一种背镀金属及高反射率膜的LED芯片切割系统的制作方法

本技术涉及一种背镀金属及高反射率膜的led芯片切割系统，属于led芯片制造。

背景技术：

1、传统的led隐形切割方案，一般采用单一波长（通常是红外）激光进行加工，然而在面对带有复杂背镀膜层的工件时，面临严峻挑战。

2、例如，在led芯片制造中，芯片10的结构参考图2和图3所示：芯片10包括衬底12，衬底12的材料为蓝宝石，在衬底12的背面镀有增强反射率覆膜11，覆膜11通常为金属膜或dbr膜，在衬底11的底面设有外延层13，外延层13的底部设有电流阻挡层14，p电极15设置在电流阻挡层14下方，n电极16设置在外延层13的底部，覆膜11、衬底12和外延层13为一整体，然后通过激光对切割位置进行分切得到单片。

3、覆膜11的设置对红外激光有高反射率或强吸收性，高反射会导致能量利用率低，切割困难；强吸收则会导致膜层被剧烈烧蚀甚至飞溅，污染和损伤器件，并因热应力过大导致衬底产生宏观裂纹。

4、现有技术中，有采用单一紫外激光进行切割的方案，利用其“冷加工”特性减少热影响，但对于较厚的衬底12，紫外激光穿透深度有限，需要极高的脉冲能量才能完成内部改性，效率低下且可能在上表面造成损伤。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种背镀金属及高反射率膜的led芯片切割系统。

2、为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：一种背镀金属及高反射率膜的led芯片切割系统，包括由紫外激光器和红外激光器组成的激光源；

3、所述紫外激光器与下方的第一光束整形器相接，所述红外激光器与下方的第二光束整形器相接；

4、所述第一光束整形器和所述第二光束整形器都与下方的合束镜相接，所述合束镜分别接收从第一光束整形器和所述第二光束整形器出来的光路；

5、所述合束镜的下方与扫描振镜相接；

6、所述扫描振镜的下方与消色差物镜相接。

7、进一步，所述紫外激光器的规格为355nm紫外激光器。

8、进一步，所述紫外激光器的脉冲个数：1，速度：200-1000mm/s，功率：0.2-0.5w，切深：8-15um，切宽：8-12um。

9、进一步，所述红外激光器的规格为1064nm红外激光器。

10、进一步，所述红外激光器的脉冲个数：1-12，速度：200-1000mm/s ，功率：0.3-1.5w，切深：30-100um。

11、与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于：

12、本实用新型利紫外激光的光子能量高、热效应小的特点，作用于dbr介质膜，可破坏其膜层结构使其失去功能或降低结合力，此举为后续的红外激光打开了一个低损耗、无阻碍的通道；

13、利用红外激光穿透性强、与衬底材料本体相互作用效率高的特点，在衬底内部聚焦，通过多光子吸收等非线性效应形成均匀、连续的改性层，实现高效的隐形切割；

14、实现红外激光与紫外激光的分工协作，实现先破膜，后切体的协同加工效果。

1.一种背镀金属及高反射率膜的led芯片切割系统，其特征在于：包括由紫外激光器和红外激光器组成的激光源；

2.根据权利要求1所述的一种背镀金属及高反射率膜的led芯片切割系统，其特征在于：所述紫外激光器的规格为355nm紫外激光器。

3.根据权利要求2所述的一种背镀金属及高反射率膜的led芯片切割系统，其特征在于：所述紫外激光器的脉冲个数：1，速度：200-1000mm/s，功率：0.2-0.5w，切深：8-15um，切宽：8-12um。

4.根据权利要求1所述的一种背镀金属及高反射率膜的led芯片切割系统，其特征在于：所述红外激光器的规格为1064nm红外激光器。

5.根据权利要求4所述的一种背镀金属及高反射率膜的led芯片切割系统，其特征在于：所述红外激光器的脉冲个数：1-12，速度：200-1000mm/s ，功率：0.3-1.5w ，切深：30-100um。