镀膜方法、晶圆膜层及薄膜设备与流程

1.本技术涉及微型发光二极管领域，尤其涉及一种镀膜方法、晶圆膜层及薄膜设备。


背景技术：

2.随着科技的发展，micro
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led(微型发光二极管)已经成为现实，并被应用于越来越多的领域，micro
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led的尺寸也越来越小。但是，随着micro
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led尺寸的减小，侧壁缺陷对micro
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led芯片的影响程度则会变大，进而导致micro
‑
led芯片发光效率的降低。


技术实现要素：

3.本技术提供了一种镀膜方法、晶圆膜层及薄膜设备，以解决随着micro
‑
led尺寸的减小，侧壁缺陷对icro
‑
led芯片的影响程度则会变大，进而导致icro
‑
led芯片发光效率的降低的技术问题。
4.第一方面，本技术提供了一种镀膜方法，包括步骤：
5.获取晶圆表面的目标镀膜厚度；
6.对所述晶圆进行原子层沉积并在所述晶圆表面生成第一厚度薄膜；
7.对所述晶圆进行化学层沉积并在具有所述第一厚度薄膜的所述晶圆表面生成第二厚度薄膜；
8.其中，所述第一厚度薄膜对应的第一厚度与所述第二厚度薄膜对应的第二厚度之和等于所述目标镀膜厚度，且所述第一厚度小于所述第二厚度。
9.优选地，所述对所述晶圆进行原子层沉积并在所述晶圆表面生成第一厚度薄膜包括步骤：
10.获取采用原子层沉积时在所述晶圆表面生成单位薄膜所使用的第一单位时间；
11.将所述晶圆放置入第一镀膜腔室内；
12.根据所述晶圆的结构和镀膜的种类设置所述第一镀膜腔室的原子层沉积参数；
13.根据所述第一厚度和所述第一单位时间计算所述第一镀膜腔室的所述第一工作时间；
14.在所述原子层沉积参数下将所述第一镀膜腔室工作所述第一工作时间以在所述晶圆表面生成第一厚度薄膜。
15.优选地，所述对所述晶圆进行化学层沉积并在具有所述第一厚度薄膜的所述晶圆表面生成第二厚度薄膜包括步骤：
16.获取采用化学层沉积时在所述晶圆表面生成单位薄膜所使用的第二单位时间；
17.根据所述晶圆的结构和镀膜的种类设置第二镀膜腔室的化学层沉积参数；
18.根据所述第二厚度和所述第二单位时间计算所述第二镀膜腔室的第二工作时间；
19.在所述化学层沉积参数下将所述第二镀膜腔室工作所述第二工作时间以在具有所述第一厚度薄膜的所述晶圆表面均匀生成第二厚度薄膜。
20.第二方面，本技术还提供了一种镀膜方法，包括步骤：
21.获取晶圆表面的目标镀膜厚度；
22.对所述晶圆进行原子层沉积并在所述晶圆表面生成第一厚度薄膜；
23.对所述晶圆进行化学层沉积并在具有所述第一厚度薄膜的所述晶圆表面均匀生成第二厚度薄膜；
24.对所述晶圆进行原子层沉积并在具有所述第一厚度薄膜和所述第二厚度薄膜的所述晶圆表面生成第三厚度薄膜；
25.其中，所述第一厚度薄膜对应的第一厚度、所述第二厚度薄膜对应的第二厚度和所述第三厚度薄膜对应的第三厚度之和等于所述目标镀膜厚度。
26.优选地，所述对所述晶圆进行原子层沉积并在所述晶圆表面生成第一厚度薄膜包括步骤：
27.获取采用原子层沉积时在所述晶圆表面生成单位薄膜所使用的第一单位时间；
28.将所述晶圆放置入第一镀膜腔室内；
29.根据所述晶圆的结构和镀膜的种类设置所述第一镀膜腔室的原子层沉积参数；
30.根据所述第一厚度和所述第一单位时间计算所述第一镀膜腔室的第一工作时间；
31.在所述原子层沉积参数下将所述第一镀膜腔室工作所述第一工作时间以在所述晶圆表面生成第一厚度薄膜。
32.优选地，所述对所述晶圆进行化学层沉积并在具有所述第一厚度薄膜的所述晶圆表面均匀生成第二厚度薄膜包括步骤：
33.获取采用化学层沉积时在所述晶圆表面生成单位薄膜所使用的第二单位时间；
34.根据所述晶圆的结构和镀膜的种类设置第二镀膜腔室的化学层沉积参数；
35.根据所述第二厚度和所述第二单位时间计算所述第二镀膜腔室的第二工作时间；
36.在所述化学层沉积参数下将所述第二镀膜腔室工作所述第二工作时间以在具有所述第一厚度薄膜的所述晶圆表面均匀生成具有第二厚度薄膜。
37.优选地，所述第一厚度与所述第三厚度相同。
38.第三方面，本技术还提供了一种镀膜方法，包括步骤：
39.获取晶圆表面的目标镀膜厚度m；
40.获取每次原子层沉积的薄膜厚度n和每次化学层沉积的薄膜厚度h；
41.对所述晶圆进行原子层沉积并在所述晶圆表面生成厚度为n的薄膜；
42.对所述晶圆进行化学层沉积并在所述晶圆表面生成厚度为h的薄膜；
43.依次对所述晶圆进行p次的原子层沉积和对所述晶圆进行q次的化学层沉积；
44.其中，p*n q*h＝m。
45.第四方面，本技术还提供了一种晶圆膜层，所述膜层包括在晶圆表面依次交替采用原子层沉积生成的薄膜和采用化学层沉积生成的薄膜；
46.其中，所述原子层沉积生成的薄膜覆着于所述晶圆表面，且所述采用原子层沉积生成的薄膜和采用化学层沉积生成的薄膜至少具有一层。
47.第五方面，本技术还提供了一种薄膜设备，所述薄膜设备用于制备如上述所述的晶圆膜层。
48.本技术实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：
49.本技术实施例提供的一种镀膜方法、晶圆膜层及薄膜设备，对微型发光二极管芯
片依次进行原子沉积和化学沉积，相对于直接采用化学沉积可以提升微型发光二极管芯片的均匀性，相对于全部采用原子沉积可以提升镀膜效率，可以有效地提升微型发光二极管出光的效率及器件的可靠度，也能使之后气相沉积的膜层更致密。
附图说明
50.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
51.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
52.图1为本技术实施例提供的一种镀膜方法的流程示意图。
具体实施方式
53.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
54.实施例1
55.图1为本技术实施例提供的一种镀膜方法的流程示意图。
56.在本技术实施例中，本技术提供了一种镀膜方法，所述方法包括步骤：
57.s1：获取晶圆表面的目标镀膜厚度；
58.在本技术实施例中，目标镀膜厚度可以根据需要选择或者设置。
59.s2：对所述晶圆进行原子层沉积并在所述晶圆表面生成第一厚度薄膜；
60.在本技术实施例中，所述对所述晶圆进行原子层沉积并在所述晶圆表面生成第一厚度薄膜包括步骤：
61.获取采用原子层沉积时在所述晶圆表面生成单位薄膜所使用的第一单位时间；
62.将所述晶圆放置入第一镀膜腔室内；
63.根据所述晶圆的结构和镀膜的种类设置所述第一镀膜腔室的原子层沉积参数；
64.根据所述第一厚度和所述第一单位时间计算所述第一镀膜腔室的所述第一工作时间；
65.在所述原子层沉积参数下将所述第一镀膜腔室工作所述第一工作时间以在所述晶圆表面生成第一厚度薄膜。
66.在本技术实施例中，当对所述晶圆进行原子层沉积并在所述晶圆表面生成第一厚度薄膜时，首先获取采用原子层沉积时在所述晶圆表面生成单位薄膜所使用的第一单位时间，接着将所述晶圆放置入第一镀膜腔室内，并根据所述晶圆的结构和镀膜的种类设置所述第一镀膜腔室的原子层沉积参数，然后根据所述第一厚度和所述第一单位时间计算所述第一镀膜腔室的所述第一工作时间，从而在所述原子层沉积参数下将所述第一镀膜腔室工作所述第一工作时间以在所述晶圆表面生成第一厚度薄膜。
67.s3：对所述晶圆进行化学层沉积并在具有所述第一厚度薄膜的所述晶圆表面生成
第二厚度薄膜；
68.在本技术实施例中，所述对所述晶圆进行化学层沉积并在具有所述第一厚度薄膜的所述晶圆表面生成第二厚度薄膜包括步骤：
69.获取采用化学层沉积时在所述晶圆表面生成单位薄膜所使用的第二单位时间；
70.根据所述晶圆的结构和镀膜的种类设置第二镀膜腔室的化学层沉积参数；
71.根据所述第二厚度和所述第二单位时间计算所述第二镀膜腔室的第二工作时间；
72.在所述化学层沉积参数下将所述第二镀膜腔室工作所述第二工作时间以在具有所述第一厚度薄膜的所述晶圆表面均匀生成第二厚度薄膜。
73.在本技术实施例中，当对所述晶圆进行化学层沉积并在具有所述第一厚度薄膜的所述晶圆表面生成第二厚度薄膜时，首先获取采用化学层沉积时在所述晶圆表面生成单位薄膜所使用的第二单位时间，并根据所述晶圆的结构和镀膜的种类设置第二镀膜腔室的化学层沉积参数，接着根据所述第二厚度和所述第二单位时间计算所述第二镀膜腔室的第二工作时间，从而在所述化学层沉积参数下将所述第二镀膜腔室工作所述第二工作时间以在具有所述第一厚度薄膜的所述晶圆表面均匀生成第二厚度薄膜。
74.在本技术实施例中，所述第一厚度薄膜对应的第一厚度与所述第二厚度薄膜对应的第二厚度之和等于所述目标镀膜厚度，且所述第一厚度小于所述第二厚度。
75.在本技术实施例中，晶圆为微型发光二极管芯片，目标镀膜厚度为100nm，第一厚度薄膜为原子沉积镀膜，第二厚度薄膜为化学沉积镀膜，原子沉积镀膜的厚度可以小于化学沉积镀膜的厚度，原子沉积镀膜的厚度小于50nm，化学沉积镀膜的厚度大于50nm，且二者厚度之和为目标镀膜厚度。这种镀膜厚度的均匀性可以在最大程度提升镀膜效率的同时提升镀膜均匀性。
76.实施例2
77.在实施例1中，其指出了先采用原子层沉积，后采用化学层沉积的方法进行镀膜，原子层沉积具有镀膜速度慢，但均匀性、致密性更好的特性，而化学层沉积具有镀膜速度快，但均匀性、致密性相对较差的特性。因此，先在晶圆上进行原子层沉积，然后再化学层沉积，虽然可以提升镀膜的均匀性和致密性，但最后化学层沉积会导致膜层整体上的均匀性和致密性不完全一定。因此，可以在化学层沉积之后再进行一次原子层沉积，从而提升整体膜层的均匀性和致密性。
78.为此，在本技术实施例中，本技术还提供了一种镀膜方法，包括步骤：
79.获取晶圆表面的目标镀膜厚度；
80.对所述晶圆进行原子层沉积并在所述晶圆表面生成第一厚度薄膜；
81.对所述晶圆进行化学层沉积并在具有所述第一厚度薄膜的所述晶圆表面均匀生成第二厚度薄膜；
82.对所述晶圆进行原子层沉积并在具有所述第一厚度薄膜和所述第二厚度薄膜的所述晶圆表面生成第三厚度薄膜；
83.其中，所述第一厚度薄膜对应的第一厚度、所述第二厚度薄膜对应的第二厚度和所述第三厚度薄膜对应的第三厚度之和等于所述目标镀膜厚度。
84.在本技术实施例中，可以在实施例1中得到的晶圆表面再进行第三厚度薄膜的镀膜操作，从而可以满足两层以上的多层镀膜的需要。
85.在本技术实施例中，所述对所述晶圆进行原子层沉积并在所述晶圆表面生成第一厚度薄膜包括步骤：
86.获取采用原子层沉积时在所述晶圆表面生成单位薄膜所使用的第一单位时间；
87.将所述晶圆放置入第一镀膜腔室内；
88.根据所述晶圆的结构和镀膜的种类设置所述第一镀膜腔室的原子层沉积参数；
89.根据所述第一厚度和所述第一单位时间计算所述第一镀膜腔室的第一工作时间；
90.在所述原子层沉积参数下将所述第一镀膜腔室工作所述第一工作时间以在所述晶圆表面生成第一厚度薄膜。
91.在本技术实施例中，当对所述晶圆进行原子层沉积并在所述晶圆表面生成第一厚度薄膜时，首先获取采用原子层沉积时在所述晶圆表面生成单位薄膜所使用的第一单位时间，接着将所述晶圆放置入第一镀膜腔室内，并根据所述晶圆的结构和镀膜的种类设置所述第一镀膜腔室的原子层沉积参数，然后根据所述第一厚度和所述第一单位时间计算所述第一镀膜腔室的所述第一工作时间，从而在所述原子层沉积参数下将所述第一镀膜腔室工作所述第一工作时间以在所述晶圆表面生成第一厚度薄膜。
92.在本技术实施例中，所述对所述晶圆进行化学层沉积并在具有所述第一厚度薄膜的所述晶圆表面均匀生成第二厚度薄膜包括步骤：
93.获取采用化学层沉积时在所述晶圆表面生成单位薄膜所使用的第二单位时间；
94.根据所述晶圆的结构和镀膜的种类设置第二镀膜腔室的化学层沉积参数；
95.根据所述第二厚度和所述第二单位时间计算所述第二镀膜腔室的第二工作时间；
96.在所述化学层沉积参数下将所述第二镀膜腔室工作所述第二工作时间以在具有所述第一厚度薄膜的所述晶圆表面均匀生成具有第二厚度薄膜。
97.在本技术实施例中，当对所述晶圆进行化学层沉积并在具有所述第一厚度薄膜的所述晶圆表面生成第二厚度薄膜时，首先获取采用化学层沉积时在所述晶圆表面生成单位薄膜所使用的第二单位时间，并根据所述晶圆的结构和镀膜的种类设置第二镀膜腔室的化学层沉积参数，接着根据所述第二厚度和所述第二单位时间计算所述第二镀膜腔室的第二工作时间，从而在所述化学层沉积参数下将所述第二镀膜腔室工作所述第二工作时间以在具有所述第一厚度薄膜的所述晶圆表面均匀生成第二厚度薄膜。
98.在本技术实施例中，所述第一厚度与所述第三厚度相同。
99.在本技术实施例中，第一厚度与第三厚度相同，第一厚度薄膜和第三厚度薄膜也可以为相同的薄膜，从而可以在晶圆表面镀膜间隔性地镀膜多层薄膜。比如，晶圆表面的第一层为45nm的原子沉积镀膜，第二层为55nm的化学沉积镀膜，第三层为45nm的原子沉积镀膜，第四层为55nm的化学沉积镀膜。
100.实施例3
101.在本技术实施例中，本技术还提供了一种镀膜方法，包括步骤：
102.获取晶圆表面的目标镀膜厚度m；
103.获取每次原子层沉积的薄膜厚度n和每次化学层沉积的薄膜厚度h；
104.对所述晶圆进行原子层沉积并在所述晶圆表面生成厚度为n的薄膜；
105.对所述晶圆进行化学层沉积并在所述晶圆表面生成厚度为h的薄膜；
106.依次对所述晶圆进行p次的原子层沉积和对所述晶圆进行q次的化学层沉积；
107.其中，p*n q*h＝m。
108.在本技术实施例中，还可以在晶圆表面进行多层原子层沉积薄膜和多层化学层沉积薄膜的间隔性镀膜操作，且最终的镀膜厚度满足目标镀膜厚度，也即：每次原子层沉积的薄膜厚度n与原子层沉积镀膜次数p之间的乘积以及每次化学层沉积的薄膜厚度h与化学层沉积镀膜次数q之间的乘积之和等于目标镀膜厚度m。
109.在本技术实施例中，本技术还提供了一种晶圆膜层，所述膜层包括在晶圆表面依次交替采用原子层沉积生成的薄膜和采用化学层沉积生成的薄膜；
110.其中，所述原子层沉积生成的薄膜覆着于所述晶圆表面，且所述采用原子层沉积生成的薄膜和采用化学层沉积生成的薄膜至少具有一层。
111.在本技术实施例中，本技术还提供了一种薄膜设备，所述薄膜设备用于制备如上述所述的晶圆膜层。
112.本技术实施例提供的一种镀膜方法、晶圆膜层及薄膜设备，对微型发光二极管芯片依次进行原子沉积和化学沉积，相对于直接采用化学沉积可以提升微型发光二极管芯片的均匀性，相对于全部采用原子沉积可以提升镀膜效率，可以有效地提升微型发光二极管出光的效率及器件的可靠度，也能使之后气相沉积的膜层更致密。
113.需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
114.以上所述仅是本发明的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。