存储器件以及形成存储器件的方法与流程

1.本公开一般地涉及存储器件以及形成存储器件的方法。


背景技术：

2.非易失性存储器件常用于诸如智能电话和平板电脑的消费电子产品中。一种类型的非易失性存储器件是电阻式随机存取存储器件(rram)。rram通常使用开关元件，例如夹在两个电极之间的介电元件。开关元件通常是绝缘的。然而，当在电极之间施加足够高的电势差(置位电压/开关电压)时，会发生介电击穿事件，并且在开关元件内会形成导电丝。因此，开关元件经由导电丝变得导电。通过向电极施加足够低的电压差(复位电压)以断开导电丝，可以使开关元件再次绝缘。典型的rram可以基于开关元件的电阻在状态之间进行切换。当开关元件绝缘时，开关元件具有高电阻，并且rram可被称为处于高电阻状态(hrs)。当开关元件导电时，开关元件具有低电阻，并且rram可被称为处于低电阻状态(lrs)。为了置位rram，将rram从hrs切换到lrs。为了重置rram，将rram从lrs切换到hrs。
3.rram(以及因此其开关元件)的尺寸通常很大。此外，导电丝经常在开关元件内跨(across)许多位置随机地形成。这可能是由rram制造过程中的工艺差异所致。这些会导致rram的电阻在多个介电击穿事件之间变化很大。例如，当rram处于hrs中时，开关元件的电阻倾向于在不同的周期内变化很大。这会导致较高的器件间差异和周期间差异。
4.因此，期望提供一种具有减小的电阻变化的改进存储器件。


技术实现要素：

5.根据各种非限制性实施例，可以提供一种存储器件，其包括：基底层；绝缘层，其布置在所述基底层上方，其中所述绝缘层可以包括具有相对的侧壁的凹槽(recess)；第一电极，其至少部分地布置在所述绝缘层的所述凹槽内并沿着所述绝缘层的所述凹槽的所述相对的侧壁；开关元件，其至少部分地布置在所述绝缘层的所述凹槽内并沿着所述第一电极；帽盖元件(capping element)，其至少部分地布置在所述绝缘层的所述凹槽内；以及第二电极，其至少部分地布置在所述绝缘层的所述凹槽内，其中所述帽盖元件可以布置在所述第二电极和所述开关元件之间，并且所述第二电极的一部分可以跨(across)所述帽盖元件延伸以接触所述开关元件。
6.根据各种非限制性实施例，可以提供一种方法，其包括：提供基底层；在所述基底层上方形成绝缘层，其中所述绝缘层可以包括具有相对的侧壁的凹槽；至少部分地在所述绝缘层的所述凹槽内并沿着所述绝缘层的所述凹槽的所述相对的侧壁形成第一电极；至少部分地在所述绝缘层的所述凹槽内并沿着所述第一电极形成开关元件；至少部分地在所述绝缘层的所述凹槽内形成帽盖元件；以及至少部分地在所述绝缘层的所述凹槽内形成第二电极，其中所述帽盖元件可以布置在所述第二电极和所述开关元件之间，并且所述第二电极的一部分可以跨所述帽盖元件延伸以接触所述开关元件。
附图说明
7.在附图中，贯穿不同的视图，相似的参考标号通常指示相同的部件。并且，附图不一定按比例绘制，而是通常将重点放在说明本发明的原理上。现在仅出于示例的目的，参考以下附图来说明本发明的非限制性实施例，其中：
8.图1示出了根据各种非限制性实施例的存储器件的简化截面图；
9.图2a至图2l示出了根据各种非限制性实施例的示例用于制造图1的存储器件的方法的简化截面图；以及
10.图3示出了根据替代的非限制性实施例的存储器件的简化截面图。
具体实施方式
11.实施例一般地涉及半导体器件。更具体地，一些实施例涉及存储器件，例如非易失性存储器件，如非限制性示例中的rram器件。存储器件可以用在多种应用中，例如但不限于神经形态计算应用和多位应用。
12.下面参考在附图中示出的非限制性示例，更全面地解释本发明的各方面及其某些特征、优点和细节。省略对公知的材料、制造工具、加工技术等的描述，以免不必要地让细节模糊本发明。然而，应当理解，详细说明和具体示例虽然指示了本发明的方面，但是仅以举例说明的方式给出，并非以限制的方式给出。通过本公开，在基本发明构思的精神和/或范围内的各种替换、修改、添加和/或布置对于本领域技术人员将是显而易见的。
13.如在整个说明书和权利要求书中所使用的，近似语言可用于修饰在不导致与之相关的基本功能发生变化的情况下可允许变化的任何定量表示。因此，由诸如“近似”、“约”之类的一个或多个术语修饰的值不限于所指定的精确值。在某些情况下，近似语言可以对应于用于测量该值的仪器的精度。此外，由诸如“基本上”之类的一个或多个术语修饰方向，意味着该方向在半导体工业的正常容差范围内应用。例如，“基本上平行”意味着在半导体工业的正常容差范围内大致沿相同方向延伸，而“基本上垂直”意味着九十度加上或减去半导体工业的正常容差的角度。
14.本文使用的术语仅出于描述具体示例的目的，并非旨在限制本发明。如本文所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另外明确指出。还将理解，术语“comprise(包括)”(以及包括的任何形式，例如“comprises”和“comprising”)，“have(具有)”(以及具有的任何形式，例如“has”和“having”)，“inclue(包含)”(以及包含的任何形式，例如“includes”和“including”)，以及和“contain(含有)”(以及含有的任何形式，例如“contains”和“containing”)是开放式链接动词。因此，“包括”、“具有”、“包含”或“含有”一个或多个步骤或元件的方法或装置具有这些一个或多个步骤或元件，但不限于仅具有这些一个或多个步骤或元件。同样地，“包括”、“具有”、“包含”或“含有”一个或多个特征的方法步骤或装置元件具有这些一个或多个特征，但不限于仅具有这些一个或多个特征。此外，以某种方式配置的装置或结构至少以这种方式配置，但是也可以以未列出的方式配置。
15.如本文所使用的，当用于指示两个物理元件时，术语“连接”表示两个物理元件之间的直接连接。然而，术语“耦接”可以表示直接连接或通过一个或多个中间元件的连接。
16.如本文所使用的，术语“可以”和“可以是”表示：在一组情况下发生的可能性；拥有
指定的性质、特性或功能；和/或通过表达与限定动词相关联的能力、功能或可能性中的一项或多项来限定另一动词。因此，“可以”和“可以是”的使用表示修饰语显然适合、允许或适于指定的能力、功能或用途，同时考虑到在某些情况下该修饰语有时不适合、允许或适于。例如，在某些情况下，可预期一事件或能力，而在其他情况下，则不能出现该事件或能力——这种区别由术语“可以”和“可以是”捕获。
17.图1示出了根据各种非限制性实施例的存储器件100的简化截面图。存储器件100可以包括rram器件。
18.如图1所示，存储器件100可以包括基底层102。基底层102可以是层间电介质(ild)层，并且可以包括绝缘材料，例如但不限于氧化硅、二氧化硅、氮化硅或其组合。
19.存储器件100可以进一步包括布置在基底层102上方的绝缘层104。绝缘层104也可以是层间电介质(ild)层，并且可以包括绝缘材料，例如但不限于氧化硅、二氧化硅、氮化硅或其组合。如图1所示，绝缘层104可以包括顶面104t和凹槽106。凹槽106可以具有底面106b和相对的侧壁(包括第一侧壁106s1和第二侧壁106s2)。侧壁106s1、106s2可以是垂直的(换句话说，可以基本上垂直于凹槽106的底面106b延伸)，或者可以替代地相对于凹槽106的底面106b以一角度倾斜。
20.第一阻挡层150可以布置在绝缘层104和基底层102之间。第一阻挡层150可以包括阻挡材料，例如但不限于nblok(氮掺杂的碳化硅)。
21.存储器件100还可以包括第一电极108，第一电极108至少部分地布置在绝缘层104的凹槽106内。在图1中，第一电极108被描绘为完全布置在凹槽106内。然而，替代地，第一电极108的一部分可以布置在凹槽106的外部。第一电极108可以包括沿着凹槽106的底面106b布置的基底面108b，以及与绝缘层104的顶面104t横向对齐的顶面108t。此外，第一电极108可以沿着凹槽106的相对的侧壁106s1、106s2布置。特别地，第一电极108可以包括沿着第一侧壁106s1布置的第一部分1081和沿着第二侧壁106s2布置的第二部分1082。第一电极108的第一部分1081和第二部分1082可以彼此分离。因此，第一电极108的基底面108b和顶面108t可以分别包括间隙。第一电极108可以是惰性电极，并且可以包括惰性电极材料，例如但不限于钌(ru)、铂(pt)、氮化钛(tin)、氮化钽(tan)、其合金或其组合。
22.存储器件100可以进一步包括开关元件110，开关元件110至少部分地布置在绝缘层104的凹槽106内并且沿着第一电极108。在图1中，开关元件110被描绘为完全布置在凹槽106内。替代地，开关元件110的一部分可以布置在凹槽106的外部。开关元件110可以包括沿着凹槽106的底面106b布置的基底面110b，以及与绝缘层104的顶面104t横向对齐的顶面110t。如图1所示，开关元件110可以包括更靠近凹槽106的第一侧壁106s1的第一部分1101和更靠近凹槽106的第二侧壁106s2的第二部分1102。开关元件110的第一部分1101可以沿着第一电极108的第一部分1081布置，开关元件110的第二部分1102可以沿着第一电极108的第二部分1082布置。开关元件110的第一部分1101和第二部分1102类似地可以彼此分离。因此，开关元件110的基底面110b和顶面110t可以分别包括间隙。开关元件110可以包括开关材料，例如但不限于氧化镁(mgo)、氧化钽(tao2)、氧化铪(hfo2)、氧化钛(tio2)、氧化铝(alo2)、二氧化硅(sio2)或其组合。
23.存储器件100可以进一步包括帽盖元件112，帽盖元件112至少部分地布置在绝缘层104的凹槽106内。帽盖元件112也可被称为侧壁帽盖层。特别地，如图1所示，帽盖元件112
可以完全布置在绝缘层104的凹槽106内(但是，替代地，帽盖元件112的一部分可以布置在凹槽106的外部)。帽盖元件112可以包括沿着凹槽106的底面106b布置的基底面112b和顶面112t。如图1所示，第一电极108、开关元件110和帽盖元件112的基底面108b、110b、112b可以横向对齐。尽管顶面112t在图1中被描绘为平坦表面，但是顶面112t也可以因为存储器件100的制造期间的工艺(例如，蚀刻工艺)而变得弯曲或倾斜。
24.帽盖元件112可以沿着开关元件110布置。如图1所示，帽盖元件112可以包括更靠近凹槽106的第一侧壁106s1的第一区段1121和更靠近凹槽106的第二侧壁1062的第二区段1122。帽盖元件112的第一区段1121可以沿着开关元件110的第一部分1101布置，帽盖元件112的第二区段1122可以沿着开关元件110的第二部分1102布置。帽盖元件112的第一和第二区段1121、1122可以彼此分离，其中这些区段1121、1122中的每一者都是连续区块。因此，帽盖元件112的基底面112b和顶面112t可以分别包括间隙。
25.如图1所示，第一电极108的高度h
108
、开关元件110的高度h
110
和绝缘层104的厚度t
104
可以在微米(um)级别上近似相等。然而，由于在结构加工期间的材料选择性，高度可能在纳米(nm)级别上不同。高度差可以最高达20nm，此外，帽盖元件112的高度h
112
可以小于开关元件110的高度h
110
。例如，第一电极108的高度h
108
可以在约100nm至约400nm的范围内，开关元件110的高度h
110
可以在约100nm至约400nm的范围内，帽盖元件112的高度h
112
可以在约60nm至约240nm的范围内。因此，帽盖元件112可以仅沿着开关元件110的一部分布置。开关元件110因此可以包括邻接帽盖元件112的被覆盖区域和延伸超过帽盖元件112的顶面112t的暴露区域110e(包括分隔的部分1101e、1102e)。暴露区域110e(或者换句话说，每个部分1101e、1102e)的高度h
110e
可以大于或等于10nm，在一些非限制性实施例中，可以在约40nm至约160nm的范围内。
26.帽盖元件112可以包括相对于开关元件110具有高蚀刻选择性的帽盖材料。例如，帽盖元件112可以包括相对于开关元件110具有大于5的蚀刻选择性的帽盖材料。例如，帽盖元件112可以包括nblok(氮掺杂的碳化硅)、氮化硅(sin)、化学气相沉积(cvd)碳或其组合。
27.存储器件100可以进一步包括第二电极114，第二电极114至少部分地布置在绝缘层104的凹槽106内。第二电极114可以包括活性电极材料，例如但不限于钽(ta)、氮化钽(tan)、铪(hf)、钛(ti)、氮化钛(tin)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)、钴(co)、钨(w)、其合金或其组合。
28.如图1所示，帽盖元件112可以布置在第二电极114和开关元件110之间，并且第二电极114可以邻接开关元件110的暴露区域110e。具体地，第二电极114的一部分114e可以在帽盖元件112上方延伸以接触开关元件110。参考图1，第二电极114可以包括沿着开关元件110的暴露区域110e并且进一步沿着帽盖元件112布置的衬里(liner)。衬里也可以延伸到第一阻挡层150中并穿过第一阻挡层150。衬里可以很薄，其厚度在约5nm至约15nm的范围内。这可以帮助减少用于制造存储器件100的活性电极材料的量，并因此降低该制造的成本。
29.存储器件100可以进一步包括至少部分地布置在凹槽106内的导电层116和导电区域118。如图1所示，导电层116可以沿着第二电极114的整个长度布置在第二电极114上方，并且导电区域118可以布置在导电层116上方以填充凹槽106的剩余部分。导电层116和导电区域118可以分别包括导电材料，例如但不限于铝、铜、钨、钽、氮化钽、钛、氮化钛、钴、其合
金或其组合。例如，导电层116可以包括钽、氮化钽或钴，导电区域118可以包括铜。替代地，导电层116可以包括钛或氮化钛，导电区域118可以包括钨。在图1中，导电层116和导电区域118被示出为包括不同的材料，但是在替代的非限制性实施例中，导电层116和导电区域118可以包括相同的材料。
30.如图1所示，存储器件100还可以包括布置在绝缘层104上方的另外的绝缘层120，以及位于绝缘层104和该另外的绝缘层120之间的第二阻挡层152。该另外的绝缘层120可以是层间电介质(ild)层并可以包括绝缘材料，例如但不限于氧化硅、二氧化硅、氮化硅或其组合。该另外的绝缘层120、绝缘层104和基底层102可以包括相同的材料，但是替代地，这些层102、104、120中的至少两者可以包括不同的材料。第二阻挡层152可以包括阻挡材料，例如但不限于nblok(氮掺杂的碳化硅)。
31.存储器件100还可以包括多个接触，其中包括第一接触122、第二接触124、第三接触126、第四接触128、第五接触130和第六接触132。存储器件100还可以包括多个连接器(connector)，其中包括第一连接器134、第二连接器136、第三连接器138和第四连接器140。如图1所示，第一接触122和第二接触124可以布置在基底层102内，并且可以通过基底层102的一部分彼此电隔离。第一接触122可以接触第二电极114；而第二接触124可以通过第一连接器134电连接到第三接触126。特别地，第三接触126可以布置在绝缘层104内，并且第一连接器134可以穿过绝缘层104和第一阻挡层150从第三接触126延伸到第二接触124。第三接触126转而可以通过第二连接器136连接到第四接触128，其中第二连接器136可以穿过另外的绝缘层120和第二阻挡层152而在第三和第四接触126、128之间延伸。此外，如图1所示，第五接触130可以通过第三连接器138电连接到第一电极108的第一部分1081；而第六接触132可以通过第四连接器140电连接到第一电极108的第二部分1082。第五和第六接触130、132可以布置在另外的绝缘层120内，第三和第四连接器138、140可以延伸穿过另外的绝缘层120和第二阻挡层152进入绝缘层104中。
32.如上所述，第一阻挡层150可以布置在绝缘层104和基底层102之间，第二阻挡层152可以布置在另外的绝缘层120和绝缘层104之间。第一阻挡层150可帮助减少导电材料从第二接触124扩散到绝缘层104中的量；而第二阻挡层152可帮助减少导电材料从第三接触126、导电层116和导电区域118扩散到另外的绝缘层120中的量。第一和第二阻挡层150、152可以是可选的。例如，可以省略第一阻挡层150，并且第二电极114可以沿着凹槽106的底面106b延伸。
33.图2a至图2l示出了根据各种非限制性实施例的示例用于制造存储器件100的方法的简化截面图。为了简单起见，在图2a至图2l中未标注尺寸h
110e
、h
112
、h
108
/h
110
/t
104
、开关元件110的暴露区域110e和第二电极114的部分114e。
34.参考图2a，该方法可以首先包括提供基底层102，以及在基底层102内形成第一和第二接触122、124。例如，首先在其上将要形成存储器件100的表面上方沉积绝缘材料，然后蚀刻该绝缘材料以形成开口。接着用导电材料填充开口以在基底层102内形成接触122、124。如图2a所示，该方法还可以包括在基底层102上方形成第一阻挡层150(例如，通过沉积阻挡材料)。接下来，可以在第一阻挡层150上方形成绝缘层104，并且可以在绝缘层104内形成第三接触126和第一连接器134。例如，第一绝缘材料可以沉积在第一阻挡层150上方。第一绝缘材料和第一阻挡层150可被蚀刻以形成开口，并且可以在此开口中沉积导电材料以
形成第一连接器134。然后可以在第一绝缘材料上方沉积第二绝缘材料，然后蚀刻第二绝缘材料以形成开口。可以在此开口中沉积导电材料以形成第三接触126。然后在第二绝缘材料上方沉积阻挡材料以形成中间阻挡层202。接着在单个蚀刻工艺中蚀刻中间阻挡层202、第一绝缘材料和第二绝缘材料以形成具有凹槽106的绝缘层104。
35.参考图2b和图2c，该方法可以进一步包括形成第一电极108。如图2b所示，该方法可以包括在中间阻挡层202上方和凹槽106中沉积电极材料204，使得电极材料204可以对凹槽106的侧壁106s1、106s2和底面106b加衬(line)。如图2c所示，然后可以(例如，通过间隔物蚀刻工艺)去除凹槽106外部的电极材料204和沿着凹槽106的底面106b的电极材料204的一部分。这由此可以形成第一电极108的第一和第二部分1081、1082。
36.参考图2d和图2e，该方法可以进一步包括形成开关元件110。如图2d所示，该方法可以包括在中间阻挡层202上方和凹槽106中沉积开关材料206，使得开关材料206可以对第一电极108和凹槽106的底面106b加衬。如图2e所示，然后可以(例如，通过间隔物蚀刻工艺)去除凹槽106外部的开关材料206和沿着凹槽106的底面106b的开关材料206的一部分，以形成开关元件110的第一和第二部分1101、1102。
37.参考图2f、2g和2h，该方法可以进一步包括形成帽盖元件112。如图2f所示，形成帽盖元件112可以包括在中间阻挡层202上方和绝缘层104的凹槽106中沉积帽盖材料208，使得帽盖材料208可以对开关元件110和凹槽106的底面106b加衬。如图2g所示，然后可以(例如，使用单个蚀刻工艺)去除凹槽106外部的帽盖材料208。对凹槽106的底面106b加衬的帽盖材料208的一部分也可以与其下方的第一阻挡层150的一部分一起被去除。如图2h所示，随后可以去除对开关元件110加衬的帽盖材料208的一部分，以形成具有第一和第二区段1121、1122的帽盖元件112。这可以通过过蚀刻工艺或回蚀工艺来完成。如图2h进一步所示，该方法还可以包括去除中间阻挡层202。
38.参考图2i、2j和2k，该方法可以进一步包括形成第二电极114、导电层116和导电区域118。如图2i所示，该方法可以包括在绝缘层104、第一电极108、开关元件110、帽盖元件112和基底层102上方形成活性电极衬里210。该方法可以进一步包括在活性电极衬里210上方形成中间导电层212，以及在中间导电层212上方沉积导电材料214。如图2j所示，该方法可以进一步包括去除中间导电层212上方的一部分导电材料214。这可以通过例如第一化学机械抛光(cmp)工艺来完成。如图2k所示，该方法然后可以包括去除凹槽106外部的活性电极衬里210的一部分和中间导电层212的一部分，以分别形成第二电极114和导电层116。也可以去除导电材料214的另一部分以形成导电区域118，使得导电区域118的顶面与绝缘层104的顶面104t对齐。可以使用第二cmp工艺去除活性电极衬里210、中间导电层212和导电材料214的一部分。
39.参考图2l，该方法可以进一步包括形成第二阻挡层152、另外的绝缘层120、接触128、130、132，以及连接器136、138、140。特别地，该方法可以包括在第一绝缘层104上方沉积阻挡材料以形成第二阻挡层152。然后可以在第二阻挡层152上方沉积第一绝缘材料。可以蚀刻第一绝缘材料、第二阻挡层152和绝缘层104以形成开口，然后可以用导电材料填充开口以形成连接器136、138、140。随后可以在第一绝缘材料上方沉积第二绝缘材料，并蚀刻第二绝缘材料以形成开口。这些开口可以用导电材料填充以形成接触128、130、132。第一绝缘材料和第二绝缘材料可以一起形成另外的绝缘层120。
40.上面描述的该方法的顺序仅旨在示例性的，该方法不限于上面具体描述的顺序，除非另外具体地说明。
41.在使用中，当在第一电极108的第一部分1081和第二电极114之间(例如，使用第一和第五接触122、130)施加足够高的电势差时，可以在开关元件110的第一部分1101内形成位于第一电极108的第一部分1081和第二电极114之间的导电丝。类似地，当在第一电极108的第二部分1082和第二电极114之间(例如，使用第一和第六接触122、132)施加足够高的电势差时，可以在开关元件110的第二部分1102内形成位于第一电极108的第二部分1082和第二电极114之间的导电丝。由于帽盖元件112将第二电极114与开关元件110分隔开，因此导电丝被限制在开关元件110的较小区域内，具体地，限制在邻接第二电极114的开关元件110的暴露区域110e的部分1101e/1102e内。
42.第一电极108的第一部分1081和第二电极114之间的导电丝的形成可以独立于第一电极108的第二部分1082和第二电极114之间的导电丝的形成。存储器件100因此可用作两位存储器件。此外，由于导电丝可以被限制在开关元件110的较小区域内，因此可以减小导电丝形成的随机性和存储器件100的电阻可变性。换句话说，可以实现存储器件100的性能的更大的一致性。存储器件100的开关电压也可以更低，并因此转而可以降低功耗。
43.另外，如上所述，第一电极108、开关元件110和帽盖元件112可以基本上平行于彼此且平行于凹槽106的相对的侧壁106s1、106s2延伸。通过此布置，为了形成帽盖元件112而对帽盖材料进行的蚀刻可以减少对邻接第二电极114的开关元件110的表面的损伤。此外，可以更容易地形成帽盖元件112，并且开关元件110的暴露区域110e的尺寸可以更少地依赖于光刻限制。
44.如上所述，在存储器件100中，第二电极114的部分114e可以在帽盖元件112上方延伸以接触开关元件110。然而，在替代的非限制性实施例中，第二电极114的部分114e可以以其他方式跨帽盖元件112延伸以接触开关元件110。
45.图3示出了根据替代的非限制性实施例的存储器件300。存储器件300与存储器件100相似，因此，共同的特征用相同的参考标号来标记并且无需讨论。
46.参考图3，帽盖元件112可以类似地包括第一区段1121和第二区段1122，第一区段和第二区段中的每一者可以是连续区段。然而，与存储器件100相比，帽盖元件112的基底面112b不与第一电极108和开关元件110的基底面108b、110b横向对齐。而是，帽盖元件112、第一电极108和开关元件110的顶面112t、108t、110t可以横向对齐。如上所述，帽盖元件112的顶面112t可以是弯曲的或倾斜的。在这样的非限制性实施例中，“表面108t、110t、112t横向对齐”意味着第一电极108和开关元件110的顶面108t、110t可以与顶面112t的最高点横向对齐，与该顶面112t的最低点横向对齐，或者与该顶面112t的最高点和最低点之间的任何点横向对齐。第二电极114的一部分114e可以在帽盖元件112的下方延伸以接触开关元件110。在非限制性实施例中，邻接第二电极114的开关元件110的暴露区域110e的高度h
110e
也可以大于或等于10nm，并且可以在约40nm至约160nm的范围内。
47.在不脱离本发明的精神或基本特性的情况下，本发明可以以其他特定形式体现。因此，前述实施例在所有方面都被认为是示例性的，而不是限制本文描述的发明。因此，本发明的范围由所附权利要求书而不是由前述说明书指示，并且落入权利要求的等同物的含义和范围内的所有改变旨在被包含在其中。