半导体蚀刻液集中供液系统的制作方法

本技术涉及半导体蚀刻设备，具体为半导体蚀刻液集中供液系统。

背景技术：

1、半导体蚀刻液是半导体制造中实现图形转移的关键化学试剂，通过腐蚀晶圆表面的金属、非金属或金属氧化物材料，将光刻胶定义的图案精准转移至金属化线路。其成分多样，如酸性蚀刻液含磷酸、氢氟酸等，碱性蚀刻液含氨水等，缓冲氧化物蚀刻液则由氢氟酸和氟化铵混合而成。随着制程节点缩小至3nm以下，对蚀刻液的选择性、均匀性和环保性要求日益提高，推动等离子蚀刻、原子层蚀刻等新型技术及绿色化学方案发展。

2、公告号为cn218447833u的实用新型专利公开了一种半导体蚀刻设备，包括蚀刻液槽、支撑架和顶板，所述支撑架安装在蚀刻液槽的两端上侧，所述顶板安装在支撑架的上端，还包括：用于对蚀刻后的半导体干燥的多角度干燥组件，所述多角度干燥组件安装在支撑架和顶板上，所述多角度干燥组件包括电机一和加热棒，所述电机一安装在支撑架的外侧面，该实用新型有益效果是：通过把半导体放入两组可转动的支撑板之间，然后自动带着半导体浸入蚀刻液中蚀刻，蚀刻完毕后，再自动移出蚀刻液，通过加热杆加热蚀刻液，加速对半导体蚀刻，通过风机把加热杆上的热量吹到半导体上，同时支撑板带动半导体转动吹风，技术半导体的干燥效率。

3、但是，常见的蚀刻液供液系统中，通常只输送蚀刻液，在进行蚀刻后，还需要将半导体移动到清洗池中进行清理，需要占据更多的空间，故而提出半导体蚀刻液集中供液系统来解决上述中所提出的问题。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本实用新型提供了半导体蚀刻液集中供液系统，具备共用分布管管路，对半导体进行蚀刻和清理等优点，解决了上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

3、半导体蚀刻液集中供液系统，包括蚀刻池，所述蚀刻池的顶部固定安装有支撑侧板，所述支撑侧板的顶部固定安装有两个支撑立板，所述支撑立板的顶部固定安装有支撑顶板，所述蚀刻池的内底壁固定安装有双作用分布管；

4、所述双作用分布管包括固定安装在蚀刻池内底壁的安装块，所述安装块的顶部固定安装有环形分布管，所述环形分布管的内侧壁固定安装有分布横管，所述环形分布管和分布横管的顶部均固定安装有喷头，所述蚀刻池相对的两内侧壁分别固定安装有蚀刻进管和清理进管，所述蚀刻进管和清理进管分别与环形分布管相连通，所述蚀刻进管的表面固定安装有蚀刻阀，所述清理进管的表面固定安装有清理阀。

5、进一步的，所述支撑顶板的顶部固定安装有升降气缸，升降气缸的活动端固定安装有升降顶板，升降顶板的底部固定安装有两个升降立板。

6、进一步的，所述升降立板的底部固定安装有升降侧板，升降侧板的底部固定安装有放置网框，放置网框的内侧壁固定安装有隔离网板。

7、进一步的，所述蚀刻池相互远离的两侧均固定安装有安装底板，其中一个所述安装底板的顶部固定安装有蚀刻液箱，另外一个所述安装底板的顶部固定安装有清理水箱。

8、进一步的，所述蚀刻液箱和清理水箱的顶部均固定安装有进液阀，蚀刻液箱和清理水箱的一侧均固定安装有排液阀。

9、进一步的，所述安装底板的顶部固定安装有输入泵，两个所述输入泵的输入端分别与蚀刻进管和清理进管相连通，两个所述输入泵的输出端固定安装有连通管，两个所述连通管分别与蚀刻液箱和清理水箱相连通。

10、进一步的，所述蚀刻液箱和清理水箱的一侧均固定安装有安装横板，安装横板的顶部固定安装有排液泵，排液泵的输入端固定安装有抽液管，两个所述抽液管的一端分别与蚀刻液箱和清理水箱相连通，排液泵的输出端固定安装有回流管，两个所述回流管分别与蚀刻液箱和清理水箱相连通。

11、进一步的，所述蚀刻液箱和蚀刻池之间以及清理水箱和蚀刻池之间均固定安装有溢流管，溢流管的表面固定安装有溢流阀。

12、与现有技术相比，本实用新型提供了半导体蚀刻液集中供液系统，具备以下有益效果：

13、该半导体蚀刻液集中供液系统，通过在蚀刻池的内部设置环形分布管，在环形分布管的内部设置分布横管，在环形分布管和分布横管上设置喷头，在环形分布管内分别接入蚀刻液和清水，通过喷头从下方喷出，对半导体进行蚀刻和清理，提示半导体蚀刻效率，解决了常见的蚀刻液供液系统中，通常只输送蚀刻液，在进行蚀刻后，还需要将半导体移动到清洗池中进行清理，需要占据更多空间的问题。

1.半导体蚀刻液集中供液系统，包括蚀刻池（1），其特征在于：所述蚀刻池（1）的顶部固定安装有支撑侧板（2），所述支撑侧板（2）的顶部固定安装有两个支撑立板（3），所述支撑立板（3）的顶部固定安装有支撑顶板（4），所述蚀刻池（1）的内底壁固定安装有双作用分布管；

2.根据权利要求1所述的半导体蚀刻液集中供液系统，其特征在于：所述支撑顶板（4）的顶部固定安装有升降气缸（13），升降气缸（13）的活动端固定安装有升降顶板（14），升降顶板（14）的底部固定安装有两个升降立板（15）。

3.根据权利要求2所述的半导体蚀刻液集中供液系统，其特征在于：所述升降立板（15）的底部固定安装有升降侧板（16），升降侧板（16）的底部固定安装有放置网框（17），放置网框（17）的内侧壁固定安装有隔离网板（18）。

4.根据权利要求1所述的半导体蚀刻液集中供液系统，其特征在于：所述蚀刻池（1）相互远离的两侧均固定安装有安装底板（19），其中一个所述安装底板（19）的顶部固定安装有蚀刻液箱（20），另外一个所述安装底板（19）的顶部固定安装有清理水箱（21）。

5.根据权利要求4所述的半导体蚀刻液集中供液系统，其特征在于：所述蚀刻液箱（20）和清理水箱（21）的顶部均固定安装有进液阀（22），蚀刻液箱（20）和清理水箱（21）的一侧均固定安装有排液阀（23）。

6.根据权利要求5所述的半导体蚀刻液集中供液系统，其特征在于：所述安装底板（19）的顶部固定安装有输入泵（24），两个所述输入泵（24）的输入端分别与蚀刻进管（9）和清理进管（11）相连通，两个所述输入泵（24）的输出端固定安装有连通管（25），两个所述连通管（25）分别与蚀刻液箱（20）和清理水箱（21）相连通。

7.根据权利要求6所述的半导体蚀刻液集中供液系统，其特征在于：所述蚀刻液箱（20）和清理水箱（21）的一侧均固定安装有安装横板（26），安装横板（26）的顶部固定安装有排液泵（27），排液泵（27）的输入端固定安装有抽液管（28），两个所述抽液管（28）的一端分别与蚀刻液箱（20）和清理水箱（21）相连通，排液泵（27）的输出端固定安装有回流管（29），两个所述回流管（29）分别与蚀刻液箱（20）和清理水箱（21）相连通。

8.根据权利要求7所述的半导体蚀刻液集中供液系统，其特征在于：所述蚀刻液箱（20）和蚀刻池（1）之间以及清理水箱（21）和蚀刻池（1）之间均固定安装有溢流管（30），溢流管（30）的表面固定安装有溢流阀（31）。