沉积掩模及其制造方法、制造显示装置的方法和电子装置与流程

本公开的实施方式涉及沉积掩模、制造沉积掩模的方法、使用沉积掩模制造显示装置的方法以及包括显示装置的电子装置。更具体地，本公开的实施方式涉及包括沉积孔和开口的沉积掩模、制造沉积掩模的方法、使用沉积掩模制造显示装置的方法以及包括显示装置的电子装置。

背景技术：

1、在诸如有机发光二极管（oled）显示装置和液晶显示装置（lcd）的显示装置中，提供了包括例如薄膜晶体管（tft）和各种布线的显示衬底。包括电极和发光层的显示结构可以形成在显示衬底上。

2、例如，oled显示装置可以包括包含有机发光层的发光元件。可以使用沉积掩模针对每种颜色或每个像素对有机发光层进行图案化。随着oled显示装置的分辨率提高，在沉积掩模上执行精细的图案化工艺。

技术实现思路

1、本发明的一个任务是提供具有改善的机械稳定性和沉积可靠性的沉积掩模。

2、本发明的一个任务是提供制造具有改善的机械稳定性和沉积可靠性的沉积掩模的方法。

3、本发明的一个任务是提供使用沉积掩模制造显示装置的方法。

4、本发明的任务是提供包括显示装置的电子装置。

5、在制造沉积掩模的方法中，在掩模主体的表面上依序形成保护膜和掩模膜，该表面包括彼此相对的第一表面和第二表面。通过蚀刻掩模膜形成上掩模图案和下掩模膜，其中，上掩模图案在掩模主体的第一表面上包括初步孔，以及下掩模膜在掩模主体的第二表面上。在掩模主体的侧表面上形成附加保护膜。通过从第二表面蚀刻掩模主体，形成穿过掩模主体的开口。通过去除保护膜的由开口暴露的部分，从初步孔形成连接到开口的沉积孔。

6、在一些实施方式中，保护膜可以包括基于氧化物的绝缘材料，并且掩模膜可以包括基于氮化物的绝缘材料。

7、在一些实施方式中，附加保护膜可以包括基于氧化物的绝缘材料。

8、在一些实施方式中，附加保护膜可以通过热氧化工艺形成。

9、在一些实施方式中，可以在上掩模图案的上表面和外侧表面上以及在下掩模膜的表面上一起形成附加保护膜的部分。附加保护膜的部分可以包括：第一部分，形成在上掩模图案的上表面和外侧表面上；第二部分，形成在下掩模膜的表面上；以及第三部分，形成在掩模主体的侧表面上。第三部分可以在掩模主体的侧表面上与保护膜结合。

10、在一些实施方式中，在形成开口时，可以通过蚀刻附加保护膜的堆叠在掩模主体的第二表面上的第二部分、下掩模膜以及保护膜的形成在掩模主体的第二表面上的部分来形成初步开口。可以通过经由初步开口蚀刻掩模主体形成开口。

11、在一些实施方式中，当形成沉积孔时，可以去除附加保护膜。

12、在一些实施方式中，去除附加保护膜可以部分地暴露掩模主体的侧表面。

13、形成初步开口可以从下掩模膜形成下掩模图案。形成初步开口可以从保护膜形成在下掩模图案和掩模主体之间的下保护膜图案。

14、在一些实施方式中，掩模主体的侧表面可以包括与第一表面相邻的第一倾斜表面和与第二表面相邻的第二倾斜表面。下掩模图案和下保护膜图案可以覆盖第二倾斜表面。

15、在一些实施方式中，可以通过用缓冲氧化物蚀刻剂（boe）溶液处理附加保护膜来去除附加保护膜。

16、在一些实施方式中，掩模主体可以包括硅，以及通过初步开口蚀刻掩模主体可以通过使用碱性蚀刻剂的湿法蚀刻来执行。

17、在一些实施方式中，在形成上掩模图案和下掩模膜时，可以在掩模膜的上表面上形成光刻胶膜。可以去除光刻胶膜的外部部分。可以从光刻胶膜的保留部分形成光刻胶图案。使用光刻胶图案作为蚀刻掩模来蚀刻掩模膜，蚀刻掩模膜可以将掩模膜分成上掩模图案和下掩模膜。

18、在一些实施方式中，蚀刻掩模膜可以部分地蚀刻形成在掩模主体的侧表面上的保护膜。附加保护膜可以覆盖掩模主体的侧表面上的保护膜。

19、在制造显示装置的方法中，形成背板结构，该背板结构包括基础衬底、形成在基础衬底上的晶体管以及电连接到晶体管的像素电极。在根据本文中所描述的方法制造的沉积掩模之上对准背板结构，使得像素电极与沉积掩模的沉积孔中的每个对应。可以通过将发光材料从沉积掩模的开口注入到沉积孔中而在像素电极上形成发光层。在发光层上形成对电极。

20、电子装置包括：显示装置，根据本文中所描述的方法制造；存储器；以及处理器，用于执行存储器中包含的数据以控制显示装置的操作。

21、电子装置可以包括虚拟现实眼镜或增强现实眼镜、智能电话、平板个人计算机、膝上型计算机、电视机、台式监视器、智能眼镜、头戴式显示器、智能手表或汽车电子装置。

22、沉积掩模包括：掩模主体，包括多个掩模区域、在多个掩模区域之间的虚设区域、围绕多个掩模区域和虚设区域的外部区域、以及分别与掩模区域重叠的多个开口；上掩模图案，形成在掩模主体的上表面上，并且包括与分别与多个掩模区域重叠的多个开口连接的多个沉积孔；以及栅栏结构，选择性地覆盖掩模主体的在虚设区域中的下表面部分和在外部区域中的下边缘。

23、在一些实施方式中，栅栏结构可以包括：下保护膜图案，包括基于氧化物的绝缘材料；以及下掩模图案，包括基于氮化物的绝缘材料。下保护膜图案和下掩模图案可以从掩模主体的下表面依序堆叠。

24、在一些实施方式中，栅栏结构可以包括：内部栅栏结构，形成在掩模主体的在虚设区域中的下表面部分上；以及边缘栅栏结构，形成在掩模主体的在外部区域中的下边缘上并且部分地覆盖掩模主体的侧表面。

25、在一些实施方式中，掩模主体的侧表面可以包括：第一倾斜表面，与掩模主体的上表面相邻；以及第二倾斜表面，与掩模主体的下表面相邻。边缘栅栏结构可以覆盖第二倾斜表面，但不覆盖第一倾斜表面。

1.制造沉积掩模的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述附加保护膜包括所述基于氧化物的绝缘材料。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述附加保护膜通过热氧化工艺形成。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，

6.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述开口包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述沉积孔包括去除所述附加保护膜。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，

9.根据权利要求8所述的方法，其中，

10.根据权利要求7所述的方法，其中，去除所述附加保护膜包括用缓冲氧化物蚀刻剂溶液处理所述附加保护膜。

11.根据权利要求6所述的方法，其中，

12.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述上掩模图案和所述下掩模膜包括：

13.根据权利要求12所述的方法，其中，

14.制造显示装置的方法，包括：

15.电子装置，包括：

16.根据权利要求15所述的电子装置，其中，所述电子装置包括虚拟现实眼镜或增强现实眼镜、智能电话、平板个人计算机、膝上型计算机、电视机、台式监视器、智能眼镜、头戴式显示器、智能手表或汽车电子装置。

17.沉积掩模，包括：

18.根据权利要求17所述的沉积掩模，其中，

19.根据权利要求17所述的沉积掩模，其中，所述栅栏结构包括：

20.根据权利要求19所述的沉积掩模，其中，