、唇涂机、辊涂机、模涂机、刀涂机、刮刀涂布机、棒涂机、吻涂机、凹版涂布机、丝网涂布、浸涂和流延涂布。优选使用旋涂机。
[0100]
使用旋涂机时，有机硅压敏粘合剂组合物可通过旋涂法以优选1～100μm、更优选10～30μm、进一步更优选15～25μm的厚度涂布，然后放置于加热炉中优选以20～200℃、5～90分钟的条件进行固化，或照射紫外线以进行固化，从而得到有机硅压敏粘合剂层。
[0101]
有机硅压敏粘合剂组合物可通过上述涂布方法中的任一种施加于正面具有刻印标记的合成石英玻璃基板的正面，然后一边进行压制成型或压缩成型一边进行固化，以得到平坦性高、厚度变化良好的用于转移微小结构体的基板。
[0102]
另外，在将由有机硅压敏粘合剂组合物形成的片状固化产物贴合于正面具有刻印标记的合成石英玻璃基板的正面的方法中，有机硅压敏粘合剂组合物被成型为片材形状，然后该片材贴合于合成石英玻璃基板。由此，能够得到用于转移微小结构体的基板。
[0103]
将有机硅压敏粘合剂组合物成型为片材形状的方法的实例包括辊压成形、压制成型、转移成型和压缩成型。
[0104]
为了防止灰尘等的附着以及抑制固化时的氧阻碍(oxygen inhibition)，优选在将该组合物夹持于塑料薄膜之间的状态下将该组合物成型为片状固化产物。在得到的片状固化产物比期望的尺寸大时，可以切割至期望的尺寸。
[0105]
另外，为了提高片状固化产物与正面具有刻印标记的合成石英玻璃基板的密合性，也可以对贴合表面的任一者或两者实施等离子处理、准分子激光处理、或化学处理等。为了提高贴合强度，可使用粘合剂或压敏粘合剂等。粘合剂或压敏粘合剂的具体例包括硅系、丙烯酸系、和环氧系粘合剂。
[0106]
作为贴合方法，可以使用辊贴合或真空压制等。
[0107]
加热固化型或紫外线固化型的有机硅压敏粘合剂组合物的固化条件可根据所使用的有机硅压敏粘合剂组合物来适当设定。
[0108]
如上所述得到的用于转移微小结构体的基板例如能够适用于微小结构体(例如，微型led显示器元件)的转移。
[0109]
使用本发明的用于转移微小结构体的基板的微小结构体转移例如能够通过以下的技术来进行。
[0110]
即，使形成于供给基板的一个表面的多个微小结构体与本发明的用于转移微小结构体的基板上所设置的有机硅压敏粘合剂层贴合。将多个微小结构体的一部分或全部从供给基板分离，并转移至具有有机硅压敏粘合剂层的用于转移微小结构体的基板，从而得到临时固定有多个微小结构体的转移基板。
[0111]
使得到的临时固定有多个微小结构体的转移基板贴合于在下一工序中使用的另一转移基板，与上述同样地进行转移。为了通过贴合来转移元件，可以利用有机硅树脂之间的粘合力差异、激光烧蚀、或例如激光剥离的技术。
[0112]
实施例
[0113]
以下，参照实施例和比较例更具体地说明本发明，但本发明不限定于这些实施例。
[0114]
实施例1
[0115]
制造了外径150mm、厚度1.0mm的圆板形状的合成石英玻璃基板。对于该合成石英玻璃基板的正面和背面的任意的6.01mm
×
6.01mm的区域，利用白光干涉仪(nexview nx2，zygo corporation制，下同)以像素数1240
×
1240进行测定时，得到的空间频率1mm
‑1以上的功率谱密度为10
12
nm4以下。利用原子力显微镜(nx20，park systems制造，下同)测定的正面和背面的表面粗糙度(ra)为0.01μm。
[0116]
如图1a和1b所示，使用激光打标机(ml
‑
z9600/9650，keyence corporation制造，下同)对合成石英玻璃基板10的正面11施加刻印标记12。该刻印标记12是semi t7 0303中限定的二维矩阵码符号，形成于距合成石英玻璃基板10的正面11的边缘为1mm的位置。刻印标记12的点的内容为“20010012a1d6”。用于形成刻印标记12的激光的条件设为输出强度70％、扫描速度100mm/sec、扫描次数2次、以及单元尺寸0.115mm。
[0117]
在这样的条件下得到的刻印标记12的点阵的深度利用触针式波纹仪(surfcom nex041，tokyo seimitsu co.,ltd.制造，下同)进行测定，为20μm。利用显微镜测定点尺寸时，点具有圆形，直径为100μm。
[0118]
对于得到的带刻印标记的合成石英玻璃基板10，进行超声波纯净水清洗，然后进行干燥。
[0119]
另外，将液状的加热固化型有机硅压敏粘合剂组合物的基底化合物(stp
‑
204，信越化学工业株式会社制造)和固化剂(stp
‑
204(cat)，信越化学工业株式会社制造)以100：10(质量比)进行混合，然后使用旋涂机以2500rpm、2分钟施加于具有刻印标记的正面。然后，在加热板上在150℃加热5分钟以进行固化，进而在烘箱中在150℃加热25分钟以提供有机硅压敏粘合剂层20，从而得到用于转移微小结构体的基板1。
[0120]
从制作的用于转移微小结构体的基板1的背面侧(未设置有机硅压敏粘合剂层20的一侧)，使用二维读取器(2d读码器sr
‑
2000，keyence corporation制造，下同)读取刻印标记12的点阵时，点阵能够被正确地读取为“20010012a1d6”。从用于转移微小结构体的基
板1的正面侧的有机硅压敏粘合剂层20类似地读取刻印标记12的点阵时，点阵能够被正确地读取为“20010012a1d6”。
[0121]
另外，将在蓝宝石基板上外延生长并绝缘(isolation)而得到的led元件贴附于树脂侧，并通过激光剥离进行转移时，元件被可靠地转移(转印)。在连续转移元件10000次后，用与上述同样的方式读取点阵时，点阵能够被正确地读取为“20010012a1d6”。在进一步连续转移元件10000次后，用与上述同样的方式读取点阵时，点阵能够被正确地读取为“20010012a1d6”。
[0122]
比较例1
[0123]
制造了外径150mm、厚度1.0mm的圆板形状的合成石英玻璃基板。对于该合成石英玻璃基板的正面和背面的任意的6.01mm
×
6.01mm的区域，利用白光干涉仪以像素数1240
×
1240进行测定时，得到的空间频率1mm
‑1以上的功率谱密度为10
12
nm4以下。利用原子力显微镜测定的正面和背面的表面粗糙度(ra)为0.01μm。
[0124]
使用激光打标机对该合成石英玻璃基板的背面进行刻印。刻印标记是semi t7 0303中限定的二维矩阵码符号，刻印于距合成石英玻璃基板的正面的边缘为1mm的位置。刻印点的内容为“20010012a1d6”。用于刻印的激光条件设为输出强度70％、扫描速度100mm/sec、扫描次数2次、以及单元尺寸0.115mm。
[0125]
在这样的条件下刻印得到的点阵的深度利用触针式波纹仪进行测定，为20μm。利用显微镜测定点尺寸时，点具有圆形，直径为100μm。
[0126]
对于得到的带刻印标记的合成石英玻璃基板进行超声波纯净水清洗，然后使其干燥。
[0127]
另外，将与实施例1中一样的加热固化型有机硅压敏粘合剂组合物(基底化合物/固化剂＝100/10)使用旋涂机以2500rpm、2分钟施加于具有刻印标记的正面。然后，在加热板上在150℃加热5分钟以进行固化，进而在烘箱中在150℃加热25分钟以设置有机硅压敏粘合剂层，从而得到用于转移微小结构体的基板。
[0128]
使用二维读取器从制作的用于转移微小结构体的基板的背面侧(未设置有机硅压敏粘合剂层的一侧)读取刻印标记的点阵时，点阵能够被正确地读取为“20010012a1d6”。从用于转移微小结构体的基板的正面侧的有机硅压敏粘合剂层上类似地读取刻印标记的点阵时，点阵能够被正确地读取为“20010012a1d6”。
[0129]
另外，将在蓝宝石基板上外延生长并绝缘而得到的led元件贴附于树脂侧，并通过激光剥离进行转移时，元件被可靠地转移。在连续转移元件10000次后，用与上述同样的方式读取点阵时，从基板的正面侧的有机硅压敏粘合剂层上不能正确地读取为“20010012a1d6”，从基板的背面侧也不能正确地读取为“20010012a1d6”。推测在使用基板进行元件的转移的过程中，由于附着于设置于背面的刻印标记的污垢以及碎屑引起的划伤等，因此无法读取刻印标记。
[0130]
日本专利申请no.2020
‑
085108作为参考引入本文。
[0131]
尽管已描述了一些优选的实施方案，但根据上述教导，可以对其进行许多修改和变化。因此应当理解，在不脱离所附的权利要求书的范围的情况下，本发明可以按照具体描述的方式以外的方式实施。