光感测电路的制作方法

1.本发明关于一种感测电路，尤其是关于光感测电路。


背景技术：

2.光感测技术已广泛应用于许多电子装置，尤其是应用于具显示功能的电子产品，例如移动电话、平板计算机等。光感测技术普遍用于感测环境光的强度(亮度)，以对应调整显示面板显示画面的亮度。现今技术大都设置一光传感器于电子装置，如此增加电子装置的组件数量。现今相关业者提出在显示面板中设置光感测电路，如此可不需额外设置光传感器于电子装置。然而，设置光感测电路于显示面板中，可能会降低显示面板的像素分辨率，甚至是开口率(aperture ratio)，而可能影响显示质量。
3.因此，本发明提出一种光感测电路，其可运用显示面板的像素结构而感测光，以解决上述习用技术的问题。


技术实现要素：

4.本发明的目的，在于提供一种光感测电路，其侦测显示面板的像素结构的电性状态，以感测光的强度，如此可免于额外设置光感测电路于显示面板，也可不需额外设置光传感器于电子装置，而节省成本。
5.本发明揭示一种光感测电路，其运用于具有多个像素结构的一显示面板，每一像素结构包含一晶体管，晶体管耦接显示面板的一栅极线与一源极线，并受控于栅极线的一栅极讯号，且接收源极线的一源极讯号，光感测电路包含一侦测电路，其侦测该些像素结构的一电性状态，以感测光。
附图说明
图1：其为本发明的光感测电路运用于显示模块的一实施例的示意图；图2：其为本发明的显示面板的一像素结构的示意图；图3：其为本发明的像素结构的液晶电容的电容量对储存电压的曲线图；图4：其为本发明的光感测电路的第二实施例的电路图；图5：其为本发明的光感测电路的第三实施例的电路图；图6：其为本发明的光感测电路的第四实施例的电路图；图7：其为本发明的光感测电路的第五实施例的电路图；图8：其为本发明的光感测电路感测环境光的强度的第一实施例的示意图；图9：其为本发明的光感测电路感测环境光的强度的第二实施例的示意图；图10：其为本发明的光感测电路感测环境光的强度的第三实施例的示意图；以及图11：其为本发明的光感测电路感测环境光的强度的一查找表的一实施例的示意图。【图号对照说明】
10
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面板11
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栅极线13
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源极线15
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像素结构17
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晶体管20
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栅极驱动电路30
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源极驱动电路40
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侦测电路41
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感测驱动电路43
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接收电路45
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禁能电路47
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控制电路49
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判断电路a1
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区域a2
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区域a3
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区域bl
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背光区域c
gd
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寄生电容c
ito
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寄生电容cl
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液晶电容com
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共用电极com0
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共用电极com1
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共用电极com2
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共用电极com3
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共用电极com4
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共用电极com5
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共用电极cs
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储存电容c
sd
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寄生电容cur1
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曲线cur2
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曲线g0～gn
‑1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
栅极线i
l
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电流light
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光s0～sn
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源极线vcom_tx
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感测驱动讯号vg0～vgn
‑1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
栅极讯号vs0～vsn
‑1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
源极讯号
具体实施方式
6.为了使本发明的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，特用较佳的实施例及配合详细的说明，说明如下：
7.在说明书及请求项当中使用了某些词汇指称特定的组件，然，所属本发明技术领域中具有通常知识者应可理解，制造商可能会用不同的名词称呼同一个组件，而且，本说明书及请求项并不以名称的差异作为区分组件的方式，而是以组件在整体技术上的差异作为区分的准则。在通篇说明书及请求项当中所提及的“包含”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。再者，“耦接”一词在此包含任何直接及间接的连接手段。因此，若文中描述一第一装置耦接一第二装置，则代表第一装置可直接连接第二装置，或可透过其他装置或其他连接手段间接地连接至第二装置。
8.请参阅图1，其为本发明的光感测电路运用于显示模块的一实施例的示意图。如图所示，本发明的显示模块包含一面板10、一栅极驱动电路20、一源极驱动电路30。面板10包含多个栅极线11(g0～gn
‑
1)、多个源极线13(s0～sn
‑
1)及多个像素结构15，该些栅极线11与该些源极线13相互交错，该些像素结构15位于交错处，每一像素结构15可包含一晶体管17、一液晶电容cl及一储存电容cs。晶体管17的栅极与源极分别耦接栅极线11与源极线13，晶体管17的漏极耦接液晶电容cl的一第二端与储存电容cs的一第二端，液晶电容cl的一第一端耦接于一共用电极com，储存电容cs的一第一端耦接于共用电极com或者一接地端。晶体管17可为薄膜晶体管(tft)。栅极驱动电路20耦接该些栅极线11，并输出多个栅极讯号vg0、vg1～vgn
‑
1至该些栅极线11，该些栅极线11分别传输该些栅极讯号vg0、vg1～vgn
‑
1至每一列的像素结构15的晶体管17的栅极，以控制该些像素结构15的晶体管17。源极驱动电路30耦接该些源极线13，并输出多个源极讯号vs0、vs1～vsn
‑
1至每一行的像素结构15的晶体管17的源极，而对该些像素结构15的液晶电容cl充电，以驱动该些像素结构15显示影像。
9.本发明的光感测电路包含一侦测电路40，其耦接该些源极线13，以侦测该些源极线13的一电流或者一电压，而可侦测该些像素结构15的电性状态，以产生多个光侦测讯号，该些光侦测讯号可表示光的强度(亮度)。本发明的光感测电路运用于显示面板10的详细说明如下。该些光侦测讯号可提供至一主机，例如电子装置的微处理器，以供电子装置得知光的强度。
10.请参阅图2，其为本发明的显示面板的一像素结构的示意图。下述以位于栅极线g1与源极线s1的交错处的像素结构15进行说明，其余像素结构15皆相同。像素结构15的晶体管17受控于栅极线g1的栅极讯号vg1而截止时，例如栅极讯号vg1的电压准位为低电压准位，使得晶体管17的栅极与源极间的电压差小于晶体管17的门坎电压，晶体管17的源极与漏极间仍会有一电流i
l
，电流i
l
流经晶体管17的源极与漏极，电流i
l
为晶体管17的漏电流。电流i
l
的大小与光light的强度成比例关系，光light的强度越高则电流i
l
越大，所以电流i
l
可称为光电流。因此，运用像素结构15的晶体管17的电特性，即可感测光light的强度。由于电流i
l
经过晶体管17的源极，所以其也会流动于源极线s1，如此侦测电路40侦测源极线s1的电流，即相当于侦测电流i
l
而可产生侦测讯号，以可感测光light的强度。此外，由于源极线s1的电压与电流成比例关系，侦测电路40侦测源极线s1的电压，即相当于侦测电流i
l
而亦可感测光light的强度。另外，侦测电路40亦可耦接像素结构15的晶体管17，而直接侦测电流i
l
并产生侦测讯号，以感测光light的强度。
11.承接上述，电流i
l
的流动方向决定于晶体管17的源极的电压与漏极的电压，晶体管17的源极的电压大于漏极的电压时，电流i
l
从晶体管17的源极流向漏极，而对液晶电容cl充电；晶体管17的源极的电压小于漏极的电压时，电流i
l
从晶体管17的漏极流向源极，即液晶电容cl放电，且电流i
l
的大小会影响液晶电容cl的充电与放电的速度。因此，于本发明的另一实施例中，侦测电路40可耦接像素结构17，并侦测液晶电容cl的储存电压，而产生侦测讯号，以可感测光light的强度。
12.请参阅图3，其为本发明的像素结构的液晶电容的电容量对储存电压的曲线图。如图所示，曲线cur1表示液晶电容cl的储存电压对应光light穿过显示面板10的相对穿透率的相对关系。从曲线cur1可知，储存电压会影响相对穿透率，储存电压越高相对穿透率越低，即表示显示面板10的亮度越低。曲线cur2为液晶电容cl的电容量对储存电压的相对关系。从曲线cur2可知，液晶电容cl的储存电压会影响液晶电容cl的电容量，储存电压大约介于1伏特至5伏特之间时，电容量与储存电压成正比例。基于此特性，于本发明的另一实施例中，侦测电路40可耦接像素结构17，并侦测液晶电容cl的电容量，而产生侦测讯号，以可感测光light的强度。图3的曲线cur1与曲线cur2仅为本发明的显示面板10的一实施例的特性曲线，不同显示面板10会有不同的特性曲线，图3的曲线cur1与曲线cur2仅为说明用，并不限制仅如于此。
13.基于上述液晶电容cl的电容量会随储存电压变化的特性下，藉由提供一感测驱动讯号vcom_tx(如图4至图7所示)至液晶电容cl的第一端耦接的共用电极com(如图1所示)，相当于提供感测驱动讯号vcom_tx至液晶电容cl的第一端，如此液晶电容cl的第二端的电压准位会变化，其变化正比例相关于液晶电容cl的电容量。因此，液晶电容cl的第二端的电压准位即与光light的强度有关。于本发明的一实施例中，侦测电路40可侦测液晶电容cl的第二端的电压准位，而产生光侦测讯号，以感测光light的强度。此外，晶体管17的漏极的电压准位等于液晶电容cl的第二端的电压准位，而晶体管17的源极与漏极间具有寄生电容c
sd
，所以液晶电容cl的第二端的电压准位会影响源极线s1的讯号的电压准位，源极线s1的讯号为源极感应讯号，其对应感测驱动讯号vcom_tx而产生，如此侦测源极线s1的源极感应讯号的电压准位，即可相当于可侦测液晶电容cl的第二端的电压准位，而可感测光light的强度。晶体管17的源极与液晶电容cl的第一端间具有一寄生电容c
ito
，寄生电容c
ito
是源极线s1与共用电极com的导线间的寄生电容，其电容量小，所以影响源极线s1的源极感应讯号的电压准位有限。于本发明的一实施例中，感测驱动讯号vcom_tx可包含至少一脉波，此脉波的准位包含一高准位与一低准位。
14.另外，如图2所示，晶体管17的栅极与漏极间具有寄生电容c
gd
，所以液晶电容cl的第二端的电压准位会影响栅极线g1的电压准位，栅极线g1的讯号为栅极感应讯号，其对应感测驱动讯号vcom_tx而产生，如此侦测栅极线g1的栅极感应讯号的电压准位，即可相当于侦测液晶电容的第二端的电压准位，而可感测光light的强度。晶体管17的栅极与液晶电容cl的第一端间具有一寄生电容c
ito
，此寄生电容c
ito
是栅极线g1与共用电极com的导线间的寄生电容，其电容量小，所以影响栅极线g1的栅极感应讯号的电压准位有限。上述侦测电路40可侦测源极线13的电流、源极线13的电压、晶体管17的电流i
l
、液晶电容cl的储存电压、液晶电容cl的电容量、栅极线11的栅极感应讯号或者源极线13的源极感应讯号，即侦测像素结构15的电性状态，以可产生光侦测讯号，由于像素结构15的电性状态会随光light的强
度而变化，如此侦测像素结构15的电性状态，即可感测光light的强度。以下例举实施例说明，提供感测驱动讯号vcom_tx至共用电极vom，并侦测该些栅极线11的栅极感应讯号与该些源极线13的源极感应讯号，而感测光light的强度。
15.请参阅图4，其为本发明的光感测电路的第二实施例的电路图。如图所示，光感测电路包含一感测驱动电路41与侦测电路。感测驱动电路41耦接显示面板10的共用电极com，并产生一感测驱动讯号vcom_tx至共用电极com。于本发明的一实施例中，显示面板10仅包含单一共用电极com，而对应所有像素结构15。于本发明的一实施例中，感测驱动电路41可为共享电压产生电路，其于一光感测周期产生感测驱动讯号vcom_tx至共用电极com，而在一显示周期产生一显示共享电压vcom_dsp至共用电极com，以搭配源极讯号vs0、vs1～vsn
‑
1驱使该些像素结构15显示影像。
16.此实施例以6条栅极线g0～g5与8条源极线s0～s7为例进行说明，但不以此为限。侦测电路包含多个接收电路43与多个禁能电路45，该些接收电路43与该些禁能电路45分别耦接该些栅极线g0～g5与该些源极线s0～s7。于本发明的一实施例中，每一栅极线g0～g5与每一源极线s0～s7个别耦接一接收电路43与一禁能电路45，即侦测电路耦接该些栅极线g0～g5与该些源极线s0～s7。耦接于该些栅极线g0～g5的该些接收电路43经由该些栅极线g0～g5接收栅极感应讯号，而耦接于该些源极线s0～s7的该些接收电路43经由该些源极线s0～s7接收源极感应讯号。
17.复参阅图4，该些禁能电路45用于禁能该些栅极线g0～g5与该些源极线s0～s7，驱使至少一栅极线g0～g5或/及至少一源极线s0～s7处于一禁能状态，而不会有栅极感应讯号或/及源极感应讯号。于本发明的一实施例中，禁能电路45提供一直流准位到至少一栅极线g0～g5或/及至少一源极线s0～s7，此直流准位包含一接地准位，而驱使栅极线g0～g5/源极线s0～s7不会产生栅极感应讯号/源极感应讯号。此外，禁能电路45可驱使至少一栅极线g0～g5或/及至少一源极线s0～s7的阻抗为高阻抗，而处于浮接状态，如此也可驱使栅极线g0～g5/源极线s0～s7不会产生栅极感应讯号/源极感应讯号。于本发明的一实施例中，该些禁能电路45也可整合为单一禁能电路，而可选择性禁能至少一栅极线g0～g5或/及至少一源极线s0～s7产生感应讯号。本发明的侦测电路更可包含一控制电路47，其耦接该些接收电路43与该些禁能电路45，以控制该些接收电路43与该些禁能电路45的运作。此外，更可包含一判断电路49，其耦接该些接收电路43，并接收该些栅极感应讯号与该些源极感应讯号，且依据该些栅极感应讯号与该些源极感应讯号产生光侦测讯号，以感测光light的强度。感测驱动电路41、判断电路49与侦测电路可整合于同一芯片，但不限于此。例如判断电路49可位于一主机，例如其为电子装置的微处理器。
18.请参阅图5，其为本发明的光感测电路的第三实施例的电路图。如图所示，此实施例与图4实施例的差异在于，该些栅极线g0～g5分群为多个栅极线群组，其包含第一栅极线群组与第二栅极线群组，第一栅极线群组包含栅极线g0～g2，第二栅极线群组包含栅极线g3～g5，此实施例以3条栅极线为一栅极线群组但不以此为限。另外，该些源极线s0～s7分群为多个源极线群组，其包含第一、第二、第三、第四源极线群组，第一源极线群组包含源极线s0～s1，第二源极线群组包含源极线s2～s3，第三源极线群组包含源极线s4～s5，第四源极线群组包含源极线s6～s7，此实施例以2条源极线为一源极线群组但不以此为限。每一栅极线群组与每一源极线线群组分别耦接一接收电路43与一禁能电路45，如此可减少接收电
路43与禁能电路45的数量，且可增加与共用电极com的耦合面积，提高感应讯号的强度。图4实施例系以1条栅极线为一栅极线群组，及以1条源极线为一源极线群组。
19.以下以图5实施例说明光感测电路的侦测方式，首先，感测驱动电路41提供感测驱动讯号vcom_tx至共用电极com，控制电路47控制耦接第一源极线群组(源极线s0～s1)的接收电路43经由第一源极线群组接收第一源极感应讯号，并传送第一源极感应讯号至判断电路49，同时控制电路47控制耦接第二(源极线s2～s3)、第三(源极线s4～s5)、第四(源极线s6～s7)源极线群组的禁能电路45驱使第二、第三、第四源极线群组处于禁能状态，控制电路47亦控制耦接第一(栅极线g0～g2)与第二(栅极线g3～g5)栅极线群组的禁能电路45而驱使第一、第二栅极线群组处于禁能状态；之后，感测驱动电路41提供感测驱动讯号vcom_tx至共用电极com，控制电路47控制耦接第二源极线群组的接收电路43经由第二源极线群组接收第二源极感应讯号，并传送第二源极感应讯号至判断电路49，同时控制电路47控制耦接第一、第三、第四源极线群组的禁能电路45而驱使第一、第三、第四源极线群组处于禁能状态，而第一、第二栅极线群组保持处于禁能状态；然后，感测驱动电路41提供感测驱动讯号vcom_tx至共用电极com，控制电路47控制耦接第三源极线群组的接收电路43经由第三源极线群组接收第三源极感应讯号，并传送至判断电路49，同时控制电路47控制耦接第一、第二、第四源极线群组的禁能电路45而驱使第一、第二、第四源极线群组处于禁能状态，而第一、第二栅极线群组保持处于禁能状态；接续，感测驱动电路41提供感测驱动讯号vcom_tx至共用电极com，控制电路47控制耦接第四源极线群组的接收电路43经由第四源极线群组接收第四源极感应讯号，并传送至判断电路49，同时控制电路47控制耦接第一、第二、第三源极线群组的禁能电路45而驱使第一、第二、第三源极线群组处于禁能状态，而第一、第二栅极线群组保持处于禁能状态。如此，判断电路49即可侦测照射于源极线群组的光light的强度，而定位出第一个方向维度的光light的强度。
20.接续，感测驱动电路41提供感测驱动讯号vcom_tx至共用电极com，控制电路47控制耦接第一栅极线群组的接收电路43经由第一栅极线群组接收第一栅极感应讯号，并传送至判断电路49，同时控制电路47控制耦接第二栅极线群组的禁能电路45而驱使第二栅极线群组处于禁能状态，控制电路47亦控制耦接第一至第四源极线群组的禁能电路45而驱使第一至第四源极线群组处于禁能状态；之后，感测驱动电路41提供感测驱动讯号vcom_tx至共用电极com，控制电路47控制耦接第二栅极线群组的接收电路43经由第二栅极线群组接收第二栅极感应讯号，并传送至判断电路49，同时控制电路47控制耦接第一栅极线群组的禁能电路45而驱使第一栅极线群组处于禁能状态，第一至第四源极线群组保持处于禁能状态。如此，判断电路49即可侦测照射于栅极线群组的光light的强度，而定位出第二个方向维度的光light的强度。于一实施例中，可同时经由多组源极线群组接收多个源极感应讯号或同时经由多组栅极线群组接收多个栅极感应讯号。
21.此外，若需要精确定位出强度较强或者较弱的光light的位置，可进一步依据上述已判断出强度较强或者较弱的光light所照射的源极线群组与栅极线群组接续进行以下步骤。假设照射于第一源极线群组、第三源极线群组、第一栅极线群组、第二栅极线群组的光light的强度较弱。感测驱动电路41提供感测驱动讯号vcom_tx至共用电极com，控制电路47控制耦接第一源极线群组的接收电路43经由第一源极线群组接收第一源极感应讯号，并传送至判断电路49，同时控制电路47亦控制耦接第一栅极线群组的接收电路43经由第一栅极
线群组接收第一栅极感应讯号，并传送至判断电路49，其余源极线群组与其余栅极线群组皆处于禁能状态，若判断电路49判断第一源极感应讯号的电压准位与第一栅极感应讯号的电压准位相对于强度较弱的光light，则表示第一源极线群组与第一栅极线群组的交叉区为强度较弱的光light真实照射区。之后，控制电路47控制耦接第一源极线群组的接收电路43经由第一源极线群组接收第一源极感应讯号，同时控制电路47亦控制耦接第二栅极线群组的接收电路43经由第二栅极线群组接收第二栅极感应讯号，其余源极线群组与其余栅极线群组皆处于禁能状态；然后，控制电路47控制耦接第三源极线群组的接收电路43经由第三源极线群组接收第三源极感应讯号，同时控制电路47亦控制耦接第一栅极线群组的接收电路43经由第一栅极线群组接收第一栅极感应讯号，其余源极线群组与其余栅极线群组皆处于禁能状态；最后，控制电路47控制耦接第三源极线群组的接收电路43经由第三源极线群组接收第三源极感应讯号，同时控制电路47亦控制耦接第二栅极线群组的接收电路43经由第二栅极线群组接收第二栅极感应讯号，其余源极线群组与其余栅极线群组皆处于禁能状态。如此，判断电路49即可判断出强度较弱的光light的所有真实照射区。
22.以下以图5实施例说明光感测电路的另一侦测方式。感测驱动电路41提供感测驱动讯号vcom_tx至共用电极com，控制电路47控制耦接第一源极线群组的接收电路43经由第一源极线群组接收第一源极感应讯号，并传送至判断电路49，同时控制电路47亦控制耦接第一栅极线群组的接收电路43经由第一栅极线群组接收第一栅极感应讯号，并传送至判断电路49，其余源极线群组与其余栅极线群组皆处于禁能状态；之后，感测驱动电路41提供感测驱动讯号vcom_tx至共用电极com，控制电路47控制耦接第一源极线群组的接收电路43经由第一源极线群组接收第一源极感应讯号，并传送至判断电路49，同时控制电路47亦控制耦接第二栅极线群组的接收电路43经由第二栅极线群组接收第二栅极感应讯号，并传送至判断电路49，其余源极线群组与其余栅极线群组皆处于禁能状态；然后，感测驱动电路41提供感测驱动讯号vcom_tx至共用电极com，控制电路47控制耦接第二源极线群组的接收电路43经由第二源极线群组接收第二源极感应讯号，并传送至判断电路49，同时控制电路47亦控制耦接第一栅极线群组的接收电路43经由第一栅极线群组接收第一栅极感应讯号，并传送至判断电路49，其余源极线群组与其余栅极线群组皆处于禁能状态；接续，感测驱动电路41提供感测驱动讯号vcom_tx至共用电极com，控制电路47控制耦接第二源极线群组的接收电路43经由第二源极线群组接收第二源极感应讯号，并传送至判断电路49，同时控制电路47亦控制耦接第二栅极线群组的接收电路43经由第二栅极线群组接收第二栅极感应讯号，并传送至判断电路49，其余源极线群组与其余栅极线群组皆处于禁能状态。同理，同时经由第三源极线群组与第一栅极线群组接收第三源极感应讯号与第一栅极感应讯号；之后，同时经由第三源极线群组与第二栅极线群组接收第三源极感应讯号与第二栅极感应讯号；然后，同时经由第四源极线群组与第一栅极线群组接收第四源极感应讯号与第一栅极感应讯号；最后，同时经由第四源极线群组与第二栅极线群组接收第四源极感应讯号与第二栅极感应讯号。
23.请参阅图6，其为本发明的光感测电路的第四实施例的电路图。如图所示，此实施例包含多个共用电极com0～com5，并不同于图4实施例仅包含单一共用电极com。该些共用电极com0～com5交叉于该些源极线s0～s7，感测驱动电路41耦接该些共用电极com0～com5，以提供感测驱动讯号vcom_tx至该些共用电极com0～com5，或者驱使至少一共用电极
com0～com5处于禁能状态。感测驱动电路41如同禁能电路45可提供直流准位到至少一共用电极com0～com5或者驱使至少一共用电极com0～com5为浮接，以驱使共用电极com0～com5处于禁能状态。此外，此实施例的栅极线g0～g5并未耦接接收电路43与禁能电路45。共用电极的数量系依据使用需求而决定，并未限制特定数量。
24.请参阅图7，其为本发明的光感测电路的第五实施例的电路图。如图所示，此实施例不同于图5实施例在于，此实施例包含多个共用电极com0～com5，并不同于图5实施例仅包含单一共用电极com。此外，此实施例的栅极线g0～g5并未耦接接收电路43与禁能电路45。
25.以下以图7实施例说明光感测电路的另一侦测方式。感测驱动电路41提供感测驱动讯号vcom_tx至第一共用电极com0，且驱使第二至第六共用电极com1～com5处于禁能状态，控制电路47控制耦接第一至第四源极线群组的接收电路43经由第一至第四源极线群组接收第一至第四源极感应讯号，并传送至判断电路49，以可判断出强度较弱或者较强的光light真实照射区是否为第一共用电极com0与第一至第四源极线群组的交叉区。接续，感测驱动电路41提供感测驱动讯号vcom_tx至第二共用电极com1，且驱使第一共用电极com0、第三至第六共用电极com2～com5处于禁能状态，控制电路47控制耦接第一至第四源极线群组的接收电路43经由第一至第四源极线群组接收第一至第四源极感应讯号，并传送至判断电路49。同理，感测驱动电路41提供感测驱动讯号vcom_tx至第三共用电极com2，且驱使第一至第二共用电极com0～com1、第四至第六共用电极com3～com5处于禁能状态，且经由第一至第四源极线群组接收第一至第四源极感应讯号；之后，感测驱动电路41提供感测驱动讯号vcom_tx至第四共用电极com3，且驱使第一至第三共用电极com0～com2、第五至第六共用电极com4～com5处于禁能状态，且经由第一至第四源极线群组接收第一至第四源极感应讯号；然后，感测驱动电路41提供感测驱动讯号vcom_tx至第五共用电极com4，且驱使第一至第四共用电极com0～com3、第六共用电极com5处于禁能状态，且经由第一至第四源极线群组接收第一至第四源极感应讯号；最后，感测驱动电路41提供感测驱动讯号vcom_tx至第六共用电极com5，且驱使第一至第五共用电极com0～com4处于禁能状态，且经由第一至第四源极线群组接收第一至第四源极感应讯号。上述提供感测驱动讯号vcom_tx至该些共用电极com0～com5的顺序仅为本发明的一实施例，并不以此为限，可依据需求而决定。
26.此外，于本发明的另一实施例中，该些共用电极com0～com5可与该些栅极线交叉，且以该些栅极线作为感测线，如此也可以利用上述方式侦测强度较弱或者较强的光light的真实照射区。由上述说明可知，本发明的光感测电路除了可应用于感测环境光的强度外，还可应用于触控侦测或者指纹辨识。
27.请参阅图8，其为本发明的光感测电路感测环境光的强度的第一实施例的示意图。此实施例的显示面板10具有三个区域a1、a2、a3，背光模块(图未示)仅提供背光于区域a3，图标中的bl表示背光区域，因此区域a3为显示区域。区域a1为遮盖区，其并未受到环境光照射，而区域a2与区域a3皆有受到环境光照射。藉由本发明的光感测电路可分别侦测出位于区域a1、a2、a3的像素结构15的电性状态，区域a1的像素结构15的电性状态可表示未有环境光与未有背光，区域a2的像素结构15的电性状态可表示有环境光且未有背光，区域a3的像素结构15的电性状态可表示为有背光与有环境光。如此，藉由比较区域a1的像素结构15的电性状态与区域a2的像素结构15的电性状态，即可得知目前环境光的强度。例如，相减区域
a1的源极线13的电压与区域a2的源极线13的电压，所得的电压差即可表示环境光的强度。
28.请参阅图9，其为本发明的光感测电路感测环境光的强度的第二实施例的示意图。此实施例的显示面板10具有两个区域a1、a3，背光模块提供背光于区域a1与a3，图示中的bl表示背光区域，区域a3为显示区域。区域a1为遮盖区，其并未受到环境光照射，而区域a3有受到环境光照射。藉由本发明的光感测电路可分别侦测出位于区域a1、a3的像素结构15的电性状态，区域a1的像素结构15的电性状态可表示有背光且未有环境光，区域a3的像素结构15的电性状态可表示为有背光与有环境光。如此，藉由比较区域a1的像素结构15的电性状态与区域a3的像素结构15的电性状态，即可得知目前环境光的强度。例如，相减区域a1的源极线13的电压与区域a3的源极线13的电压，所得的电压差即可表示环境光的强度。
29.请参阅图10，其为本发明的光感测电路感测环境光的强度的第三实施例的示意图。此实施例的显示面板10具一个区域a1，背光模块提供背光于区域a1，图标中的bl表示背光区域，区域a1有受到环境光照射而为显示区域。藉由本发明的光感测电路可预先在已知的不同强度背光下与已知的不同强度环境光下侦测区域a1的像素结构15的电性状态，而建立如图11所示的查找表。之后，由于背光的强度为已知，所以光感测电路可依据侦测所得知的像素结构15的电性状态配合查找表而得知环境光的强度。若光感测电路得到的电性状态并未在查找表中，即可透过内插或者外插预估出环境光的强度。例如已知背光的强度为强度2，而光感测电路得到的源极线13的电压介于vrx_b2_e1与vrx_b2_e2间，如此已可得知环境光的强度位于强度1与强度2间，若要更精确得知强度，可进一步透过内插运算，而预估出环境光较精确的强度。上述图8至图10实施例所述的运算可运用上述实施例的判断电路49进行运算，但并非限制于此。
30.综上所述，本发明的光感测电路，其运用显示面板已具有的像素结构，而侦测像素结构的电性状态，即可感测光的强度，如此可免于额外设置光感测电路于显示面板，也可不需额外设置光传感器于电子装置，而节省成本。
31.上文仅为本发明的较佳实施例而已，并非用来限定本发明实施的范围，凡依本发明权利要求范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本发明的权利要求范围内。