半导体装置和制造半导体装置的方法与流程

本公开涉及半导体装置和制造半导体装置的方法，包括但不限于包括芯片保护件（chip guard）的半导体装置。

背景技术：

1、使用半导体集成工艺，在半导体基板上形成多个芯片区域。多个芯片区域由作为边界的划线道区域分离。通过使用切割工艺分离芯片区域，制造出多个半导体芯片。

2、形成围绕芯片区域的芯片保护件，以保护芯片区域内的集成电路。例如，芯片保护件被布置为围绕芯片区域。芯片保护件可以阻止在芯片区域外部发生并在芯片区域内部转移或扩散的缺陷诱导因素。

技术实现思路

1、根据一个实施方式，一种半导体装置可以包括半导体芯片和围绕半导体芯片的芯片保护件，其中，所述芯片保护件包括：多个柱，所述多个柱沿第一方向布置并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；第一突出部，该第一突出部沿所述第一方向从所述多个柱延伸；以及第二突出部，该第二突出部沿所述第一方向从所述多个柱延伸并沿所述第二方向与所述第一突出部间隔开。

2、根据一个实施方式，一种制造半导体装置的方法可以包括以下步骤：在芯片区域和围绕所述芯片区域的保护区域中形成包括与层间绝缘层交替层叠的牺牲层的层叠件；在所述保护区域中形成延伸穿过所述层叠件并间隔开的开口；蚀刻通过所述开口暴露的牺牲层以形成与所述开口相邻的凹部；以及在所述开口和所述凹部内形成芯片保护件。

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一芯片保护件围绕所述半导体芯片。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一突出部在所述第一方向上联接所述多个柱；并且

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一突出部的一部分位于所述多个柱之间；并且

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一突出部围绕所述多个柱中的每一个的一部分；并且

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二突出部在所述第二方向上与所述第一突出部交叠。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个柱包括：

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第一突出部包括：

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第二突出部包括：

10.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置进一步包括从芯片区域延伸到保护区域中的层叠件，

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述层叠件包括在所述保护区域内沿所述第二方向与层间绝缘层交替层叠的牺牲层。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述多个柱在所述第二方向上延伸穿过所述层叠件。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述第一突出部位于所述牺牲层中的第一牺牲层的第一高度处，并且所述第二突出部位于所述牺牲层中的第二牺牲层的第二高度处。

14.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述第一突出部的外表面与所述牺牲层中的第一牺牲层接触；并且

15.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述层间绝缘层中的一个位于所述第一突出部和所述第二突出部之间。

16.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个柱的每个外表面、所述第一突出部的每个外表面和所述第二突出部的每个外表面均包括弯曲表面。

17.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在第三方向上，所述第一突出部的外部宽度在第一宽度与大于所述第一宽度的第二宽度之间变化；并且

18.根据权利要求17所述的半导体装置，其中，所述第一突出部的外部宽度在所述第一宽度和所述第二宽度之间变化。

19.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一芯片保护件包括导电材料。

20.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置进一步包括围绕所述半导体芯片和所述第一芯片保护件的第二芯片保护件。

21.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：

22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述开口在第一方向上彼此间隔开，并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸。

23.根据权利要求21所述的方法，其中，在形成所述凹部期间，从所述层叠件的通过所述开口暴露的侧表面选择性地蚀刻所述牺牲层中的每一个的一部分。

24.根据权利要求21所述的方法，其中，在形成所述凹部期间，位于所述开口之间的所述牺牲层被去除，使得所述开口彼此连通。

25.根据权利要求21所述的方法，其中，形成所述芯片保护件的步骤包括用导电层填充所述开口和所述凹部。