沉积掩模、制造沉积掩模的方法和电子装置与流程

本公开的实施例涉及沉积掩模、制造沉积掩模的方法和通过使用沉积掩模制造的电子装置。

背景技术：

1、能够在接近其用户的眼睛的距离处形成焦点的可穿戴装置已经以眼镜或头盔的形式被开发。这样的可穿戴装置可以向用户提供增强现实（ar）画面或虚拟现实（vr）画面。例如，可穿戴装置可以是头戴式显示器（hmd）装置或ar眼镜。

2、这样的hmd装置或ar眼镜可以包括大约3000 ppi（像素每英寸）或更高的显示规格，以允许用户长时间使用它们而没有诸如眩晕的不良症状。为此，硅上有机发光二极管（oledos）技术已经出现，以在高分辨率小型有机发光显示装置中使用。oledos是一种其中有机发光二极管（oled）布置在上面可以布置有互补金属氧化物半导体（cmos）元件的半导体基板上的技术。

3、为了制造具有约3000 ppi或更高的高分辨率的显示面板，可以使用高分辨率沉积掩模。例如，沉积掩模可以在用于在底板基板上形成发光层的沉积工艺中用作遮蔽掩模（shadow mask）。在沉积工艺中，底板基板可以布置在沉积掩模上，并且用于提供气相沉积材料的沉积源可以布置在沉积掩模下面。

4、例如，沉积掩模可以通过在掩模基板上形成具有多个像素开口的隔膜（membrane）并且部分地移除掩模基板以形成暴露像素开口的单元开口来制造。然而，由于隔膜中的残余应力，可能发生沉积掩模的变形。例如，可能发生其中沉积掩模整体变形的全局翘曲（global warpage）以及其中隔膜的掩模单元区变形的单元翘曲，并且因此发光层的像素位置精度（ppa）、尺寸均匀性等可能劣化。

5、本背景技术部分中公开的以上信息旨在增强对本公开的背景的理解，并且可能包含不构成现有技术的信息。

技术实现思路

1、本公开的一个或多个实施例的方面针对一种具有能够减少变形的改进结构的沉积掩模、制造沉积掩模的方法以及通过使用沉积掩模制造的电子装置。

2、然而，本公开的实施例不限于本文中阐述的那些实施例。另外的方面将部分地在接下来的描述中阐述，并且部分地将从该描述显而易见，或者可以通过实践本公开的呈现的实施例而得知。

3、在本公开的一个或多个实施例中，一种沉积掩模包括：掩模基板，限定单元开口；缓冲无机膜，位于所述掩模基板上并且包括通过所述单元开口暴露的檐区；以及隔膜，位于所述檐区上并且限定与所述单元开口连通的多个像素开口。

4、在本公开的一个或多个实施例中，所述缓冲无机膜可以具有残余压缩应力，并且所述隔膜可以具有残余拉伸应力。

5、在本公开的一个或多个实施例中，所述檐区的宽度可以在约1μm至约100μm的范围内。

6、在本公开的一个或多个实施例中，所述隔膜的边缘区可以位于所述檐区上，并且所述隔膜的所述边缘区和所述檐区彼此重叠的区的宽度可以在约0.5μm至约50μm的范围内。

7、在本公开的一个或多个实施例中，所述掩模基板可以包括限定所述单元开口的肋区，所述缓冲无机膜可以包括位于所述肋区上的网格区，并且所述檐区可以从所述网格区延伸并且可以被定位为高于所述网格区。

8、在本公开的一个或多个实施例中，所述沉积掩模可以进一步包括位于所述网格区上的间隔件图案。

9、在本公开的一个或多个实施例中，所述间隔件图案可以包括：第一间隔件图案，位于所述网格区上；以及第二间隔件图案，位于所述第一间隔件图案上。所述第二间隔件图案可以包括与所述隔膜的材料相同的材料。

10、在本公开的一个或多个实施例中，所述沉积掩模可以进一步包括位于所述缓冲无机膜的边缘区上的掩模对准键。所述第一间隔件图案可以包括与所述掩模对准键的材料相同的材料。

11、在本公开的一个或多个实施例中，所述沉积掩模可以进一步包括位于所述掩模对准键上的保护膜图案。所述保护膜图案可以包括与所述隔膜的材料相同的材料。

12、在本公开的一个或多个实施例中，一种制造沉积掩模的方法包括：在掩模基板上形成缓冲无机膜；在所述缓冲无机膜上形成具有多个像素开口的隔膜；通过部分地去除所述掩模基板来形成部分地暴露所述缓冲无机膜的初步单元开口；通过去除所述缓冲无机膜的通过所述初步单元开口暴露的部分来形成部分地暴露所述隔膜的缓冲开口；以及通过扩大所述初步单元开口来形成部分地暴露所述缓冲无机膜的单元开口。所述隔膜位于所述缓冲无机膜的通过所述单元开口暴露的檐区上。

13、在本公开的一个或多个实施例中，所述形成所述隔膜可以包括：在所述缓冲无机膜上形成前无机膜；以及部分地去除所述前无机膜以形成具有所述多个像素开口的所述隔膜。所述缓冲无机膜可以具有残余压缩应力，并且所述前无机膜可以具有残余拉伸应力。

14、在本公开的一个或多个实施例中，所述方法可以进一步包括：在所述缓冲无机膜的边缘区上形成掩模对准键；以及在所述掩模对准键上形成保护膜图案。通过部分地去除所述前无机膜，所述保护膜图案可以与具有所述多个像素开口的所述隔膜同步地（例如，同时）形成。

15、在本公开的一个或多个实施例中，所述方法可以进一步包括：在所述缓冲无机膜上形成第一间隔件图案；以及在所述第一间隔件图案上形成第二间隔件图案。所述第一间隔件图案可以与所述掩模对准键同步地（例如，同时）形成，并且所述第二间隔件图案可以与所述保护膜图案同步地（例如，同时）形成。

16、在本公开的一个或多个实施例中，所述缓冲无机膜可以形成在所述掩模基板的前表面上，并且所述形成所述初步单元开口可以包括：在所述掩模基板的后表面上形成中间无机膜；在所述中间无机膜上形成后无机膜；通过部分地去除所述后无机膜来形成部分地暴露所述中间无机膜的后开口；通过部分地去除所述中间无机膜的通过所述后开口暴露的部分来形成部分地暴露所述掩模基板的所述后表面的初步中间开口；以及通过执行使用（例如，利用）所述后无机膜和所述中间无机膜作为蚀刻掩模的蚀刻工艺来形成所述初步单元开口。

17、在本公开的一个或多个实施例中，所述初步中间开口可以具有比所述后开口的宽度小的宽度，并且所述形成所述单元开口可以包括：通过去除所述中间无机膜的通过所述后开口暴露的所述部分的其余部分来形成中间开口；以及通过去除限定所述初步单元开口的内表面部分（所述初步单元开口的内表面部分）来扩大所述初步单元开口。

18、在本公开的一个或多个实施例中，所述形成所述中间开口与所述形成所述缓冲开口同步地（例如，同时）执行。

19、在本公开的一个或多个实施例中，所述方法可以进一步包括：在所述缓冲无机膜和所述隔膜上形成蚀刻停止膜；以及在形成所述缓冲开口之后去除所述蚀刻停止膜。

20、在本公开的一个或多个实施例中，所述隔膜的边缘区可以位于所述檐区上，并且所述隔膜的所述边缘区和所述檐区彼此重叠的区可以具有比所述檐区的宽度小的宽度。

21、在本公开的一个或多个实施例中，一种电子装置包括显示面板。所述显示面板包括底板基板和通过使用（例如，利用）沉积掩模形成在所述底板基板上的多个发光层。所述沉积掩模包括：掩模基板，具有（例如，限定）单元开口；缓冲无机膜，位于所述掩模基板上并且包括通过所述单元开口暴露的檐区；以及隔膜，位于所述檐区上并且具有（例如，限定）与所述单元开口连通的多个像素开口。所述多个发光层通过沉积工艺形成，所述沉积工艺通过所述单元开口和所述像素开口将气相发光材料提供到所述底板基板上。

22、在本公开的一个或多个实施例中，所述电子装置可以进一步包括处理器、存储器和电力模块中的至少一者。

23、在本公开的一个或多个实施例中，隔膜可以位于缓冲无机膜的通过单元开口暴露的檐区上。缓冲无机膜可以具有残余压缩应力，并且隔膜可以具有残余拉伸应力。因此，可以通过缓冲无机膜的残余压缩应力和隔膜的残余拉伸应力来减少隔膜的变形。

24、例如，一个或多个实施例提供一种沉积掩模和相关的制造方法，其通过控制多个层中的残余应力来提高像素位置精度并减少全局翘曲和单元翘曲。沉积掩模可以包括诸如间隔件图案、掩模对准键和保护膜图案的可选特征，以便于沉积期间的对准和处理。该方法可以进一步包括缓冲开口、中间开口和单元开口的顺序或同步形成，以暴露具有像素开口的隔膜，由此使得能够通过沉积掩模将发光材料精确沉积到底板基板上。如本文中描述的，这些结构和工艺特征共同支持高分辨率显示面板和包含此类面板的电子装置。

25、其它特征和实施例可以从以下详细描述和附图显而易见。