沉积掩模、制造其的方法和通过使用其制造的电子装置与流程

本公开涉及一种沉积掩模、制造该沉积掩模的方法和通过使用该沉积掩模制造的电子装置。

背景技术：

1、已经以眼镜或头盔形式开发出其中焦点被形成在靠近用户的眼睛的距离处的可穿戴装置。可穿戴装置可以向用户提供增强现实（ar）画面或虚拟现实（vr）画面。例如，可穿戴装置可以是头戴式显示器（hmd）装置或ar眼镜。

2、在诸如hmd装置或ar眼镜的可穿戴装置的情况下，需要近似3000像素每英寸（ppi）以上的显示规格，以允许用户长时间使用可穿戴装置而没有头晕的症状。为此，为了在高分辨率小型有机发光显示装置中使用，硅基有机发光二极管（oledos）技术逐渐兴起。oledos是一种其中有机发光二极管（oled）被布置于其上布置互补金属氧化物半导体（cmos）元件的半导体基板上的技术。

3、为了制造具有约3000 ppi以上的高分辨率的显示面板，需要高分辨率的沉积掩模。例如，沉积掩模可以在用于在背板基板上形成发光层的沉积工艺中用作阴影掩模。在沉积工艺中，背板基板可以位于沉积掩模上，并且用于提供气相沉积材料的沉积源可以位于沉积掩模之下。例如，沉积掩模可以包括掩模基板和位于掩模基板上的薄膜。薄膜可以包括具有多个像素开口的掩模单元区，并且掩模基板可以包括暴露掩模单元区的单元开口。

技术实现思路

1、本公开的实施例的方面及特征提供一种能够提高掩模基板的使用效率的沉积掩模、制造该沉积掩模的方法和通过使用该沉积掩模制造的电子装置。

2、然而，本公开的实施例不限于本文中阐述的实施例。通过参考下面给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其他的实施例对本公开所属领域中的普通技术人员将变得更显而易见。

3、在本公开的一个或多个实施例中，一种沉积掩模可以包括：掩模基板以及位于掩模基板上的薄膜。薄膜可以包括具有第一尺寸的第一掩模单元区和具有第二尺寸的第二掩模单元区。薄膜可以具有贯穿第一掩模单元区的第一像素开口和贯穿第二掩模单元区的第二像素开口。掩模基板可以具有暴露第一掩模单元区的第一单元开口和暴露第二掩模单元区的第二单元开口。

4、在本公开的一个或多个实施例中，第二掩模单元区可以位于掩模基板的边缘部分上，并且第二尺寸可以小于第一尺寸。

5、在本公开的一个或多个实施例中，第二掩模单元区之间的间隙可以等于或小于第一掩模单元区之间的间隙。

6、在本公开的一个或多个实施例中，第二掩模单元区可以相对于掩模基板的中心对称地布置。

7、在本公开的一个或多个实施例中，第二尺寸可以是第一尺寸的约0.3倍至约0.9倍。

8、在本公开的一个或多个实施例中，沉积掩模可以进一步包括：后无机膜，位于掩模基板的后表面上。薄膜可以位于掩模基板的前表面上，并且后无机膜可以与薄膜包括相同的材料，并且具有比薄膜的厚度大的厚度。

9、在本公开的一个或多个实施例中，后无机膜可以与薄膜具有相同的厚度，并且具有比薄膜的残余应力大的残余应力。

10、在本公开的一个或多个实施例中，薄膜可以进一步包括在第一掩模单元区周围的第一外围区和在第二掩模单元区周围的第二外围区，并且具有限定第一外围区的第一凹槽和限定第二外围区的第二凹槽。

11、在本公开的一个或多个实施例中，后无机膜可以与薄膜包括相同的材料，并且与薄膜具有相同的厚度，并且后无机膜的面积可以等于薄膜的除了第一掩模单元区、第一外围区、第二掩模单元区和第二外围区之外的剩余区的面积。

12、在一个或多个实施例中，一种制造沉积掩模的方法可以包括：在掩模基板上形成薄膜，该薄膜包括具有第一尺寸的第一掩模单元区和具有第二尺寸的第二掩模单元区；形成贯穿第一掩模单元区的第一像素开口和贯穿第二掩模单元区的第二像素开口；并且形成暴露第一掩模单元区的第一单元开口和暴露第二掩模单元区的第二单元开口。

13、在本公开的一个或多个实施例中，第二掩模单元区可以被形成在掩模基板的边缘部分上，并且第二尺寸可以小于第一尺寸。

14、在本公开的一个或多个实施例中，第二掩模单元区之间的间隙可以等于或小于第一掩模单元区之间的间隙。

15、在本公开的一个或多个实施例中，第二掩模单元区可以被形成为相对于掩模基板的中心对称地布置。

16、在本公开的一个或多个实施例中，第二尺寸可以是第一尺寸的约0.3倍至约0.9倍。

17、在本公开的一个或多个实施例中，该方法可以进一步包括：在掩模基板的后表面上形成后无机膜。薄膜可以被形成在掩模基板的前表面上，并且后无机膜可以与薄膜包括相同的材料，并且具有比薄膜的厚度大的厚度。

18、在本公开的一个或多个实施例中，后无机膜可以与薄膜具有相同的厚度，并且具有比薄膜的残余应力大的残余应力。

19、在本公开的一个或多个实施例中，该方法可以进一步包括：形成限定第一掩模单元区周围的第一外围区的第一凹槽和限定第二掩模单元区周围的第二外围区的第二凹槽。

20、在本公开的一个或多个实施例中，后无机膜可以与薄膜包括相同的材料，并且与薄膜具有相同的厚度，并且后无机膜的面积可以等于薄膜的除了第一掩模单元区、第一外围区、第二掩模单元区和第二外围区之外的剩余区的面积。

21、在本公开的一个或多个实施例中，一种电子装置可以包括显示面板。显示面板可以包括背板基板以及通过使用沉积掩模被形成在背板基板上的多个发光层。沉积掩模可以包括掩模基板和薄膜。该薄膜包括具有第一尺寸的第一掩模单元区和具有第二尺寸的第二掩模单元区并且位于掩模基板上。薄膜可以具有贯穿第一掩模单元区的第一像素开口和贯穿第二掩模单元区的第二像素开口。掩模基板可以具有暴露第一掩模单元区的第一单元开口和暴露第二掩模单元区的第二单元开口。多个发光层可以由通过第一掩模单元区中的一个第一掩模单元区的第一像素开口或者第二掩模单元区中的一个第二掩模单元区的第二像素开口提供的发光材料来形成。

22、在本公开的一个或多个实施例中，电子装置可以进一步包括处理器、存储器和电力模块中的至少一个。

23、在如以上描述的一个或多个实施例中，具有比第一掩模单元区的尺寸小的尺寸的第二掩模单元区可以位于掩模基板的边缘部分上。相应地，可以增加位于掩模基板上的掩模单元区的数量，并且作为结果，可以提高掩模基板的使用效率。

24、其他特征和实施例可以根据下面的详细描述和附图而显而易见。

1.一种沉积掩模，包括：

2.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述第二掩模单元区位于所述掩模基板的边缘部分上，并且

3.根据权利要求2所述的沉积掩模，其中，所述第二掩模单元区之间的间隙等于或小于所述第一掩模单元区之间的间隙。

4.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述第二掩模单元区相对于所述掩模基板的中心对称地布置。

5.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述第二尺寸是所述第一尺寸的0.3倍至0.9倍。

6.根据权利要求1所述的沉积掩模，进一步包括：

7.根据权利要求1所述的沉积掩模，进一步包括：

8.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述薄膜进一步包括在所述第一掩模单元区周围的第一外围区和在所述第二掩模单元区周围的第二外围区，并且具有限定所述第一外围区的第一凹槽和限定所述第二外围区的第二凹槽。

9.根据权利要求8所述的沉积掩模，进一步包括：

10.一种制造沉积掩模的方法，包括：

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二掩模单元区被形成在所述掩模基板的边缘部分上，并且

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二掩模单元区之间的间隙等于或小于所述第一掩模单元区之间的间隙。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二掩模单元区相对于所述掩模基板的中心对称地布置。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二尺寸是所述第一尺寸的0.3倍至0.9倍。

15.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：

16.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：

17.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：

18.根据权利要求17所述的方法，进一步包括：

19.一种电子装置，包括显示面板，

20.根据权利要求19所述的电子装置，进一步包括：