电量数据存储装置、方法、控制器及多联机系统与流程

1.本技术属于电量存储技术领域，具体涉及一种电量数据存储装置、方法、控制器及多联机系统。


背景技术：

2.目前很多电器例如空调具备电量计量功能，电量计量功能根据所需要计算的电量参数，往往需要存储大量的电量数据，这些电量数据需要定时写进具备存储功能的芯片中。但是受存储芯片擦写次数限制，不可能无限制地进行擦写，并且频繁擦写操作影响存储芯片寿命；另外，在机组异常掉电时，由于未及时将掉电前电量数据写入存储芯片，导致电量数据不准确。


技术实现要素：

3.为至少在一定程度上克服电量数据存储过程中，频繁擦写操作影响存储芯片寿命，在机组异常掉电时，由于未及时将掉电前电量数据写入存储芯片，导致电量数据不准确的问题，本技术提供一种电量数据存储装置、方法、控制器及多联机系统。
4.第一方面，本技术提供一种电量数据存储装置，包括：
5.光耦检测电路，所述光耦检测电路的输入端与供电电源连接，所述光耦检测电路的输出端用于输出电平信号，所述电平信号根据供电电源的输出电压变化而发生变化；
6.控制模块，与所述光耦检测电路连接，用于获取所述光耦检测电路的输出电平信号，根据所述输出电平信号判断是否发生掉电事件；
7.存储模块，与所述控制模块连接，用于在发生掉电事件时对电量数据进行存储。
8.进一步的，所述光耦检测电路，包括：
9.第一光耦芯片和第二光耦芯片；
10.第一二极管，所述第一光耦芯片的输入正极与所述第一二极管的输出端连接，所述第一二极管的输入端与供电电源火线连接，所述第一光耦芯片的输入负极与供电电源零线连接，所述第一光耦芯片的输出端连接第一输出端，在所述第一光耦芯片导通时，第一输出端输出低电平，否则第一输出端输出高电平；
11.第二二极管，所述第二光耦芯片的输入正极与所述第二二极管的输出端连接，所述第二二极管的输入端与供电电源零线连接，所述第二光耦芯片的输入负极与供电电源火线连接，所述第二光耦芯片的输出端连接第二输出端，在所述第二光耦芯片导通时，第二输出端输出低电平，否则第二输出端输出高电平。
12.进一步的，还包括：
13.第一限流电阻，所述第一限流电阻设置在所述第一光耦芯片与所述第一二极管之间；
14.第二限流电阻，所述第二限流电阻设置在所述第二光耦芯片与所述第二二极管之间。
15.进一步的，还包括：
16.第一上拉电阻，所述第一上拉电阻与所述第一光耦芯片的输出端连接；
17.第二上拉电阻，所述第二上拉电阻与所述第二光耦芯片的输出端连接。
18.进一步的，还包括：
19.交流滤波模块，所述光耦检测电路设置在供电电源与所述交流滤波模块之间。
20.进一步的，还包括：
21.整流滤波模块，所述整流滤波模块设置在所述交流滤波模块与负载之间。
22.进一步的，所述整流滤波模块包括：
23.整流桥和滤波电容，所述滤波电容并联在所述整流桥的输出端。
24.进一步的，还包括：
25.负温度系数热敏电阻，所述负温度系数热敏电阻设置所述交流滤波模块与整流滤波模块之间，用于抑制浪涌电流。
26.第二方面，本技术提供一种电量数据存储方法，包括：
27.检测与供电电源输连接的光耦检测电路输出端的电平信号；
28.根据所述光耦检测电路输出端的电平信号判断是否发生掉电事件；
29.在发生掉电事件时对电量数据进行存储。
30.进一步的，还包括：
31.设置检测周期，根据检测周期检测与供电电源输连接的光耦检测电路输出端的电平信号；
32.所述检测周期t＝(t1 t2)/10，检测周期t单位为秒，其中t1为光耦检测电路中第一光耦芯片输出高电平时长；t2为光耦检测电路中第一光耦芯片输出低电平时长。
33.进一步的，所述根据所述光耦检测电路输出端的电平信号判断是否发生掉电事件，包括：
34.若第一光耦芯片输出端输出电平与第二光耦芯片输出端输出电平相反，且第一预设时长内第一光耦芯片输出端输出电平发生一次翻转，则判定供电正常；
35.若连续第二预设时长检测到第一光耦芯片输出端输出电平与第二光耦芯片输出端输出电平均为高电平，则认为发生掉电事件；
36.若连续第三预设时长检测到第一光耦芯片输出端输出电平与第二光耦芯片输出端输出电平均为低电平或第一光耦芯片输出端输出电平与第二光耦芯片输出端输出电平一直无翻转，则判定光耦检测电路异常。
37.进一步的，还包括：
38.在光耦检测电路异常时发送提示信息，所述提示信息包括推送通知、显示页面电量预警异常。
39.第三方面，本技术提供一种控制器，包括：
40.如第一方面所述的电量数据存储装置。
41.第四方面，本技术提供一种多联机系统，包括：
42.外机、压缩机驱动、多个内机和多个线控器；
43.所述外机中设有如第三方面所述的控制器；
44.所述控制器与所述压缩机驱动连接；
45.每个线控器连接一个内机，所述线控器用于显示对应内机的电量。
46.本技术的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
47.本发明实施例提供的电量数据存储装置、方法、控制器及多联机系统，电量数据存储装置包括光耦检测电路，光耦检测电路的输入端与供电电源连接，光耦检测电路的输出端用于输出电平信号，电平信号根据供电电源的输出电压变化而发生变化，控制模块，与光耦检测电路连接，用于获取光耦检测电路的输出电平信号，根据输出电平信号判断是否发生掉电事件，存储模块，与控制模块连接，用于在发生掉电事件时对电量数据进行存储，在不必频繁擦写存储芯片的前提下，通过硬件电路检测是否发生掉电事件以实现及时存储电量数据，延长存储芯片寿命，提高存储电量数据的准确性。
48.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本技术。
附图说明
49.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本技术的实施例，并与说明书一起用于解释本技术的原理。
50.图1为本技术一个实施例提供的一种电量数据存储装置的功能结构图。
51.图2为本技术一个实施例提供的一种电量数据存储装置的电路图。
52.图3为本技术一个实施例提供的一种电量数据存储方法的流程图。
53.图4为本技术一个实施例提供的一种多联机系统的功能结构图。
具体实施方式
54.为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本技术的技术方案进行详细的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所得到的所有其它实施方式，都属于本技术所保护的范围。
55.图1为本技术一个实施例提供的电量数据存储装置的功能结构图，如图1所示，该电量数据存储装置，包括：
56.光耦检测电路11，光耦检测电路的输入端与供电电源连接，光耦检测电路的输出端用于输出电平信号，电平信号根据供电电源的输出电压变化而发生变化；
57.控制模块12，与光耦检测电路连接，用于获取光耦检测电路的输出电平信号，根据输出电平信号判断是否发生掉电事件；
58.存储模块13，与控制模块连接，用于在发生掉电事件时对电量数据进行存储。
59.传统电量数据存储方法需要定时将电量数据写进具备存储功能的芯片中。但是受存储芯片擦写次数限制，不可能无限制地进行擦写，并且频繁擦写操作影响存储芯片寿命；另外，在机组异常掉电时，由于未及时将掉电前电量数据写入存储芯片，导致电量数据不准确，例如，需要设置间隔时间为t分钟存储一次电量。如果还未到间隔时间机组发生异常掉电了，就会丢失间隔时间内的电量数据，导致存储电量数据存在不准确。
60.本实施例中，电量数据存储装置包括光耦检测电路，光耦检测电路的输入端与供电电源连接，光耦检测电路的输出端用于输出电平信号，电平信号根据供电电源的输出电
压变化而发生变化，控制模块，与光耦检测电路连接，用于获取光耦检测电路的输出电平信号，根据输出电平信号判断是否发生掉电事件，存储模块，与控制模块连接，用于在发生掉电事件时对电量数据进行存储，在不必频繁擦写存储芯片的前提下，通过硬件电路检测是否发生掉电事件以实现及时存储电量数据，延长存储芯片寿命，提高存储电量数据的准确性。
61.本发明实施例提供另一种电量数据存储装置，如图2所示的电路图，该电量数据存储装置，包括：
62.光耦检测电路，光耦检测电路的输入端与供电电源连接，光耦检测电路的输出端用于输出电平信号，电平信号根据供电电源的输出电压变化而发生变化；
63.光耦检测电路，包括：
64.第一光耦芯片u1和第二光耦芯片u2；
65.第一二极管d3，第一光耦芯片u1的输入正极与第一二极管d3的输出端连接，第一二极管d3的输入端与供电电源火线l1连接，第一光耦芯片u1的输入负极与供电电源零线n连接，第一光耦芯片u1的输出端连接第一输出端mcu
‑
a，在第一光耦芯片导通u1时，第一输出端mcu
‑
a输出低电平，否则第一输出端mcu
‑
a输出高电平；
66.第二二极管d2，第二光耦芯片u2的输入正极与第二二极管d2的输出端连接，第二二极管d2的输入端与供电电源零线n连接，第二光耦芯片u2的输入负极与供电电源火线l1连接，第二光耦芯片u2的输出端连接第二输出端mcu
‑
b，在第二光耦芯片u2导通时，第二输出端mcu
‑
b输出低电平，否则第二输出端mcu
‑
b输出高电平。
67.还包括：
68.第一限流电阻r7，第一限流电阻r7设置在第一光耦芯片u1与第一二极管d3之间，用于对输入到第一光耦芯片u1的电流大小进行控制；
69.第二限流电阻r6，第二限流电阻r6设置在第二光耦芯片u2与第二二极管之间d2，用于对输入到第二光耦芯片u2的电流大小进行控制。
70.第一上拉电阻r4，第一上拉电阻r4与第一光耦芯片u1的输出端连接；
71.第二上拉电阻r1，第二上拉电阻r1与第二光耦芯片u2的输出端连接。
72.上拉电阻用于在第一光耦芯片u1的输出端或第二光耦芯片u2的输出端存在不确定的信号时通过上拉电阻钳位在高电平,上拉电阻同时起限流作用。
73.交流滤波模块，光耦检测电路设置在供电电源与交流滤波模块之间。
74.交流滤波模块用于对输入的交流电流进行滤波，滤除交流电流的谐波，保证输入电流无噪声。
75.整流滤波模块，整流滤波模块设置在交流滤波模块与负载之间。
76.整流滤波模块包括：
77.整流桥db1和滤波电容c4，滤波电容c4并联在整流桥db1的输出端。
78.整流滤波模块用于对输入的交流电流进行整流滤波，保证负载的输入电压稳定。
79.负温度系数热敏电阻r5，负温度系数热敏电阻r5设置交流滤波模块与整流滤波模块之间，用于抑制浪涌电流。
80.控制模块，与光耦检测电路连接，用于获取光耦检测电路的输出电平信号，根据输出电平信号判断是否发生掉电事件；
81.存储模块，与控制模块连接，用于在发生掉电事件时对电量数据进行存储。
82.一些实施例中，控制模块与存储模块集中设置在一个控制器中。
83.本实施例中，通过在硬件上增加光耦检测电路，在主芯片掉电前及时存储电量数据，在机组掉电前执行一次写电量数据操作，从而保证了存储的电量数据的准确性。
84.本发明实施例提供一种电量数据存储方法，如图3所示的流程图，该电量数据存储方法包括：
85.s31：检测与供电电源输连接的光耦检测电路输出端的电平信号；
86.s32：根据光耦检测电路输出端的电平信号判断是否发生掉电事件；
87.一些实施例中，根据光耦检测电路输出端的电平信号判断是否发生掉电事件，包括：
88.若第一光耦芯片输出端输出电平与第二光耦芯片输出端输出电平相反，且第一预设时长内第一光耦芯片输出端输出电平发生一次翻转，则判定供电正常；
89.若连续第二预设时长检测到第一光耦芯片输出端输出电平与第二光耦芯片输出端输出电平均为高电平，则认为发生掉电事件；
90.若连续第三预设时长检测到第一光耦芯片输出端输出电平与第二光耦芯片输出端输出电平均为低电平或第一光耦芯片输出端输出电平与第二光耦芯片输出端输出电平一直无翻转，则判定光耦检测电路异常。
91.s33：在发生掉电事件时对电量数据进行存储。
92.一些实施例中，还包括：
93.设置检测周期，根据检测周期检测与供电电源输连接的光耦检测电路输出端的电平信号；
94.检测周期t＝(t1 t2)/10，检测周期t单位为秒，其中t1为光耦检测电路中第一光耦芯片输出高电平时长；t2为光耦检测电路中第一光耦芯片输出低电平时长。
95.例如供电电源的有效值为u0v，频率为fhz：在电源正常工作时，u1导通时，mcu
‑
a检测为低电平，同时u2截止，mcu
‑
b检测为高电平；u2导通时，mcu
‑
b检测为低电平，同时u1截止，mcu
‑
a检测为高电平。mcu
‑
a和mcu
‑
b端电平以1/fs为周期进行周期性变化，如图3所示(t1 t2＝1/f)，t1为mcu
‑
a或mcu
‑
b输出的高电平时长，t2为mcu
‑
a或mcu
‑
b输出的低电平时长。当电源切断时，a和b均变为高电平。
96.设光耦芯片u1、u2的开启电压为v0，图中t2‑
t1＝2t1.
97.则v0＝u0*sin(wt1)，
98.wt1＝arcsin(u0/v0)，其中w＝2πf。
99.因为光耦芯片开启电压v0较小，因此t1较小，采用周期t＝(t1 t2)/10s远大于t1，因此，t1时长在设置检测周期时可忽略，并且检测周期设置为t＝(t1 t2)/10s可以保证检测的及时性。
100.根据上述检测周期设置第一预设时长例如为10ts,第二预设时长例如为3ts,第三预设时长例如为20ts。
101.一些实施例中，还包括：
102.在光耦检测电路异常时发送提示信息，所述提示信息包括推送通知、显示页面电量预警异常。
103.本实施例中，通过检测与供电电源输连接的光耦检测电路输出端的电平信号，根据光耦检测电路输出端的电平信号判断是否发生掉电事件，在发生掉电事件时对电量数据进行存储，延长存储芯片寿命，提高存储电量数据的准确性。
104.本发明实施例提供一种控制器，包括：
105.如上述实施例所述的电量数据存储装置。
106.本发明实施例提供一种多联机系统，包括：
107.外机、压缩机驱动、多个内机和多个线控器；
108.所述外机中设有如上述实施例所述的控制器；
109.所述控制器与所述压缩机驱动连接；
110.每个线控器连接一个内机，所述线控器用于显示对应内机的电量。
111.如图4所示，由于空调消耗功率为内外机总功率之和，空调内机采集和计算内机总功率p
内
并通过通讯网络1发送给外机，压缩机驱动采集和计算压缩机以及驱动板的功率并通过通讯网络2发送给外机控制器，空调外机控制器采集和计算外机总功率p
外
，至此，外机可以获取每台内机的功率和外机自身的总功率。因此采取由外机控制器计算各个设备的耗电电量的方式，将各个设备的耗电量都存储在外机控制器上即可实现电量数据的存储。
112.可以理解的是，上述各实施例中相同或相似部分可以相互参考，在一些实施例中未详细说明的内容可以参见其他实施例中相同或相似的内容。
113.需要说明的是，在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是指至少两个。
114.流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且本技术的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本技术的实施例所属技术领域的技术人员所理解。
115.应当理解，本技术的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如，如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(pga)，现场可编程门阵列(fpga)等。
116.本技术领域的普通技术人员可以理解实现上述实施例方法携带的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，该程序在执行时，包括方法实施例的步骤之一或其组合。
117.此外，在本技术各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理模块中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能模块的形式实现。所述集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，也可以存储在一个计算机可读取存储介质中。
118.上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
119.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
120.尽管上面已经示出和描述了本技术的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本技术的限制，本领域的普通技术人员在本技术的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
121.需要说明的是，本发明不局限于上述最佳实施方式，本领域技术人员在本发明的启示下都可得出其他各种形式的产品，但不论在其形状或结构上作任何变化，凡是具有与本技术相同或相近似的技术方案，均落在本发明的保护范围之内。