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申请表
用于含金属光致抗蚀剂沉积的表面改性的制作方法
用于含金属光致抗蚀剂沉积的表面改性通过引用并入pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
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申请表
优先权
说明书
与本
标识
2023-02-16
半导体材料的选择性精确蚀刻的制作方法
半导体材料的选择性精确蚀刻通过引用并入pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
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申请表
优先权
选择性
说明书
与本
2023-02-02
用氯进行高深宽比电介质蚀刻的制作方法
用氯进行高深宽比电介质蚀刻通过引用并入pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
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申请表
电介质
优先权
高深
如在
2023-02-02
具有径向气帘和/或内部容积控制的晶片搬运机械手的制作方法
具有径向气帘和/或内部容积控制的晶片搬运机械手pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
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申请表
机械手
优先权
晶片
容积
2022-12-03
具有用于边缘环高度管理的双升降机构的半导体处理室的制作方法
具有用于边缘环高度管理的双升降机构的半导体处理室通过引用并入pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
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申请表
优先权
如在
半导体
说明书
2022-12-03
芯部去除的制作方法
芯部去除通过引用并入pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文以用于所有目的。
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申请表
优先权
如在
说明书
与本
2022-12-03
具有无穷大选择性的高深宽比蚀刻的制作方法
具有无穷大选择性的高深宽比蚀刻通过引用并入pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
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申请表
无穷大
优先权
选择性
高深
2022-11-23
用于增强EUV光刻性能的暴露前光致抗蚀剂固化的制作方法
用于增强euv光刻性能的暴露前光致抗蚀剂固化通过引用并入pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
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申请表
光刻
优先权
如在
说明书
2022-11-19
具有成核抑制的特征填充的制作方法
具有成核抑制的特征填充通过引用并入pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
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申请表
成核
优先权
如在
说明书
2022-11-19
具有热调谐腔特征的晶片卡盘的制作方法
具有热调谐腔特征的晶片卡盘相关申请pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
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申请表
卡盘
优先权
晶片
如在
2022-11-19
集成电路制造室中的RF信号参数测量的制作方法
集成电路制造室中的rf信号参数测量通过引用并入pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
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申请表
优先权
如在
集成电路
说明书
2022-11-14
集成电路制造室中的RF信号参数测量的制作方法
集成电路制造室中的rf信号参数测量通过引用并入pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
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申请表
优先权
如在
集成电路
说明书
2022-11-14
集成电路制造室中的RF信号参数测量的制作方法
集成电路制造室中的rf信号参数测量通过引用并入pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
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申请表
优先权
如在
集成电路
说明书
2022-11-13
集成电路制造室中的RF信号参数测量的制作方法
集成电路制造室中的rf信号参数测量通过引用并入pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
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申请表
优先权
如在
集成电路
说明书
2022-11-12
用于减少EUV图案化缺陷的多层硬掩模的制作方法
用于减少euv图案化缺陷的多层硬掩模通过引用并入pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
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申请表
优先权
如在
多层
说明书
2022-10-26
钼的原子层蚀刻的制作方法
钼的原子层蚀刻通过引用并入pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。技术领域2.本发明涉及用于半导体设备制造的方法和装置。具体而言,本发明的实施方案涉及在半导体处理中用于受控钼蚀刻的方法和装置。
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申请表
半导体
装置
方法
优先权
2022-10-26
站与站之间的背面弯曲补偿沉积的控制的制作方法
站与站之间的背面弯曲补偿沉积的控制相关申请pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
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申请表
优先权
如在
弯曲
背面
2022-10-26
高深宽比3DNAND蚀刻的侧壁凹陷的减少的制作方法
高深宽比3d nand蚀刻的侧壁凹陷的减少通过引用并入pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其优先权权益的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。技术领域2.本文的实施方案涉及用于制造半导体器件的方法和装置,更具体地,用于将高深宽比特征蚀刻到含电介质材料中,其中侧壁凹陷减少并且没有轮廓折衷(tradeoffs)。
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侧壁
申请表
高深
电介质
本文
2022-10-26
集成电路处理过程中晶片弯曲的控制的制作方法
集成电路处理过程中晶片弯曲的控制通过引用并入pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
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申请表
优先权
晶片
如在
弯曲
2022-10-26
用于含硅膜高温沉积的前体的制作方法
用于含硅膜高温沉积的前体通过引用并入pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。技术领域2.本发明涉及半导体设备制造的方法。具体而言,本发明的实施方案涉及用于在半导体处理中沉积含硅膜的前体。
标签:
申请表
半导体
优先权
实施方案
如在
2022-09-15
用于金属特征的无光致抗蚀剂形成的电流体动力喷射打印和电镀的制作方法
用于金属特征的无光致抗蚀剂形成的电流体动力喷射打印和电镀通过引用并入pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
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申请表
无光
优先权
如在
电流
2022-09-15
用于局部应力调节的UV固化的制作方法
用于局部应力调节的uv固化通过引用并入pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
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申请表
优先权
应力
如在
说明书
2022-09-15
具有用于排放晶片边缘气体的流动路径的排除环的制作方法
具有用于排放晶片边缘气体的流动路径的排除环相关引用pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
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申请表
优先权
晶片
如在
气体
2022-08-30
通过长脉冲化和斜坡化提高TSV处理窗和填充性能的制作方法
通过长脉冲化和斜坡化提高tsv处理窗和填充性能通过引用并入pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
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申请表
优先权
斜坡
脉冲
如在
2022-08-21
金属互连结构中的掺杂工艺的制作方法
金属互连结构中的掺杂工艺通过引用并入pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
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申请表
优先权
如在
说明书
与本
2022-08-13
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