一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制 一种秧草收获机用电力驱动行走机构

显示装置的制作方法

2021-11-20 03:20:00 来源:中国专利 TAG:

显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求在韩国知识产权局于2020年5月13日提交的韩国专利申请第10

2020

0057017号和2020年12月30日提交的韩国专利申请第10

2020

0188554号的优先权和权益以及由此产生的所有权益,其内容通过引用整体并入本文。
技术领域
3.本公开的一些示例实施例的各方面涉及显示装置。


背景技术:

4.近年来,显示装置的各种使用已经变得更加多样化。另外,因为显示装置的厚度相对薄并且重量相对轻,所以显示装置的使用范围已经增加,并且对可以在各种领域中使用的显示装置的研究正在不断进行。
5.被提供在显示装置中的显示元件发射预定颜色的光以显示图像,并且所发射的光可以穿过用于密封显示元件的密封构件。在密封构件具有堆叠了多个层的结构的情况下,由于密封构件的膜厚度,从显示元件发射的光可能受到干涉。
6.在本背景部分中公开的以上信息仅用于增强对背景的理解,并且因此,在本背景部分中讨论的信息不一定构成现有技术。


技术实现要素:

7.本公开的一些示例实施例的各方面包括一种显示装置,该显示装置能够通过在显示元件与密封构件之间设置具有受控的折射率和厚度的多个封盖层来减少在色温方向上的移动总量。
8.然而,根据本公开的实施例的各方面不限于在本文中阐述的各方面。通过参考下面给出的本公开的详细描述,根据本公开的实施例的以上和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加显而易见。
9.根据一些示例实施例,一种显示装置包括:基板;显示元件,在基板上;封盖层,在显示元件上;以及薄膜封装层,在封盖层上,其中,封盖层包括:第一封盖层,在显示元件上;第二封盖层,在第一封盖层上,第二封盖层具有大于第一封盖层的折射率的折射率;以及第三封盖层,在第二封盖层上,第三封盖层具有小于第二封盖层的折射率的折射率,其中,第二封盖层具有30纳米(nm)至60nm的厚度。
10.根据一些示例实施例,一种显示装置包括:基板;有机发光二极管,在基板上;封盖层,在有机发光二极管上;以及薄膜封装层,在封盖层上,其中,封盖层包括:第一封盖层,在有机发光二极管上;第二封盖层,在第一封盖层上,第二封盖层具有大于第一封盖层的折射率的折射率;以及第三封盖层,在第二封盖层上,第三封盖层具有小于第二封盖层的折射率的折射率,其中,第二封盖层具有在1.61至2.3的范围中的折射率,并且第一封盖层和第三封盖层中的每一个具有在1.45至1.6的范围中的折射率,并且其中,第二封盖层具有30纳米
(nm)至60nm的厚度。
11.根据一些示例实施例,一种显示装置包括:基板;显示元件,在基板上;封盖层,在显示元件上;以及薄膜封装层,在封盖层上,其中,封盖层包括:第一封盖层,在显示元件上;以及第二封盖层,在第一封盖层与薄膜封装层之间,其中,第二封盖层被插入在第一封盖层与薄膜封装层之间,并且第二封盖层具有小于第一封盖层的折射率并且大于薄膜封装层的折射率的折射率。
12.根据本公开的一些示例实施例的显示装置可以通过在显示元件与密封构件之间设置具有受控的折射率和厚度的多个封盖层来减少在色温方向上的移动总量。
13.根据本公开的实施例的特征不限于前述特征,并且各种其他特征被包括在本说明书中。
附图说明
14.通过参照附图详细描述本公开的一些示例实施例的各方面,根据本公开的实施例的上述和其他方面以及特性将变得更加显而易见,其中:
15.图1是示意性地图示出根据一些示例实施例的显示装置的平面图;
16.图2图示出根据一些示例实施例的被布置在显示装置的一个像素区中的显示元件和与显示元件连接的像素电路;
17.图3是图示出根据一些示例实施例的显示装置的一部分的截面图;
18.图4是图示出根据图3的显示装置的修改示例的显示装置的一部分的截面图;
19.图5是示意性地图示出根据一些示例实施例的显示装置的示意图;
20.图6是图示出当第二封盖层的厚度是约23nm时的最小可感知色差(mpcd)的图;
21.图7是图示出当应用根据一些示例实施例的第二封盖层时的最小可感知色差(mpcd)的图;
22.图8是图示出根据一些示例实施例的显示装置的一部分的截面图;
23.图9是示意性地图示出根据一些示例实施例的显示装置的示意图;
24.图10是图示出根据图8的显示装置的修改示例的显示装置的一部分的截面图;
25.图11是示意性地图示出根据一些示例实施例的显示装置的示意图;
26.图12是图示出当应用根据一些示例实施例的第二封盖层时的最小可感知色差(mpcd)的图;
27.图13是示意性地图示出根据一些示例实施例的显示装置的示意图;
28.图14是示意性地图示出根据一些示例实施例的显示装置的示意图;
29.图15是示意性地图示出根据一些实施例的显示装置的示意图;以及
30.图16是示意性地图示出根据一些实施例的显示装置的示意图。
具体实施方式
31.本公开的一些示例实施例的各方面可以允许各种修改并且具有各种实施例,并且特定实施例将在附图中图示出并且在详细描述中被更详细地描述。通过参照示例实施例和附图的下面的详细描述,可以更容易地理解根据本公开的实施例的特性和特征以及实现本公开的方法。然而,根据本公开的实施例不限于以下公开的示例实施例,而是可以以各种形
式实现。
32.在下文中,将参照附图更详细地描述本公开的一些示例实施例的进一步细节。在参照附图的描述中,相同或对应的元件由相同的附图标记表示,并且将省略其冗余的描述。
33.在下面的示例实施例中,将理解,尽管诸如“第一”和“第二”的术语在本文中可以用于描述各种元件,但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。
34.在下面的实施例中,单数形式“一”、“一个”和“该(所述)”旨在包括复数形式,除非上下文另外明确指示。
35.当术语“包含”、“包括”和“具有”在下面的实施例中使用时,指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在,但是不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或添加。
36.在下面的示例实施例中,将理解,当诸如膜、区域或元件等的部分被称为在另一部分“上”或“上方”时,它可以直接在另一部分“上”或“上方”,或者另一膜、区域或元件等可以被插入在它们之间。
37.在附图中,为了便于说明,可以放大或缩小各个部件的尺寸。例如,因为为了便于描述而任意地图示出了附图中图示出的每个元件的尺寸和厚度,所以根据本公开的实施例不一定限于所图示出的。
38.当某个实施例可以不同地实现时,特定过程可以以与所描述的顺序不同的顺序执行。例如,两个连续描述的过程可以基本同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行。
39.在下面的示例实施例中,当膜、区域或部件彼此连接时,膜、区域或部件不仅可以彼此直接连接,而且还可以在另一膜、另一区域或另一部件被布置在它们之间时彼此间接连接。例如,当膜、区域或部件彼此电连接时,膜、区域或部件不仅可以彼此直接电连接,而且还可以在另一膜、另一区域或另一部件被布置在它们之间时彼此间接电连接。
40.在下面的示例实施例中,x轴、y轴和z轴不限于笛卡尔坐标系上的三个轴,并且可以在包括x轴、y轴和z轴的广泛意义上进行解释。例如,x轴、y轴和z轴可以彼此正交,但是可以指代是彼此不正交的不同方向。
41.在本说明书中,“a和/或b”表示a、b或a和b。
42.图1是示意性地图示出根据一些示例实施例的显示装置的平面图。
43.参照图1,显示装置10可以包括显示区域da和与显示区域da邻近的非显示区域nda。显示装置10包括被布置在显示区域da中的多个像素区p。能够发射颜色(例如,设定或预定颜色)的光的显示元件被布置在每个像素区p中,并且显示元件可以连接到扫描线sl和数据线dl。图1可以被理解为显示装置10中的基板100的状态。例如,可以理解,基板100具有显示区域da和非显示区域nda。例如,显示装置10的平面形状可以是矩形。显示装置10可以包括短边和长边。短边可以沿着第一方向(x方向)延伸,并且长边可以沿着与第一方向(x方向)交叉的第二方向(y方向)延伸。
44.在非显示区域nda中,可以布置通过扫描线sl将扫描信号提供到每个像素区p的扫描驱动器1100、通过数据线dl将数据信号提供到被提供在每个像素区p中的显示元件的数据驱动器1200以及用于提供第一电源电压和第二电源电压的主电源布线。
45.图1图示出数据驱动器1200被布置在基板100上,但是根据一些示例实施例,数据
驱动器1200可以被布置在电连接到被布置在显示装置10的一侧的焊盘的柔性印刷电路板(fpcb)上。
46.根据本公开的一些示例实施例的显示装置10可以包括有机发光显示器、无机发光显示器或量子点显示器等。在下文中,作为根据本公开的一些示例实施例的显示装置,将以有机发光显示器作为示例进行描述,但是根据本公开的实施例的显示装置不限于此,并且稍后要描述的特征可以应用于如上所描述的各种类型的显示装置。
47.图2图示出根据一些示例实施例的被布置在显示装置的一个像素区中的显示元件和与显示元件连接的像素电路。
48.参照图2,作为显示元件的有机发光二极管oled连接到像素电路pc。像素电路pc可以包括第一薄膜晶体管t1、第二薄膜晶体管t2和存储电容器cst。有机发光二极管oled可以发射例如红光、绿光或蓝光,或者发射红光、绿光、蓝光或白光。
49.第二薄膜晶体管t2是开关薄膜晶体管并且连接到扫描线sl和数据线dl,并且可以根据从扫描线sl输入的开关电压将从数据线dl输入的数据电压传送到第一薄膜晶体管t1。存储电容器cst可以连接到第二薄膜晶体管t2和驱动电压线pl。存储电容器cst可以存储与从第二薄膜晶体管t2接收的电压和被供给到驱动电压线pl的第一电源电压elvdd之间的差相对应的电压。
50.作为驱动薄膜晶体管,第一薄膜晶体管t1可以连接到驱动电压线pl和存储电容器cst,并且可以响应于被存储在存储电容器cst中的电压值来控制从驱动电压线pl流过有机发光二极管oled的驱动电流。有机发光二极管oled可以通过驱动电流发射具有亮度(例如,设定或预定亮度)的光。有机发光二极管oled的对电极(例如,阴极)可以被供给有第二电源电压elvss。
51.图2图示出像素电路pc包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器,但是根据一些示例实施例,当然可以根据像素电路pc的设计对薄膜晶体管的数量或存储电容器的数量进行各种修改。
52.图3是图示出根据一些示例实施例的显示装置的一部分的截面图。
53.参照图3,包括像素电路的像素电路层pcl被布置在基板100上,作为显示元件的有机发光二极管oled被布置在像素电路层pcl上,有机发光二极管oled由薄膜封装层300覆盖。
54.基板100可以包括聚合物树脂。包括聚合物树脂的基板100可以具有柔性的、可卷曲的或可弯曲的特性。
55.根据一些示例实施例,如图3中所图示,基板100可以包括第一基底层101、第一阻挡层102、第二基底层103和第二阻挡层104。第一基底层101和第二基底层103中的每一个可以包括聚合物树脂。例如,第一基底层101和第二基底层103可以包括聚合物树脂,诸如聚醚砜(pes)、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚酰亚胺(pi)、聚碳酸酯(pc)、三乙酸纤维素(tac)以及乙酸丙酸纤维素(cap)。第一阻挡层102和第二阻挡层104是防止异物渗透的阻挡层,并且可以是包括诸如氮化硅和氧化硅的无机材料的单层或多层。
56.图4是图示出根据图3的显示装置的修改示例的显示装置的一部分的截面图。
57.作为修改示例,如图4中所图示,基板100可以是包括玻璃材料的单层。例如,基板
100可以是以sio2为主要成分的玻璃基板。
58.再次参照图3,以上描述的基板100上的像素电路层pcl可以包括薄膜晶体管tft,并且尽管没有图示出,但是可以包括连接到薄膜晶体管tft的存储电容器。对于每个像素,薄膜晶体管tft的结构可以具有相同的结构。每个薄膜晶体管tft可以连接到被提供在每个像素中的显示元件。
59.薄膜晶体管tft可以包括包含非晶硅、多晶硅或有机半导体材料的半导体层act、栅电极ge、源电极se和漏电极de。为了确保半导体层act与栅电极ge之间的绝缘性,包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅的无机材料的栅绝缘层121可以被插入在半导体层act与栅电极ge之间。包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅的无机材料的层间绝缘层131可以被布置在栅电极ge上,并且源电极se和漏电极de可以被布置在以上所描述的层间绝缘层131上。包含无机材料的绝缘层可以通过化学气相沉积(cvd)或原子层沉积(ald)形成。
60.栅电极ge、源电极se和漏电极de可以由各种导电材料形成。栅电极ge可以包括钼或铝,并且可以具有单层或多层结构。例如,栅电极ge可以是钼的单层,或者可以具有包括钼层、铝层和钼层的三层结构。源电极se和漏电极de可以包括钛或铝,并且可以具有单层或多层结构。根据一些示例实施例,源电极se和漏电极de可以具有包括钛层、铝层和钛层的三层结构。
61.包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅的无机材料的缓冲层110可以被插入在具有以上所描述的结构的基板100与薄膜晶体管tft之间。缓冲层110可以用于增强基板100的上表面的平滑度或用于防止(或最小化)杂质等从基板100渗透到薄膜晶体管tft的半导体层act中。
62.平坦化绝缘层140可以被布置在薄膜晶体管tft上。平坦化绝缘层140可以由诸如丙烯酸、苯并环丁烯(bcb)或六甲基二硅氧烷(hmdso)的有机材料形成。在图3中,平坦化绝缘层140被图示为单层,但是可以是多层。
63.有机发光二极管oled包括像素电极221、中间层222和对电极223。
64.像素电极221被布置在平坦化绝缘层140上,并且可以对于每个像素被布置一个。像素电极221可以是反射电极。根据一些示例实施例,像素电极221可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)或其化合物的反射膜。根据一些示例实施例,像素电极221可以包括被布置在以上所描述的反射膜上方和/或下方的透明或半透明电极层。以上所描述的透明或半透明电极层包括选自由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和氧化铝锌(azo)组成的组中的至少一种。在一些实施例中,像素电极221可以具有ito层、ag层和ito层的三层结构。
65.像素限定膜150被布置在像素电极221上。像素限定膜150具有暴露每个像素电极221的中心部分的开口150op。像素限定膜150可以增加像素电极221的边缘与对电极223之间的距离,从而防止在像素电极221的边缘处产生电弧等。像素限定膜150是诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(hmdso)和酚醛树脂的有机绝缘材料,并且可以通过诸如旋涂的方法形成。
66.发光层222b可以被布置在通过像素限定膜150的开口150op暴露的像素电极221上。发光层222b可以是包括能够发射红光、绿光或红光的荧光或磷光材料的有机材料。以上
所描述的有机材料可以是低分子有机材料或高分子有机材料。
67.第一功能层222a和第二功能层222c可以分别被布置在发光层222b下方和上方。第一功能层222a可以包括例如空穴传输层(htl)或空穴传输层和空穴注入层(hil)。第二功能层222c是被布置在发光层222b上的元件,并且可以包括电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。第二功能层222c是可选的。在一些实施例中,可以不提供第二功能层222c。
68.虽然发光层222b分别被布置成与像素限定膜150的开口相对应,但是第一功能层222a和第二功能层222c可以是公共层,其以与稍后要描述的对电极223相同的方式一体地形成以作为整体覆盖基板100,例如,以覆盖基板100的整个显示区域。
69.对电极223可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或其合金等的(半)透明层。可替代地,对电极223可以在包含前述材料的(半)透明层上进一步包括诸如ito、izo、zno或in2o3的层。根据一些示例实施例,对电极223可以包括银(ag)、镁(mg)或银(ag)和镁(mg)的合金。
70.封盖层230可以被布置在对电极223上。例如,封盖层230可以包括lif、无机绝缘材料或有机绝缘材料。封盖层230可以从顶部覆盖并且保护以上所描述的对电极223。
71.封盖层230可以包括多个堆叠的膜。多个堆叠的膜可以包括在对电极223上的第一封盖层231、在第一封盖层231上的第二封盖层233以及在第二封盖层233上的第三封盖层235。
72.第一封盖层231可以被布置在对电极223与第二封盖层233之间,第二封盖层233可以被布置在第一封盖层231与第三封盖层235之间,并且第三封盖层235可以被布置在第二封盖层233与薄膜封装层300之间。第一封盖层231可以被插入在对电极223与第二封盖层233之间,第二封盖层233可以被插入在第一封盖层231与第三封盖层235之间,并且第三封盖层235可以被插入在第二封盖层233与薄膜封装层300之间。如本文中所使用,术语“插入”是指对应的部件与上部件和下部件直接接触,对应的部件被插入在上部件与下部件之间。第一封盖层231可以分别接触对电极223和第二封盖层233,第二封盖层233可以分别接触第一封盖层231和第三封盖层235,并且第三封盖层235可以分别接触第二封盖层233和薄膜封装层300。
73.例如,封盖层230可以包括无机绝缘材料。例如,封盖层230可以包括从由氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氧氮化硅组成的组中选择的一种或多种无机绝缘材料。封盖层230的多个堆叠的膜的材料可以彼此不同,但是可以是相同的。
74.如上所描述,被提供在显示装置中的显示元件发射颜色(例如,设定或预定颜色)的光以提供图像,并且发射的光可以穿过稍后要描述的以密封显示元件的薄膜封装层300。根据一些示例实施例,当薄膜封装层300具有堆叠了多个层的结构时,由于薄膜封装层300的膜厚度,从显示元件发射的光可能受到干扰。在最小可感知色差(mpcd)上的在色温方向上的移动总量可能由于生成的干扰而增加。
75.然而,根据一些示例实施例,调节封盖层230的多个堆叠的膜的折射率和厚度,使得可以预先防止在最小可感知色差(mpcd)上的在色温方向上的移动总量由于生成的干扰而增加。稍后将给出其详细描述。
76.薄膜封装层300可以被布置在封盖层230上。薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。例如,如图4中所图示,薄膜封装层300包括在第三封盖层
235上的第一无机封装层310、在第一无机封装层310上的有机封装层320以及在有机封装层320上的第二无机封装层330,但是包括被插入在第一无机封装层310与有机封装层320之间的辅助层315。
77.第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括从由氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氧氮化硅组成的组中选择的一种或多种无机绝缘材料。在一些实施例中,第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括包含诸如氧化硅、氮化硅或氧氮化硅的非金属元素的无机绝缘层。被包括在第一无机封装层310中的非金属元素的数量和类型可以不同于被包括在第二无机封装层330中的非金属元素的数量和类型。例如,第一无机封装层310可以包括氧氮化硅,并且第二无机封装层330可以包括氮化硅,但是它们不限于此。
78.有机封装层320可以减轻第一无机封装层310和/或第二无机封装层330的内部应力。有机封装层320可以包括聚合物基材料。聚合物基材料可以包括聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷和丙烯酸树脂(例如,聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸等)或其任意组合。
79.有机封装层320可以通过应用具有流动性的单体并且使用热或诸如紫外光的光固化单体层来形成。可替代地,有机封装层320可以通过应用以上所描述的聚合物基材料来形成。
80.辅助层315可以被插入在第一无机封装层310与有机封装层320之间。辅助层315可以直接接触第一无机封装层310和有机封装层320。例如,辅助层315的底表面可以直接接触第一无机封装层310的顶表面,并且辅助层315的顶表面可以直接接触有机封装层320的底表面。
81.辅助层315可以是包含非金属元素的无机绝缘层。根据一些示例实施例,被包含在辅助层315中的非金属元素可以是与第一无机封装层310中的非金属元素相同的非金属元素,并且非金属元素是例如硅(si)、氧(o)和氮(n)。
82.从被布置在每个像素中的有机发光二极管oled发射的光穿过薄膜封装层300到达外部。此时,如上所描述,当从垂直于基板100的方向(例如,z方向)和倾斜于基板100的方向观看时,由于薄膜封装层300的薄膜干涉现象在最小可感知色差(mpcd)上的在色温方向上的移动总量可能增加。然而,根据一些示例实施例,调节封盖层230的多个堆叠的膜的折射率和厚度,使得可以预先防止由于所生成的干扰在最小可感知色差(mpcd)上的在色温方向上的移动总量增加。
83.图5是示意性地图示出根据一些示例实施例的显示装置的示意图。
84.参照图5,显示装置10包括顺序地堆叠的基板100、像素电路层pcl、包含像素电极221、中间层222、对电极223和封盖层230的显示层200以及薄膜封装层300。
85.封盖层230可以包括沿着光传播方向(或者从显示层200朝向薄膜封装层300的方向)顺序地布置的第一封盖层231、第二封盖层233和第三封盖层235。
86.薄膜封装层300可以包括沿着光传播方向(或者从显示层200朝向薄膜封装层300的方向)顺序地布置的第一无机封装层310、辅助层315、被布置在辅助层315上的有机封装层320和第二无机封装层330。
87.第二封盖层233的折射率可以大于第一封盖层231的折射率和第三封盖层235的折
射率中的每一个。例如,第二封盖层233的折射率可以具有1.61至2.3的值。第一封盖层231的折射率和第三封盖层235的折射率中的每一个可以具有1.45至1.6的值。第一封盖层231的折射率和第三封盖层235的折射率可以是相同的但不限于此,并且第一封盖层231的折射率和第三封盖层235的折射率可以彼此不同。例如,第二封盖层233的折射率可以是约1.97,第一封盖层231的折射率可以是约1.52,并且第三封盖层235的折射率可以是约1.52,但是它们不限于此。
88.第一封盖层231可以具有第一厚度t1。第一厚度t1可以在约30nm至约40nm的范围内。
89.第二封盖层233可以具有第二厚度t2。第二厚度t2可以在约30nm至约60nm的范围内。根据一些示例实施例,第二厚度t2可以在约30nm至约40nm的范围内。例如,第二厚度t2可以是约35nm。
90.第三封盖层235可以具有第三厚度t3。第三厚度t3可以在约35nm至约45nm的范围内。
91.根据一些示例实施例,如上所描述,因为第二封盖层233的折射率大于第一封盖层231的折射率和第三封盖层235的折射率中的每一个,并且第二封盖层233的第二厚度t2具有约30nm至约40nm的范围,所以当从垂直于基板100的方向(例如,z方向)和倾斜于基板100的方向观看时,可以预先防止由于薄膜封装层300的薄膜干涉现象而引起的在最小可感知色差(mpcd)上的在色温方向上的移动总量增加。进一步,通过使第二封盖层233的第二厚度t2在60nm或更小的范围中,可以防止第二封盖层233被剥离或分离。
92.第一无机封装层310可以被布置在第三封盖层235上。
93.第一无机封装层310可以具有范围从约400nm至2200nm的第四厚度t4。当第一无机封装层310的第四厚度t4是400nm或更大时,可以防止湿气渗透,并且当第一无机封装层310的第四厚度t4是2200nm或更小时,可以防止第一无机封装层310被剥离或分离。第二无机封装层330的厚度可以与第一无机封装层310的厚度相同,或者可以小于或大于第一无机封装层310的厚度。
94.另一方面,从显示元件发射的光穿过薄膜封装层300,使得光的干涉等发生,并且尽管通过使用以上所描述的封盖层230来设计以当从垂直于基板100的方向(例如,z方向)和倾斜于基板100的方向观看时,预先防止由于薄膜封装层300的薄膜干涉现象而引起的在最小可感知色差(mpcd)上的在色温方向上的移动总量增加,但是颜色坐标的变化可能是大的。
95.为了解决该问题,可以考虑调节第一无机封装层310的厚度的方法,但是由于形成第一无机封装层310的设备本身(例如,cvd设备)的误差,控制厚度实际上可能是不容易的。例如,如上所描述,保护显示层200免受湿气等影响的第一无机封装层310可以具有约400nm至2200nm的厚度范围,以防止第一无机封装层310的分离等。当形成无机绝缘层的设备的误差是约10%时,实际形成的第一无机封装层310的厚度的偏差对应于数十至数百nm的范围。因此,实际上难以控制第一无机封装层310的厚度以减少最小可感知色差(mpcd)的变化,并且在减少以上所描述的mpcd的变化方面可能存在限制。
96.根据一些示例实施例的薄膜封装层300将辅助层315设置在第一无机封装层310上,从而减少了以上所描述的mpcd的变化,而与第一无机封装层310的厚度无关。
97.辅助层315可以由无机绝缘材料形成,并且用于最小化或防止以上所描述的mpcd的变化的辅助层315的第五厚度t5可以是100nm或更小。例如,辅助层315的第五厚度t5可以是30nm至100nm。当辅助层315的第五厚度t5是100nm或更小时,可以容易地执行对辅助层315的第五厚度t5的控制。
98.辅助层315包括无机绝缘材料。如上所描述,与目标厚度相比,通过使用cvd设备形成的无机绝缘材料层在实际形成的厚度中可能具有约10%的误差。因为可以使用cvd设备以与第一无机封装层310相同的方式形成辅助层315,所以实际形成的辅助层315的厚度可以与目标厚度不同。然而,因为辅助层315比第一无机封装层310的厚度小几十倍以上,所以尽管根据cvd设备的厚度的误差(例如,约10%的误差),但是控制辅助层315的厚度要容易得多。
99.第一无机封装层310和辅助层315可以具有不同的折射率。例如,辅助层315的折射率n3可以满足以下条件:
100.min(n1,n2) |n2

n1|
×
0.25<n3<min(n1,n2) |n2

n1|
×
0.75
101.这里,n1表示第一无机封装层的折射率,n2表示有机封装层的折射率,min(n1,n2)表示n1和n2的最小值,并且|n2

n1|表示n2与n1之间的差的绝对值。
102.当辅助层315的折射率n3在以上所描述的范围内时,可以最小化或防止mpcd的大的变化的发生。
103.图6是图示出当第二封盖层的厚度是约23nm时的最小可感知色差(mpcd)的图。图7是图示出当应用根据一些示例实施例的第二封盖层时的最小可感知色差(mpcd)的图。
104.参照图6和图7,通过划分部分(例如,设定或预定部分),mpcd被图示为轮廓线,并且mpcd图示出在相对于垂直轴远离0(零)的方向(y轴)上具有负(

)值指示颜色变蓝,并且在相对于垂直轴远离0(零)的方向(y轴)上具有正( )值指示颜色变绿。
105.如图5中所图示,当在垂直于基板100的方向和倾斜于基板100的方向上(例如,以0
°
(z方向)以及相对于z方向以约30
°
、45
°
和60
°
的倾斜角θ)观看显示装置10时,基于mpcd值图示出mpcd的轮廓线。
106.可以看出,根据如图7中所图示的一些示例实施例,与相对于图6描述的实施例相比,显示装置10的mpcd中的色温方向上的总量是小的。例如,根据相对于图6所图示的实施例,x轴上的总变化量(dx)是约0.038,并且y轴上的总变化量(dy)是约0.015,并且根据相对于图7所图示的实施例,x轴上的总变化量(dx)是约0.025,并且y轴上的总变化量(dy)是约0.012。也就是说,根据相对于图7所图示的实施例,与相对于图6所图示的实施例相比,x轴上的变化量小了0.013,并且y轴上的变化量小了0.003。
107.因此,如从图6和图7所确认的,根据一些示例实施例,因为第二封盖层233的折射率分别大于第一封盖层231的折射率和第三封盖层235的折射率,并且第二封盖层233的第二厚度t2具有约30nm至约40nm的范围,所以当从垂直于基板100的方向(例如,z方向)和倾斜于基板100的方向观看时,可以防止由于薄膜封装层300的薄膜干涉现象而引起的在最小可感知色差(mpcd)上的在色温方向上的移动总量的增加。
108.在一些实施例中,在根据一些示例实施例的显示装置中,薄膜封装层300可以包括包含多个堆叠的膜的第一无机封装层310。
109.根据一些示例实施例的第一无机封装层310可以包括多个堆叠的膜。例如,第一无
机封装层310可以包括被插入在第三封盖层235与第二子无机封装层之间的第一子无机封装层以及被插入在第一子无机封装层与辅助层315之间的第二子无机封装层。在本实施例中,尽管图示出第一无机封装层310包括顺序地堆叠的两个堆叠的膜,但是根据本公开的实施例不限于此,并且第一无机封装层310可以包括顺序堆叠的三个或更多个堆叠的膜。
110.第一子无机封装层和第二子无机封装层的厚度的和可以被设计成具有参照图3和图5描述的第一无机封装层310的第四厚度t4的范围(从约400nm至2200nm)。第一子无机封装层的厚度可以与第二子无机封装层的厚度不同或相同。
111.第一子无机封装层和第二子无机封装层的折射率可以分别在以上参照图5所描述的第一无机封装层310的折射率范围内选择。例如,第一子无机封装层和第二子无机封装层的折射率可以是基本相同的。
112.在下文中,将描述根据一些示例实施例的显示装置。根据一些示例实施例,与以上所描述的实施例的部件相同的部件由相同的附图标记表示,并且将省略或简化其描述。
113.图8是图示出根据一些示例实施例的显示装置的一部分的截面图。图9是示意性地图示出根据一些示例实施例的显示装置的示意图。
114.参照图8和图9,显示装置可以包括顺序地堆叠的基板100、像素电路层pcl、显示层200和薄膜封装层300_1,但是薄膜封装层300_1可以进一步包括被布置在有机封装层320之下的下层317。除了下层317之外,其他元件与参照图3和图5描述的实施例的那些元件相同,使得下面的描述集中在下层317上。
115.下层317可以被插入在有机封装层320与辅助层315之间。在一些实施例中,下层317的折射率可以在辅助层315的折射率与有机封装层320的折射率之间。
116.下层317可以不具有薄膜封装层的作用,例如透湿性。在通过应用和固化单体形成有机封装层320的过程期间,下层317可以控制形成有机封装层320的材料。
117.如上所描述,下层317可以是不具有单独的光学功能以及不具有透湿性的层,并且下层317的折射率可以与有机封装层320的折射率基本相同。下层317的折射率与有机封装层320的折射率基本相同的事实意味着下层317的折射率与有机封装层320的折射率之间的差δn小于0.05。例如,下层317的折射率可以是1.52。
118.下层317的厚度可以在约50nm至100nm(诸如约55nm至90nm或60nm至85nm)的范围中选择。尽管下层317的折射率和有机封装层320的折射率基本相同,但是因为下层317和有机封装层320包括不同的材料,所以在彼此接触的下层317与有机封装层320之间可以存在界面。
119.下层317可以包括无机绝缘层。例如,下层317可以与第一无机封装层310和辅助层315一样包含非金属元素,或者可以包含与被包括在第一无机封装层310和辅助层315中的非金属元素不同的元素。在一些实施例中,下层317的氧含量可以大于辅助层315的氧含量。例如,下层317可以是具有相对高的氧含量的无机绝缘层,例如富含o的氧氮化硅层。
120.例如,第一无机封装层310、辅助层315和下层317可以全部包括相同的非金属元素,诸如硅(si)、氧(o)和氮(n)。作为第一无机封装层310的第一氧氮化硅层、作为辅助层315的第二氧氮化硅层和作为下层317的第三氧氮化硅层分别具有硅(si)、氧(o)和氮(n)的不同的含量比。因此,在第一氧氮化硅层与第二氧氮化硅层之间以及在第二氧氮化硅层与第三氧氮化硅层之间可以分别存在界面。
121.例如,辅助层315的折射率n3可以满足以下条件:
122.min(n1,n2) |n2

n1|
×
0.25<n3<min(n1,n2) |n2

n1|
×
0.75
123.这里,n1表示第一无机封装层的折射率,n2表示下层的折射率,min(n1,n2)表示n1和n2的最小值,并且|n2

n1|表示n2与n1之间的差的绝对值。
124.即使在本实施例中,因为第二封盖层233的折射率分别大于第一封盖层231的折射率和第三封盖层235的折射率,并且第二封盖层233的第二厚度t2具有约30nm至约40nm的范围,所以当从垂直于基板100的方向(例如,z方向)和倾斜于基板100的方向观看时,可以预先防止由于薄膜封装层300的薄膜干涉现象而引起的在最小可感知色差(mpcd)上的色温方向的移动总量增加。
125.图10是图示出根据图8的显示装置的修改示例的显示装置的一部分的截面图。
126.参照图10,作为图8的修改示例,基板100可以是包括玻璃材料的单层。例如,基板100可以是以sio2为主要成分的玻璃基板。
127.图11是示意性地图示出根据一些示例实施例的显示装置的示意图。图12是图示出当应用根据一些示例实施例的第二封盖层时的最小可感知色差(mpcd)的图。
128.图11和图12,根据一些示例实施例的显示层200_1的封盖层230_1的第二封盖层233_1的第二厚度t2可以在约45nm至55nm的范围内选择,使得它与根据一些示例实施例的封盖层230的第二封盖层233不同。
129.例如,根据一些示例实施例的封盖层230_1的第二封盖层233_1的第二厚度t2可以在约45nm至55nm的范围内选择。
130.根据一些示例实施例,如图12中所图示,可以看出,与相对于图6所图示的实施例相比,显示装置的mpcd中的色温方向的总量是小的。例如,如上所描述,根据相对于图6所图示的实施例,x轴上的总变化量(dx)是约0.038,并且y轴上的总变化量(dy)是约0.015,并且根据相对于图12所图示的实施例,x轴上的总变化量(dx)是约0.011,并且y轴上的总变化量(dy)是约0.018。换句话说,根据如图12中所图示的一些示例实施例,与相对于图6所描述的实施例相比,y轴上的变化量大了0.003,但是与相对于图6所图示的实施例相比,x轴上的变化量小了0.027。
131.根据一些示例实施例,因为第二封盖层233_1的折射率分别大于第一封盖层231的折射率和第三封盖层235的折射率,并且第二封盖层233_1的第二厚度t2具有约45nm至约55nm的范围,所以当从垂直于基板100的方向(例如,z方向)和倾斜于基板100的方向观看时,可以防止由于薄膜封装层300的薄膜干涉现象而引起的在最小可感知色差(mpcd)上的在色温方向上的移动总量的增加。
132.图13是示意性地图示出根据一些示例实施例的显示装置的示意图。图14是示意性地图示出根据一些示例实施例的显示装置的示意图。
133.参照图13和图14,显示装置与图4的显示装置的不同之处在于,显示层200_2的封盖层230_2包括以上参照图4描述的第二封盖层233以及在第二封盖层233上的第四封盖层237。
134.例如,根据一些示例实施例的显示装置的显示层200_2的封盖层230_2可以包括以上参照图4描述的第二封盖层233以及在第二封盖层233上的第四封盖层237。
135.第四封盖层237可以被布置在第二封盖层233与第一无机封装层310之间,并且第
一无机封装层310可以被布置在第四封盖层237与辅助层315之间。
136.第四封盖层237可以被插入在第二封盖层233与第一无机封装层310之间,并且第一无机封装层310可以被插入在第四封盖层237与辅助层315之间。
137.第四封盖层237的折射率可以分别小于第二封盖层233的折射率和大于薄膜封装层300的折射率。第四封盖层237的折射率可以分别小于第二封盖层233的折射率和大于第一无机封装层310的折射率。换句话说,第四封盖层237的折射率可以具有在第二封盖层233的折射率与第一无机封装层310的折射率之间的值。进一步,第一无机封装层310的折射率可以大于辅助层315的折射率。也就是说,折射率可以以第二封盖层233、第四封盖层237、第一无机封装层310、辅助层315和有机封装层320的顺序减小。
138.例如,第二封盖层233的折射率和第四封盖层237的折射率可以是约1.77或更大,第一无机封装层310的折射率可以等于或小于1.77,例如可以大于1.62且等于或小于1.77,并且辅助层315的折射率可以等于或小于1.62。
139.例如,第二封盖层233的折射率可以是约1.972,第四封盖层237的折射率可以是约1.87,第一无机封装层310的折射率可以是约1.77,并且辅助层315的折射率可以是约1.62。
140.常规地,当光从具有大折射率的介质传播到具有相对小折射率的介质时,在界面处可能发生全反射。另外,当相对于界面在邻近的介质之间的折射率差是大的时,全反射的程度可能增加。
141.当从显示元件发射的光向上移动,并且在第二封盖层233与第四封盖层237之间的界面处以及在第四封盖层237与第一无机封装层310之间的界面处的邻近的介质之间的全反射程度增大时,颜色坐标的变化可能是大的。
142.然而,根据一些示例实施例,折射率以第二封盖层233、第四封盖层237、第一无机封装层310和辅助层315的顺序减小,并且进一步布置具有在第二封盖层233的折射率值与第一无机封装层310的折射率值之间的折射率值的第四封盖层237,以减少第二封盖层233与第一无机封装层310之间的大的折射率差。因此,可以进一步减少在第二封盖层233与第四封盖层237之间的界面处以及在第四封盖层237与第一无机封装层310之间的界面处的全反射程度。因此,当从显示元件发射的光向上移动,并且在第二封盖层233与第四封盖层237之间的界面处以及在第四封盖层237与第一无机封装层310之间的界面处的邻近的介质之间的全反射程度增大时,可以预先防止颜色坐标的变化变大。
143.图15是示意性地图示出根据一些实施例的显示装置的示意图。图16是示意性地图示出根据一些实施例的显示装置的示意图。
144.参照图15和图16,根据本实施例的一些实施例的显示装置的薄膜封装层300_1与相对于图13描述的显示装置的薄膜封装层300的不同之处在于,它可以在第一无机封装层310之下进一步包括至少一个辅助层。
145.例如,如图15和图16中所图示的薄膜封装层300_1可以进一步包括位于第一无机封装层310之下的下辅助层350。也就是说,根据一些实施例的薄膜封装层300_1可以包括下辅助层350、第一无机封装层310、辅助层315、有机封装层320和第二无机封装层330。
146.下辅助层350可以位于第一无机封装层310与第四封盖层237之间。
147.下辅助层350可以被插入在第一无机封装层310与第四封盖层237之间。
148.下辅助层350的折射率可以小于第一无机封装层310的折射率。下辅助层350的折
射率可以小于第四封盖层237的折射率。也就是说,下辅助层350的折射率可以小于第一无机封装层310的折射率和第四封盖层237的折射率中的每一个。
149.如上所描述,第一无机封装层310的折射率可以大于1.62且等于或小于1.77,并且第四封盖层237的折射率可以等于或大于约1.77。下辅助层350的折射率与第四封盖层237的折射率之间的差可以大于下辅助层350的折射率与第一无机封装层310的折射率之间的差。根据一些实施例,下辅助层350的折射率可以等于或大于1.4且小于1.62。例如,下辅助层350的折射率可以是约1.57。
150.如以上参照图13所描述,当光从具有大折射率的介质传播到具有相对小折射率的介质时,在界面处可能发生全反射。另外,当相对于界面在邻近的介质之间的折射率差是大的时,全反射的程度可能增加。
151.也就是说,随着显示元件发射的光向上移动,当在第四封盖层237与第一无机封装层310之间的界面处的邻近的介质之间的全反射程度增大时,颜色坐标的变化可能是大的。
152.然而,根据一些实施例,可以进一步设置具有在第四封盖层237的折射率值与第一无机封装层310的折射率值之间的折射率值的下辅助层350,以减少第四封盖层237与第一无机封装层310之间的大的折射率差。因此,可以进一步减少在第四封盖层237与第一无机封装层310之间的界面处的全反射程度。因此,当从显示元件发射的光向上移动,并且在第四封盖层237与第一无机封装层310之间的界面处的邻近的介质之间的全反射程度增大时,可以防止或减少颜色坐标的变化变大的现象的实例。
153.如上所描述,已经参照附图中图示出的一些示例实施例描述了根据本公开的一些实施例的各方面,但是本领域技术人员将理解,由此可以对实施例进行各种修改和变型。因此,本公开的真实技术保护范围应由所附权利要求及其等同物的技术精神来确定。
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