技术特征:
1.一种单晶粉末,其平均粒径为30~300nm,所述单晶粉末的特征在于,所述单晶粉末由以下通式表示,(r1‑
z
m
z
)t
x
所述单晶粉末具有tbcu7的亚稳态晶体结构,式中,r是从由nd和sm组成的组中选出的至少一种元素,m是从由zr、y以及ce组成的组中选出的至少一种元素,t是从由fe和co组成的组中选出的至少一种元素,7.0≤x≤10.0,0.0≤z≤0.3。2.根据权利要求1所述的单晶粉末,其中,r为nd。3.根据权利要求1所述的单晶粉末,其中,r为sm。4.一种单晶粉末,其平均粒径为30~300nm,所述单晶粉末的特征在于,所述单晶粉末由以下通式表示,(r1‑
z
m
z
)t
x
n
y
所述单晶粉末具有tbcu7的亚稳态晶体结构,式中,r是从由nd和sm组成的组中选出的至少一种元素,m是从由zr、y以及ce组成的组中选出的至少一种元素,t是从由fe和co组成的组中选出的至少一种元素,7.0≤x≤10.0,1.0≤y≤2.0,0.0≤z≤0.3。5.根据权利要求4所述的单晶粉末,其中,r为nd。6.根据权利要求4所述的单晶粉末,其中,r为sm。7.根据权利要求1至6中任一项所述的单晶粉末,其中,所述单晶粉末用作永磁体材料。8.一种单晶粉末的制造方法,其是制造权利要求1至3中任一项所述的单晶粉末的方法,其特征在于,将r与m与t的混合粉或合金粉作为原料粉,使原料金属粉蒸发,所述r是从由nd和sm组成的组中选出的至少一种元素,所述m是从由zr、y以及ce组成的组中选出的至少一种元素,所述t是从由fe和co组成的组中选出的至少一种元素。9.一种单晶粉末的制造方法,其是制造权利要求4至6中任一项所述的单晶粉末的方法,其特征在于,在200℃~600℃的范围条件下,使氮原子侵入由以下通式表示的单晶粉末,该由以下通式表示的单晶粉末具有tbcu7的亚稳态晶体结构且平均粒径为30~300nm,(r1‑
z
m
z
)t
x
式中,r是从由nd和sm组成的组中选出的至少一种元素,m是从由zr、y以及ce组成的组中选出的至少一种元素,t是从由fe和co组成的组中选出的至少一种元素,7.0≤x≤10.0,0.0≤z≤0.3。
技术总结
本发明的具有TbCu7晶体结构的单晶粒子粉末,其特征在于,由通式(1)或通式(2)(式中,R是从由Sm和Nd组成的组中选出的至少一种元素,T是从由Fe和Co组成的组中选出的至少一种元素,7.0≤x≤10.0,1.0≤y≤2.0,0.0≤z≤0.3)表示,所述单晶粒子粉末具有TbCu7的晶体结构,(R1‑
技术研发人员:平山悠介 细川明秀 高木健太
受保护的技术使用者:国立研究开发法人产业技术综合研究所
技术研发日:2020.03.13
技术公布日:2021/11/19
再多了解一些
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