一种压电陶瓷芯片集成结构的制作方法

本技术涉及集成电路，具体涉及一种压电陶瓷芯片集成结构。

背景技术：

1、压电陶瓷芯片与电路板之间常见的连接方式主要有以下几种：

2、一、焊接，这是最常用的连接方式之一。首先在压电陶瓷芯片的电极和电路板的对应焊盘上涂抹适量的助焊剂，然后使用电烙铁将锡丝熔化，使锡液充分浸润芯片电极和电路板焊盘，从而实现两者的连接。锡焊操作相对简单、成本低，适用于大多数普通的压电陶瓷芯片与电路板的连接。但是采用焊接方式连接，可能会出现虚焊、假焊等情况。在后续的使用过程中，这些焊接不良的部位可能会出现接触电阻增大、信号传输不稳定，甚至断开连接等问题。

3、二、将导电胶涂抹在芯片的电极和电路板的焊盘上，然后将压电陶瓷芯片按压在电路板上，使导电胶充分填充两者之间的间隙，在固化后形成导电连接。导电胶连接的优点是可以避免焊接过程中的高温对芯片的影响，适用于对温度敏感的压电陶瓷芯片。此外，导电胶还具有一定的柔韧性，能够适应一定程度的振动和冲击。但是，导电胶长期使用后发生老化，会导致导电性能下降，影响信号传输，其长期可靠性和稳定性相对较差。

4、鉴于此，有必要研究一种能够稳定连接压电陶瓷芯片与电路板的压电陶瓷芯片集成结构。

技术实现思路

1、本实用新型的目的之一在于提供一种压电陶瓷芯片集成结构，可以提高压电陶瓷芯片和柔性线路板之间的连接稳定性。

2、为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

3、一方面，本实用新型提供一种压电陶瓷芯片集成结构，包括：

4、柔性线路板，包括柔性基底和线路结构，所述线路结构附着在所述柔性基底上；

5、压电陶瓷芯片和接口部，所述压电陶瓷芯片与所述接口部间隔设置，所述接口部通过第一导电部与所述线路结构电连接，所述压电陶瓷芯片的地线区和所述功能区通过由各向异性导电胶冷压而成的第二导电部与所述线路结构电连接。

6、作为压电陶瓷芯片集成结构的进一步方案，所述线路结构包括第一线路层、第二线路层和导电柱，所述第一线路层和所述第二线路层分别附着在所述柔性基底沿厚度方向相背的两侧面，所述接口部通过所述第一导电部与所述第一线路层电连接，所述压电陶瓷芯片通过所述第二导电部与所述第二线路层电连接；所述导电柱贯穿所述柔性基底并延伸至所述柔性基底的所述第一侧面和所述第二侧面，所述第一线路层通过所述导电柱与所述第二线路层电连接。

7、作为压电陶瓷芯片集成结构的进一步方案，还包括第一阻焊层和第二阻焊层，所述第一阻焊层覆盖所述第一线路层，且所述第一线路层的焊盘区外露于所述第一阻焊层并通过所述第一导电部与所述接口部电连接；所述第二阻焊层覆盖所述第二线路层，且所述第二线路层的焊盘区外露于所述第二阻焊层并通过所述第二导电部与所述地线区和所述功能区电连接。

8、作为压电陶瓷芯片集成结构的进一步方案，所述各向异性导电胶为acf或acp。

9、作为压电陶瓷芯片集成结构的进一步方案，所述第一导电部由导电浆料烧结而成。

10、作为压电陶瓷芯片集成结构的进一步方案，所述压电陶瓷芯片位于所述柔性基底的边缘。

11、作为压电陶瓷芯片集成结构的进一步方案，所述柔性基底选自pi、pet、pp材质中任一种。

12、本实用新型的有益效果：本实用新型通过将线路结构附着在柔性基底上，并在压电陶瓷芯片的地线区与线路结构之间以及功能区与线路结构之间铺设各向异性导电胶，使各向异性导电胶经冷压处理后形成第二导电部，从而可以实现压电陶瓷芯片的地线区、功能区和线路结构之间稳定连接，且压电陶瓷芯片与所述接口部间隔设置，不影响压电陶瓷芯片与接口部之间区域的弯折。本实用新型可有效提高压电陶瓷芯片与柔性线路板之间的连接稳定性。

1.一种压电陶瓷芯片集成结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的压电陶瓷芯片集成结构，其特征在于，所述线路结构包括第一线路层、第二线路层和导电柱，所述第一线路层和所述第二线路层分别附着在所述柔性基底沿厚度方向相背的两侧面，所述接口部通过所述第一导电部与所述第一线路层电连接，所述压电陶瓷芯片通过所述第二导电部与所述第二线路层电连接；所述导电柱贯穿所述柔性基底并延伸至所述柔性基底沿厚度方向相背的两侧面，所述第一线路层通过所述导电柱与所述第二线路层电连接。

3.根据权利要求2所述的压电陶瓷芯片集成结构，其特征在于，还包括第一阻焊层和第二阻焊层，所述第一阻焊层覆盖所述第一线路层，且所述第一线路层的焊盘区外露于所述第一阻焊层并通过所述第一导电部与所述接口部电连接；所述第二阻焊层覆盖所述第二线路层，且所述第二线路层的焊盘区外露于所述第二阻焊层并通过所述第二导电部与所述地线区和所述功能区电连接。

4.根据权利要求1所述的压电陶瓷芯片集成结构，其特征在于，所述各向异性导电胶选自acf或acp。

5.根据权利要求1所述的压电陶瓷芯片集成结构，其特征在于，所述第一导电部由导电浆料烧结而成。

6.根据权利要求1至5任一项所述的压电陶瓷芯片集成结构，其特征在于，所述压电陶瓷芯片位于所述柔性基底的边缘。

7.根据权利要求1至5任一项所述的压电陶瓷芯片集成结构，其特征在于，所述柔性基底选自pi、pet、pp材质中任一种。