一种发光二极管、发光模块及显示装置的制作方法

技术特征：
1.一种发光二极管，包括：衬底；衬底上的外延结构，包括在衬底上由下至上依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，且设有自第二半导体层延伸至第一半导体层内部的凹槽，所述凹槽暴露部分第一半导体层；第一电极和第二电极，其中所述第一电极电连接至第一半导体层，所述第二电极电连接至第二半导体层；所述第一电极包括第一接触电极，所述第二电极包括第二接触电极；绝缘层，位于所述第二半导体层上和暴露的部分第一半导体层上；第一绝缘通孔和第二绝缘通孔，贯穿所述绝缘层；所述第一绝缘通孔内自底部设置有所述第一接触电极，所述第一接触电极在水平面上的投影为类矩形，和/或所述第二绝缘通孔内自底部设置有所述第二接触电极，所述第二接触电极在水平面上的投影为类矩形；所述类矩形至少具有两条相对设置的弧形边。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层与第一半导体层之间无设置与第一电极电连接的金属层，和/或所述绝缘层与第二半导体层之间无设置与第二电极电连接的金属层。3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述类矩形具有四个边，四个边在一个环绕方向上依次为第一弧形边、第一直线边、第二弧形边和第二直线边。4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：所述第一弧形边与第二弧形边对称，所述第一直线边与第二直线边对称。5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：第一直线边与第二直线边之间的距离a小于或等于第一直线边/第二直线边的长度b。6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：所述第一接触电极靠近所述第二接触电极的侧面为所述第一接触电极的第一直线边/第二直线边所在的侧面；和/或所述第二接触电极靠近所述第一接触电极的侧面为第二接触电极的第一直线边/第二直线边所在的侧面。7.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：所述第一弧形边/第二弧形边的形状为圆弧，第一弧形边/第二弧形边所在圆的半径为r,所述a:b：r的范围为1：(1～5)：(0.5～2)。8.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述第二半导体层与所述绝缘层之间还设置有电流扩展层，所述第二接触电极通过所述电流扩展层与所述第二半导体层电连接；和/或所述暴露的部分第一半导体层与所述绝缘层之间还设置有电流扩展层，所述第一接触电极通过所述电流扩展层与所述暴露的部分第一半导体层电连接。9.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述第一接触电极在水平面上的投影面积占发光层在水平面上的投影面积的比例为9％至30％，和/或第二接触电极在水平面上的投影面积占发光层在水平面上的投影面积的比例为9％至30％。10.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述第一接触电极覆盖于所述第一绝缘通孔内，所述第一绝缘通孔与所述第一接触电
极的形状相匹配；和/或所述第二接触电极覆盖于所述第二绝缘通孔内，所述第二绝缘通孔与所述第二接触电极的形状相匹配。11.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于：所述第一绝缘通孔的上开口的宽度与下开口的宽度的比例范围为1.3至1.7，和/或第二绝缘通孔的上开口的宽度与下开口的宽度的比例范围为1.3至1.7。12.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述第一绝缘通孔和/或所述第二绝缘通孔的侧壁与水平面的夹角θ在竖直方向上保持不变，且θ的范围介于10
°
至30
°
或者30
°
至45
°
。13.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述第一绝缘通孔和/或所述第二绝缘通孔的侧壁与水平方向之间的角度θ在竖直方向向上递减，且θ范围介于20
°
至40
°
、40
°
至60
°
或者60
°
至70
°
。14.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层为分布式布拉格反射镜。15.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层包括n个依次叠加的子绝缘层，其中n为大于等于2的整数；且n个子绝缘层的蚀刻速率自下而上依次减小。16.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层为sio2层、si3n4层、al2o3层、aln、tio2层中的一种或多种组合。17.一种发光模块，其特征在于，采用如权利要求1～16任一项所述的发光二极管。18.一种显示装置，其特征在于，采用如权利要求17所述的发光模块。

技术总结
本发明涉及LED技术领域，提供一种发光二极管、发光模块及显示装置，其中一种发光二极管，包括：衬底、衬底上的外延结构、接触电极、绝缘层，且设置有贯穿绝缘层的绝缘通孔；绝缘通孔内自底部设置有接触电极，接触电极在水平面上的投影为类矩形，且该类矩形至少具有两条相对设置的弧形边。本发明的技术方案将接触电极设计成上述类矩形，可以使接触电极尽可能避免产生尖角或尖端部位，从而减少因电流在尖端处聚集而产生的尖端效应，降低电极失效风险，此外，采用该形状的接触电极的发光二极管无需再设置条状电极，从根本上解决电流在条状电极末端聚集而导致的失效问题。端聚集而导致的失效问题。端聚集而导致的失效问题。


技术研发人员：黄敏 刘鹏 詹宇 夏章艮 林素慧 张中英 何安和
受保护的技术使用者：厦门三安光电有限公司
技术研发日：2021.07.29
技术公布日：2021/11/2