沉积用掩模、沉积用掩模的制造方法及电子装置与流程

本公开涉及一种沉积用掩模、沉积用掩模的制造方法及电子装置。

背景技术：

1、随着信息化技术的发展，作为用户与信息之间的连接媒介的显示装置的重要性日益突出。由此，正在持续进行对显示装置的研究开发。

2、作为显示装置的一示例的有机发光显示装置（organic light emitting device）可以利用于诸如智能电话、计算机、平板计算机之类的移动装置或诸如电视、户外广告牌、展示用显示器之类电子装置。

3、有机发光显示装置可以包括布置在基板上的阳极电极、阴极电极以及夹设在阳极电极与阴极电极之间的有机发光层。有机发光层可以利用沉积用掩模而形成。

技术实现思路

1、本公开的一方面（aspect）在于，提供一种用于提高沉积工艺的可靠性的沉积用掩模及沉积用掩模的制造方法。

2、本公开的一方面（aspect）在于，提供一种能够减小沉积用掩模在与沉积对象对准的过程中被损坏的风险的沉积用掩模及沉积用掩模的制造方法。

3、本公开的一方面在于，提供一种利用所述沉积用掩模来制造而具有提高的可靠性的电子装置。

4、根据本公开的实施例的沉积用掩模可以包括：掩模基板，定义有第一基板开口部和第二基板开口部；氧化膜，布置在所述掩模基板上；第一图案层，布置在所述氧化膜上，并定义有与所述第一基板开口部重叠的图案层开口部；第二图案层，布置在所述第二基板开口部内；以及对准标记，布置在所述第二基板开口部内。

5、根据实施例，所述第二基板开口部可以贯通所述掩模基板而被定义。

6、根据实施例，所述对准标记可以被布置成低于所述图案层开口部。

7、根据实施例，所述第二图案层可以被布置成低于所述图案层开口部。

8、根据实施例，所述对准标记可以与所述掩模基板不接触。

9、根据实施例，在剖面上观察时，所述对准标记可以布置在所述掩模基板的上表面与下表面之间。

10、根据实施例，所述第一图案层和所述第二图案层可以在相同的工艺中形成。

11、根据实施例，所述氧化膜可以包含硅氧化物（siox），所述第一图案层和所述第二图案层可以包含硅氮化物（sinx）。

12、根据实施例，所述第二图案层的下表面可以与所述对准标记的上表面接触。

13、根据实施例，所述对准标记可以包含金属。

14、根据实施例，所述第二图案层的上表面可以与所述对准标记的下表面接触。

15、根据实施例，在所述第二图案层定义有贯通所述第二图案层的对准开口部，所述对准标记可以是所述对准开口部。

16、根据本公开的实施例的沉积用掩模的制造方法可以包括如下步骤：在基础掩模基板形成槽；在所述基础掩模基板上形成基础氧化膜；在所述基础氧化膜上形成基础图案层；在所述槽内形成对准标记；以及蚀刻所述基础掩模基板以形成定义有第一基板开口部和第二基板开口部的掩模基板，其中，所述对准标记可以布置在所述第二基板开口部内。

17、根据实施例，所述基础图案层可以包括：第一图案层，布置在所述基础氧化膜上；以及第二图案层，布置在所述槽内。

18、根据实施例，所述沉积用掩模的制造方法还可以包括如下步骤：蚀刻所述基础图案层，其中，所述基础图案层可以被蚀刻而定义有供沉积物质穿过的图案层开口部，所述对准标记可以被布置成低于所述图案层开口部。

19、根据实施例，所述对准标记可以在所述基础图案层形成之前形成，所述对准标记的上表面可以与所述第二图案层的下表面接触。

20、根据实施例，所述对准标记可以在所述基础图案层形成之后形成，所述对准标记的下表面可以与所述第二图案层的上表面接触。

21、根据实施例，所述对准标记可以包含金属。

22、根据实施例，蚀刻所述基础图案层的步骤还可以包括蚀刻所述第二图案层以形成对准开口部的步骤，其中，所述对准标记可以是所述对准开口部。

23、根据本公开的实施例的电子装置包括：显示装置，包括显示面板；以及处理器，其中，所述显示面板可以包括发光层，所述发光层可以利用所述沉积用掩模来沉积。

24、根据本公开的实施例，可以提供用于提高沉积工艺的可靠性的沉积用掩模及沉积用掩模的制造方法。

25、根据本公开的实施例，可以提供能够减小沉积用掩模在与沉积对象对准的过程中被损坏的风险的沉积用掩模及沉积用掩模的制造方法。

26、根据本公开的实施例，可以提供利用所述沉积用掩模来制造而具有提高的可靠性的电子装置。

1.一种沉积用掩模，包括：

2.根据权利要求1所述的沉积用掩模，其中，

3.根据权利要求1所述的沉积用掩模，其中，

4.根据权利要求1所述的沉积用掩模，其中，

5.根据权利要求1所述的沉积用掩模，其中，

6.根据权利要求1所述的沉积用掩模，其中，

7.根据权利要求1所述的沉积用掩模，其中，

8.根据权利要求1所述的沉积用掩模，其中，

9.根据权利要求1所述的沉积用掩模，其中，

10.根据权利要求9所述的沉积用掩模，其中，

11.根据权利要求1所述的沉积用掩模，其中，

12.根据权利要求1所述的沉积用掩模，其中，

13.一种沉积用掩模的制造方法，包括如下步骤：

14.根据权利要求13所述的沉积用掩模的制造方法，其中，

15.根据权利要求14所述的沉积用掩模的制造方法，还包括如下步骤：

16.根据权利要求14所述的沉积用掩模的制造方法，其中，

17.根据权利要求14所述的沉积用掩模的制造方法，其中，

18.根据权利要求17所述的沉积用掩模的制造方法，其中，

19.根据权利要求15所述的沉积用掩模的制造方法，其中，

20.一种电子装置，包括：