存储器装置及存储器装置的编程方法与流程

多个实施例总体上涉及一种存储器装置。

背景技术：

1、半导体装置是电子装置的关键组件，并且具有广泛的现代应用，例如，半导体装置可以被用于诸如计算、通信、人工智能和存储器的技术。半导体装置可以由诸如晶体管、二极管和集成电路（ic）的组件组成。

2、半导体存储器装置的编程操作可以通过向连接到存储器单元的多条字线施加多种操作电压来执行。操作电压在达到目标电压电平之后可能需要一定的时间，即电压建立时间（settling time），来稳定下来。如果电压建立时间不足，则可能无法准确地达到目标电压电平，因此编程操作可能被不完整地执行。另一方面，过长的电压建立时间可能导致编程操作中的延迟，从而导致总编程时间的增加。因此，需要在确保编程操作的准确性的同时最小化电压建立时间的技术开发。

技术实现思路

1、在实施例中，一种存储器装置可以包括多个存储器单元和外围电路。多个存储器单元可以连接到多条字线。外围电路可以被配置为在编程时段期间，对连接到多条字线之中的选择字线的目标存储器单元执行编程操作，可以被配置为在编程时段之后的第一中间时段期间，将第一中间电压施加到多条字线，可以被配置为在第一中间时段之后的第二中间时段期间，将第一中间电压施加到多条字线之中的选择字线和第一未选择字线，并且被配置为将第二中间电压施加到多条字线之中的第二未选择字线，并且可以被配置为在第二中间时段之后的验证时段期间，对目标存储器单元执行验证操作。

2、在实施例中，一种存储器装置的编程方法可以包括：在编程时段期间，对连接到多条字线之中的选择字线的目标存储器单元执行编程操作；在编程时段之后的第一中间时段期间，将第一中间电压施加到多条字线；在第一中间时段之后的第二中间时段期间，将第一中间电压施加到多条字线之中的选择字线和第一未选择字线，并且将第二中间电压施加到多条字线之中的第二未选择字线；以及在第二中间时段之后的验证时段期间，对目标存储器单元执行验证操作。

3、在实施例中，一种存储器装置可以包括多个存储器单元和外围电路。多个存储器单元可以连接到多条字线。外围电路可以被配置为在对连接到多条字线之中的选择字线的目标存储器单元执行验证操作之前，将第一未选择字线和选择字线均衡为第一中间电压，第一未选择字线是多条字线之中连接到处于擦除状态的存储器单元的字线，并且可以被配置为将第二未选择字线均衡为第二中间电压，第二未选择字线是多条字线之中连接到处于编程状态的存储器单元的字线。

1.一种存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一未选择字线连接到处于擦除状态的存储器单元。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第二未选择字线连接到处于编程状态的存储器单元。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，当执行所述编程操作时，所述外围电路：

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，当执行所述验证操作时，所述外围电路：

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第二中间电压高于所述第一中间电压。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第二中间电压是一个或多个验证通过电压之中的最低的验证通过电压。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第二中间电压低于一个或多个验证通过电压。

9.一种存储器装置的编程方法，所述编程方法包括：

10.根据权利要求9所述的编程方法，其中，所述第一未选择字线连接到处于擦除状态的存储器单元。

11.根据权利要求9所述的编程方法，其中，所述第二未选择字线连接到处于编程状态的存储器单元。

12.根据权利要求9所述的编程方法，其中，执行所述编程操作包括：

13.根据权利要求9所述的编程方法，其中，执行所述验证操作包括：

14.根据权利要求9所述的编程方法，其中，所述第二中间电压高于所述第一中间电压。

15.根据权利要求9所述的编程方法，其中，所述第二中间电压是一个或多个验证通过电压之中的最低的验证通过电压。

16.根据权利要求9所述的编程方法，其中，所述第二中间电压低于一个或多个验证通过电压。

17.一种存储器装置，包括：

18.根据权利要求17所述的存储器装置，其中，所述第二中间电压高于所述第一中间电压。

19.根据权利要求17所述的存储器装置，其中，在所述验证操作期间，所述第二中间电压是施加到所述第二未选择字线的一个或多个验证通过电压之中的最低的验证通过电压。

20.根据权利要求17所述的存储器装置，其中，在所述验证操作期间，所述第二中间电压低于施加到所述第二未选择字线的一个或多个验证通过电压。