含硫的环状硅氧烷的制造方法与流程

本公开涉及含硫的环状硅氧烷的制造方法。

背景技术：

1、硅烷化合物在包括半导体的各种电气设备材料用途中使用。在半导体器件的制作中，该化合物用作形成含硅的薄膜的原料，用于通过各种蒸镀工序制造硅膜、氧化硅膜、氮化硅膜、碳氮化硅膜、氮氧化硅膜等薄膜。例如在专利文献1中提出了如下方法：利用原子层沉积（ald）法，使用作为氨基硅烷化合物的双（二乙基氨基）硅烷（bdeas）作为硅源，由此形成均匀的氧化硅膜。

2、所述的硅烷化合物中，关于包含硫原子作为构成环结构的一部分的原子的含硫的环状硅氧烷的合成方法，过去报道了合成例。例如已知：向5－茴香基－2，2，3，3－四甲基－5－硫代－1，4，5，2，3－二硫杂磷杂二锗杂戊环与六甲基环三硅氧烷的混合物中添加二甲基二氯硅烷使其反应的方法（非专利文献1）、使六甲基环三硅氧烷和十二甲基环六硅烷与硫反应的方法（非专利文献2）、对六甲基环三硅氧烷和六甲基环三硅硫烷进行热处理来制造的方法（非专利文献3）等。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：wo2006/097525

6、非专利文献1：canadian journal of chemistry，1986，vol.64，p.615－620.

7、非专利文献2：journal of organometallic chemistry，1988，vol.346，p.287－296

8、非专利文献3：journal of organometallic chemistry，1979，vol.165，p.c1，c3，c4

技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、然而，这些以往已知的方法具有需要150℃以上的高温下的反应工序，或工序数多等问题。本公开的目的在于，提供一种在简便的工序且稳定的条件下制造含硫的环状硅氧烷的方法。

3、用于解决问题的方案

4、本公开的一个方面提供以下的各项中记载的制造方法。

5、［项1］

6、一种含硫的环状硅氧烷的制造方法，其包括：使式（1）所示的二卤代硅烷与水反应，得到式（2）所示的直链状硅氧烷的工序；以及使所述直链状硅氧烷与式（3）所示的硫化剂反应，得到式（4）所示的含硫的环状硅氧烷的工序。

7、式（1）：

8、［式中，r1和r2在每次出现时独立地为氢原子、碳原子数1～6的烃基或碳原子数1～6的烃氧基，r1和r2任选地彼此键合而形成环，x在每次出现时独立地为卤素原子。］

9、式（2）：

10、［式中，r1和r2在每次出现时独立地为氢原子、碳原子数1～6的烃基或碳原子数1～6的烃氧基，键合于同一硅原子的r1和r2任选地彼此键合而形成环，x在每次出现时独立地为卤素原子，n为0～2的整数。］

11、式（3）：y2s

12、［式中，y在每次出现时独立地为氢原子、钠原子或锂原子。］

13、式（4）：

14、［式中，r1和r2在每次出现时独立地为氢原子、碳原子数1～6的烃基或碳原子数1～6的烃氧基，键合于同一硅原子的r1和r2任选地彼此键合而形成环，n为0～2的整数。］

15、［项2］

16、根据项1所述的方法，其中，r1和r2在每次出现时独立地为氢原子或碳原子数1～6的烷基。

17、［项3］

18、根据项1或2所述的方法，其中，r1和r2在每次出现时独立地为氢原子或甲基。

19、［项4］

20、根据项1～3中任一项所述的方法，其中，n为0或1。

21、［项5］

22、根据项1～4中任一项所述的方法，其中，x为氯原子。

23、［项6］

24、根据项1～5中任一项所述的方法，其中，所述含硫的环状硅氧烷为含硅的膜前体。

25、发明效果

26、根据本公开的一个方面的制造方法，能在简便的工序且稳定的条件下制造含硫的环状硅氧烷。

1.一种含硫的环状硅氧烷的制造方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，